JPH0770465B2 - Ｘ線露光マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0770465B2 JPH0770465B2 JP9290289A JP9290289A JPH0770465B2 JP H0770465 B2 JPH0770465 B2 JP H0770465B2 JP 9290289 A JP9290289 A JP 9290289A JP 9290289 A JP9290289 A JP 9290289A JP H0770465 B2 JPH0770465 B2 JP H0770465B2
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- JP
- Japan
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- film
- ray
- heavy metal
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は超微細パターンの高精度転写に用いられるＸ線
露光用マスクの製造方法に関する。
露光用マスクの製造方法に関する。
「従来の技術」 従来、行われてきたＸ線露光マスクの製造方法は、Si単
結晶基板の一表面上にＸ線透過性薄膜を堆積し、該Si単
結晶基板の所望の領域を裏面よりエッチングして軟Ｘ線
を透過する露光領域を形成したのち、該Ｘ線透過性薄膜
の表面上に重金属膜を堆積し、この重金属膜上にレジス
トを塗布して電子ビーム露光等の方法により該レジスト
を任意の形状にパターン化したのち、このレジストパタ
ーンを保護膜にして前記重金属膜をエッチングすること
によりＸ線露光マスクを製造するものである。
結晶基板の一表面上にＸ線透過性薄膜を堆積し、該Si単
結晶基板の所望の領域を裏面よりエッチングして軟Ｘ線
を透過する露光領域を形成したのち、該Ｘ線透過性薄膜
の表面上に重金属膜を堆積し、この重金属膜上にレジス
トを塗布して電子ビーム露光等の方法により該レジスト
を任意の形状にパターン化したのち、このレジストパタ
ーンを保護膜にして前記重金属膜をエッチングすること
によりＸ線露光マスクを製造するものである。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら上記の方法においては、高々１〜２μｍ程
度の厚みの極めて脆弱なＸ線透過性薄膜上に重金属薄膜
の形成をはじめ、電子ビーム露光によるレジストパター
ン形成、さらにはドライエッチングによる重金属層のパ
ターニング等を行うため、該薄膜が各工程において破損
しやすく、その結果、Ｘ線露光マスクの保留まりの低下
はもとより、破損片が電子ビーム露光装置やドライエッ
チング装置内の塵の原因になったり、あるいはまた電子
ビーム露光装置の精密ステージに付着して、位置決め精
度の低下の原因になったりした。
度の厚みの極めて脆弱なＸ線透過性薄膜上に重金属薄膜
の形成をはじめ、電子ビーム露光によるレジストパター
ン形成、さらにはドライエッチングによる重金属層のパ
ターニング等を行うため、該薄膜が各工程において破損
しやすく、その結果、Ｘ線露光マスクの保留まりの低下
はもとより、破損片が電子ビーム露光装置やドライエッ
チング装置内の塵の原因になったり、あるいはまた電子
ビーム露光装置の精密ステージに付着して、位置決め精
度の低下の原因になったりした。
本発明は、以上述べたような従来の欠点を解消するため
になされたもので、Ｘ線透過性薄膜の破損が生じたりす
ることがなく、Ｘ線露光マスクを保留まりが良く、容易
に製造することのできるＸ線露光マスクの製造方法を提
供することを目的とする。
になされたもので、Ｘ線透過性薄膜の破損が生じたりす
ることがなく、Ｘ線露光マスクを保留まりが良く、容易
に製造することのできるＸ線露光マスクの製造方法を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、表面にＸ線透過性薄膜が形成されたSi基板の
所定の領域を裏面よりエッチングして前記Ｘ線透過性薄
膜の裏面を露出せしめる工程と、露呈したＸ線透過性薄
膜裏面に厚膜導電性有機膜を堆積して硬化せしめる工程
と、前記Ｘ線透過性薄膜の表面上に重金属薄膜および所
定形状にパターン化されたレジスト膜を順次形成する工
