JP3404293B2 - 圧電素子の製造方法 - Google Patents
圧電素子の製造方法Info
- Publication number
- JP3404293B2 JP3404293B2 JP21864498A JP21864498A JP3404293B2 JP 3404293 B2 JP3404293 B2 JP 3404293B2 JP 21864498 A JP21864498 A JP 21864498A JP 21864498 A JP21864498 A JP 21864498A JP 3404293 B2 JP3404293 B2 JP 3404293B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- piezoelectric element
- hydrofluoric acid
- resist film
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】 本発明はフォトリソグラフィ法
を用いた圧電素子の製造方法に関するものである。 【0002】 【従来の技術】 現在、圧電振動子,表面弾性波デバイ
スや各種センサ等の電子部品の基幹素子として様々な形
状の圧電素子が使用されている。特に近年は電子部品の
小型化が進み、部品内に搭載する圧電素子も小型化が必
要不可欠となった。この小型圧電素子の高精度な外形加
工には現在フォトリソグラフィ法を用いるのが一般的に
なっている。 【0003】現在一般的なフォトリソグラフィ法による
圧電素子の製造方法を、圧電素材として水晶を例に挙
げ、以下に簡易に述べる。まず洗浄した水晶素板の全面
に、フッ酸系溶液に化学的耐久性のある金属(Au)
と、この金属と水晶表面との接合を補助する金属(C
r)を真空蒸着法により付着させる。この2層金属膜
(Cr膜−Au膜)はエッチング用マスクとして用いて
いる。 【0004】次に、この2層金属膜の上にレジスト膜を
均一に塗布する。次に、このレジスト膜の上に、所望の
水晶素子外形のマスクをのせて、そのマスクの上から露
光現像する。 【0005】次に、エッチングにより露出した部分の2
層金属膜を除去する。 【0006】次に、70℃以上の温度のフッ酸系溶液
で、露出した水晶素板をエッチングする。その後エッチ
ングにより残った、水晶素子上の2層金属膜及びレジス
ト膜を除去し、1枚の水晶素板上に複数の水晶素子を精
密に形成する。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】 しかし、真空蒸着法
により形成したAu−Crの2層金属膜の場合、Au膜
表面からCr膜に至る非常に微細な隙間(ピンホールや
クラック)が形成されてしまったり、又CrがAu膜内
に拡散しAu層表面まで達してしまうことがある。 【0008】これらの現象が生じたままの金属膜で形成
したマスクを有する水晶素板を、70℃以上のフッ酸系
溶液でエッチングを行うと、従来ではレジスト膜にはフ
ッ酸系溶液に対する化学的耐久性を必要としていないた
めに、フッ酸系溶液が金属膜上のレジスト膜を透過し、
そのレジスト膜下のAu膜に生じた微細な隙間からフッ
酸系溶液が流入してしまい、Au膜下のCr膜を侵食
し、更にCr膜下の水晶素板表面のエッチング不要な部
分(金属膜で覆われている部分)もエッチングしてしま
う。又、Au膜表面までCrが侵食していた場合は、そ
のCrがフッ酸系溶液に侵食され、侵食された部分から
フッ酸系溶液が水晶素板表面まで達し水晶素板表面のエ
ッチング不要な部分もエッチングしてしまう。これはC
rがフッ酸系溶液に化学的耐久性がないためである。 【0009】 【課題を解決するための手段】 そこで、前記課題を解
決するために、請求項1に記載の発明は、フォトリソグ
ラフィ法により、圧電素板から所望の外形形状の圧電素
子を複数作成する圧電素子の製造方法において、表面に
金属膜を形成した圧電素板の、この金属膜の上に70℃
以上のフッ酸系溶液に化学的耐久性を持つレジスト膜を
塗布する工程と、このレジスト膜の上に所望の圧電素子
外形のマスクを載せて、マスクの上から露光現像する工
程と、レジスト膜が除去され露出した金属膜をエッチン
グで除去する工程と、所望の圧電素子外形の金属膜及び
レジスト膜が形成された圧電素板を70℃以上のフッ酸
系溶液でエッチングする工程と、所望の外形形状に形成
した圧電素子の表面上に残った金属膜及びレジスト膜を
除去する工程とを有することを特徴とする圧電素子の製
造方法を提供する。 【0010】 請求項1記載の発明によって、金属膜の上
に形成した膜を、レジスト膜として使用すると同時に圧
