JPH0396286A - パターン化酸化物超伝導膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、基板上にパターン化された酸化物超伝導膜を
形成するパターン化酸化物超伝導膜形成法に関する。

【従来の技術】

従来、第４図を伴って次に述べるパターン化酸化物超伝
導膜形成法が提案されている。 すなわち、予め用意された基板１上に、例えばＢｉＳｒ
ＣａＣｕ系でなる酸化物超伝導膜２を形成する（第４図
Ａ）。 次に、その酸化物超伝導ｌＩ２上に、フォトリソグラフ
ィ法によって、レジスト材でなるマスク層３を形成する
（第４図Ｂ）。 次に、酸化物超伝導膜２に対するマスク層３をマスクと
する、燐酸系、塩酸系をエツチャントとして用いたウエ
ットエッチング処理によって、またはＡｒイオンビーム
を用いたドライエッチング処理によって、若しくはハロ
ゲン系ガスを用いた反応性ドライエッチング処理によっ
て、酸化物超伝導膜２からパターン化された酸化物超伝
導１１２’を形成する〈第４図Ｃ〉。 次に、マスク層３をパターン化された酸化物超伝導ｌＩ
２’上から除去する（第４図Ｄ）。 以上が、従来提案されているパターン化酸化物超伝導膜
形成法である。

【発明が解決しようとする課題】

上述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の場合
、基板１上に酸化物超伝導ｌＩ２を形成する工程（第４
図Ａ）において、その酸化物超伝１３ｌＩ２が、材質上
、図示のように、粗面でなる表面を有して形成されるの
で、酸化物超伝導膜２上にマスクＩｉ３を形成する工程
（第４図Ｂ）において、そのマスク層を、高精度、微細
に形成するのに一定の限度を有していた。 また、酸化物超伝導膜２上にマスクＭ３を形成する工程
（第４図Ｂ〉において、そのマスク層３がフォトリソグ
ラフイ法によって形成されるので、そのときの現像処理
時において用いる水（純水）が酸化物超伝導ｇｌ２に触
れ、このため、その酸化物超伝導膜２が、水分によって
、膜質的に劣化していた。 さらに、酸化物超伝導膜２からパターン化された酸化物
超伝導ｇ１２′を形成する工程（第４図Ｃ）において、
そのパターン化された酸化物超伝導１１２’をウエット
エッチング処理によつて形成する場合、その機構上から
、パターン化された酸化物超伝導膜を、高精度、微細に
形成することができなかった。 さらに、酸化物超伝導躾２からパターン化された酸化物
超伝導膜２′を形成する工程（第４図Ｃ）において、そ
のパターン化された酸化物超伝導ｗＡ２’を、ドライエ
ッチング処理によって形成する場合、そのドライエッチ
ング処理に用いているイオンがＡｒイオンビームであり
、また、この場合のドライエッチング処理に用いている
マスクＦｔＪ３がレジスト材でなり、そして、そのよう
なマスク層３のＡ「イオンビームに対する耐エッチング
性が、マスク層３のエッチング速度に対する酸化物超伝
導１！１２のエッチング速度の比でみて、１〜４程度と
いうように、十分低いので、パターン化された酸化物超
伝導膜２′を、高精度、微細に得ることができなかった
。このことは、酸化物超伝導膜２が比較的厚い厚さを有
する場合、なおさらであった。 さらに、酸化物超伝導膜２からパターン化された酸化物
超伝導膜２′を形成する工程（第４図Ｃ）において、そ
のバタ：ン化された酸化物超伝導Ｉｔ！１２’をハロゲ
ン系ガスを用いた反応性ドライエッチング処理によって
形成する場合、酸化物超伝導ｍ２に、４００〜５００℃
という比較的高い温度を与える必要があるとともに、そ
のような高い温度が酸化物超伝導膜２に与えられること
から、パターン化された酸化物超伝導膜２′の表面に反
応生成物が付着したりするなどから、パターン化された
酸化物超伝１１１！２′が、酸化物超伝導ＩＩ２に比し
膜質の劣化しているものとして形成されていた。 以上のことから、第４図に示す従来のパターン化酸化物
超伝導膜形成法の場合、パターン化された酸化物超伝導
ｌＩ２′を、所期の良好な膜質を有するものとして、且
つ所期のパターンに、高精度、微細に形成することがで
きない、という欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない新規なパターン
化酸化物超伝導膜形成法を提案せんとするものである。

