JPS61151533A - リフトオフ・パタ−ン形成法 - Google Patents
リフトオフ・パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS61151533A JPS61151533A JP27975084A JP27975084A JPS61151533A JP S61151533 A JPS61151533 A JP S61151533A JP 27975084 A JP27975084 A JP 27975084A JP 27975084 A JP27975084 A JP 27975084A JP S61151533 A JPS61151533 A JP S61151533A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- mask
- hard mask
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は′ａ膜製造プロセスにおけるリフトオフ・パタ
ーン形成法の改良に関するものである。
ーン形成法の改良に関するものである。
〈従来の技術〉
薄膜製造プロセスにおいて、配線などの薄膜のパターン
を絶縁層を挟んで複数層積層し、絶縁層の一部に孔をあ
けて絶縁層を挟んだ層間を接続したい場合がある。この
絶縁層としては熱伝導率がよ（、放熱効果の高いＡＱ２
０コが用いられる場合がある。しかし、Ａ （１２０３
はパターニングが難しい。
を絶縁層を挟んで複数層積層し、絶縁層の一部に孔をあ
けて絶縁層を挟んだ層間を接続したい場合がある。この
絶縁層としては熱伝導率がよ（、放熱効果の高いＡＱ２
０コが用いられる場合がある。しかし、Ａ （１２０３
はパターニングが難しい。
例えば化学エツチング法に於ては熱燐酸などに浸漬して
３００〜４００℃に加熱する必要があるが、その場合下
層（例えばＣｕｐＩＡ）の酸化や剥離が発生するという
問題点がある。このため他の方法として、ハードマスク
法やリフトオフ法が用いられている。
３００〜４００℃に加熱する必要があるが、その場合下
層（例えばＣｕｐＩＡ）の酸化や剥離が発生するという
問題点がある。このため他の方法として、ハードマスク
法やリフトオフ法が用いられている。
第２図（ａ）、（ｂ）は＋Ｍハードマスク法によるｌ膜
の形成状態を示すもので、基板ホルダ３上に配冒された
基板２の上に、熱膨張係数の小さい材質（例えばステン
レス鋼やニッケルー鉄の合金として知られるインバー材
等）を使用し、所望の形状にパターニングされた孔４を
有するハードマスク１を位置合わぜし、密着固定させ、
蒸着法、スパッタ法によりハードマスク１の孔４を通し
て基板２に薄膜パターンを形成している。
の形成状態を示すもので、基板ホルダ３上に配冒された
基板２の上に、熱膨張係数の小さい材質（例えばステン
レス鋼やニッケルー鉄の合金として知られるインバー材
等）を使用し、所望の形状にパターニングされた孔４を
有するハードマスク１を位置合わぜし、密着固定させ、
蒸着法、スパッタ法によりハードマスク１の孔４を通し
て基板２に薄膜パターンを形成している。
しかしながら、このハードマスク法では基板２とハード
マスク１との間隙を完全に密着させるのは困難であり、
その間隙に蒸着、スパッタによる薄膜部材が侵入し、（
ｂ ）図の一点鎖線で囲ったＥ部に示すように隣接する
薄膜５と接触することがあり、所望のパターン′が得ら
れないという問題がある。
マスク１との間隙を完全に密着させるのは困難であり、
その間隙に蒸着、スパッタによる薄膜部材が侵入し、（
ｂ ）図の一点鎖線で囲ったＥ部に示すように隣接する
薄膜５と接触することがあり、所望のパターン′が得ら
れないという問題がある。
第３図（ａ）、（ｂ）はリフトオフ法を示すもので、基
板ホルダ３上に配置された基板２の上にポジまたはネガ
のレジスト６を全面に塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて（ａ ）に示すような形状にパターニングする
。次に、基板全面に０゜２〜０．５μｍ程度の１ｌｌｌ
！５を形成する。この薄膜５は一般にピンホールを有し
ており、このピンホールを利用して専用のリムーバまた
は有機溶剤を用いて、レジスト６を溶かし取ってレジス
ト６上に形成されていた薄Ｍ５を除去し、（ｂ）図に示
すような薄膜パターンを形成している。
板ホルダ３上に配置された基板２の上にポジまたはネガ
のレジスト６を全面に塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて（ａ ）に示すような形状にパターニングする
。次に、基板全面に０゜２〜０．５μｍ程度の１ｌｌｌ
！５を形成する。この薄膜５は一般にピンホールを有し
ており、このピンホールを利用して専用のリムーバまた
は有機溶剤を用いて、レジスト６を溶かし取ってレジス
ト６上に形成されていた薄Ｍ５を除去し、（ｂ）図に示
すような薄膜パターンを形成している。
しかしながら、このリフトオフ法では、薄膜５の厚さを
例えば１μｍ以上に厚くしようとした場合、ピンホール
がなくなり、リムーバまたは有機溶剤でレジストを溶か
すことができなくなくなる。
例えば１μｍ以上に厚くしようとした場合、ピンホール