電素板エッチングの際の金属膜を保護する保護膜として
使用することにより、このレジスト膜が金属膜に生じた
微細な隙間にフッ酸系溶液が流入することを防止し、ま
た金属膜表面に直接フッ酸系溶液が接触することを防 止
することで、従来のフッ酸系溶液に化学的耐久性がない
レジスト膜でフッ酸系溶液によりエッチングした場合の
圧電素板表面のエッチング不要部分がエッチングされて
しまう問題を解決し、歩留まりがよく、高品質の圧電素
子を製造することができる。 【0011】 【実施例】 以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
図1には本発明におけるフッ酸系溶液によるエッチング
前の膜構造を示す。又、図2には本発明の圧電素子製造
の工程図を、圧電素材として水晶を例に挙げて示す。図
1及び図2に記載されている圧電素板1及び圧電素子6
の外形は全体の一部分を示した。尚、圧電素材として水
晶の他に、四硼酸リチウム等がある。 【0012】 まず、表面を鏡面仕上げし、その後洗浄を
行った水晶素板1の全面にCr膜2を真空蒸着する。次
に、Cr膜2の上にAu膜3を真空蒸着する。Cr膜2
は水晶素板1表面とAu膜3との密着性をより強固にす
るために用いる。各膜厚は、Cr膜2は数百オングスト
ローム、Au膜3は数千オングストロームとする。 【0013】 次に、Au膜3上に70℃以上のフッ酸系
溶液に化学的耐久性のあるレジスト膜4を均一に塗布す
る。本実施例では、このレジスト膜4にアクリル樹脂,
ノボラック樹脂,ポリイミド樹脂,ジアゾナフトキノン
樹脂又はエポキシ樹脂の有機化合物を使用するが、70
℃以上のフッ酸系溶液に化学的耐久性があるレジスト膜
であれば、本実施例の使用物質に限定されるものではな
い。このレジスト膜4の膜厚は、フッ酸系溶液によるエ
ッチング時間の関係から数μmとする。 【0014】 次に、このレジスト膜4の上に、所望の水
晶素子外形のマスク5をのせて、そのマスク5の上から
露光し現像する。 【0015】 次に、エッチングにより露出したAu膜3
とCr膜2を除去する。水晶素板1表面上にはCr膜2
−Au膜3−レジスト膜4の順番の、所望水晶素子形状
のマスクが形成される。図1の膜構造図はこの状態を示
している。 【0016】 次に、70℃以上の温度のフッ酸系溶液
で、Cr膜2−Au膜3−レジスト膜4の3層構造で、
所望の水晶素子外形を形成したマスクを有する水晶素板
1をエッチングする。マスク最外層のレジスト膜4は、
フッ酸系溶液に化学的耐久性があるため、フッ酸系溶液
が透過することなく、レジスト膜4下のAu膜2に生じ
た微細な隙間からフッ酸系溶液が流入することを防止
し、フッ酸系溶液がAu膜2下のフッ酸系溶液に化学的
耐久性のないCr膜2を侵食し、更にCr膜2下の水晶
素板1表面の本来エッチングが不必要な部分もエッチン
グしてしまうことを防止する。又、Au膜2表面までC
rが侵食していた場合は、レジスト膜4がCrがフッ酸
溶液に接触するのを防止し、Au膜2のCrに侵食され
た部分からフッ酸系溶液が水晶素板1表面まで達し水晶
素板1表面の不必要な部分もエッチングしてしまうこと
を防止する。 【0017】 次に、エッチングにより形成した所望の水
晶素子6の外形表面に残ったCr膜2−Au膜3−レジ
スト膜4の3層マスクを除去し、1枚の水晶素板上に複
数の水晶素子6を精密に形成する。 【0018】 【発明の効果】 フッ酸系溶液に化学的耐久性をもつレ
ジスト膜を圧電素子の製造方法に使用することにより、
フッ酸系溶液による圧電素板エッチングの際に金属膜を
溶液から保護し、従来に生じていた圧電素板表面のエッ
チング不要部分がエッチングされてしまう問題を解決
し、歩留まりがよく、高品質の圧電素子を製造すること
ができる。
を用いた圧電素子の製造方法に関するものである。 【0002】 【従来の技術】 現在、圧電振動子,表面弾性波デバイ
スや各種センサ等の電子部品の基幹素子として様々な形
状の圧電素子が使用されている。特に近年は電子部品の
小型化が進み、部品内に搭載する圧電素子も小型化が必
要不可欠となった。この小型圧電素子の高精度な外形加
工には現在フォトリソグラフィ法を用いるのが一般的に
なっている。 【0003】現在一般的なフォトリソグラフィ法による
圧電素子の製造方法を、圧電素材として水晶を例に挙
げ、以下に簡易に述べる。まず洗浄した水晶素板の全面
に、フッ酸系溶液に化学的耐久性のある金属(Au)
と、この金属と水晶表面との接合を補助する金属(C
r)を真空蒸着法により付着させる。この2層金属膜
(Cr膜−Au膜)はエッチング用マスクとして用いて