【課題を解決するための手段】

本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法は、■基
板上に、酸化物超伝導膜を形成する工程と、■その酸化
物超伝導膜上に有機物でなる第１のレジスト層を形成す
る工程と、■その第１のレジスト層に対する熱処理によ
って、上記第１のレジスト層から、それが熱によって変
質した第２のレジスト層を形成する工程と、■その第２
のレジスト層上にＴａ，ＺｒまたはＮｂでなる金属層を
形成する工程と、■その金属層上に、パターン化された
第１のマスク層を形成する工程と、■上記金属層に対す
る上記第１のマスク層をマスクとする第１のドライエッ
チング処理によって、上記金属層から、それがパターン
化された第２のマスク層を形成する工程と、■上記第２
のレジスト層に対する上記第２のマスク層をマスクとす
る第２のドライエッチング処理によって、上記第２のレ
ジスト層から、それがパターン化された第３のマスク層
を形成する工程と、■上記酸化物超伝導股に対する上記
第２及び第３のマスク層をマスクとする窒化イオンビー
ムを用いたドライエッチング処理によって、上記酸化物
超伝導膜から、それがパターン化された酸化物超伝導膜
を形成する工程と、■上記第２及び第３のマスク層を、
酸素プラズマを用いたエッチング処理によって、上記パ
ターン化された酸化物超伝導膜上から除去する工程とを
有する。

【作用・効果】

本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法によれば
、基板上に酸化物超伝導膜を形成する工程において、そ
の酸化物超伝１Ｎ！Ｊが粗面でなる表面を有して形成さ
れるとしても、酸化物超伝導膜上に第１のレジスト層を
形成する■程において、その第１のレジスト層を、その
材質上から、平らな表面を有するものとして、容易に形
成することができる。なお、平らな表面を有して形成さ
れないおそれを有する場合、その厚さを厚くすればよい
。 また、このため、第１のレジスト層から第２のレジスト
層を形成する工程において、その第２のレジスト層を平
らな表面を右するものとして形成することができる。 さらに、第２のレジスト層上に金属層を形成する工程に
おいて、第２のレジスト層が、第１のレジスト層が熱に
よって変質している層であるため、その上に形成される
金属層が、第２のレジスト層に良くなじみ、また、第２
のレジスト層が、それを上述したように形成することが
できることから、平らな表面を有しているので、金属層
を、十分薄い厚さに形成しても、各部均質に且つ平らな
表面を有するものとして形成することができる。 また、このため、金属層上に第１のマスク層を形成する
工程において、その第１のマスク層を、フォトリソグラ
フィ法によって形成する場合でも、所期の高い精度に、
且つ微細に形成することができる。 さらに、金属層から、第１のマスク層をマスクとじて用
いて、金属層のパターン化された第２のマスク層を形成
する工程において、第１のマスク層が、それを上述した
ように形成することができることから、高精度、微細に
形成されており、また、金属層が、同様に、各部均質に
且つ平らな表面を有して形成ざれており、しかも、第２
のマスク層がドライエッチング処理によって形成される
ので、その第２のマスク層を、高精度、微細に形成する
ことができる。 また、このため、第２のレジスト層から、それがパター
ン化された第３のマスク層を形成する工程において、そ
の第３のマスク層を、高精度、微細に形成することがで
きる。 さらに、酸化物超伝導膜から、第２及び第３のマスク層
をマスクとして用いて、パターン化された酸化物超伝導
膜を形成する工程において、第２及び第３のマスク層が
、それらを上述したように形成することができることか
ら、高精度、微細に形成されており、しかも、パターン
化された酸化物超伝導膜が、酸化物超伝導膜から、ドラ
イエッチング処理によって形成されるので、パターン化
された酸化物超伝導膜をウェットエッチング処理によっ
て形成する前述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形
成法の場合に比し、より高精度、微細に容易に形成する
ことができる。 しかも、この場合のドライエッチング処理に用いている