がなくなり、リムーバまたは有機溶剤でレジストを溶か
すことができなくなくなる。
また、スパッタ法で薄膜を形成すると熱輻射やイオンの
衝突により基板２の温度が上昇し、レジスト６が基板に
焼きついて、リムーバ、有機溶剤を使用してもレジスト
が溶けないという問題がある。
衝突により基板２の温度が上昇し、レジスト６が基板に
焼きついて、リムーバ、有機溶剤を使用してもレジスト
が溶けないという問題がある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発ｄ記従来技術の欠点に鑑みてなされたもので、ＡＱ
、２０３膜のような化学エツチングの難しい材料で、か
つ、膜厚が厚くリフトオフ法ではパターニングの難しい
薄膜を容易にパターニングすることのできるできる方法
を提供することを目的とする。
、２０３膜のような化学エツチングの難しい材料で、か
つ、膜厚が厚くリフトオフ法ではパターニングの難しい
薄膜を容易にパターニングすることのできるできる方法
を提供することを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉
本発明の構成は、フォトレジストを塗布し、パターニン
グをおこなった基板上に該レジストパターンと概略同一
形状のパターン孔を有するハードマスクを重ね合せ、ス
パッタリングまたは蒸着を行なった後、前記ハードマス
クを取り去り、前記ハードマスクにより保護されていた
フォトレジストを溶解させてパターニングを行なうこと
を特徴とするものである。
グをおこなった基板上に該レジストパターンと概略同一
形状のパターン孔を有するハードマスクを重ね合せ、ス
パッタリングまたは蒸着を行なった後、前記ハードマス
クを取り去り、前記ハードマスクにより保護されていた
フォトレジストを溶解させてパターニングを行なうこと
を特徴とするものである。
〈実施例〉
第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は本発明に係る薄膜パタ
ーン形成の工程を示すものである。第１図（ａ ）にお
いて、基板ホルダ３の上に配置された基板２上にポジま
たはネガ型のレジスト６を全面に塗布しフォトリソグラ
フィ技術を用いて所望の形状にパターニングするまでは
リフトオフ法と同じである。
ーン形成の工程を示すものである。第１図（ａ ）にお
いて、基板ホルダ３の上に配置された基板２上にポジま
たはネガ型のレジスト６を全面に塗布しフォトリソグラ
フィ技術を用いて所望の形状にパターニングするまでは
リフトオフ法と同じである。
本発明ではこのレジスト６の上にハードマスク法で使用
するハードマスク１をレジストパターンに合わせて密着
固定したものである。上記のようにマスクを固定した基
板２に矢印で示す方向からスパッタまたは蒸着法による
薄膜部材の原子・分子粒が飛来すると、その薄膜部材の
原子・分子粒はハードマスクに設けられた孔４を通して
基板２およびレジスト６の斜面に着床する。レジスト６
とハードマスク１の間隙に侵入するまわり込み聞はレジ
スト６がハードマスク１で覆われているため極めて少な
い。従ってレジストが露出しに部分に専用のリムーバま
たは有機溶剤が溶は込み、簡単にレジスト６を取り除く
ことができ、（Ｃ’）図に示すような膜厚の厚い薄膜パ
ターンを形成することができる。
するハードマスク１をレジストパターンに合わせて密着
固定したものである。上記のようにマスクを固定した基
板２に矢印で示す方向からスパッタまたは蒸着法による
薄膜部材の原子・分子粒が飛来すると、その薄膜部材の
原子・分子粒はハードマスクに設けられた孔４を通して
基板２およびレジスト６の斜面に着床する。レジスト６
とハードマスク１の間隙に侵入するまわり込み聞はレジ
スト６がハードマスク１で覆われているため極めて少な
い。従ってレジストが露出しに部分に専用のリムーバま
たは有機溶剤が溶は込み、簡単にレジスト６を取り除く
ことができ、（Ｃ’）図に示すような膜厚の厚い薄膜パ
ターンを形成することができる。
上記本発明によるマスク形成法によれば、レジスト６の
パターンがハードマスク１の陰になり、ターゲットや蒸
発源からの熱輻射を直接受けないため、レジスト６が基
板２に焼き付くことがない。
パターンがハードマスク１の陰になり、ターゲットや蒸
発源からの熱輻射を直接受けないため、レジスト６が基
板２に焼き付くことがない。
〈発明の効果〉
以上、実施例とともに具体的に説明したように本発明に
よるリフトオフ・パターン形成法によれば、 （１） レジストの焼き付きがない。
よるリフトオフ・パターン形成法によれば、 （１） レジストの焼き付きがない。
（２） レジストの溶解、剥離が容易。
（３）膜圧の厚いリフトオフが可能。
（４） レジストがターゲットや蒸発源からの輻射熱
やイオンのｆｉｔを直接受けないため、レジストの膨潤
、変形が少なくパターンＭ度が高い。
やイオンのｆｉｔを直接受けないため、レジストの膨潤
、変形が少なくパターンＭ度が高い。
（５） リフトオフ法ではレジストの上にも膜が形成
されているため、レジスト剥離の際にパターンも共に剥
離してしまうことがあるが、本発明によればレジストの
一部がハードマスクで完全に覆われているため、レジス
ト剥離時に所望のパターンを剥離してしまうことがない
。
されているため、レジスト剥離の際にパターンも共に剥
