JPS6147679A - ジヨセフソン接合素子の作製方法 - Google Patents
ジヨセフソン接合素子の作製方法Info
- Publication number
- JPS6147679A JPS6147679A JP59170221A JP17022184A JPS6147679A JP S6147679 A JPS6147679 A JP S6147679A JP 59170221 A JP59170221 A JP 59170221A JP 17022184 A JP17022184 A JP 17022184A JP S6147679 A JPS6147679 A JP S6147679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resist mask
- superconductor electrode
- tunnel junction
- tunnel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はジョセフソン接合素子の作製方法に関し、特に
１μｍ＃後のトンネル接合部を有するジョセフソン接合
素子の作製方法に関するものである。
１μｍ＃後のトンネル接合部を有するジョセフソン接合
素子の作製方法に関するものである。
ジョセフソン集積回路の高密度化、高速化に伴ない微細
パターン形成技術が非常に重要となってきた。特に、ジ
ョセフソン接合素子ではトンネル接合部の寸法値および
寸法精度が素子特性に大きく影響する。
パターン形成技術が非常に重要となってきた。特に、ジ
ョセフソン接合素子ではトンネル接合部の寸法値および
寸法精度が素子特性に大きく影響する。
従来、ジョセフソン接合素子の微細加工法としてはリフ
トオフ法が一般的であった。このリフトオフ法を用いた
素子作製プロセスについては、Ｊ。
トオフ法が一般的であった。このリフトオフ法を用いた
素子作製プロセスについては、Ｊ。
Ｈ，Ｇｒｅｉｎｅｒ等によって１９８０年３月に米国雑
誌ゝＩＢＭ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｒｅ５ｅｒｅｈ
ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ’の第ス巻 第２号
１９５〜２０５頁に発表された論文などがある。この
プロセスの概略を第２図（ａ）〜（ｆ）の断面図を用い
て工程順に説明する。
誌ゝＩＢＭ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｒｅ５ｅｒｅｈ
ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ’の第ス巻 第２号
１９５〜２０５頁に発表された論文などがある。この
プロセスの概略を第２図（ａ）〜（ｆ）の断面図を用い
て工程順に説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、表面に絶縁体層を有
する基板１１上に、鉛−インジウムー金（Ｐｂ−Ｉｎ−
Ａｕ）を蒸着して第１の超伝導体電極上を形成する。次
に、第２図（ｂ）に示すように、第１の超伝導体電極１
２上のトンネル接合部となる箇所にアンターカット形状
のレジストマスク１３を形成し、第２図（ｃ）に示すよ
うに基板表面に一酸化ケイ素ＳｉＯからなる絶縁体層１
４を蒸着し、引き続きリフトオフすると第２図（ｄ）に
示すような開口部りをもつトンネル接合部が形成される
。アンダーカット形状のレジストマスク１３は通常のホ
トレジスト工程に加え、露光前にクロロベンゼンなどの
有機溶剤に浸すことによって得られる。次に第２図（ｅ
）に示すようにプラズマ酸化法でトンネル接合部に数１
０人の酸化膜からなるトンネル障壁層１５を形成する。
する基板１１上に、鉛−インジウムー金（Ｐｂ−Ｉｎ−
Ａｕ）を蒸着して第１の超伝導体電極上を形成する。次
に、第２図（ｂ）に示すように、第１の超伝導体電極１
２上のトンネル接合部となる箇所にアンターカット形状
のレジストマスク１３を形成し、第２図（ｃ）に示すよ
うに基板表面に一酸化ケイ素ＳｉＯからなる絶縁体層１
４を蒸着し、引き続きリフトオフすると第２図（ｄ）に
示すような開口部りをもつトンネル接合部が形成される
。アンダーカット形状のレジストマスク１３は通常のホ
トレジスト工程に加え、露光前にクロロベンゼンなどの
有機溶剤に浸すことによって得られる。次に第２図（ｅ
）に示すようにプラズマ酸化法でトンネル接合部に数１
０人の酸化膜からなるトンネル障壁層１５を形成する。
この後、第２図（ｆ）に示すように蒸着法およびリフト
オフ法で鉛−ビスマス（Ｐｂ−Ｂｉ）からなる第２の超
伝導体電極１６を形成する。
オフ法で鉛−ビスマス（Ｐｂ−Ｂｉ）からなる第２の超
伝導体電極１６を形成する。
このプロセスで用いられたリフトオフ法では、アンダー
カット形状のレジストマスク１３が使われるが、このマ
スク１３の寸法や形状はレジストのプリベーク条件や有
機溶剤の液温、ディップ時間などのレジスト処理条件の
