JPH0864931A - 電子部品の微細電極形成方法 - Google Patents
電子部品の微細電極形成方法Info
- Publication number
- JPH0864931A JPH0864931A JP21821494A JP21821494A JPH0864931A JP H0864931 A JPH0864931 A JP H0864931A JP 21821494 A JP21821494 A JP 21821494A JP 21821494 A JP21821494 A JP 21821494A JP H0864931 A JPH0864931 A JP H0864931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- unnecessary
- resist film
- electronic component
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 残留した不要なレジストマスクを完全に除去
し、よって、所望の電極パターンを得ることのできる電
子部品の微細電極形成方法を提供する。 【構成】 基板１の表面に、この表面に接して電極材料
２、その上部にレジスト膜３を形成し、所定のパターン
に露光後不要なレジスト膜３２を除去する。その後必要
な短時間のアッシング処理（例えば酸素プラズマアッシ
ング）により、前記不要なレジスト膜３２を完全に除去
する。その後レジストマスク３１をマスクとしてエッチ
ング処理等により所望の電極パターンを得る。
し、よって、所望の電極パターンを得ることのできる電
子部品の微細電極形成方法を提供する。 【構成】 基板１の表面に、この表面に接して電極材料
２、その上部にレジスト膜３を形成し、所定のパターン
に露光後不要なレジスト膜３２を除去する。その後必要
な短時間のアッシング処理（例えば酸素プラズマアッシ
ング）により、前記不要なレジスト膜３２を完全に除去
する。その後レジストマスク３１をマスクとしてエッチ
ング処理等により所望の電極パターンを得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧電基板上を伝搬する弾
性表面波を応用した弾性表面波装置あるいは半導体集積
回路等の、微細な電極が近接して配置される電子部品の
微細電極形成方法に関するものである。
性表面波を応用した弾性表面波装置あるいは半導体集積
回路等の、微細な電極が近接して配置される電子部品の
微細電極形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば高周波数化に対応した弾性表面波
装置の交差指電極の線幅は１〜２μｍ、各交差指電極の
間隔は１〜２μｍと、微細なものとなっており、電極形
成プロセスもフォトリソグラフィー法等の微細加工が必
要になっている。フォトリソグラフィー法は、圧電基板
の表面に蒸着等の手段にて電極層を形成し、その上部に
フォトレジスト膜を形成するとともに、このフォトレジ
スト膜を必要なパターンに露光し、レジストマスクを形
成する。このレジストマスクの耐食性を利用して、電極
層を選択的にエッチングし、所望の電極パターンを得る
ことができる。
装置の交差指電極の線幅は１〜２μｍ、各交差指電極の
間隔は１〜２μｍと、微細なものとなっており、電極形
成プロセスもフォトリソグラフィー法等の微細加工が必
要になっている。フォトリソグラフィー法は、圧電基板
の表面に蒸着等の手段にて電極層を形成し、その上部に
フォトレジスト膜を形成するとともに、このフォトレジ
スト膜を必要なパターンに露光し、レジストマスクを形
成する。このレジストマスクの耐食性を利用して、電極
層を選択的にエッチングし、所望の電極パターンを得る
ことができる。
【０００３】図２は従来の弾性表面波装置の電極形成方
法の製造工程を示す図である。図２（ａ）に示すように
圧電基板１上には蒸着等の手段によりアルミニウム等の
電極材料２が形成され、その上部全面にフォトレジスト
膜３がスピンナー等により均一に塗布される。その後プ
リベーク工程を経た後、図２（ｂ）に示すように、所定
のパターンが形成されたガラスフォトマスクを介して露
光する。現像、リンス工程を経て不要なフォトレジスト
膜が除去された状態が図２（ｃ）に示した状態である
が、電極間隔が小さい場合フォトレジスト膜の残留分が
残りやすくなり、パターン化されたレジストマスク３１
のほかに、フォトレジスト膜の不要な残留分３２が残留
することがあった。図３は交差指電極のパターンに形成
したレジストマスクを示す斜視図であるが、この図に示
すようにフォトレジスト膜の残留分３２が一部残留する
ことがあった。図３において、２は電極材料、３１は交
差指電極のパターンに形成したレジストマスク、３２は
フォトレジスト膜の不要な残留分である。このような状
況でエッチングを行うと、図２（ｄ）に示すように所望
の電極パターンが失われ、図２（ｅ）のレジストマスク