イオンビームが、窒素イオンビームであり、また、この
場合のドライエッチング処理時に用いているマスク層が
、Ｔａ，ＺｒまたはＮｂでなる第２のマスク層を有して
おり、そして、そのような第２のマスク層の窒化イオン
ビームに対する耐エッチング性が、第２のマスク層のエ
ッチング速度と酸化物超伝導膜のエッチング速度との比
でみて、２０以上というように、十分高いので、酸化物
超伝ｗ３膜が比較的厚い厚さを有していても、その酸化
物超伝ｓｇＩから、パターン化された酸化物超伝導膜を
、マスク層としてレジスト材でなるマスク層を用い且つ
イオンビームとしてＡ「イオンビームを用いる前述した
従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の場合に比し、
より高精度に、微細に形成することができる。 なお、酸化物超伝導膜からパターン化された酸化物超伝
導膜を形成する工程に第２のマスク層とともに用いられ
ている第３のマスク層は、酸化物超伝導膜の厚さが十分
厚く、一方、第２のマスク層が十分薄い厚さを有するこ
とによって、第２のマスク層が、ドライエッチング処理
によって除去された場合において、酸化物超伝導膜に対
するマスクとして、実質的に作用する。 また、ドライエッチング処理に用いているイオンビーム
が、窒素イオンビームであり、また、この場合のドライ
エッチング処理に用いているマスク層が、Ｔａ，Ｚｒま
たはＮｂでなる第２のマスク層を有しているため、ドラ
イエッチング処理によって、酸化物超伝導膜からパター
ン化された酸化物超伝導股を形成するとき、酸化物超伝
Ｉ！膜に、パターン化された酸化物超伝導膜を反応性ド
ライエッチング処理によって形成する前述した従来のパ
ターン化酸化物超伝導膜形成法の場合のように高い温度
を与える必要もなく、しかも、このためからも、パター
ン化された酸｛ヒ物超伝導膜の表面に反応性生成物が付
着したりすることもないことから、パターン化ざれた酸
化物超伝導膜が、酸化物超伝導膜に比し膜質の劣化した
ものとして形成されるおそれを有しない。 さらに、金属層上に第１のマスク層を形成する工程にお
いて、その第１のマスク層を、フォトリソグラフィ法に
よって形成するが、そのとき、酸化物超伝導膜上に金属
層及び第２のレジスト層が存在しているので、そのとき
の現像処理時において用いる水（純水）が、酸化物超伝
導膜に触れることがなく、よって、パターン化された酸
化物超伝導膜が、水分によって膜質の劣化したものとし
て形成されるおそれを有しない。 また、第２及び第３のマスク層をパターン化された酸化
物超伝導膜上から除去する工程において、酸素プラズマ
を用いているので、それまでの工程において、結果的に
みて、パターン化された酸化物超伝導膜が酸素の欠損を
生じているものとして形成されていても、それが補償さ
れるので、パターン化された酸化物超伝導膜が、膜質の
劣化しているものとして形成されるおそれを有しない。 以上のことから、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法によれば、パターン化された酸化物超伝導膜を
、所用の良好な膜質を有するものとして、且つ所期のパ
ターンに、高精度に、微細に形成することができる。

【実ＩＭ例】

次に、本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の
実施例を述べよう。 本発明によるパターン化酸化物超伝＊ｍ形成法の実施例
は、第１図を伴って次に述べる順次の工程をとって、目
的とするパターン化された酸化物超伝導膜を形成する。 すなわち、予め用意された基板１上に、例えばＢｉＳｒ
ＣａＣｕ系でなる酸化物超伝導体材料層を、それ自体は
公知の例えばスパッタリング法によって、例えば３μ厚
に形成し、次で、その酸化物超伝導体材料層に対し、比
較的高い温度での熱処理を施すことによって、その酸化
物超伝導体材料層から、超伝導性を有する酸化物超伝導
ｐＩＡ２を形成する（第１図Ａ）。 次に、酸化物超伝導ｌＩ２上に、例えばＡＺＩ３５０Ｊ
　（商品名〉のような有機物でなるレジスト層１１を、
それ自体は公知の例えばスビンコート法によって、比較
的厚い厚さに形成する（第１図Ｂ）。 次に、レジスト層１１に対する１６０〜２５０℃の温度
での熱処理によって、レジスト層１１から、それが熱に