いる。 【0004】次に、この2層金属膜の上にレジスト膜を
均一に塗布する。次に、このレジスト膜の上に、所望の
水晶素子外形のマスクをのせて、そのマスクの上から露
光現像する。 【0005】次に、エッチングにより露出した部分の2
層金属膜を除去する。 【0006】次に、70℃以上の温度のフッ酸系溶液
で、露出した水晶素板をエッチングする。その後エッチ
ングにより残った、水晶素子上の2層金属膜及びレジス
ト膜を除去し、1枚の水晶素板上に複数の水晶素子を精
密に形成する。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】 しかし、真空蒸着法
により形成したAu−Crの2層金属膜の場合、Au膜
表面からCr膜に至る非常に微細な隙間(ピンホールや
クラック)が形成されてしまったり、又CrがAu膜内
に拡散しAu層表面まで達してしまうことがある。 【0008】これらの現象が生じたままの金属膜で形成
したマスクを有する水晶素板を、70℃以上のフッ酸系
溶液でエッチングを行うと、従来ではレジスト膜にはフ
ッ酸系溶液に対する化学的耐久性を必要としていないた
めに、フッ酸系溶液が金属膜上のレジスト膜を透過し、
そのレジスト膜下のAu膜に生じた微細な隙間からフッ
酸系溶液が流入してしまい、Au膜下のCr膜を侵食
し、更にCr膜下の水晶素板表面のエッチング不要な部
分(金属膜で覆われている部分)もエッチングしてしま
う。又、Au膜表面までCrが侵食していた場合は、そ
のCrがフッ酸系溶液に侵食され、侵食された部分から
フッ酸系溶液が水晶素板表面まで達し水晶素板表面のエ
ッチング不要な部分もエッチングしてしまう。これはC
rがフッ酸系溶液に化学的耐久性がないためである。 【0009】 【課題を解決するための手段】 そこで、前記課題を解
決するために、請求項1に記載の発明は、フォトリソグ
ラフィ法により、圧電素板から所望の外形形状の圧電素
子を複数作成する圧電素子の製造方法において、表面に
金属膜を形成した圧電素板の、この金属膜の上に70℃
以上のフッ酸系溶液に化学的耐久性を持つレジスト膜を
塗布する工程と、このレジスト膜の上に所望の圧電素子
外形のマスクを載せて、マスクの上から露光現像する工
程と、レジスト膜が除去され露出した金属膜をエッチン
グで除去する工程と、所望の圧電素子外形の金属膜及び
レジスト膜が形成された圧電素板を70℃以上のフッ酸
系溶液でエッチングする工程と、所望の外形形状に形成
した圧電素子の表面上に残った金属膜及びレジスト膜を
除去する工程とを有することを特徴とする圧電素子の製
造方法を提供する。 【0010】 請求項1記載の発明によって、金属膜の上
に形成した膜を、レジスト膜として使用すると同時に圧
電素板エッチングの際の金属膜を保護する保護膜として
使用することにより、このレジスト膜が金属膜に生じた
微細な隙間にフッ酸系溶液が流入することを防止し、ま
た金属膜表面に直接フッ酸系溶液が接触することを防 止
することで、従来のフッ酸系溶液に化学的耐久性がない
レジスト膜でフッ酸系溶液によりエッチングした場合の
圧電素板表面のエッチング不要部分がエッチングされて
しまう問題を解決し、歩留まりがよく、高品質の圧電素
子を製造することができる。 【0011】 【実施例】 以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
図1には本発明におけるフッ酸系溶液によるエッチング
前の膜構造を示す。又、図2には本発明の圧電素子製造
の工程図を、圧電素材として水晶を例に挙げて示す。図
1及び図2に記載されている圧電素板1及び圧電素子6
の外形は全体の一部分を示した。尚、圧電素材として水
晶の他に、四硼酸リチウム等がある。 【0012】 まず、表面を鏡面仕上げし、その後洗浄を
行った水晶素板1の全面にCr膜2を真空蒸着する。次
に、Cr膜2の上にAu膜3を真空蒸着する。Cr膜2
は水晶素板1表面とAu膜3との密着性をより強固にす
るために用いる。各膜厚は、Cr膜2は数百オングスト
ローム、Au膜3は数千オングストロームとする。 【0013】 次に、Au膜3上に70℃以上のフッ酸系
溶液に化学的耐久性のあるレジスト膜4を均一に塗布す
る。本実施例では、このレジスト膜4にアクリル樹脂,
ノボラック樹脂,ポリイミド樹脂,ジアゾナフトキノン
樹脂又はエポキシ樹脂の有機化合物を使用するが、70
℃以上のフッ酸系溶液に化学的耐久性があるレジスト膜
であれば、本実施例の使用物質に限定されるものではな
い。このレジスト膜4の膜厚は、フッ酸系溶液によるエ
ッチング時間の関係から数μmとする。 【0014】 次に、このレジスト膜4の上に、所望の水