を除去した状態においては、電極が短絡したり、電極の
線幅が変化する等の問題があった。
法の製造工程を示す図である。図２（ａ）に示すように
圧電基板１上には蒸着等の手段によりアルミニウム等の
電極材料２が形成され、その上部全面にフォトレジスト
膜３がスピンナー等により均一に塗布される。その後プ
リベーク工程を経た後、図２（ｂ）に示すように、所定
のパターンが形成されたガラスフォトマスクを介して露
光する。現像、リンス工程を経て不要なフォトレジスト
膜が除去された状態が図２（ｃ）に示した状態である
が、電極間隔が小さい場合フォトレジスト膜の残留分が
残りやすくなり、パターン化されたレジストマスク３１
のほかに、フォトレジスト膜の不要な残留分３２が残留
することがあった。図３は交差指電極のパターンに形成
したレジストマスクを示す斜視図であるが、この図に示
すようにフォトレジスト膜の残留分３２が一部残留する
ことがあった。図３において、２は電極材料、３１は交
差指電極のパターンに形成したレジストマスク、３２は
フォトレジスト膜の不要な残留分である。このような状
況でエッチングを行うと、図２（ｄ）に示すように所望
の電極パターンが失われ、図２（ｅ）のレジストマスク
を除去した状態においては、電極が短絡したり、電極の
線幅が変化する等の問題があった。
【０００４】このような状態では、弾性表面波装置の場
合、所望の弾性表面波が励起されなくなる問題が発生し
たり、半導体集積回路においても電極短絡により、所望
の電気的特性が得られなくなる可能性があった。
合、所望の弾性表面波が励起されなくなる問題が発生し
たり、半導体集積回路においても電極短絡により、所望
の電気的特性が得られなくなる可能性があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するためになされたもので、残留した不要なレジス
トマスクを完全に除去し、よって、所望の電極パターン
を得ることのできる電子部品の微細電極形成方法を提供
することを目的とする。
解決するためになされたもので、残留した不要なレジス
トマスクを完全に除去し、よって、所望の電極パターン
を得ることのできる電子部品の微細電極形成方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明による電子部品の微細電極形成方法は、基
板の表面に、この表面に接して電極材料、その上部にレ
ジスト膜を形成し、所定のパターンに露光後不要なレジ
スト膜を除去し、その後必要な短時間のアッシング処理
（例えば酸素プラズマアッシング）により、前記不要な
レジスト膜を完全に除去し、その後エッチング処理によ
り所望の電極パターンを得ることを特徴とする。アッシ
ング処理は、必要なレジストマスクも除去するので、不
要なフォトレジスト膜がちょうど除去される時間（例え
ば１〜５分）に設定する必要がある。
めに、本発明による電子部品の微細電極形成方法は、基
板の表面に、この表面に接して電極材料、その上部にレ
ジスト膜を形成し、所定のパターンに露光後不要なレジ
スト膜を除去し、その後必要な短時間のアッシング処理
（例えば酸素プラズマアッシング）により、前記不要な
レジスト膜を完全に除去し、その後エッチング処理によ
り所望の電極パターンを得ることを特徴とする。アッシ
ング処理は、必要なレジストマスクも除去するので、不
要なフォトレジスト膜がちょうど除去される時間（例え
ば１〜５分）に設定する必要がある。
【０００７】
【作用】所定のパターンに露光後不要なレジスト膜を除
去し、その後必要な短時間のアッシング処理（例えば酸
素プラズマアッシング）により、前記不要なレジスト膜
を完全に除去するので、電極が微視的に近接して設計さ
れている電子部品においても、その後の電極材料のエッ
チングが所望のパターンで正確に行われる。
去し、その後必要な短時間のアッシング処理（例えば酸
素プラズマアッシング）により、前記不要なレジスト膜
を完全に除去するので、電極が微視的に近接して設計さ
れている電子部品においても、その後の電極材料のエッ
チングが所望のパターンで正確に行われる。
【０００８】
【実施例】本発明による実施例を弾性表面波装置を例に
とり、図面とともに説明する。図１各図は弾性表面波装
置の交差指電極を形成する工程を示す図である。圧電基
板１は、水晶あるいはニオブ酸リチウムあるいはタンタ
ル酸リチウムからなり、その主面は鏡面加工されてい
る。この上面に所望のパターンの交差指電極を形成す
る。まず、図１（ａ）に示すように、圧電基板１の表面
に電極材料として例えば膜厚約２０００オングストロー
ムのアルミニウム膜を蒸着等の手段により形成し、その
上面に膜厚約１μｍのフォトレジスト膜をコーティング
する。そして、図１（ｂ）に示すように、所定のパター
ンが形成されたガラスフォトマスクを介して、露光し所
定のパターンを焼き付ける。図１（ｃ）は、次の現像、
リンス工程を経て大部分の不要なフォトレジスト膜が除
去された状態を示しているが、一部不要なフォトレジス
ト膜が残留している状態を示している。なお、図中３１
は形成されたレジストマスク、３２は不要な残留フォト
レジスト膜である。次に、このような残留したフォトレ
ジスト膜がある状態で、酸素プラズマアッシング（酸素
プラズマ灰化）を１〜５分間行う。このアッシング処理
時間は、残留したフォトレジスト膜の量、膜厚によって
異なるが、同時にレジストマスク３１自体も一部除去さ
れるので、処理時間の管理に注意が必要である。このア
ッシング処理時間は残留したフォトレジスト膜の膜厚、
あるいは電極材料上に形成したレジストマスクの膜厚を
考慮して決定する必要があるが、通常は上述の１〜５分
が適当である。このアッシング処理を終了すると図１
（ｄ）に示す状態となり、一部レジストマスク３１が除
去されている。このレジストマスクをマスクとして、エ
ッチングを行うことにより図１（ｅ）に示すように、そ
れぞれの電極２１とその上部にレジストマスク３１の積
層状態となる。なお、エッチングは、例えばリン酸系の
エッチング液等に浸漬するウェットエッチングであって
も、また例えば塩酸系ガスプラズマ中等でエッチングす
るドライエッチングであってもよい。このエッチング時
間は、電極材料、膜厚によって異なる。そして、酸素プ
ラズマアッシング（酸素プラズマ灰化）処理により、図
１（ｆ）に示すように、レジストマスクを除去し、所定
のパターンの電極２１を得ることができる。
とり、図面とともに説明する。図１各図は弾性表面波装
置の交差指電極を形成する工程を示す図である。圧電基
板１は、水晶あるいはニオブ酸リチウムあるいはタンタ
ル酸リチウムからなり、その主面は鏡面加工されてい
る。この上面に所望のパターンの交差指電極を形成す
る。まず、図１（ａ）に示すように、圧電基板１の表面
に電極材料として例えば膜厚約２０００オングストロー
ムのアルミニウム膜を蒸着等の手段により形成し、その
上面に膜厚約１μｍのフォトレジスト膜をコーティング
する。そして、図１（ｂ）に示すように、所定のパター
ンが形成されたガラスフォトマスクを介して、露光し所
定のパターンを焼き付ける。図１（ｃ）は、次の現像、
リンス工程を経て大部分の不要なフォトレジスト膜が除
去された状態を示しているが、一部不要なフォトレジス
ト膜が残留している状態を示している。なお、図中３１
は形成されたレジストマスク、３２は不要な残留フォト
レジスト膜である。次に、このような残留したフォトレ
ジスト膜がある状態で、酸素プラズマアッシング（酸素
プラズマ灰化）を１〜５分間行う。このアッシング処理
時間は、残留したフォトレジスト膜の量、膜厚によって
異なるが、同時にレジストマスク３１自体も一部除去さ
れるので、処理時間の管理に注意が必要である。このア
ッシング処理時間は残留したフォトレジスト膜の膜厚、
あるいは電極材料上に形成したレジストマスクの膜厚を
考慮して決定する必要があるが、通常は上述の１〜５分
が適当である。このアッシング処理を終了すると図１
（ｄ）に示す状態となり、一部レジストマスク３１が除
去されている。このレジストマスクをマスクとして、エ
ッチングを行うことにより図１（ｅ）に示すように、そ
れぞれの電極２１とその上部にレジストマスク３１の積
層状態となる。なお、エッチングは、例えばリン酸系の
エッチング液等に浸漬するウェットエッチングであって
も、また例えば塩酸系ガスプラズマ中等でエッチングす
るドライエッチングであってもよい。このエッチング時
間は、電極材料、膜厚によって異なる。そして、酸素プ
ラズマアッシング（酸素プラズマ灰化）処理により、図
１（ｆ）に示すように、レジストマスクを除去し、所定
のパターンの電極２１を得ることができる。
【０００９】
【発明の効果】本発明による電子部品の微細電極形成方
法によれば、所定のパターンに露光後不要なレジスト膜
を除去し、その後必要な短時間のアッシング処理（例え
ば酸素プラズマアッシング）により、前記不要なレジス
ト膜を完全に除去するので、電極が微視的に近接して設
計されている電子部品においても、その後の電極材料の
エッチングが所望のパターンで正確に行われる。よっ
て、弾性表面波装置の場合、所望の弾性表面波が励起さ
れなくなる問題が発生したり、半導体集積回路において
も電極短絡により、所望の電気的特性が得られなくなる
という問題が発生することなく、製造歩留まりが高く、
また信頼性の高い電子部品を得ることができる。
法によれば、所定のパターンに露光後不要なレジスト膜
を除去し、その後必要な短時間のアッシング処理（例え
ば酸素プラズマアッシング）により、前記不要なレジス
ト膜を完全に除去するので、電極が微視的に近接して設
計されている電子部品においても、その後の電極材料の
エッチングが所望のパターンで正確に行われる。よっ
て、弾性表面波装置の場合、所望の弾性表面波が励起さ
れなくなる問題が発生したり、半導体集積回路において
も電極短絡により、所望の電気的特性が得られなくなる
という問題が発生することなく、製造歩留まりが高く、
また信頼性の高い電子部品を得ることができる。
