JPH02138468A - パターン形成法 - Google Patents
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- JPH02138468A JPH02138468A JP28986388A JP28986388A JPH02138468A JP H02138468 A JPH02138468 A JP H02138468A JP 28986388 A JP28986388 A JP 28986388A JP 28986388 A JP28986388 A JP 28986388A JP H02138468 A JPH02138468 A JP H02138468A
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Landscapes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、 イオンブ
【／−ティング、ＭＢＥ等での成膜の際に基板温度が１
５０℃以」二となる無機物の薄膜についてのリフトオフ
法によるパターン形成法に関するものである。
【／−ティング、ＭＢＥ等での成膜の際に基板温度が１
５０℃以」二となる無機物の薄膜についてのリフトオフ
法によるパターン形成法に関するものである。
（従来の技術〕
従来より１、ウェットエンチング、ドライエンチングが
困難な薄膜のパターン形成法としてリフトオフ法及びメ
タルマスク法がある。リフトオフ法は基板上にフォトレ
ジスト電子線レジストを塗布し、露光、現像を行いレジ
ストバクーンを形成し、その後、蒸着、スパッタリング
、ＣＶＤ、 イオンブレーティング、ＭＢＦ、笠の成
膜法により基板の前面にわたり任意の無機物を成膜した
後、アルカリ、酸、溶剤等でレジストを除去し、所望の
部分に無機物を戎すことにより無機物のパターンを形成
するものである。
困難な薄膜のパターン形成法としてリフトオフ法及びメ
タルマスク法がある。リフトオフ法は基板上にフォトレ
ジスト電子線レジストを塗布し、露光、現像を行いレジ
ストバクーンを形成し、その後、蒸着、スパッタリング
、ＣＶＤ、 イオンブレーティング、ＭＢＦ、笠の成
膜法により基板の前面にわたり任意の無機物を成膜した
後、アルカリ、酸、溶剤等でレジストを除去し、所望の
部分に無機物を戎すことにより無機物のパターンを形成
するものである。
又、メタルマスク法は基板上にメタルマスクを装着した
後、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、 イオンブレーテ
ィング、ＭＢＦ、等により成膜を行いパターンを形成す
るものである。
後、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、 イオンブレーテ
ィング、ＭＢＦ、等により成膜を行いパターンを形成す
るものである。
しかしながら、−ａに用いられるフォトレジスト・電子
線レジストは有機物であるため、リフトオフの場合、レ
ジストパターン形成後の無機物薄膜の成膜の際の基板加
熱温度が１５０℃以上という様な高温になると、成膜後
のレジスト剥離が非常に困難になるという欠点がある。
線レジストは有機物であるため、リフトオフの場合、レ
ジストパターン形成後の無機物薄膜の成膜の際の基板加
熱温度が１５０℃以上という様な高温になると、成膜後
のレジスト剥離が非常に困難になるという欠点がある。
この様な例として、高温超伝導セラミックス基板はウェ
ット・ドライによるエンチングが困難なため、リフトオ
フ法によるパターン形成が望まれるが、成膜時の基板加
熱温度は一般的に５００°Ｃ以上の高温が必要であるた
め、有機レジストを用いたリフトオフ法ではレジスト剥
離が困難になり、パターンを成形することはできない。
ット・ドライによるエンチングが困難なため、リフトオ
フ法によるパターン形成が望まれるが、成膜時の基板加
熱温度は一般的に５００°Ｃ以上の高温が必要であるた
め、有機レジストを用いたリフトオフ法ではレジスト剥
離が困難になり、パターンを成形することはできない。
又、メタルマスク法は基板及びマスク材料を選ぶことに
より成膜の際の基板加熱温度を１０００°Ｃ以上にする
ことが可能であるが、メタルマスクの加工精度及び基板
とメタルマスクの密着性に問題があるため、数十μオー
ダー以下の微細パターンの加工には不適当である。
より成膜の際の基板加熱温度を１０００°Ｃ以上にする
ことが可能であるが、メタルマスクの加工精度及び基板
とメタルマスクの密着性に問題があるため、数十μオー
ダー以下の微細パターンの加工には不適当である。
