JPH07240542A - 超電導薄膜用マスク材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 サブミクロン、さらにはナノメートルの寸法
を有する酸化物超電導素子、デバイス、あるいは回路を
得ることにより、これら素子、デバイス等の高性能化を
図る。 【構成】 酸化物系の超電導薄膜のパターン形成工程に
用いる酸化物系超電導薄膜用マスク材は、有機レジス
ト、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＳｉまたはＡｌ膜からなる金属
膜を第１、第２の有機レジスト膜に挾まれた構造とす
る。 【効果】 １００ｎｍあるいはこれ以下の幅を有する微
細なライン、および溝パターンの形成を可能にする。さ
らにこれら超電導配線および超電導接合を用いた低温素
子、超電導回路、および超電導デバイスの形成を可能に
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は超電導スイッチング素子
等、超電導エレクトロニクスの分野を始めとして、酸化
物系の超電導薄膜を用いた低温エレクトロニクス素子の
分野にかかわり、とくに高速ディジタル回路、高周波ア
ナログ回路の分野に適用される超電導薄膜の微細な加工
を実現するために選ばれた超電導薄膜用マスク材に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】超電導エレクトロニクス素子あるいは超
電導配線に用いる酸化物系の超電導薄膜のパターン形成
は以下の方法により行われていた。すなわち有機レジス
ト膜をマスク材として超電導膜の表面にコーティング
し、電子線あるいは可視光の露光によって所望のパター
ンを形成する。つぎに化学的なエッチング法あるいは物
理的なエッチング法により、酸化物超電導膜の露出して
いる部分を加工し、除去する。

【０００３】具体的には、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜の
場合、希硝酸によって化学的にエッチングすることがで
きる。化学的なエッチング法はサイドエッチング等の問
題点があり、微細なパターンを形成することが困難であ
る。従ってこれに代わる方法として、有機レジスト膜１
層を同じくマスク材として用い、不活性ガスであるＡｒ
等のイオンビームあるいはフッ素化合物、塩素化合物等
のイオンビームによって、スパッタリング作用、あるい
はスパッタリング作用と化学反応性との併用によりエッ
チングを行う方法が採用されている。

【０００４】超電導弱結合素子、超電導配線あるいは超
電導回路等の製造にはこのようなパターン形成、および
加工方法が採用されてきた。このようなパターンの形成
方法に関してはアイ・イー・イー・イー、トランザクシ
ョンズ、マグネティックス、２７巻、３０９８頁、１９
９１年に述べられている。（Ｍ．Ｇ．Ｆｏｒｒｅｓｔｅ
ｒ ｅｔ ａｌ．， ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ． Ｍａｇ
ｎ． Ｖｏｌ．２７，３０９８（１９９１））

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記従来のマスク材を
用いて酸化物系超電導薄膜のパターン形成を行おうとす
る場合、とくにサブミクロンさらにはナノメートルの微
細なパターンを形成する場合には以下の問題点および障
害が発生した。

【０００６】第１の問題点は微細パターンを得るために
電子線レジストを用いて電子線描画を行う場合、電子線
の後方散乱により、パターンの幅が拡がり、描画精度が
低下することである。このような後方散乱は酸化物超電
導デバイスの下地基板として用いる酸化物単結晶基板に
よってとくに強調される。酸化物単結晶基板からレジス
トに向けて電子が後方散乱され、電子線の照射領域以上
に電子線による電荷分布が拡がる。

【０００７】電子線自体のビーム径を数ｎｍに絞ること
ができても、１００ｎｍ以下の寸法のパターンを得るこ
とを困難にしているのは主としてこの単結晶基板からの
後方散乱によるものである。後方散乱を低減するために
電子線レジストの膜厚を１ミクロン前後に厚くした場
合、前方散乱による電荷分布の拡がりにより、やはり電
子線の照射領域以上にパターン幅が拡がる。