よって変質したレジスト層１２を形成する（第１図Ｃ）
。 次に、レジスト層１２上に、Ｔａ，ＺｒまたはＮｂでな
る金属層１３を、それ自体は公知の例えばスパッタリン
グ法によって形成する（第１図Ｄ）。 次に、金属層１３上に、例えばＡＺ１３５０（商品名）
のようなレジスト材でなる層をスビンコート法によって
形成し、次でその層に対し、露光を所要のパターンで施
し、続いて現像処理を施すことによって、レジスト材で
なる層から、それがパターン化されたマスク層１４を形
成する（第１図Ｅ）。 次に、金Ｂ層１３に対するマスク層１４をマスクとする
例えばＡ「イオンビームを用いたドライエッチング処理
によって、金属層１４から、それがパターン化されてい
るマスクＦＩＪ１３′を形成する（第１図Ｆ〉。 次に、レジスト層１２に対するマスク層１３′をマスク
とするドライエッチング処理によって、レジスト層１２
からそれがパターン化されているマスクＷＪ１２′を形
成する《第１図Ｇ）。 この場合、ドライエッチング処理には、イオンビームと
して、窒化イオンビームを用いるのを可とする。また、
この場合、マスク層１４は、マスク［１１３’　から除
去される。 次に、酸化物超伝導１１２に対するマスク層１３′及び
１２′をマスクとする窒素イオンビームを用いたドライ
エッチング処理によって、酸化物超伝導膜２から、それ
がパターン化された酸化物超伝導ｇｌ２’を形成する（
第１図Ｈ〉。 次に、マスク層１３′及び１２′を、酸素プラズマを用
いたエッチング処理によって、パターン化された酸化物
超伝導膜２′上から除去する（第１図一〉。 以上が、本発明によるパターン化酸化物超伝ｓｇ！形成
法の実施例である。 このような本発明によるパターン化酸化物超伝導躾形成
法によれば、基板１上に酸化物超伝導膜２を形成する工
程（第１図Ａ）において、その酸化物超伝導膜２が粗而
でなる表面を有して形成されるとしても、酸化物超伝導
１！４２上にレジスト層１１を形成する工程（第１図Ｂ
）において、そのレジスト層１１を、その材質上がら、
平らな表面を有するものとして、容易に形成することが
できる。なお、平らな表面を有して形成されないおそれ
を有する場合、その厚さを厚くすればよい。 また、このため、レジスト層１１からのレジスト層１２
を形成する工程（第１図Ｃ）において、そのレジスト層
１２を平らな表面を有するものとして形成することがで
きる。 さらに、レジスト層１２上に金属層１３を形成する工程
（第１図Ｄ〉において、レジスト層１２が、レジスト層
１１が熱によって変質した層であるため、その上に形成
される金属層１３が、レジスト層１２に良くなじみ、ま
た、レジスト層１２が、それを上述したように形成する
ことができることから、平らな表面を有しているので、
金ａｌ［ｌ１３を、十分薄い厚さに形成しても、各部均
質に且つ平らな表面を有するものとして形成することが
できる。 また、このため、金劃１３上にマスク層を形成する工程
（第１図Ｅ）において、そのマスク層１４を、フォトリ
ソグラフィ法によって形成していても、所期の高い精度
に、且つ微細に形成することができる。 さらに、金属層１３から、マスク層１４をマスクとして
用いて、金属層１３のパターン化されたマスク層１３′
を形成する工程（第１図「）において、マスク層１４が
、それを上述したように形成することができることから
、高精度、微細に形成されており、また、金属Ｍ１３が
、同様に、各部均質に且つ平らな表面を有して形成され
ており、しかも、マスク層１３′がドライエッチング処
理によって形成されるので、そのマスクｌｉｌ１３’を
、高精度、微細に形戒することができる。 また、このため、レジスト層１２から、それがパターン
化されたマスク層を形成する工程（第１図Ｇ〉において
、そのマスク１１１２’を、高精度、微細に形成するこ
とができる。 さらに、酸化物超伝導膜２から、マスク層１３′及び１
２′をマスクとして用いて、パターン化された酸化物超
伝導膜２′を形成する工程（第１図口）において、マス
ク層１３′及び１２′が、それらを上述したように形成
することができることから、高精度、”微細に形成され
ており、しかも、パターン化された酸化物超伝導Ｉｇ！
２’が、酸化物超伝導！！２から、ドライエッチング処
理によって形成されるので、パターン化された酸化物超
伝導１１１２’をウエットエッチング処理によって形成