影響を受は易い、特に、トンネル接合部の有効面積を規
定するレジストマスク１３の下部寸法を精度よく得るこ
とは非常に難しい・ また、一方では上記問題の解決策として、エツチング法
によってトンネル接合部を形成する方法が提案されてい
る。−例として、Ａ、５ｈｏｊｉ等によって１９８２年
２月に米国雑誌’Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅ
ｔｔｅｒｓ ’の第４１巻 第１１号 １０９７〜１０
９９頁に発表された論文がある。この論文による方法は
、表面に絶縁体層をもつ基板上に被着された第１の超伝
導体電極、トンネル障壁層、第２の超伝導体電極の３層
膜上のトンネル接合部となる箇所にレジストマスクを形
成し、反応性エツチング法を用いて第２の超伝導体電極
、トンネル障壁層をエツチング除去して、トンネル接合
部を形成する方法である。この方法では、リフトオフ法
で用いられるアンターカット形状のレジストマスクが不
必要なため、レジストマスクの形状に起因する問題点は
除かれる。しかしながら、トンネル接合部の寸法精度は
レジストマスクの精度に依存するため、エツチング耐性
のあるレジストマスクを用いて１μｍ前後の高精度なト
ンネル接合部を形成することは難しい。
カット形状のレジストマスク１３が使われるが、このマ
スク１３の寸法や形状はレジストのプリベーク条件や有
機溶剤の液温、ディップ時間などのレジスト処理条件の
影響を受は易い、特に、トンネル接合部の有効面積を規
定するレジストマスク１３の下部寸法を精度よく得るこ
とは非常に難しい・ また、一方では上記問題の解決策として、エツチング法
によってトンネル接合部を形成する方法が提案されてい
る。−例として、Ａ、５ｈｏｊｉ等によって１９８２年
２月に米国雑誌’Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅ
ｔｔｅｒｓ ’の第４１巻 第１１号 １０９７〜１０
９９頁に発表された論文がある。この論文による方法は
、表面に絶縁体層をもつ基板上に被着された第１の超伝
導体電極、トンネル障壁層、第２の超伝導体電極の３層
膜上のトンネル接合部となる箇所にレジストマスクを形
成し、反応性エツチング法を用いて第２の超伝導体電極
、トンネル障壁層をエツチング除去して、トンネル接合
部を形成する方法である。この方法では、リフトオフ法
で用いられるアンターカット形状のレジストマスクが不
必要なため、レジストマスクの形状に起因する問題点は
除かれる。しかしながら、トンネル接合部の寸法精度は
レジストマスクの精度に依存するため、エツチング耐性
のあるレジストマスクを用いて１μｍ前後の高精度なト
ンネル接合部を形成することは難しい。
本発明の目的は、このような従来の欠点を埠除き、寸法
精度よくトンネル接合部を形成できるジョセフソン接合
素子の作製方法を提供することにある。
精度よくトンネル接合部を形成できるジョセフソン接合
素子の作製方法を提供することにある。
本発明は基板上に第１の超伝導体電極を形成する工程と
、この第１の超伝導体電極上のトンネル接合部となる箇
所を含む領域がその他の領域と比べ厚くなるように少な
くとも１層からなる絶縁体層を形成する工程と、この絶
縁体層上のトンネル接合部となる箇所にレジストマスク
の窓を形成した後、この窓を通して前記絶縁体層をイオ
ンエツチングし、引き続きレジストマスクを剥離する工
程と、前記第１の超伝導体電極の露出部にトンネル障壁
層を形成する工程と、このトンネル障壁層と接触する箇
所を含むように第２の超伝導体電極を形成する工程とを
行うことを特徴とするジョセフソン接合素子の作製方法
である。
、この第１の超伝導体電極上のトンネル接合部となる箇
所を含む領域がその他の領域と比べ厚くなるように少な
くとも１層からなる絶縁体層を形成する工程と、この絶
縁体層上のトンネル接合部となる箇所にレジストマスク
の窓を形成した後、この窓を通して前記絶縁体層をイオ
ンエツチングし、引き続きレジストマスクを剥離する工
程と、前記第１の超伝導体電極の露出部にトンネル障壁
層を形成する工程と、このトンネル障壁層と接触する箇
所を含むように第２の超伝導体電極を形成する工程とを
行うことを特徴とするジョセフソン接合素子の作製方法
である。
以下、本発明を図面により詳細に説明する。第１図（ａ
）〜（ｈ）は本発明の実施例を工程順に説明する断面図
である。第２図と同一構成部分は同一番号を付して説明
する。
）〜（ｈ）は本発明の実施例を工程順に説明する断面図
である。第２図と同一構成部分は同一番号を付して説明
する。
まず、第１図（ａ）に示すように、絶縁体基板あるいは
表面に絶縁体層を有する基板ｌｌ上に、超伝導体材料を
被着、パターニングして第１の超伝導体電極りを形成す
る。次に、第１図（ｂ）に示すように第１の超伝導体材
料校をＳｉＯやＳｉＯ□等からなる第１の絶縁体層１４
で被覆し、第１図（Ｃ）に示すように第１の超伝導体電
極り上のトンネル接合部となる箇所を含む領域に第１の
絶縁層１４と同様な材料からなる第２の絶縁体層２１を