離してしまうことがあるが、本発明によればレジストの
一部がハードマスクで完全に覆われているため、レジス
ト剥離時に所望のパターンを剥離してしまうことがない
。
等の効果を奏する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は本発明に係るリフトオ
フ・パターン形成法による薄膜形成工程を示す拡大断面
図、第２図、第３図は従来例を示すもので、第１図はハ
ードマスク法、第２図はリフトオフ法による薄膜の形成
状態を示す拡大断面図である。 １・・・ハードマスク、２・・・基板、３・・・基板ホ
ルダ、４・・・孔、５・・・薄膜、６・・・レジスト。 第１図 第２図
フ・パターン形成法による薄膜形成工程を示す拡大断面
図、第２図、第３図は従来例を示すもので、第１図はハ
ードマスク法、第２図はリフトオフ法による薄膜の形成
状態を示す拡大断面図である。 １・・・ハードマスク、２・・・基板、３・・・基板ホ
ルダ、４・・・孔、５・・・薄膜、６・・・レジスト。 第１図 第２図
Claims (1)
- フォトレジストを塗布し、パターニングをおこなった基
板上に該レジストパターンと概略同一形状のパターン孔
を有するハードマスクを重ね合せ、スパッタリングまた
は蒸着を行なった後、前記ハードマスクを取り去り、前
記ハードマスクにより保護されていたフォトレジストを
溶解させてパターニングを行なうことを特徴とするリフ
トオフ・パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27975084A JPS61151533A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | リフトオフ・パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27975084A JPS61151533A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | リフトオフ・パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151533A true JPS61151533A (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=17615381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27975084A Pending JPS61151533A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | リフトオフ・パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151533A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03147112A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Fushiman Kk | 弁装置 |
| US6294314B2 (en) * | 1998-04-21 | 2001-09-25 | United Silicon Incorporated | Method of fabricating an opening with deep ultra-violet photoresist |
| JP2004190057A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
| CN108374147A (zh) * | 2017-01-31 | 2018-08-07 | 三星显示有限公司 | 掩模组件的制造方法 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27975084A patent/JPS61151533A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03147112A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Fushiman Kk | 弁装置 |
| US6294314B2 (en) * | 1998-04-21 | 2001-09-25 | United Silicon Incorporated | Method of fabricating an opening with deep ultra-violet photoresist |
| JP2004190057A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
| CN108374147A (zh) * | 2017-01-31 | 2018-08-07 | 三星显示有限公司 | 掩模组件的制造方法 |
| CN108374147B (zh) * | 2017-01-31 | 2021-12-03 | 三星显示有限公司 | 掩模组件的制造方法 |
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