する前述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の
場合に比し、より高精度、微細に容易に形成することが
できる。 しかも、この場合のドライエッチング処理に用いている
イオンビームが、窒素イオンビームであり、また、この
場合のドライエッチング処理時に用いているマスク層が
、Ｔａ，ＺｒまたはＮｂでなるマスク層１３′を有して
おり、そして、そのようなマスク層１３′の窒化イオン
ピームに対する耐エッチング性が、窒素イオンピームの
酸化物超伝導膜２に対する入射角（度〉に対する酸化物
超伝導膜２及びマスク層１３′のエッチング速度を測定
した結果を示している第２図から明らかなように、窒素
イオンビームの酸化物超伝導膜２に対する広い入射角に
亘って、マスク層１３′のエッチング速度と酸化物超伝
導膜２のエッチング速度との比でみて、２０以上という
ように、十分高いので、酸化物超伝導膜２が比較的厚い
厚さを有していても、その酸化物超伝導膜２から、パタ
ーン化された酸化物超伝導膜２′を、マスク層としてレ
ジスト材でなるマスク層を用い且つイオンビームとして
Ａｒイオンビームを用いる前述した従来のパターン化酸
化物超伝導膜形成法の場合に比し、より高精度に、微細
に形成することができる。 なお、酸化物超伝導ＷＡ２からパターン化された酸化物
超伝導膜２′を形成する工程（第１図日〉にマスク１１
３’　とともに用いられているマスク１１１２’は、第
２図に示すように、窒素イオンピームに対する耐エッチ
ング性が、酸化物超伝導膜２及びマスク１１Ｉ１３’　
に比し低いとしても、マスク層１２′を予め比較的厚い
厚さに形成しておけば、酸化物超伝導１ｇ！２の厚さが
十分厚く、一方、マスク層１３′が十分薄い厚さを有す
ることによって、マスク層１３′が、ドライエッチング
処理によって除去された場合において、酸化物超伝導膜
２に対するマスクとして、実質的に作用する。 また、ドライエッチング処理に用いているイオンビーム
が、、窒素イオンビームであり、また、この場合のドラ
イエッチング処理に用いているマスク層が、Ｔａ．ｚｒ
またはＮｂでなる第２のマスク層１３′を有しているた
め、ドライエッチング処理によって、酸化物超伝導ｌＩ
２からパターン化された酸化物超伝導膜２′を形成する
とき、酸化物超伝導膜３に、パターン化された酸化物超
伝導膜を反応性ドライエッチング処理によって形成する
前述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の場合
のように高い温度を与える必要もなく、シかも、このた
めからも、パターン化された酸化物超伝ＩＪ膜２′の表
面に反応性生成物が付着したりすることもないことから
、パターン化された酸化物超伝導膜２′が、酸化物超伝
導［１２に比し膜質の劣化したものとして形成されるお
それを有しない。 さらに、金属層１３上にマスク層１４を形成する工程に
おいて、そのマスクＷＪ１４を、フォトリソグラフィ法
によって形成しているが、そのとき、酸化物超伝導膜２
上に金属１ｉ１１３及びレジスト層１２が存在している
ので、そのときの現像処理時において用いる水（純水）
が、酸化物超伝Ｓ膜２に触れることがなく、よって、パ
ターン化された酸化物超伝導膜が水分によって膜質の劣
化したものとして形成されるおそれを有しない。 また、マスク層１３′及び１２′をパターン化された酸
化物超伝導ｇ！２’上から除去する工程（第１図Ｉ〉に
おいて、酸素プラズマを用いているので、それまでの工
程（第１図Ａ〜第１図口）において、結果的にみて、パ
ターン化された酸化物超伝導ｌＩ２’が酸素の欠損を生
じているものとして形成されていても、それが補填され
るので、パターン化された酸化物超伝導膜２′が、膜質
の劣化しているものとして形成されるおそれを有しない
。 従って、パターン化された酸化物超伝導Ｇ２′を、酸化
物超伝導膜２から、膜質の劣化していない、所朗の良好
な膜質を有するものとして、形成することができる。こ
のことは、酸化物超伝導膜２に対する温度（Ｋ＞に対す
る抵抗（Ω）と、パターン化された酸化物超伝導膜２′
に対する潟度（Ｋ）に対する抵抗（Ω）との関係を測定
したところ、第３図に示す結果が得られ、そして、その
結果から、パターン化された酸化物超伝１ｊ１！２’が