【０００８】第２の問題点は加工に付随した工程にあ
る。すなわちイオンビームエッチング法によって酸化物
超電導薄膜の加工を行う場合、酸化物超電導薄膜のエッ
チング速度が相対的に低いことである。例えばフッ化硫
黄ガスを用いてイオンビームエッチング法によりＹ−Ｂ
ａ−Ｃｕ酸化物薄膜の加工を行う場合、加速エネルギー
５００ｅＶ、電流密度０．５ｍＡでのエッチング割合は
５−１０ｎｍ／ｍｉｎ程度である。同一の条件で有機レ
ジスト材のエッチング割合は５０−２００ｎｍ／ｍｉｎ
となる。

【０００９】このようにマスク材と酸化物超電導薄膜の
エッチング割合の比が大きい場合、微細なパターンを得
ることが極めて困難となる。すなわち膜厚２００ｎｍの
酸化物超電導薄膜のパターン形成を行う場合、エッチン
グ割合から必要なレジスト材の膜厚は２μｍ以上とな
る。このような厚いレジストマスクを用いてサブミクロ
ンの微細パターンを得ることはできない。とくに１００
ｎｍあるいはこれ以下の微細なパターンを形成すること
は不可能である。

【００１０】たとえば酸化物超電導薄膜に対して、１０
０ｎｍ幅のパターンを得ようとする場合、幅が１００ｎ
ｍで、高さが２μｍのレジストパターンを形成する必要
がある。このようなレジストパターンを得ること自体が
困難であるし、またたとえ作製できたとしても、このよ
うなレジストパターンに忠実なパターンを酸化物超電導
薄膜に転写することはきわめて困難である。この理由は
レジスト膜に対するサイドエッチング等の影響により、
酸化物超電導薄膜のエッチング終了までレジストパター
ンの平面形状を一定に保つことができないからである。

【００１１】逆にこのようなエッチング割合のもとで、
１００ｎｍ程度の微細なパターンを得ようとすれば、有
機レジスト材の膜厚を１００−２００ｎｍとして、酸化
物超電導薄膜の膜厚は１０ｎｍ程度に限定されてしま
う。すなわち超電導エレクトロニクス素子に用いるため
に必要な超電導酸化物薄膜の膜厚５０ｎｍ以上に対し
て、十分に対処できない。

【００１２】本発明の目的はサブミクロン、さらにはナ
ノメートルの寸法を有する酸化物超電導素子、デバイ
ス、あるいは回路を得ることにより、素子、デバイス等
の高性能化を図ることにある。このために酸化物系超電
導薄膜のパターン形成において、サブミクロン寸法のパ
ターンが得られ、電子線描画法によって所望のパターン
を刻印したマスク材を提供する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本願発明は、酸化物超電導薄膜のマスク材および酸
化物超電導素子の製造方法を以下のごとくにした。

【００１４】すなわち、酸化物系の超電導薄膜のパター
ン形成工程に用いる酸化物系超電導薄膜用マスク材とし
て、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＳｉあるいはＡｌ膜と電子線用
有機レジスト膜から成る金属膜を第１、第２の有機レジ
スト膜で挾むことにより構成する。

【００１５】このような酸化物系超電導薄膜用マスク材
に関して、金属膜の下層に配された第１の電子線用有機
レジスト膜の膜厚が上層に配された第２の電子線用有機
レジスト膜の膜厚より厚くなるようにする。上記酸化物
系超電導薄膜用マスク材を用いることにより、超電導素
子、あるいは低温素子中の、酸化物系超電導薄膜のパタ
ーン形成を行い、サブミクロンのパターンを有するマイ
クロブリッジ、平面型の超電導−常伝導−超電導接合、
およびこれら超電導弱結合素子の製造を行う。

【００１６】さらに、酸化物系超電導薄膜用マスク材を
用いることにより、サブミクロンパターンを有する酸化
物系の超電導配線を形成し、これにより酸化物系の超電
導デバイス、あるいは超電導回路を構成する。

【００１７】すなわち酸化物超電導薄膜用のマスク材と
して、有機系のレジスト材にＳｉあるいはＡｌ膜の二層
積層膜、または有機系のレジスト材にＳｉあるいはＡｌ
膜およびＡｕ膜の三層積層膜を用いる。

