JPH0653922B2 - 金属膜のパタ−ン化方法 - Google Patents
金属膜のパタ−ン化方法Info
- Publication number
- JPH0653922B2 JPH0653922B2 JP1055586A JP1055586A JPH0653922B2 JP H0653922 B2 JPH0653922 B2 JP H0653922B2 JP 1055586 A JP1055586 A JP 1055586A JP 1055586 A JP1055586 A JP 1055586A JP H0653922 B2 JPH0653922 B2 JP H0653922B2
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- Japan
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- metal film
- film
- substrate
- carbon
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は金属膜のパターニング方法に関する。
金属膜のパターニング方法は、エレクトロニクス素子の
製造あるいは超精密加工の分野で重要な技術となってい
る。それらの金属膜は蒸着やスパッタリングなどドライ
プロセスで形成されることが多く、そして腐食しにくい
金属膜または膜厚が大きい金属膜のパターニングも要に
なっている。
製造あるいは超精密加工の分野で重要な技術となってい
る。それらの金属膜は蒸着やスパッタリングなどドライ
プロセスで形成されることが多く、そして腐食しにくい
金属膜または膜厚が大きい金属膜のパターニングも要に
なっている。
金属膜をパターン化する場合まず考えられるのはウエッ
トエッチング法である。１μｍ以上の厚膜をエッチング
するとき、レジスト材料の耐エッチャント性あるいは密
着性などは常に問題となり、厚膜のパターン化には適さ
ない。またＴｉ、Ｔａあるいはその化合物など一部の危
険な酸のみに溶解するもの、難溶解性の金属に対しては
対応するのは難しい。これに対してドライエッチングで
は難溶解性の膜でもパターン化できる。しかし厚膜では
マスクとのエッチング選択比の問題、基板へ与えるダメ
ージの大きさ、さらに装置自体が大がかりである問題が
ある。金属膜を全面に形成してからパターン化する以上
の方法に対し、蒸着時にパターンを作る方法として、リ
フトオフ法、マスク蒸着法などが考えられる。リフトオ
フ法はフォトレジストを用いているために長時間の蒸着
では耐熱性が問題になり、またスパッタリングなど回り
込みの大きい金属膜形成法には用いられない。またマス
ク蒸着のマスクは微細パターンを作り出すのは難しく、
基板とマスクを密着させるのが困難であるため、回り込
みが大きくなってしまう。
トエッチング法である。１μｍ以上の厚膜をエッチング
するとき、レジスト材料の耐エッチャント性あるいは密
着性などは常に問題となり、厚膜のパターン化には適さ
ない。またＴｉ、Ｔａあるいはその化合物など一部の危
険な酸のみに溶解するもの、難溶解性の金属に対しては
対応するのは難しい。これに対してドライエッチングで
は難溶解性の膜でもパターン化できる。しかし厚膜では
マスクとのエッチング選択比の問題、基板へ与えるダメ
ージの大きさ、さらに装置自体が大がかりである問題が
ある。金属膜を全面に形成してからパターン化する以上
の方法に対し、蒸着時にパターンを作る方法として、リ
フトオフ法、マスク蒸着法などが考えられる。リフトオ
フ法はフォトレジストを用いているために長時間の蒸着
では耐熱性が問題になり、またスパッタリングなど回り
込みの大きい金属膜形成法には用いられない。またマス
ク蒸着のマスクは微細パターンを作り出すのは難しく、
基板とマスクを密着させるのが困難であるため、回り込
みが大きくなってしまう。
本発明の目的は、酸などのエッチャントには溶解しにく
く、かつドライプロセスで形成した膜厚が１μｍ以上の
厚い膜を、比較的簡便な方法で精度良くパターン化する
ことである。上記の目的のため本発明においては、炭化
水素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ重合処理によ
り形成されるｉ−カーボン膜を、基板表面の特定の部分
を除く残りの部分にパターン状に被覆し、これをマスク
として目的とする金属膜を前記基板の特定の部分のみに
被覆することにより金属膜をパターン化した。
く、かつドライプロセスで形成した膜厚が１μｍ以上の
厚い膜を、比較的簡便な方法で精度良くパターン化する
ことである。上記の目的のため本発明においては、炭化
水素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ重合処理によ
り形成されるｉ−カーボン膜を、基板表面の特定の部分
を除く残りの部分にパターン状に被覆し、これをマスク
として目的とする金属膜を前記基板の特定の部分のみに
被覆することにより金属膜をパターン化した。
本発明の実施例を第１図を用いて説明する。第１図(a)
より第１図(c)はそれぞれ本発明の方法における工程を
説明するための薄膜素子の要部断面図であり、第１図
(a)に示すように、ガラスなどの基板１０上にフォトレ
ジスト２０によってパターンを形成し、つづいてシリコ
ン（Ｓｉ）膜３０を蒸着によって形成する。フォトレジ
スト２０は専用の剥離液で除去すればシリコン膜３０は
リフトオフされ、シリコン膜３０のパターンが作られ
る。次にシリコン膜のパターン化された基板１０に、メ
タン（ＣＨ４）を導入ガスとしてプラズマ重合を行ない
ｉ−カーボン４０を約0.5μｍ形成する。ｉ−カーボン
はシリコン、ゲルマニウム（Ｇｅ）とは非常に密着性が
良いが、ガラスや他の金属元素の上には密着せず膜形成
ができないため、第１図(b)に示した様に、シリコン膜
３０のパターン通りにｉ−カーボン４０もパターン化さ
れる。次の段階として、第１図(c)に示す様にまず金属
膜５０のガラスへの密着層としてクロム（Ｃｒ）を約１
０００Å蒸着し（図示せず）、その後パターン化する金
属膜５０にニッケル（Ｎｉ）を用いて約１μｍ蒸着す
る。クロムはガラスと密着が良いため、基板表面１１に
は当然クロムそしてニッケル膜が堆積する。ｉ−カーボ
ン表面４１は、クロム、ニッケル両者に対し密着力が非
常に弱いため、蒸着直後は堆積するが空気中保持によっ
てしだいに剥離してしまう。以上により第１図(c)に示
すように、金属膜５０は露出していた基板表面１１のみ
にパターン形成される。
より第１図(c)はそれぞれ本発明の方法における工程を
説明するための薄膜素子の要部断面図であり、第１図