本発明は上述の問題を解消し、成膜の際の基板加熱温度
が１５０°Ｃ以上となる無機物の薄膜にっいて数十μオ
ーダー以下の微細パターンを形成することができる方法
を提供するものである。
が１５０°Ｃ以上となる無機物の薄膜にっいて数十μオ
ーダー以下の微細パターンを形成することができる方法
を提供するものである。
本発明法は上記課題を解決するため、以下に示す構成を
有するものである。
有するものである。
即ち、本発明は、
「基板上に金属薄膜を形成し、次いで該７ｉ１膜表面に
レジスト層を形成する工程、レジスト層の露光。
レジスト層を形成する工程、レジスト層の露光。
現像を行いレジストパターン層を形成する工程、エンチ
ングによりレジストパターン形状の金属薄膜を除去した
後レジストパターン層を剥離し基材表面に金属パターン
層を形成する工程、成膜する際の基板加熱温度が１５０
°Ｃ以上必要となる無機物を金属パターン層表面をより
成膜する工程、金属パターンを除去し無機物の薄膜パタ
ーンを形成する工程、の各工程を順次行うことを特徴と
するパターン形成法。Ｊ を要旨とするものである。
ングによりレジストパターン形状の金属薄膜を除去した
後レジストパターン層を剥離し基材表面に金属パターン
層を形成する工程、成膜する際の基板加熱温度が１５０
°Ｃ以上必要となる無機物を金属パターン層表面をより
成膜する工程、金属パターンを除去し無機物の薄膜パタ
ーンを形成する工程、の各工程を順次行うことを特徴と
するパターン形成法。Ｊ を要旨とするものである。
本発明方法に於ける第１の工程では、第１図（ａ）に示
す如く、基板１上に金属薄膜２を形成し、次いで該薄膜
２表面にレジスト層３を形成する。
す如く、基板１上に金属薄膜２を形成し、次いで該薄膜
２表面にレジスト層３を形成する。
基板の材質としては、Ｓｉ、 ＭｇＯ，５ｒＴｉ０３等
の単結晶基板、もしくはジルコニア、アルミナ、ＹＳＺ
等のセラミックス基板等が挙げられ、その厚みは用途に
応して適するものを選択することができる。
の単結晶基板、もしくはジルコニア、アルミナ、ＹＳＺ
等のセラミックス基板等が挙げられ、その厚みは用途に
応して適するものを選択することができる。
金属薄膜の形成方法としては、蒸着、スパッタリング、
ＣＶＤ、イオンブレーティング等の方法が挙げられる。
ＣＶＤ、イオンブレーティング等の方法が挙げられる。
又、金属薄膜の材質としてはアルミニウム、金、ｉｌ、
銅、錫、亜鉛等この種薄膜形成方法に使用できるもので
あればどの様なものでも採用でき、必要に応じて適宜選
択する。またその膜厚は、後の工程においてパターン形
成された金属薄膜の除去を円滑にするために、後に成膜
する無゛機物の膜厚よりも厚くする必要がある。
銅、錫、亜鉛等この種薄膜形成方法に使用できるもので
あればどの様なものでも採用でき、必要に応じて適宜選
択する。またその膜厚は、後の工程においてパターン形
成された金属薄膜の除去を円滑にするために、後に成膜
する無゛機物の膜厚よりも厚くする必要がある。
レジスト層は従来公知のフォトレジスト、電子線レジス
トが使用でき、その具体例として例えば、フォトレジス
トとじて、ヘキスト社製ＡＺ−１３５０、ＡＺ−１３７
０、ＡＺ−５２００、東京応化製０ＦＰＩＩ−８００、
電子線レジストとしては、東京応化製０ＥＢＲ−１００
、東し製ＥＢＲ−９等が挙げられる。また、その形成方
法としては、スピンコード、ロールコート、ティッピン
グ等の従来公知の塗布方法が採用でき、その厚さとして
は、０．５〜２μｍ程度が適当である。
トが使用でき、その具体例として例えば、フォトレジス
トとじて、ヘキスト社製ＡＺ−１３５０、ＡＺ−１３７
０、ＡＺ−５２００、東京応化製０ＦＰＩＩ−８００、
電子線レジストとしては、東京応化製０ＥＢＲ−１００
、東し製ＥＢＲ−９等が挙げられる。また、その形成方
法としては、スピンコード、ロールコート、ティッピン
グ等の従来公知の塗布方法が採用でき、その厚さとして
は、０．５〜２μｍ程度が適当である。
次いで次工程において、レジスト層の露光、現像を行い
、第１図（ｂ）に示す如く金属薄膜２表面にレジストパ
ターン４を形成する。
、第１図（ｂ）に示す如く金属薄膜２表面にレジストパ
ターン４を形成する。
レジスト層の露光は、レジスト層がフォトレジストの場
合には、水銀のｉ線（３６５ｎｍ ） 、ｇ線（４３６
ｎｍ ）を、電子線レジストの場合は電子線を照射して
露光する。また、現像は例えば露光したレジスト層を、
その材質によりフォトレジストの場合、ヘキスト製ＡＺ
−３１２１Ｆデイベロツバ−を同量の純水で希釈した水
溶液、電子線レジストの場合、東京応化製０ＥＢＲ用現
像液等の現像液に浸漬し、露光部分を除去することによ
り行うという公知の現像方法が採用できる。
合には、水銀のｉ線（３６５ｎｍ ） 、ｇ線（４３６
ｎｍ ）を、電子線レジストの場合は電子線を照射して
露光する。また、現像は例えば露光したレジスト層を、
その材質によりフォトレジストの場合、ヘキスト製ＡＺ
−３１２１Ｆデイベロツバ−を同量の純水で希釈した水
溶液、電子線レジストの場合、東京応化製０ＥＢＲ用現
像液等の現像液に浸漬し、露光部分を除去することによ
り行うという公知の現像方法が採用できる。
得られたレジストパターンは最終的に無ｍ物の薄膜パタ
ーン形状と同形状を示すものであり、これらの形状は種
々の模様１図形、絵柄等を採用することかできる。
ーン形状と同形状を示すものであり、これらの形状は種
々の模様１図形、絵柄等を採用することかできる。
次の工程として、エツチングによりレジストパターン形
状の金属薄膜２ａを除去した後レジストパターンＮ４ａ
を剥離し、第１図（Ｃ）に示す如く基材１表面に金属パ
ターン５を形成する。
状の金属薄膜２ａを除去した後レジストパターンＮ４ａ
を剥離し、第１図（Ｃ）に示す如く基材１表面に金属パ
ターン５を形成する。
エンチングは例えば酸、アルカリ等によるウェントエソ
チング、もしくはＡｒガス等によるドライエツチング等
の公知方法が採用できる。
チング、もしくはＡｒガス等によるドライエツチング等
の公知方法が採用できる。
又、レジストパターン層の剥離は、フォトレジストの場
合、５％Ｎ ａ Ｏｔｌ水溶液、シプレーリムパー１１
１２Ａ、１１６５等の剥離液、酸素プラズマによるアッ
シング、電子線レジストの場合は、ケトン系の溶剤、酸
素プラズマによるアッシングにより行うことができる。
合、５％Ｎ ａ Ｏｔｌ水溶液、シプレーリムパー１１
１２Ａ、１１６５等の剥離液、酸素プラズマによるアッ
シング、電子線レジストの場合は、ケトン系の溶剤、酸
素プラズマによるアッシングにより行うことができる。
次の工程として、第１図（ｄ）に示す如く、金属パター
ン層５８表面を被覆して、無機物を成膜し、無機物薄膜
６ａを形成する。無機物は成膜の際の基板加熱温度が１
５０°Ｃ以上必要となる無機物である。
ン層５８表面を被覆して、無機物を成膜し、無機物薄膜
６ａを形成する。無機物は成膜の際の基板加熱温度が１
５０°Ｃ以上必要となる無機物である。
この様な無機物としては、酸化物超伝導材料のｙｂＢａ
−Ｃｕ−０系、 Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系、 Ｂ１−５ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系。
−Ｃｕ−０系、 Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系、 Ｂ１−５ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系。
Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系＋ ＢＮ、 ＳｉＮ、
ＳｔＣ，ＡＩＮ、ダイヤモンド等が挙げられる。
ＳｔＣ，ＡＩＮ、ダイヤモンド等が挙げられる。
次の工程として金属パターン層５ａを１ｆｆＦｉ５ａの
上に形成された無機物薄膜６と伴に除去し、第１図（ｅ
）に示す如く、無機物の薄膜パターン７を形成する。
上に形成された無機物薄膜６と伴に除去し、第１図（ｅ
）に示す如く、無機物の薄膜パターン７を形成する。
本発明により得られる薄膜パターンは、成膜する際に基
板加熱温度が１５０″Ｃという様な高温でなければ我校
出来ない無機物であっても微細なパターンを鮮明に形成
することが可能である。
板加熱温度が１５０″Ｃという様な高温でなければ我校
出来ない無機物であっても微細なパターンを鮮明に形成
することが可能である。
［実施例］
以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明する。
（１００）単結晶Ｓｉに蒸着法によりＡＩを１μｍ蒸着
した基板上にフォトレジストＡＺ−１３７０をスピナー
によりＩＩ！ｍ塗布し、９０°Ｃで３０分間乾燥した後
、１００ μｍのラインアンドスペースパターンを露光
。
した基板上にフォトレジストＡＺ−１３７０をスピナー
によりＩＩ！ｍ塗布し、９０°Ｃで３０分間乾燥した後
、１００ μｍのラインアンドスペースパターンを露光
。
現像し、フォトレジストパターンを形成した。
次いで、１２０’Ｃ１４０分間乾燥させた後リン酸によ
りＡＩのエツチングを行い、レジストをアセトンで、？