【図１】実施例を示す図。
【図２】従来例を示す図。
【図３】従来例を示す図。
１ 圧電基板 ２ 電極材料 ３ フォトレジスト膜 Ｍ ガラスフォトマスク
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の表面に、この表面に接して電極材
料、その上部にレジスト膜を形成し、所定のパターンに
露光後不要なレジスト膜を除去し、その後必要な短時間
のアッシング処理により、前記不要なレジスト膜を完全
に除去し、その後エッチング処理により所望の電極パタ
ーンを得ることを特徴とする電子部品の微細電極形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21821494A JPH0864931A (ja) | 1994-08-18 | 1994-08-18 | 電子部品の微細電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21821494A JPH0864931A (ja) | 1994-08-18 | 1994-08-18 | 電子部品の微細電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864931A true JPH0864931A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16716411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21821494A Pending JPH0864931A (ja) | 1994-08-18 | 1994-08-18 | 電子部品の微細電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864931A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003061119A1 (fr) * | 2002-01-17 | 2003-07-24 | Nec Corporation | Element d'onde acoustique de surface et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
| US7495387B2 (en) | 2001-02-05 | 2009-02-24 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent device including the same |
| WO2016103510A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 日本テクノリード株式会社 | 透明基板上にパターニングされた導電性高分子層を有する積層基板の製造方法及びメタルメッシュ基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-18 JP JP21821494A patent/JPH0864931A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7495387B2 (en) | 2001-02-05 | 2009-02-24 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent device including the same |
| US8410687B2 (en) | 2001-02-05 | 2013-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device including covered lower electrode |
| US8664850B2 (en) | 2001-02-05 | 2014-03-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device including covered lower electrode |
| WO2003061119A1 (fr) * | 2002-01-17 | 2003-07-24 | Nec Corporation | Element d'onde acoustique de surface et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
| WO2016103510A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 日本テクノリード株式会社 | 透明基板上にパターニングされた導電性高分子層を有する積層基板の製造方法及びメタルメッシュ基板の製造方法 |
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