【００１８】とくに、酸化物系超電導薄膜用マスク材に
よるパターン形成は以下の方法によって行う。

【００１９】すなわち、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物のごとき
酸化物超電導薄膜の表面層に電子線有機レジストを塗布
する。有機系レジスト材はスピン塗布法によってコーテ
ィングし、ベーキング処理を施して溶媒を蒸発させるこ
とにより成形する。つぎにＳｉ等の金属薄膜を形成す
る。Ｓｉ膜等は真空蒸着等の方法により成膜できる。さ
らにこれら表面層に電子線有機レジスト膜を形成する。
電子線による描画、および現像工程を経て上層レジスト
膜に対して所望のパターンを得る。

【００２０】つぎにＡｒやＳＦ₆等のガスを用いてイオ
ンビームエッチング法によりＳｉ膜層等のエッチングを
行い、レジスト膜のパターンをＳｉ膜等に転写する。つ
ぎにＡｒやＳＦ₆等、あるいはこれらのガス種と酸素ガ
スの混合ガスを用いてイオンビームエッチング法により
下層レジスト層のエッチングを行い、Ｓｉ膜等のパター
ンを下層レジスト膜に転写する。この段階で上層のレジ
スト膜は除去される。Ｓｉ膜と下層レジストの２層膜を
マスクとして、パターンを酸化物超電導薄膜に転写す
る。マスクとして残されたＳｉ膜と下層レジストの２層
膜は再度Ａｒ、ＳＦ₆ガス、あるいはこれらのガス種と
酸素との混合ガスを用いたイオンビームエッチング法に
より除去する。以上の工程を経ることにより、酸化物超
電導薄膜のサブミクロンパターンあるいはナノメートル
パターンを得る。

【００２１】

【作用】本発明にかかる電子線描画用マスク材は、描画
に必要な領域をマスクの表面層に限定し、この領域と基
板との距離を保つことにより、後方散乱を低減する。す
なわち、有機レジスト膜、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｉある
いはＡｌ等の金属膜、および有機レジスト膜から成る電
子線描画用３層マスクでは、各層に対して電子線感光に
よるパターン形成領域、耐エッチング領域、後方散乱を
防止するためのスペーシング領域としての機能を持たせ
る。また、本発明のマスク材は、有機レジストマスクよ
り十分にエッチング速度が遅く、酸化物薄膜とほぼ同等
のエッチング割合を有するＣｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｉある
いはＡｌ等の金属膜層にエッチングマスクとしての役割
を付与させることができる。上層の有機レジスト膜は電
子線による描画パターン形成機能を有するマスク領域で
ある。このレジスト膜は酸化物薄膜に対するエッチング
マスクとしての役割を持たないのであるから、膜厚は可
能な限り十分に薄く、１００ｎｍあるいはこれ以下で十
分である。したがって、前方散乱の影響を抑え、描画精
度を保つことができる。Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｉあるい
はＡｌ等の金属膜層はＡｒあるいはフッ化硫黄ガス等を
用いたイオンビームエッチング法を採用した場合、酸化
物薄膜とほぼ同等のエッチング割合を有する。したがっ
て、これら金属膜層は酸化物薄膜に対するエッチングマ
スクとしての役割を持たせることができる。通常室温で
有機レジスト膜上に成膜したこれら金属膜は非晶質ある
いは多結晶質であるので、電子線の後方散乱が増大する
ことはない。さらにこれら金属膜層の膜厚はパターン形
成を施すべき酸化物薄膜とほぼ同等の膜厚で十分である
から、電子線の拡がりおよび散乱に対して重大な影響を
与えない。

【００２２】下層の有機レジスト膜は電子線の後方散乱
を防止する役割を有する。すなわち上層の有機レジスト
膜と、酸化物単結晶基板との間のスペーサの役割を果た
す。下層の有機レジスト膜の膜厚が上層の有機レジスト
膜の膜厚より厚いことはスペーサとしての役割上必要な
ことである。下層の有機レジスト膜の膜厚を厚くするこ
とによって、電子線が基板に達するまでに十分に減衰さ
せることができる。逆に下層の有機レジスト膜は電子線
による描画パターン形成の役割を持たないので、膜厚が
厚いことによるパターン形成上の問題はとくに有さな
い。エッチング工程におけるパターンの転写精度に関し
ても、コリメートされたイオンビームを用いれば、下層
の有機レジスト膜の膜厚が１００ｎｍ以上であっても、
金属膜層のパターンを２０ｎｍから３０ｎｍあるいはこ
れ以上の精度で、酸化物薄膜に転写することができる。