(a)に示すように、ガラスなどの基板１０上にフォトレ
ジスト２０によってパターンを形成し、つづいてシリコ
ン（Ｓｉ）膜３０を蒸着によって形成する。フォトレジ
スト２０は専用の剥離液で除去すればシリコン膜３０は
リフトオフされ、シリコン膜３０のパターンが作られ
る。次にシリコン膜のパターン化された基板１０に、メ
タン（ＣＨ４）を導入ガスとしてプラズマ重合を行ない
ｉ−カーボン４０を約0.5μｍ形成する。ｉ−カーボン
はシリコン、ゲルマニウム（Ｇｅ）とは非常に密着性が
良いが、ガラスや他の金属元素の上には密着せず膜形成
ができないため、第１図(b)に示した様に、シリコン膜
３０のパターン通りにｉ−カーボン４０もパターン化さ
れる。次の段階として、第１図(c)に示す様にまず金属
膜５０のガラスへの密着層としてクロム（Ｃｒ）を約１
０００Å蒸着し（図示せず）、その後パターン化する金
属膜５０にニッケル（Ｎｉ）を用いて約１μｍ蒸着す
る。クロムはガラスと密着が良いため、基板表面１１に
は当然クロムそしてニッケル膜が堆積する。ｉ−カーボ
ン表面４１は、クロム、ニッケル両者に対し密着力が非
常に弱いため、蒸着直後は堆積するが空気中保持によっ
てしだいに剥離してしまう。以上により第１図(c)に示
すように、金属膜５０は露出していた基板表面１１のみ
にパターン形成される。
上記の実施例においては、基板にガラスを用いている
が、シリコン、ゲルマニウムなどを除いた他の材料で、
用いようとする金属膜とある程度の密着力を有しておれ
ば、使用可能である。さらにシリコンウエハーなどを基
板に用いたい時は、ｉ−カーボンをフォトレジストを用
いて直接リフトオフによりパターン化すれば良く、シリ
コン、ゲルマニウムも使用できることになる。金属膜は
一例としてニッケルを用いただけであり、ほとんどの金
属はｉ−カーボンと密着しないため、用いることができ
る。また、ここではクロムを密着層として入れてある
が、基板とパターン化したい金属膜の密着が良ければ用
いる必要はない。
が、シリコン、ゲルマニウムなどを除いた他の材料で、
用いようとする金属膜とある程度の密着力を有しておれ
ば、使用可能である。さらにシリコンウエハーなどを基
板に用いたい時は、ｉ−カーボンをフォトレジストを用
いて直接リフトオフによりパターン化すれば良く、シリ
コン、ゲルマニウムも使用できることになる。金属膜は
一例としてニッケルを用いただけであり、ほとんどの金
属はｉ−カーボンと密着しないため、用いることができ
る。また、ここではクロムを密着層として入れてある
が、基板とパターン化したい金属膜の密着が良ければ用
いる必要はない。
実施例より明らかなように、本発明によればほとんどす
べての金属膜を蒸着などのドライプロセスで１μｍ以上
の厚みで形成し、比較的簡単に精度良くパターン化する
ことができる。これにより基板損傷やダメージなくし
て、品質の良いエレクトロニクス材料あるいは精密材料
を作り出すことができる。
べての金属膜を蒸着などのドライプロセスで１μｍ以上
の厚みで形成し、比較的簡単に精度良くパターン化する
ことができる。これにより基板損傷やダメージなくし
て、品質の良いエレクトロニクス材料あるいは精密材料
を作り出すことができる。
第１図(a)より第１図(c)はそれぞれ本発明の方法におけ
る工程を説明するための薄膜素子の要部断面図である。 １０……基板、１１……基板表面、 ２０……フォトレジスト、３０……シリコン膜、 ４０……ｉ−カーボン、 ４１……ｉ−カーボン表面、 ５０……金属膜。
る工程を説明するための薄膜素子の要部断面図である。 １０……基板、１１……基板表面、 ２０……フォトレジスト、３０……シリコン膜、 ４０……ｉ−カーボン、 ４１……ｉ−カーボン表面、 ５０……金属膜。
Claims (1)
- 【請求項１】炭化水素を含むガス雰囲気中におけるプラ
ズマ重合処理により形成されるｉ−カーボン膜を、基板
表面の特定の部分を除く残りの部分にパターン状に被覆
し、これをマスクとして目的とする金属膜を前記基板の
特定の部分のみに被覆することを特徴とする金属膜のパ
ターン化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055586A JPH0653922B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 金属膜のパタ−ン化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055586A JPH0653922B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 金属膜のパタ−ン化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62167869A JPS62167869A (ja) | 1987-07-24 |
| JPH0653922B2 true JPH0653922B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=11753498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055586A Expired - Lifetime JPH0653922B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 金属膜のパタ−ン化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653922B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7341825B2 (en) | 2006-05-25 | 2008-03-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for producing high resolution nano-imprinting masters |
| CN105088325B (zh) * | 2015-07-20 | 2017-10-20 | 中国船舶重工集团公司第十二研究所 | 一种磁控溅射类石墨碳膜的退镀方法 |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP1055586A patent/JPH0653922B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62167869A (ja) | 1987-07-24 |
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