JPS58132927A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS58132927A JPS58132927A JP1608982A JP1608982A JPS58132927A JP S58132927 A JPS58132927 A JP S58132927A JP 1608982 A JP1608982 A JP 1608982A JP 1608982 A JP1608982 A JP 1608982A JP S58132927 A JPS58132927 A JP S58132927A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resist
- pattern
- exposed
- resist layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製法に関し、主として電子ビーム
の照射による微細パターンの形成を対象とするものであ
る。
の照射による微細パターンの形成を対象とするものであ
る。
一般に電子ビームの照射による微細パターンの形成にお
いては、使用する放射線感応性皮膜（以後レジストと記
す）の特性によって、形成されるパターンに限界が生じ
る。通常ポジ型レジストは高解像性を有するが、電子ビ
ームに対する感度が低かったり、耐エツチング性が劣っ
たシする。ネガ型レジストは感度、耐エツチング性とも
ポジ型レジストよりも優れているが、解像性に劣るとい
う欠点をもっていることが原因である。
いては、使用する放射線感応性皮膜（以後レジストと記
す）の特性によって、形成されるパターンに限界が生じ
る。通常ポジ型レジストは高解像性を有するが、電子ビ
ームに対する感度が低かったり、耐エツチング性が劣っ
たシする。ネガ型レジストは感度、耐エツチング性とも
ポジ型レジストよりも優れているが、解像性に劣るとい
う欠点をもっていることが原因である。
本発明は上記の問題を解決するためなされたもので、そ
の目的とするところは、高解像性であ＼り且つ、耐エツ
チング性の良い微細パターン形成法を提供しようとする
ものである。
の目的とするところは、高解像性であ＼り且つ、耐エツ
チング性の良い微細パターン形成法を提供しようとする
ものである。
本発明の基本的な構成は、第１および第２のレジスト層
を順次、半導体、絶縁膜゛または金属膜」二に塗布し、
前記第２層のレジス、トを露光現像し、露出した前記第
１層のレジストの表面を変質させた後、前記露出面領域
以外にある第１．第２のレジスト層を除去し、微細なパ
ターンを形成するというものである。すなわち、本発明
の特徴とする点は、前記第１層レジストの露出面を変質
させる点にある。
を順次、半導体、絶縁膜゛または金属膜」二に塗布し、
前記第２層のレジス、トを露光現像し、露出した前記第
１層のレジストの表面を変質させた後、前記露出面領域
以外にある第１．第２のレジスト層を除去し、微細なパ
ターンを形成するというものである。すなわち、本発明
の特徴とする点は、前記第１層レジストの露出面を変質
させる点にある。
以下実施例にそって図面を参照しながら、本発明の構成
を具体的に説明する。第１図〜第３図はパターン形成法
の工程を示した工程断面図である。
を具体的に説明する。第１図〜第３図はパターン形成法
の工程を示した工程断面図である。
半導体、絶縁体あるいは金属等よシなる基板１上に第１
層のレジスト層２としてネガ型しジストＰＧＭム（ポリ
グリシジルメタクリレート）、第２層のレジスト層３と
してポジ型しジストＰＭＭム（ポリメチルメタクリレー
ト）を塗布する（第１図）。次に、前記第２層のレジス
ト層３を所定のパターンに露光現像し、前記第１層のレ
ジスト層２の露出面４を形成した後、濃硫酸中に浸漬す
る（第２図）。次に、上記の所定パターンを有する前記
両しンスト層２，３面を酸素プラズマ中にさらすと、第
１層のフォトレジスト層２の露出面４以外の個所に存す