【００２３】酸化物系の超電導薄膜を用いたマイクロブ
リッジ、平面型の超電導−常伝導−超電導接合等の超電
導弱結合素子では弱結合動作を得るために、接合部分に
関してサブミクロン、とくに１００ｎｍ以下の寸法を必
要とする。これは酸化物中における超電導波動関数の減
衰距離に対応した寸法として、接合形状に要求される仕
様である。上記の理由により本発明にかかる電子線描画
マスク、および酸化物薄膜の微細パターン形成法を適用
することにより、これら超電導弱結合素子が得られる。

【００２４】さらに、本発明に基づいて、超電導デバイ
スの高性能化に必須である１００ｎｍあるいはこれ以下
の線幅を有する超電導配線、およびこれら超電導素子、
超電導配線等を要素として含む超電導回路、超電導デバ
イス、低温素子等を製造することができる。

【００２５】

【実施例】本発明の実施例を以下に述べる。

【００２６】（実施例１）図１に示すごとく、ＳｒＴｉ
Ｏ₃の（１００）面方位単結晶を超電導薄膜配線用の基
板２０として用いる。基板上にＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄
膜２１を形成する。成膜はＫｒＦのエキシマレーザを用
いたレーザ蒸着法によって行う。雰囲気ガスは酸素ガス
とし、全圧力は２０Ｐａとする。ターゲット材はＹ−Ｂ
ａ−Ｃｕ酸化物の円板状焼結体とする。膜形成時の基板
温度は６００℃−８００℃の範囲とする。このような成
膜条件によって、膜厚５０ｎｍで、臨界温度約９０Ｋの
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜を得る。

【００２７】電子線用下層有機レジスト膜２２をスピン
塗布およびベーキング処理を施すことにより形成する。
膜厚は２００ｎｍとする。真空蒸着法によってＳｉ薄膜
２３の形成を行う。ＳｉはＷボートを用いた抵抗加熱
法、あるいは電子ビーム加熱法によって蒸発を行う。Ｓ
ｉ膜の膜厚は５０ｎｍとする。さらに電子線用上層有機
レジスト膜２４をスピン塗布およびベーキング処理を施
すことにより形成する。有機レジスト膜の膜厚は１００
ｎｍとする。このようにして形成したＳｉおよび有機レ
ジストの三層膜をマスクとする。このようにして図２
（ａ）に示すごときマスクを得る。

【００２８】パターン形成工程は図２（ｂ）以降に示す
とおりである。図２（ｂ）のように上層有機レジスト２
４に対して電子ビーム露光法により超電導薄膜配線パタ
ーンの形成を行う。現像工程を経て、有機レジスト膜に
超電導配線パターンが得られる。つぎに図２（ｃ）のよ
うに、ＳｒＴｉＯ₃基板をイオンビームエッチング装置
に置き、イオンビームエッチングによってパターンの転
写を行う。すなわちＡｒイオンビームを基板に照射し、
露出したＳｉ膜部分のエッチングを行う。Ａｒイオンビ
ームの加速電圧は５００Ｖとし、基板に対する入射電流
は８０ｍＡとする。この条件下では有機レジスト膜のエ
ッチング割合は２０ｎｍ／ｍｉｎであり、Ｓｉ膜のエッ
チング割合は１０ｎｍ／ｍｉｎである。有機レジスト膜
のエッチングが終了するまでに露出したＳｉ膜部分のエ
ッチングは完了し、有機レジスト膜のパターンはＳｉ膜
に転写される。

【００２９】つぎに図２（ｄ）のように、Ａｒと濃度５
０％の酸素を含む混合ガスを用いて、イオンビームエッ
チングを行い、Ｓｉ膜パターンにしたがって、下層有機
レジスト膜２２を加工した。エッチングの条件は同じく
加速電圧５００Ｖ，電流８０ｍＡとする。この場合のエ
ッチング割合はＳｉ膜が３ｎｍ／ｍｉｎであり、下層有
機レジスト膜に対するエッチング割合は５０ｎｍ／ｍｉ
ｎである。