程と、該レジストパターンをマスクとして前記重金属薄
膜をドライエッチング法によりパターニングする工程
と、前記厚膜導電性有機膜およびパターン化されたレジ
スト膜を除去する工程とからなることを特徴とするＸ線
露光マスクの製造方法である。
所定の領域を裏面よりエッチングして前記Ｘ線透過性薄
膜の裏面を露出せしめる工程と、露呈したＸ線透過性薄
膜裏面に厚膜導電性有機膜を堆積して硬化せしめる工程
と、前記Ｘ線透過性薄膜の表面上に重金属薄膜および所
定形状にパターン化されたレジスト膜を順次形成する工
程と、該レジストパターンをマスクとして前記重金属薄
膜をドライエッチング法によりパターニングする工程
と、前記厚膜導電性有機膜およびパターン化されたレジ
スト膜を除去する工程とからなることを特徴とするＸ線
露光マスクの製造方法である。
本発明の主旨とするところは、Ｘ線透過性薄膜基板を形
成した後、厚膜導電性有機膜を前記Ｘ線透過性薄膜の裏
面に固着させ、補強した状態で、重金属薄膜の堆積、電
子ビーム露光によるレジストパターン形成および該重金
属薄膜層のドライエッチングを行い、最後にこの厚膜導
電性有機膜層を除去するものである。従って、ここで用
いられる導電性有機膜は、Ｘ線透過性膜の裏打ちとして
用いられるものなので、Ｘ線透過性膜に対する接着性並
びに熱伝導性に優れ、かつ応力の極めて小さい高分子樹
脂であることが望ましい。このような高分子樹脂として
は、例えばポリイミド樹脂が挙げられる。
成した後、厚膜導電性有機膜を前記Ｘ線透過性薄膜の裏
面に固着させ、補強した状態で、重金属薄膜の堆積、電
子ビーム露光によるレジストパターン形成および該重金
属薄膜層のドライエッチングを行い、最後にこの厚膜導
電性有機膜層を除去するものである。従って、ここで用
いられる導電性有機膜は、Ｘ線透過性膜の裏打ちとして
用いられるものなので、Ｘ線透過性膜に対する接着性並
びに熱伝導性に優れ、かつ応力の極めて小さい高分子樹
脂であることが望ましい。このような高分子樹脂として
は、例えばポリイミド樹脂が挙げられる。
［作用］ 厚膜導電性有機膜をＸ線透過性薄膜の裏打ちとして用い
ることにより、該Ｘ線透過性薄膜の破損が防止される。
このため、Ｘ線露光マスクの歩留りが大幅に向上すると
ともに、電子ビーム露光装置の損傷やドライエッチング
装置の汚れを防ぐことができる。
ることにより、該Ｘ線透過性薄膜の破損が防止される。
このため、Ｘ線露光マスクの歩留りが大幅に向上すると
ともに、電子ビーム露光装置の損傷やドライエッチング
装置の汚れを防ぐことができる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を工程順に示す断面図であ
る。
る。
（100）Si単結晶基板11の両面に、例えばSiC膜もしくは
Si3N4膜等のＸ線透過性薄膜12を、例えば減圧CVD法もし
くはECRプラズマCVD法等の方法により堆積する（第１図
（ａ））。次いで通常のフォトリソグラフィ技術を用い
てSi単結晶基板11の裏面のＸ線透過性薄膜12の所定の領
域をエッチングし、窓枠状のパターン12aを形成する
（第１図（ｂ））。さらに、Si単結晶基板11を、例えば
加熱したKOH水溶液に浸し、窓枠状の薄膜パターン12aを
保護膜にしてSi単結晶基板11の所定の領域をエッチング
し、他方のＸ線透過性薄膜12の裏面を露出せしめた後、
露呈したＸ線透過性薄膜12の裏面に、例えばポリイミド
樹脂13をスピン塗布し、加熱硬化せしめる（第１図
（Ｃ））。
Si3N4膜等のＸ線透過性薄膜12を、例えば減圧CVD法もし
くはECRプラズマCVD法等の方法により堆積する（第１図
（ａ））。次いで通常のフォトリソグラフィ技術を用い
てSi単結晶基板11の裏面のＸ線透過性薄膜12の所定の領
域をエッチングし、窓枠状のパターン12aを形成する
（第１図（ｂ））。さらに、Si単結晶基板11を、例えば
加熱したKOH水溶液に浸し、窓枠状の薄膜パターン12aを
保護膜にしてSi単結晶基板11の所定の領域をエッチング
し、他方のＸ線透過性薄膜12の裏面を露出せしめた後、
露呈したＸ線透過性薄膜12の裏面に、例えばポリイミド
樹脂13をスピン塗布し、加熱硬化せしめる（第１図
（Ｃ））。
次に、Ｘ線透過性薄膜12の表面上にＷもしくはTa等の重
金属薄膜14をスパッタリング法もしくはイオンビーム蒸