、酸化物超伝導膜２と実質的に変らない超伝導転移温度
ＴＣ（Ｋ）を有していることが確認されたことからも明
らかである。 以上のことから、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法によれば、パターン化された酸化物超伝導膜を
、所期の良好な膜質を有するものとして、且つ所期のパ
ターンに、高精度に、微細に形成することができる。 なお、上述においては、本発明の１つの実施例を示した
に留まり、金属層１３上にマスク層１４を形成する工程
（第１図Ｅ〉において、そのマスク１１１４を、レジス
ト材以外の材料からなるものとして、また、フォトリソ
グラフイ法以外の種々の方法によって形成することもで
き、その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の
変型、変更をなし得るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−１は、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法の実施例による順次の工程における略線的断面
図である。 第２図は、第１図Ａ−１に示す本発明によるパターン化
酸化物超伝導膜形成法の実施例の説明に供する、レジス
ト層からマスク層及び酸化物超伝導膜からパターン化さ
れた酸化物超伝導膜を各別に窒素イオンビームを用いた
ドライエッチング処理によって形成するときの、レジス
ト層及び酸化物超伝導膜へのイオンビームの入射角に対
するレジスト層及び酸化物超伝導膜のエッチング速度を
、Ｔａでなるエッチング速度と対比して示す図である。 第３図は、第１図Ａ〜■に示す本発明によるパターン化
酸化物超伝導膜形成法の実施例の説明に供する、酸化物
超伝導膜に対する温度（Ｋ）に対する抵抗（Ω〉と、酸
化物超伝導膜がパターン化された酸化物超伝導膜に対す
る温度（Ｋ）に対する抵抗（Ω〉との関係と対比して示
す図である。 第４図は、従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法を示
す、順次の工程における略線的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・基板２・・・・・・
・・・・・・・・・酸化物超伝導膜２′・・・・・・・
・・・・・パターン化された酸化物超伝導膜 ３・・・・・・・・・・・・・・・マスク層１１、１２
・・・・・・レジスト層 １３・・・・・・・・・・・・・・・金属層１３′・・
・・・・・・・・・・マスク層１４・・・・・・・・・
・・・・・・マスク層第１図 ０ １５ ３０ ４５ ６０ ７５ イ才ンヒ゛−大の入射角（度） ＴＯ 温度（Ｘ） 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　基板上に、酸化物超伝導膜を形成する工程と、上記酸
   化物超伝導膜上に、有機物でなる第１のレジスト層を形
   成する工程と、 上記第１のレジスト層に対する熱処理によって、上記第
   １のレジスト層から、それが熱によって変質した第２の
   レジスト層を形成する工程と、 上記第２のレジスト層上に、Ｔａ、ＺｒまたはＮｂでな
   る金属層を形成する工程と、 上記金属層上に、パターン化された第１のマスク層を形
   成する工程と、 上記金属層に対する上記第１のマスク層をマスクとする
   第１のドライエッチング処理によつて、上記金属層から
   、それがパターン化された第２のマスク層を形成する工
   程と、 上記第２のレジスト層に対する上記第２のマスク層をマ
   スクとする第２のドライエッチング処理によつて、上記
   第２のレジスト層から、それがパターン化された第３の
   マスク層を形成する工程と、 上記酸化物超伝導膜に対する上記第２及び第３のマスク
   層をマスクとする窒化イオンビームを用いたドライエッ
   チング処理によつて、上記酸化物超伝導膜から、それが
   パターン化された酸化物超伝導膜を形成する工程と、 上記第２及び第３のマスク層を、酸素プラズマを用いた
   エッチング処理によつて、上記パターン化された酸化物
   超伝導膜上から除去する工程とを有することを特徴とす
   るパターン化酸化物超伝導膜形成法。