形成する。ここで、第１の絶縁体層１４の膜厚は超伝導
体電極間の電気的導通を防ぎ、所望のインダクタンスが
得られるように選び、第２の絶縁体層２１の膜厚は後述
するように所望のトンネル接合層寸法が得られるように
選ぶ。第２の絶縁体層２１のバターニングにはりフトオ
フ法やエツチング法などを適用することができる。その
後、第１図（ｄ）に示すように第２の絶縁体層２１上の
トンネル接合部となる箇所に通常のレジスト工程でレジ
ストマスク１３の窓りを形成する。
表面に絶縁体層を有する基板ｌｌ上に、超伝導体材料を
被着、パターニングして第１の超伝導体電極りを形成す
る。次に、第１図（ｂ）に示すように第１の超伝導体材
料校をＳｉＯやＳｉＯ□等からなる第１の絶縁体層１４
で被覆し、第１図（Ｃ）に示すように第１の超伝導体電
極り上のトンネル接合部となる箇所を含む領域に第１の
絶縁層１４と同様な材料からなる第２の絶縁体層２１を
形成する。ここで、第１の絶縁体層１４の膜厚は超伝導
体電極間の電気的導通を防ぎ、所望のインダクタンスが
得られるように選び、第２の絶縁体層２１の膜厚は後述
するように所望のトンネル接合層寸法が得られるように
選ぶ。第２の絶縁体層２１のバターニングにはりフトオ
フ法やエツチング法などを適用することができる。その
後、第１図（ｄ）に示すように第２の絶縁体層２１上の
トンネル接合部となる箇所に通常のレジスト工程でレジ
ストマスク１３の窓りを形成する。
その上からアルゴン（Ａｒ ）等の不活性イオンビーム
を全面にシャワー状に照射し、第２の絶縁体層２１と第
１の絶縁体層１４をエツチングして、第１図（ｅ）に示
すような再付着層ｎをもつトンネル接合部を形成する。
を全面にシャワー状に照射し、第２の絶縁体層２１と第
１の絶縁体層１４をエツチングして、第１図（ｅ）に示
すような再付着層ｎをもつトンネル接合部を形成する。
その後、酸素プラズマ灰化法やアセトン洗浄などの方法
によシレジストマスク１３を剥離すると第１図（ｆ）の
ような構造が得られる。次に、第１１付）に示すように
第１の超伝導体電極１２の露出部に熱酸化法やプラズマ
酸化法によりトンネル障壁層１５を形成し、引き続き第
１図（目に示すように第１の超伝導体電極校と同様な方
法で第２の超伝導体電極１６を形成する。
によシレジストマスク１３を剥離すると第１図（ｆ）の
ような構造が得られる。次に、第１１付）に示すように
第１の超伝導体電極１２の露出部に熱酸化法やプラズマ
酸化法によりトンネル障壁層１５を形成し、引き続き第
１図（目に示すように第１の超伝導体電極校と同様な方
法で第２の超伝導体電極１６を形成する。
第１図（ｅ）の工程において、゛第１の絶縁体層１４と
第２の絶縁体層２１との膜厚をそれぞれ１．．１．とし
、レジストマスク１３の窓りの幅を匂とすれば、トンネ
ル障壁層となるべき箇所の幅ｄＢは、ｄＢ＝ｄＭ−２η
（ｔｘ”ｔｘ） ・・・・・・・・・（１）で与えら
れる。ここで、ηはイオンエツチング条件およびエツチ
ング材料に依存してη−０，３〜０．５程度の値をもつ
。（１）式から明らかなように、レジストマスクＢの窓
の幅ｄＭを減少させてトンネル障壁層となるべき箇所の
幅ｄＢに転写でき、しかも第２の絶縁体層２１の膜厚ｔ
、を選択することによりｄＢを微細に制御することがで
きる。レジストマスク１３の寸法精度、第１の絶縁体層
１４と第２の絶縁体層２１の実用的な膜厚を考慮すれば
、本発明は１μｍ前後のトンネル接合部を有する素子に
特に有効である。
第２の絶縁体層２１との膜厚をそれぞれ１．．１．とし
、レジストマスク１３の窓りの幅を匂とすれば、トンネ
ル障壁層となるべき箇所の幅ｄＢは、ｄＢ＝ｄＭ−２η
（ｔｘ”ｔｘ） ・・・・・・・・・（１）で与えら
れる。ここで、ηはイオンエツチング条件およびエツチ
ング材料に依存してη−０，３〜０．５程度の値をもつ
。（１）式から明らかなように、レジストマスクＢの窓
の幅ｄＭを減少させてトンネル障壁層となるべき箇所の
幅ｄＢに転写でき、しかも第２の絶縁体層２１の膜厚ｔ
、を選択することによりｄＢを微細に制御することがで
きる。レジストマスク１３の寸法精度、第１の絶縁体層
１４と第２の絶縁体層２１の実用的な膜厚を考慮すれば
、本発明は１μｍ前後のトンネル接合部を有する素子に
特に有効である。
次に本発明の詳細な説明する。
表面が熱酸化Ｓｉｎ、で被覆されたシリコン（Ｓｔ）基
板１１上に、高周波マグネトロンスパッタ法によ・シニ
オプ（Ｎｂ ）膜を厚さ２０００人被着し、この油膜を
通常のホトレジスト工程とＣＦ４をエツチングガスとす
る反応性エツチング法でパターニングして第１の超伝導
体電極認を形成した。次に、基板全面にＳｉＯからなる
第１の絶縁体層１４を３０００人蒸着し、引き続きリフ
トオフ法を用いて膜厚７０００人のＳｉＯからなる第２
の絶縁体層２１を形成した。この第２の絶縁体層２１上
のトンネル接合部となる箇所にポジ型ホトレジスト（シ
ラプレー社Ｈ１３００−３１）を用いた通常のホトレジ
スト工程で膜厚１μｍ、窓の直径２μｍのレジストマス
ク１３を形成した後、ｋガスを用いたイオンエツチング
法で第１．第２の絶縁体層１４ 、２１を加工し、トン