着法等により堆積し、この重金属薄膜14上にレジストを
塗布して電子ビーム露光技術等の方法により任意のレジ
ストパターン15を形成する（第１図（ｄ））。しかる
後、該レジストパターン15を保護膜にして反応性イオン
エッチング法により重金属薄膜14を選択的にエッチング
し、前記レジストパターンと相似の重金属パターン14a
を形成する。
金属薄膜14をスパッタリング法もしくはイオンビーム蒸
着法等により堆積し、この重金属薄膜14上にレジストを
塗布して電子ビーム露光技術等の方法により任意のレジ
ストパターン15を形成する（第１図（ｄ））。しかる
後、該レジストパターン15を保護膜にして反応性イオン
エッチング法により重金属薄膜14を選択的にエッチング
し、前記レジストパターンと相似の重金属パターン14a
を形成する。
最後に重金属パターン14a上に残るレジストと該Ｘ線透
過性薄膜に裏打ちしたポリイミド樹脂13を抱水ヒドラジ
ンを用いてエッチングすると、第１図（ｅ）に示すよう
な所望のＸ線露光マスクが得られる。
過性薄膜に裏打ちしたポリイミド樹脂13を抱水ヒドラジ
ンを用いてエッチングすると、第１図（ｅ）に示すよう
な所望のＸ線露光マスクが得られる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のＸ線露光マスクの製造方
法によれば、Ｘ線透過性薄膜基板がきわめて容易に形成
でき、かつ従来方法に比べてＸ線露光マスクの歩留まり
が大幅に向上する。
法によれば、Ｘ線透過性薄膜基板がきわめて容易に形成
でき、かつ従来方法に比べてＸ線露光マスクの歩留まり
が大幅に向上する。
第１図は本発明のＸ線露光マスクの製造方法の一実施例
を工程順に示す断面図である。 11……Si単結晶基板 12……Ｘ線透過性薄膜 13……ポリイミド樹脂 14……重金属薄膜 14a……重金属パターン 15……レジストパターン
を工程順に示す断面図である。 11……Si単結晶基板 12……Ｘ線透過性薄膜 13……ポリイミド樹脂 14……重金属薄膜 14a……重金属パターン 15……レジストパターン
Claims (1)
- 【請求項１】表面にＸ線透過性薄膜が形成されたSi基板
の所定の領域を裏面よりエッチングして前記Ｘ線透過性
薄膜の裏面を露出せしめる工程と、露呈したＸ線透過性
薄膜裏面に厚膜導電性有機膜を堆積して硬化せしめる工
程と、前記Ｘ線透過性薄膜の表面上に重金属薄膜および
所定形状にパターン化されたレジスト膜を順次形成する
工程と、該レジストパターンをマスクとして前記重金属
薄膜をドライエッチング法によりパターニングする工程
と、前記厚膜導電性有機膜およびパターン化されたレジ
スト膜を除去する工程とからなることを特徴とするＸ線
露光マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290289A JPH0770465B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290289A JPH0770465B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272721A JPH02272721A (ja) | 1990-11-07 |
| JPH0770465B2 true JPH0770465B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=14067406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9290289A Expired - Lifetime JPH0770465B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770465B2 (ja) |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP9290289A patent/JPH0770465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02272721A (ja) | 1990-11-07 |
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