晶素子外形のマスク5をのせて、そのマスク5の上から
露光し現像する。 【0015】 次に、エッチングにより露出したAu膜3
とCr膜2を除去する。水晶素板1表面上にはCr膜2
−Au膜3−レジスト膜4の順番の、所望水晶素子形状
のマスクが形成される。図1の膜構造図はこの状態を示
している。 【0016】 次に、70℃以上の温度のフッ酸系溶液
で、Cr膜2−Au膜3−レジスト膜4の3層構造で、
所望の水晶素子外形を形成したマスクを有する水晶素板
1をエッチングする。マスク最外層のレジスト膜4は、
フッ酸系溶液に化学的耐久性があるため、フッ酸系溶液
が透過することなく、レジスト膜4下のAu膜2に生じ
た微細な隙間からフッ酸系溶液が流入することを防止
し、フッ酸系溶液がAu膜2下のフッ酸系溶液に化学的
耐久性のないCr膜2を侵食し、更にCr膜2下の水晶
素板1表面の本来エッチングが不必要な部分もエッチン
グしてしまうことを防止する。又、Au膜2表面までC
rが侵食していた場合は、レジスト膜4がCrがフッ酸
溶液に接触するのを防止し、Au膜2のCrに侵食され
た部分からフッ酸系溶液が水晶素板1表面まで達し水晶
素板1表面の不必要な部分もエッチングしてしまうこと
を防止する。 【0017】 次に、エッチングにより形成した所望の水
晶素子6の外形表面に残ったCr膜2−Au膜3−レジ
スト膜4の3層マスクを除去し、1枚の水晶素板上に複
数の水晶素子6を精密に形成する。 【0018】 【発明の効果】 フッ酸系溶液に化学的耐久性をもつレ
ジスト膜を圧電素子の製造方法に使用することにより、
フッ酸系溶液による圧電素板エッチングの際に金属膜を
溶液から保護し、従来に生じていた圧電素板表面のエッ
チング不要部分がエッチングされてしまう問題を解決
し、歩留まりがよく、高品質の圧電素子を製造すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1には本願発明の膜構造を示す。
【図2】図2には本願発明の圧電素子製造工程図を示
す。 【符号の説明】 1 水晶素板 2 Cr膜 3 Au膜 4 レジスト膜 5 マスク 6 水晶素子 1 1
す。 【符号の説明】 1 水晶素板 2 Cr膜 3 Au膜 4 レジスト膜 5 マスク 6 水晶素子 1 1
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI
H03H 9/19 H01L 41/22 Z
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H03H 3/02
G03F 7/004 511
G03F 7/40 521
H01L 41/09
H01L 41/22
H03H 9/19
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 フォトリソグラフィ法により、圧電素板
から所望の外形形状の圧電素子を複数作成する圧電素子
の製造方法において、表面に金属膜を形成した圧電素板
の該金属膜の上に70℃以上のフッ酸系溶液に化学的耐
久性を持つレジスト膜を塗布する工程と、該レジスト膜
の上に所望の圧電素子外形のマスクを載せて該マスクの
上から露光現像する工程と、該レジスト膜が除去され露
出した該金属膜をエッチングで除去する工程と、所望の
圧電素子外形の該金属膜及び該レジスト膜が形成された
該圧電素板を70℃以上のフッ酸系溶液でエッチングす
る工程と、所望の外形形状に形成した圧電素子の表面上
に残った該金属膜及び該レジスト膜を除去する工程とを
有することを特徴とする圧電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21864498A JP3404293B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-07-17 | 圧電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-199705 | 1998-06-30 | ||
JP19970598 | 1998-06-30 | ||
JP21864498A JP3404293B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-07-17 | 圧電素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000082930A JP2000082930A (ja) | 2000-03-21 |