ネル接合部を形成した・このエツチング条件はに圧力２
ＸｌＯ″″’Ｔｏｒｒ 。
板１１上に、高周波マグネトロンスパッタ法によ・シニ
オプ（Ｎｂ ）膜を厚さ２０００人被着し、この油膜を
通常のホトレジスト工程とＣＦ４をエツチングガスとす
る反応性エツチング法でパターニングして第１の超伝導
体電極認を形成した。次に、基板全面にＳｉＯからなる
第１の絶縁体層１４を３０００人蒸着し、引き続きリフ
トオフ法を用いて膜厚７０００人のＳｉＯからなる第２
の絶縁体層２１を形成した。この第２の絶縁体層２１上
のトンネル接合部となる箇所にポジ型ホトレジスト（シ
ラプレー社Ｈ１３００−３１）を用いた通常のホトレジ
スト工程で膜厚１μｍ、窓の直径２μｍのレジストマス
ク１３を形成した後、ｋガスを用いたイオンエツチング
法で第１．第２の絶縁体層１４ 、２１を加工し、トン
ネル接合部を形成した・このエツチング条件はに圧力２
ＸｌＯ″″’Ｔｏｒｒ 。
加速電圧ｓｏｏ ｖ 、電流密度０．９ｍＡ／ ｃｒｙ
！である。トンネル障壁層となるべき箇所の直径ｄＢ＝
１．１μｍであった。この値は、（１）式にＳｉＯのη
の値約０．４を用いて得られるｄＢ＝１．２μｍとよい
一致が認められた。レジストマスク１３を剥離した後、
第２の超伝導体電極１６のリフトオフ用レジストマスク
を形成した・その後第１の超伝導体電極１２の露出部を
２チの酸素（０りを含むＡｒ−０２混合ガスを用いて、
全圧力Ｉ Ｘ１０− ”Ｔｏｒｒ ｓカソード電圧−１
７０Ｖで１０分間プラズマ酸化し、酸化膜からなるトン
ネル障壁層１５を形成し、次に、鉛（Ｐｂ ）膜を厚さ
６０００人蒸着し、リフトオフして第２の超伝導体電極
１６を形成した。
！である。トンネル障壁層となるべき箇所の直径ｄＢ＝
１．１μｍであった。この値は、（１）式にＳｉＯのη
の値約０．４を用いて得られるｄＢ＝１．２μｍとよい
一致が認められた。レジストマスク１３を剥離した後、
第２の超伝導体電極１６のリフトオフ用レジストマスク
を形成した・その後第１の超伝導体電極１２の露出部を
２チの酸素（０りを含むＡｒ−０２混合ガスを用いて、
全圧力Ｉ Ｘ１０− ”Ｔｏｒｒ ｓカソード電圧−１
７０Ｖで１０分間プラズマ酸化し、酸化膜からなるトン
ネル障壁層１５を形成し、次に、鉛（Ｐｂ ）膜を厚さ
６０００人蒸着し、リフトオフして第２の超伝導体電極
１６を形成した。
以上説明したように本発明によれば、イオンエツチング
法により生じる再付着層を利用してレジストマスク幅を
減少させてトンネル障壁層幅に転写できるため、１μｍ
前後で寸法精度の良いトンネル接合部を有するジョセフ
ソン接合素子を作製することができる効果を有するもの
である。
法により生じる再付着層を利用してレジストマスク幅を
減少させてトンネル障壁層幅に転写できるため、１μｍ
前後で寸法精度の良いトンネル接合部を有するジョセフ
ソン接合素子を作製することができる効果を有するもの
である。
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明のジョセフソン接合素子
の作製方法を説明するための主要工程における素子の断
面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は従来のジョセフソン接合
素子の作製方向を工程順に説明する断面図である。 図において、Ｕは基板、臣は第１の超伝導体電極、比は
レジストマスク、１４は絶縁体層または第１の絶縁体層
、１５はトンネル障壁層、１６は第２の超伝導体電極、
２１は第２の絶縁体層、ｎは再付着層である。 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 第１図 第２図
の作製方法を説明するための主要工程における素子の断
面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は従来のジョセフソン接合
素子の作製方向を工程順に説明する断面図である。 図において、Ｕは基板、臣は第１の超伝導体電極、比は
レジストマスク、１４は絶縁体層または第１の絶縁体層
、１５はトンネル障壁層、１６は第２の超伝導体電極、
２１は第２の絶縁体層、ｎは再付着層である。 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）基板上に第１の超伝導体電極を形成する工程と、
この第１の超伝導体電極上のトンネル接合部となる箇所
を含む領域がその他の領域と比べ厚くなるように少なく
とも１層からなる絶縁体層を形成する工程と、この絶縁
体層上のトンネル接合部となる箇所にレジストマスクの
窓を形成した後、この窓を通して前記絶縁体層をイオン
エッチングし、引き続きレジストマスクを剥離する工程
と、前記第１の超伝導体電極の露出部にトンネル障壁層
を形成する工程と、このトンネル障壁層と接触する箇所
を含むように第２の超伝導体電極を形成する工程とを行