【００３０】図２（ｅ）のように、下層有機レジスト膜
２２に対するエッチングが完了した段階で、Ａｒガスを
用いてイオンビームエッチングを行い、Ｓｉ膜のパター
ンをＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜２１に転写する。Ｙ−Ｂ
ａ−Ｃｕ酸化物薄膜のエッチング割合は１０ｎｍ／ｍｉ
ｎである。したがって、Ｓｉ膜層のエッチング終了直後
に、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜のエッチングが完了す
る。図２（ｆ）のように、残された下層レジスト膜２２
は酸素ガスを用いたイオンビームエッチングにより除去
する。酸素イオンによるＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜のエ
ッチングはほとんど無視できる。場合によっては、下層
レジスト膜を有機溶剤により除去する。

【００３１】以上の工程によりＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄
膜２１の配線パターンを得る。この工程で、超電導特性
や臨界電流密度等も含めて、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜
の超電導特性の劣化はほとんど認められない。本酸化物
薄膜に対して、最小５０ｎｍまでの線幅、および溝幅を
得ることができた。幅２００ｎｍの配線でも１０ｍＡ以
上の超電導電流を通じることが可能であった。このよう
なパターン形成工程はＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜のみで
なく、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化物薄膜、Ｔｌ−Ｂａ
−Ｃａ−Ｃｕ酸化物薄膜等、他の超電導酸化物薄膜に対
しても適用することができた。さらにＳｉ膜に代えてＣ
ｒ，Ｃｏ，ＮｉあるいはＡｌ等の金属膜をマスクの金属
層として用いても、同様の精度でＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物
薄膜にパターン形成を施すことができた。このような酸
化物薄膜のパターン形成方法は超電導回路、あるいは超
電導デバイス中の超電導配線の形成に適用することがで
きた。

【００３２】（実施例２）図３に示すごとく、ＳｒＴｉ
Ｏ₃の（１００）面方位単結晶を超電導素子用の基板３
２として用いる。基板上にＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜３
１を形成する。成膜はＫｒＦのエキシマレーザを用いた
レーザ蒸着法によって行い、膜厚５０ｎｍで、臨界温度
約９０ＫのＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜３１を得る。

【００３３】図２のように、膜厚２００ｎｍの電子線用
下層有機レジスト膜２２をスピン塗布およびベーキング
処理を施すことにより形成する。真空蒸着法によってＳ
ｉ薄膜２３の形成を行う。Ｓｉ膜の膜厚は５０ｎｍとす
る。さらに電子線用上層有機レジスト膜２４を形成す
る。有機レジスト膜の膜厚は１００ｎｍとする。このよ
うにして形成したＳｉおよび有機レジストの三層膜をマ
スクとする。

【００３４】上層有機レジストに対して電子ビーム露光
法により超電導薄膜配線パターンの形成を行う。現像工
程を経て、上層有機レジスト膜に超電導マイクロブリッ
ジ３３のパターンが得られる。つぎにＳｒＴｉＯ₃基板
をイオンビームエッチング装置に置き、イオンビームエ
ッチングによってパターンの転写を行う。すなわちＡｒ
イオンビームを基板に照射し、露出したＳｉ膜部分のエ
ッチングを行う。有機レジスト膜のエッチングが終了す
るまでに露出したＳｉ膜部分のエッチングは完了し、有
機レジスト膜のパターンはＳｉ膜に転写される。つぎに
Ａｒと濃度５０％の酸素を含む混合ガスを用いて、イオ
ンビームエッチングを行い、Ｓｉ膜パターンにしたがっ
て、下層有機レジスト膜を加工した。下層有機レジスト
膜に対するエッチングが完了した段階で、Ａｒガスを用
いてイオンビームエッチングを行い、Ｓｉ膜のパターン
をＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜に転写する。残された下層
レジスト膜は酸素ガスを用いたイオンビームエッチング
により除去する。

【００３５】このようなマイクロブリッジパターン形成
工程はＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜のみでなく、Ｂｉ−Ｓ
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化物薄膜、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ酸
化物薄膜等、他の超電導酸化物薄膜を用いたマイクロブ
リッジ等に対しても適用することができた。

【００３６】以上の工程によりＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄
膜のマイクロブリッジパターンを得る。ブリッジ部の長
さは５０ｎｍであり、幅は２００ｎｍである。このマイ
クロブリッジは図４および図５に示されるごとく、超電
導電流の磁場依存性や、マイクロ波照射特性等の点で、
超電導弱結合特性を示した。このような製造方法による
マイクロブリッジは特性が均一であり、基板上に配列す
ることにより、論理演算を行える超電導回路を構成する
ことができる。また、マイクロブリッジを要素として、
スクイドを基本とする微小磁場検出デバイス等を作製す
ることもできる。

【００３７】このような微細パターンの形成方法は平面
型の超電導−常伝導−超電導接合等、間隔１００ｎｍ以
下の電極間隔を必要とする、マイクロブリッジ以外の超
電導弱結合素子の製造方法にも適用できた。Ｙ−Ｂａ−
Ｃｕ酸化物薄膜等の酸化物薄膜に加工を施して幅５０ｎ
ｍの溝を形成し、この上にＰｒ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜
を積層することにより、超電導−常伝導−超電導接合が
得られた。

【００３８】

【発明の効果】実施例の項において述べたごとく、本発
明にかかるマスク材を用いた超電導素子の製造方法は以
下の効果を有する。

【００３９】（１）Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜をはじめ
とする酸化物系超電導薄膜の配線パターンおよび超電導
素子の電極膜に対して、超電導特性を劣化させることな
く、パターンの形成を行うことを可能にする。

【００４０】（２）Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜をはじめ
とする酸化物薄膜に対して、超電導配線および超電導接
合用の、１００ｎｍあるいはこれ以下の幅を有する微細
なラインおよび溝パターンの形成を可能にする。

【００４１】（３）以上の性能を有する超電導配線およ
び超電導接合のパターン形成方法はこれらを用いた低温
素子、超電導回路、および超電導デバイスの形成を可能
にする。

【００４２】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる超電導薄膜のパターン形成用マ
スクの構造図である。

【図２】本発明にかかる超電導薄膜のパターン形成工程
図である。

【図３】本発明にかかるマイクロブリッジの構造図であ
る。

【図４】本発明にかかるマイクロブリッジの印加磁場−
臨界電流特性である。

【図５】本発明にかかるマイクロブリッジのマイクロ波
照射時の電圧−電流特性である。

【符号の説明】

２０…基板、２１…酸化物超電導薄膜、２２…電子線用
下層有機レジスト膜、２３…Ｓｉ膜、２４…電子線用上
層有機レジスト膜、３１…Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜、
３２…ＳｒＴｉＯ₃基板、３３…マイクロブリッジ部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樺沢 宇紀 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 高木 一正 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】酸化物系の超電導薄膜のパタン形成工程に
   用いるマスク材おいて、上記マスク材は、金属膜を第
   １、第２の有機レジスト膜で挟むことにより構成されて
   いることを特徴とする超電導薄膜用マスク材。
2. 【請求項２】請求項１に記載の超電導薄膜用マスク材に
   おいて、上記金属膜は、有機レジスト、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎ
   ｉ、ＳｉあるいはＡｌ等より形成されることを特徴とす
   る超電導薄膜用マスク材。
3. 【請求項３】請求項１に記載の超電導薄膜用マスク材に
   おいて、上記金属膜の下層に配された第１の有機レジス
   ト膜の膜厚が上記金属膜の上層に配された第２の有機レ
   ジスト膜の膜厚より厚いことを特徴とする超電導薄膜用
   マスク材。
4. 【請求項４】請求項３に記載の超電導薄膜用マスク材に
   おいて、上記第２の有機レジスト膜の膜厚は、１００ｎ
   ｍ以下であることを特徴とする超電導薄膜用マスク材。
5. 【請求項５】請求項１、３または４に記載の超電導薄膜
   用マスク材において、上記第２の有機レジスト膜は、マ
   イクロブリッジ形状を有していることを特徴とする超電
   導薄膜用マスク材。