１ＩｆｉしてＡ１のパターンを形成した。この基板上に
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０の薄膜をＲＦスパッタを用いて基板
温度５００ ’Ｃ、ターゲ７ トＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １
： ２ ： ３酸素雰囲気でＡｒガスによりスパッタ
を行い薄膜０，４μｍに成膜し、その後Ｎ ａ ＯＩｆ
水溶液でＡＩパターンを除去し、Ｙ−Ｒａ−Ｃｕ−０薄
膜のパターンを形成した。
りＡＩのエツチングを行い、レジストをアセトンで、？
１ＩｆｉしてＡ１のパターンを形成した。この基板上に
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０の薄膜をＲＦスパッタを用いて基板
温度５００ ’Ｃ、ターゲ７ トＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １
： ２ ： ３酸素雰囲気でＡｒガスによりスパッタ
を行い薄膜０，４μｍに成膜し、その後Ｎ ａ ＯＩｆ
水溶液でＡＩパターンを除去し、Ｙ−Ｒａ−Ｃｕ−０薄
膜のパターンを形成した。
Ｃ発明の効果〕
以上説明した如く、本発明方法によれば、エツチングが
困難で、しかも通常のリフトオフ法、メタルマスク法に
よる形成も困難である無機物質の薄膜パターンを鮮明に
形成することが可能となる。
困難で、しかも通常のリフトオフ法、メタルマスク法に
よる形成も困難である無機物質の薄膜パターンを鮮明に
形成することが可能となる。
第１図は本発明方法を説明する説明図である。
７・・・無機物の薄膜パターン
ト・・基板
２・・・金属薄膜
２ａ・・・レジストパターン形状の金属薄膜３・・・レ
ジスト層 ４ａ・・・レジストパターン層 ５ａ・・・金属パターン層 ６・・・無機′ＪｊｙＪ薄膜 第 図 手続（甫正書（自発） 昭和６３年１１月２１、 発明の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区市谷加賀町１丁目１番１号名称 （
２８９）大日本印刷株式会社 代表者 北島 義俊 ４、代理人 〒１０１ 住所 東京都千代田区岩本町２−１０−２５、補正命令
の日付 自発補正 ６、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な無機物の
薄膜パターン ■、明細書の特許請求の範囲の欄 特許請求の範囲を以下の通り補正する。 「基板上に金属薄膜を形成し、次いで該薄膜表面にレジ
スト層を形成する工程、レジスト層の露光。 現像を行いレジストパターン層を形成する工程、エツチ
ングによりレジストパターン形状の金属薄膜を除去した
後レジストパターン層を剥離し基材表面に金属パターン
層を形成する工程、成膜する際の基板加熱温度が１５０
°Ｃ以上必要となる無機物を金属パターン層表面より成
膜する工程、金属パターンを除去し無機物の薄膜パター
ンを形成する工程、の各工程を順次行うことを特徴とす
るパターン形成法。」 ■、明細書の発明の詳細な説明の櫂 （１）明細書第４頁１４行の「表面をより成膜する工程
」を「表面より成膜する工程」と補正する。 以 上
ジスト層 ４ａ・・・レジストパターン層 ５ａ・・・金属パターン層 ６・・・無機′ＪｊｙＪ薄膜 第 図 手続（甫正書（自発） 昭和６３年１１月２１、 発明の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区市谷加賀町１丁目１番１号名称 （
２８９）大日本印刷株式会社 代表者 北島 義俊 ４、代理人 〒１０１ 住所 東京都千代田区岩本町２−１０−２５、補正命令
の日付 自発補正 ６、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な無機物の
薄膜パターン ■、明細書の特許請求の範囲の欄 特許請求の範囲を以下の通り補正する。 「基板上に金属薄膜を形成し、次いで該薄膜表面にレジ
スト層を形成する工程、レジスト層の露光。 現像を行いレジストパターン層を形成する工程、エツチ
ングによりレジストパターン形状の金属薄膜を除去した
後レジストパターン層を剥離し基材表面に金属パターン
層を形成する工程、成膜する際の基板加熱温度が１５０
°Ｃ以上必要となる無機物を金属パターン層表面より成
膜する工程、金属パターンを除去し無機物の薄膜パター
ンを形成する工程、の各工程を順次行うことを特徴とす
るパターン形成法。」 ■、明細書の発明の詳細な説明の櫂 （１）明細書第４頁１４行の「表面をより成膜する工程