うことを特徴とするジョセフソン接合素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59170221A JPS6147679A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | ジヨセフソン接合素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59170221A JPS6147679A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | ジヨセフソン接合素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147679A true JPS6147679A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15900910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59170221A Pending JPS6147679A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | ジヨセフソン接合素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6147679A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643475U (ja) * | 1987-06-26 | 1989-01-10 |
-
1984
- 1984-08-15 JP JP59170221A patent/JPS6147679A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643475U (ja) * | 1987-06-26 | 1989-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6161280B2 (ja) | ||
| JPS6147679A (ja) | ジヨセフソン接合素子の作製方法 | |
| JP2682136B2 (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
| JPS60208873A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS61263179A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS6147680A (ja) | ジヨセフソン接合素子の作製方法 | |
| JPS58147183A (ja) | ジヨセフソン集積回路の製造方法 | |
| JPS5979585A (ja) | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 | |
| JPS58209184A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS6143488A (ja) | 超伝導コンタクトの製造方法 | |
| JPS60208875A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS5877268A (ja) | トンネル型ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS6167975A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS6135579A (ja) | ジヨセフソン接合素子 | |
| JPS60210887A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS59124781A (ja) | ジヨセフソン接合集積回路の製造方法 | |
| JPS60208874A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS6396973A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS58209179A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS60113484A (ja) | ジョセフソン集積回路装置の製造方法 | |
| JPS61263180A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS5842253A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61272981A (ja) | ジヨセフソン装置の製造方法 | |
| JPH07240542A (ja) | 超電導薄膜用マスク材 | |
| JPS58209181A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |