JP2580681B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2580681B2 JP2580681B2 JP4509288A JP4509288A JP2580681B2 JP 2580681 B2 JP2580681 B2 JP 2580681B2 JP 4509288 A JP4509288 A JP 4509288A JP 4509288 A JP4509288 A JP 4509288A JP 2580681 B2 JP2580681 B2 JP 2580681B2
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にフォト
リソグラフィ手法に用いられるレジストパターニング技
術の改善に関するものである。
リソグラフィ手法に用いられるレジストパターニング技
術の改善に関するものである。
［従来の技術］ 半導体装置の製造方法において、半導体基板上に所望
の素子パターンや配線パターンなどを形成するパターニ
ング技術は最も重要な技術の１つとなっている。このパ
ターニング技術は、パターニングすべき層の上にレジス
トを塗布し、これを露光現象してレジストパターンマス
クを形成し、その後、このレジストパターンを下層に転
写して所望の素子パターンなどを形成する方法である。
以下、アルミニウムなどの金属膜をレジストを用いてパ
ターニングする構成について図を用いて説明する。
の素子パターンや配線パターンなどを形成するパターニ
ング技術は最も重要な技術の１つとなっている。このパ
ターニング技術は、パターニングすべき層の上にレジス
トを塗布し、これを露光現象してレジストパターンマス
クを形成し、その後、このレジストパターンを下層に転
写して所望の素子パターンなどを形成する方法である。
以下、アルミニウムなどの金属膜をレジストを用いてパ
ターニングする構成について図を用いて説明する。
まず、第2A図に示すように、半導体基板１の表面上に
スパッタリング法などを用いてアルミニウム（Al）の金
属膜２を形成する。このとき、Al金属膜２の表面には、
Al酸化膜やスパッタリング雰囲気ガスの汚染物質などか
らなる酸化膜３が膜厚数10〜数100Å程度形成されてい
る。次に、金属膜２とその上に塗布されるレジストとの
密着を強化するために密着強化剤としてHMDS（ヘキサン
メチルジシラザン）などのシランカップリング剤を塗
布、乾燥させる。
スパッタリング法などを用いてアルミニウム（Al）の金
属膜２を形成する。このとき、Al金属膜２の表面には、
Al酸化膜やスパッタリング雰囲気ガスの汚染物質などか
らなる酸化膜３が膜厚数10〜数100Å程度形成されてい
る。次に、金属膜２とその上に塗布されるレジストとの
密着を強化するために密着強化剤としてHMDS（ヘキサン
メチルジシラザン）などのシランカップリング剤を塗
布、乾燥させる。
さらに、第2B図に示すように、半導体基板１上のAl金
属膜２の表面上に直接レジストを滴下し、半導体基板１
をスピンさせて均一な膜厚のレジスト膜４を形成する。
属膜２の表面上に直接レジストを滴下し、半導体基板１
をスピンさせて均一な膜厚のレジスト膜４を形成する。
その後、レジスト膜４は露光現象処理され、所望のレ
ジストパターンに形成される。
ジストパターンに形成される。
なお、上記工程において、密着剤の塗布工程は特に必
要とされない場合もある。
要とされない場合もある。
［発明が解決しようとする課題］ このように、従来のレジストの塗布工程においては、
半導体基板１上に形成されたAl金属膜２の表面上に直接
レジストを塗布し、レジスト膜４を形成していた。した
がって、Al金属膜２とレジスト膜４との間にはAl酸化膜
や汚染層からなる酸化膜３が必ず存在していた。この酸
化膜３はレジスト膜４との弱結合層となりレジスト膜４
とAl金属膜２との界面での密着劣化を引き起こした。こ
のために、この後のレジスト膜４のパターニング工程や
Al金属膜２のパターニング工程において、レジスト膜４
のパターンマスクがずれたり欠落したりし、これによっ
てAl金属膜２に形成されるパターンの精度が低下するな
どの問題を引き起こしていた。
半導体基板１上に形成されたAl金属膜２の表面上に直接
レジストを塗布し、レジスト膜４を形成していた。した
がって、Al金属膜２とレジスト膜４との間にはAl酸化膜
や汚染層からなる酸化膜３が必ず存在していた。この酸
化膜３はレジスト膜４との弱結合層となりレジスト膜４
とAl金属膜２との界面での密着劣化を引き起こした。こ
のために、この後のレジスト膜４のパターニング工程や
Al金属膜２のパターニング工程において、レジスト膜４
のパターンマスクがずれたり欠落したりし、これによっ
てAl金属膜２に形成されるパターンの精度が低下するな
どの問題を引き起こしていた。
したがって、本発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、パターニングすべき金属膜とそ
の上に形成されるレジスト膜との密着力を強化し、形成
すべきパターンの精度が低下することのない半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、パターニングすべき金属膜とそ