」を「表面より成膜する工程」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 基板上に金属薄膜を形成し、次いで該薄膜表面にレジス
ト層を形成する工程、レジスト層の露光、現像を行いレ
ジストパターン層を形成する工程、エッチングによりレ
ジストパターン形状の金属薄膜を除去した後レジストパ
ターン層を剥離し基材表面に金属パターン層を形成する
工程、成膜する際の基板加熱温度が１５０℃以上必要と
なる無機物を金属パターン層表面をより成膜する工程、
金属パターンを除去し無機物の薄膜パターンを形成する
工程、の各工程を順次行うことを特徴とするパターン形
成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28986388A JPH02138468A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | パターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28986388A JPH02138468A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | パターン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138468A true JPH02138468A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=17748734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28986388A Pending JPH02138468A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | パターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02138468A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5128484A (en) * | 1987-12-28 | 1992-07-07 | Sokubai Kagaku Kogyo, Co., Ltd. | Acrylonitrile maleimides solution composition of improved shelf life and method for production thereof |
| JP2010053394A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Murata Mfg Co Ltd | 金属酸化物膜の形成方法 |
| WO2011030926A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | 株式会社iMott | 保護膜およびそれを作製する方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61103151A (ja) * | 1984-10-27 | 1986-05-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層誘電体薄膜のパタ−ニング方法 |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP28986388A patent/JPH02138468A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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| JPS61103151A (ja) * | 1984-10-27 | 1986-05-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層誘電体薄膜のパタ−ニング方法 |
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| US9506143B2 (en) | 2009-09-11 | 2016-11-29 | Imott Inc. | Protective film and method for producing same |
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