JP3404293B2 true JP3404293B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=26511704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21864498A Ceased JP3404293B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-07-17 | 圧電素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3404293B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4977516B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-07-18 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | 基板の製造方法 |
-
1998
- 1998-07-17 JP JP21864498A patent/JP3404293B2/ja not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000082930A (ja) | 2000-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5933673B2 (ja) | 薄い自立金属構造の製造方法 | |
US20030016116A1 (en) | Method of depositing a thin metallic film and related apparatus | |
US4379833A (en) | Self-aligned photoresist process | |
JPS63114996A (ja) | 型およびその製造方法 | |
JP2004190057A (ja) | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 | |
JPH05299720A (ja) | 圧電材料のパターン形成方法 | |
JP3404293B2 (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
JP3189719B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
JP2002268200A (ja) | グレートーン露光用フォトマスク及び感光性樹脂の塗布方法 | |
JP4664700B2 (ja) | 振動体デバイスの製造方法 | |
JP4305728B2 (ja) | 振動片の製造方法 | |
EP0877417A1 (en) | Method for fabrication of electrodes and other electrically-conductive structures | |
JP3444967B2 (ja) | 微細パターン形成用マスク板およびその製造方法 | |
JP2580681B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH07193450A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
JP3408928B2 (ja) | 圧電素板の製造方法 | |
JPH0864931A (ja) | 電子部品の微細電極形成方法 | |
JP2008252770A (ja) | 基板の製造方法 | |
JP2003183811A (ja) | メタルマスク、及び、その製造方法 | |
JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2003158062A (ja) | レジストパターンの形成方法、配線形成方法及び電子部品 | |
JP3243016B2 (ja) | 微細パターン形成用の原版 | |
JPS6072249A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
JPH0974265A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JPS6340321A (ja) | パタ−ン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RVOP | Cancellation by post-grant opposition |