の上に形成されるレジスト膜との密着力を強化し、形成
すべきパターンの精度が低下することのない半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、基板上に堆積されたMo、Ｗ、Tiからなる金
属膜の表面上にレジストを塗布した後、露光現像処理を
行ない所望のレジストパターンを形成するレジストパタ
ーニング工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記金属膜表面をアルカリ液を用いて洗浄した後、レジ
ストを塗布することを特徴としている。
属膜の表面上にレジストを塗布した後、露光現像処理を
行ない所望のレジストパターンを形成するレジストパタ
ーニング工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記金属膜表面をアルカリ液を用いて洗浄した後、レジ
ストを塗布することを特徴としている。
［作用］ 本発明においては、半導体基板上に堆積されたMo、
Ｗ、Tiからなる金属膜の表面をアルカリ液を用いて洗浄
し、金属膜の表面に形成された酸化膜などを除去してい
る。したがって、従来この酸化膜の存在によって弱めら
れていたレジストと金属膜との密着結合力が改善され、
レジスト膜と金属膜とがずれたりあるいはレジストが欠
落したりするのを防止することができる。
Ｗ、Tiからなる金属膜の表面をアルカリ液を用いて洗浄
し、金属膜の表面に形成された酸化膜などを除去してい
る。したがって、従来この酸化膜の存在によって弱めら
れていたレジストと金属膜との密着結合力が改善され、
レジスト膜と金属膜とがずれたりあるいはレジストが欠
落したりするのを防止することができる。
［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図を用いて説明する。
まず、第1A図に示すように、半導体基板１上にスパッ
タリング法などを用いてAl金属膜２を形成する。このと
き、Al金属膜２の表面上には、Al酸化膜やスパッタリン
グ雰囲気中のガスによる汚染物質などからなる酸化膜３
が膜厚数10〜数100Å程度形成されている。
タリング法などを用いてAl金属膜２を形成する。このと
き、Al金属膜２の表面上には、Al酸化膜やスパッタリン
グ雰囲気中のガスによる汚染物質などからなる酸化膜３
が膜厚数10〜数100Å程度形成されている。
次に、第1B図に示すように、この酸化膜３が表面に形
成された半導体基板１をTMAH（テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド）などのアルカリ溶液中で洗浄
し、Al金属膜２の表面に形成された酸化膜３を除去す
る。
成された半導体基板１をTMAH（テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド）などのアルカリ溶液中で洗浄
し、Al金属膜２の表面に形成された酸化膜３を除去す
る。
そして、第1C図に示すように、酸化膜３が除去された
Al金属膜２の表面に、この表面上に塗布されるレジスト
との密着力を強化するための密着強化材として、HMDSな
どのシランカップリング剤を塗布し乾燥処理する。その
後、半導体基板１のAl金属膜２の表面上にレジストを滴
下し、スピンさせて均一な膜厚を有するレジスト膜４を
形成する。
Al金属膜２の表面に、この表面上に塗布されるレジスト
との密着力を強化するための密着強化材として、HMDSな
どのシランカップリング剤を塗布し乾燥処理する。その
後、半導体基板１のAl金属膜２の表面上にレジストを滴
下し、スピンさせて均一な膜厚を有するレジスト膜４を
形成する。
さらに、レジスト膜４を露光現像し、所望のパターン
形状を有するレジストパターニングマスクを形成する。
形状を有するレジストパターニングマスクを形成する。
なお、上記の製造工程において密着強化剤の塗布工程
は必ずしも必要とされない。
は必ずしも必要とされない。
なお、上記実施例では、半導体基板上にAl金属膜を堆
積させる際に、その表面に同時に形成される酸化膜の洗
浄除去工程を例として説明したが、これに限定されるこ
となく、たとえば次のような工程に対しても本発明を適
用することができる。すなわち、Al金属膜の上に形成さ
れたレジスト膜を１度除去した後、再度レジスト膜を塗
布してパターニングを行なう場合がある。このとき、レ
ジスト膜の除去にはO2（酸素）プラズマアッシング法な
どを使用するが、Al金属膜の表面はこの時に生じるO2イ
オンにさらされ厚い酸化膜が形成される。したがって、
この後再度レジストを塗布する前に、本発明におけるア
ルカリ液洗浄工程を挾むことによって、表面上の酸化膜
を除去しレジストとの密着力を改善することができる。
積させる際に、その表面に同時に形成される酸化膜の洗
浄除去工程を例として説明したが、これに限定されるこ
となく、たとえば次のような工程に対しても本発明を適
用することができる。すなわち、Al金属膜の上に形成さ
れたレジスト膜を１度除去した後、再度レジスト膜を塗
布してパターニングを行なう場合がある。このとき、レ
ジスト膜の除去にはO2（酸素）プラズマアッシング法な
どを使用するが、Al金属膜の表面はこの時に生じるO2イ
オンにさらされ厚い酸化膜が形成される。したがって、
この後再度レジストを塗布する前に、本発明におけるア
ルカリ液洗浄工程を挾むことによって、表面上の酸化膜
を除去しレジストとの密着力を改善することができる。
また、上記実施例では、レジストとの密着力を改善さ
せる対象としてAl金属膜を用いて説明したが、これに限
ることなくたとえば、Mo（モリブデン）、Ｗ（タングス
テン）、Ti（チタン）などの金属膜に対しても本発明を
適用することができる。
せる対象としてAl金属膜を用いて説明したが、これに限
ることなくたとえば、Mo（モリブデン）、Ｗ（タングス
テン）、Ti（チタン）などの金属膜に対しても本発明を
適用することができる。
さらに、上記実施例では、金属膜表面に形成された酸
化膜を除去するための溶剤としてTMAHなどのアルカリ溶
液を用いたが、これに限定されることなく、金属膜表面
に形成される酸化膜を除去し得る溶液であれば他のもの
であっても構わない。
化膜を除去するための溶剤としてTMAHなどのアルカリ溶
液を用いたが、これに限定されることなく、金属膜表面
に形成される酸化膜を除去し得る溶液であれば他のもの
であっても構わない。
［発明の効果］ 以上のように、本発明によればMo、Ｗ、Tiからなる金
属膜の表面に形成される酸化膜をアルカリ溶液を用いて
除去した後レジストを塗布するように構成されるので、
レジストを用いたパターニング工程において金属膜表面
とレジストとのずれやレジストの欠落などを防止するこ
とができパターン精度の高い安定した半導体装置の製造
を可能とすることができる。
属膜の表面に形成される酸化膜をアルカリ溶液を用いて
除去した後レジストを塗布するように構成されるので、
レジストを用いたパターニング工程において金属膜表面
とレジストとのずれやレジストの欠落などを防止するこ
とができパターン精度の高い安定した半導体装置の製造
を可能とすることができる。
第1A図、第1B図および第1C図は、本発明の一実施例を示
す半導体装置のレジストパターニング工程を示す断面図
である。 また、第2A図および第2B図は、従来の半導体装置のレジ
ストパターニング工程を示す断面図である。 図において、２は金属膜、３は酸化膜、４はレジスト膜
を示している。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
す半導体装置のレジストパターニング工程を示す断面図
である。 また、第2A図および第2B図は、従来の半導体装置のレジ
ストパターニング工程を示す断面図である。 図において、２は金属膜、３は酸化膜、４はレジスト膜
を示している。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に堆積されたMo、Ｗ、Tiからなる金
属膜の表面上に、レジストを塗布した後、露光現像処理
を行ない所望のレジストパターンを形成するレジストパ
ターニング工程を備えた半導体装置の製造方法におい
て、 前記金属膜の表面をアルカリ液を用いて洗浄した後、前
記レジストを塗布することを特徴とする、半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4509288A JP2580681B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4509288A JP2580681B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217915A JPH01217915A (ja) | 1989-08-31 |
| JP2580681B2 true JP2580681B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=12709668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4509288A Expired - Fee Related JP2580681B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580681B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4521753B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2010-08-11 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP6318922B2 (ja) * | 2014-07-04 | 2018-05-09 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP4509288A patent/JP2580681B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01217915A (ja) | 1989-08-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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