JP2010053394A - 金属酸化物膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化チタン膜3の形成方法は、基材1上に、基材1の一部表面を選択的に露出させるために銅を主成分とするメタルマスク2を形成するステップと、メタルマスク2上と露出された基材1の一部表面上とにCVD法によって酸化チタン膜3を形成するステップと、メタルマスク2上に形成された酸化チタン膜3を剥離によって除去するステップと、酸化チタン膜3を剥離した後、メタルマスク2を除去するステップとを備える。
【選択図】図1
Description
まず、銅(Cu)板(無酸素銅板)に、有機金属気相成長(MOCVD)法によって酸化チタン(TiO2)膜を形成した。表1には、酸化チタン膜の成膜条件を示す。
まず、銅(Cu)板(無酸素銅板)に有機金属気相成長(MOCVD)法によって酸化チタン(TiO2)膜を形成した。実施例1と異なる点としては、酸化チタン膜の成膜温度を700℃とした。その他の成膜条件は、実施例1と同様であった。
まず、ニッケル(Ni)板に、有機金属気相成長(MOCVD)法によって酸化チタン(TiO2)膜を形成した。酸化チタン膜の成膜温度を700℃とした。その他の成膜条件は、実施例1と同様であった。
Claims (3)
- 基材上に、前記基材の一部表面を選択的に露出させるために銅を主成分とする金属膜を形成するステップと、
前記金属膜上と前記露出された基材の一部表面上とに化学気相成長法によって金属酸化物膜を形成するステップと、
前記金属膜上に形成された前記金属酸化物膜を剥離によって除去するステップと、
前記金属酸化物膜を剥離した後、前記金属膜を除去するステップとを備える、金属酸化物膜の形成方法。 - 前記金属酸化物膜は、酸化チタン膜である、請求項1に記載の金属酸化物膜の形成方法。
- 前記金属酸化物膜は、化学気相成長法によって500℃〜700℃の範囲内の温度で形成される、請求項1または請求項2に記載の金属酸化物膜の形成方法。
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