る前記第１層および第２層の両レジスト層２，３が除去
され、かくして、前記第１層のレジスト層２が所望パタ
ーン６を形成する（第３図）。
層のレジスト層２としてネガ型しジストＰＧＭム（ポリ
グリシジルメタクリレート）、第２層のレジスト層３と
してポジ型しジストＰＭＭム（ポリメチルメタクリレー
ト）を塗布する（第１図）。次に、前記第２層のレジス
ト層３を所定のパターンに露光現像し、前記第１層のレ
ジスト層２の露出面４を形成した後、濃硫酸中に浸漬す
る（第２図）。次に、上記の所定パターンを有する前記
両しンスト層２，３面を酸素プラズマ中にさらすと、第
１層のフォトレジスト層２の露出面４以外の個所に存す
る前記第１層および第２層の両レジスト層２，３が除去
され、かくして、前記第１層のレジスト層２が所望パタ
ーン６を形成する（第３図）。
第３図において露出面４の部分に存する第１Ｍのレジス
ト層２が残る理由は明確でないが、前記第１層のレジス
ト層２を濃硫酸に浸漬するとその種類によって挙動が異
なることがわかった。表にＰＣＭム、ＰＭＭムの硫酸浸
漬処理と酸素プラズマによる除去時間の関係を示す。
ト層２が残る理由は明確でないが、前記第１層のレジス
ト層２を濃硫酸に浸漬するとその種類によって挙動が異
なることがわかった。表にＰＣＭム、ＰＭＭムの硫酸浸
漬処理と酸素プラズマによる除去時間の関係を示す。
表
表かられかるごとく、ＰＭＭムは硫酸中に浸漬されると
それだけで分解されるが、ＰＣＭムの方は硫酸中に浸漬
することによシ酸素プラズマ耐性が増す。すなわち、酸
素プラズマによりＰＣＭムが灰化される時間は硫酸に浸
漬することにより２０分から４０分になる。
それだけで分解されるが、ＰＣＭムの方は硫酸中に浸漬
することによシ酸素プラズマ耐性が増す。すなわち、酸
素プラズマによりＰＣＭムが灰化される時間は硫酸に浸
漬することにより２０分から４０分になる。
従って、第１層にＰＣＭム、第２層にＰＭＭムを形成し
て、゛第２図のごとき第２層のＰＭＭムのパターンを形
成し、濃硫酸中に浸漬すると、濃硫酸にさらされた第１
層のＰＣＭムの露出面４はプラズマ耐性が増し、同時に
第２層のＰＭＭムは分解除去される。第２層のＰＭＭム
が除去された後の状態は第１層のＰＧＭ五表面表面択的
にプラズマ耐性が増した様になる。この後、プラズマ処
理をすると第２図の露出面４以外の第１層のＰＣＭムが
除去される。
て、゛第２図のごとき第２層のＰＭＭムのパターンを形
成し、濃硫酸中に浸漬すると、濃硫酸にさらされた第１
層のＰＣＭムの露出面４はプラズマ耐性が増し、同時に
第２層のＰＭＭムは分解除去される。第２層のＰＭＭム
が除去された後の状態は第１層のＰＧＭ五表面表面択的
にプラズマ耐性が増した様になる。この後、プラズマ処
理をすると第２図の露出面４以外の第１層のＰＣＭムが
除去される。
以上の様に、第３図で示すパターン５を形成するに要す
る時間は硫酸浸漬を行なわないＰＣＭムの除去のだめの
プラズマ処理時間（灰化時間）と同じく２０分で良いこ
とが理解できる。
る時間は硫酸浸漬を行なわないＰＣＭムの除去のだめの
プラズマ処理時間（灰化時間）と同じく２０分で良いこ
とが理解できる。
本発明の方法によれば、第２層に用いるボン型レジスト
層の厚みは薄くてすむので、高解像のパターンが得られ
る。第１層へ第２層のパターンを転写する手段として、
平行平板型プラズマ装置による異方性エツチングを用い
れば、第１層が厚くても解像性を低下させることなく処
理出来る。従って、第１層の厚みを増すことが出来るの
で、電子ビーム露光の際に起る後方散乱効果が押えられ
、いっそう第２層のパターンの解像性が向上する。
層の厚みは薄くてすむので、高解像のパターンが得られ
る。第１層へ第２層のパターンを転写する手段として、
平行平板型プラズマ装置による異方性エツチングを用い
れば、第１層が厚くても解像性を低下させることなく処
理出来る。従って、第１層の厚みを増すことが出来るの
で、電子ビーム露光の際に起る後方散乱効果が押えられ
、いっそう第２層のパターンの解像性が向上する。
電子線感光性皮膜では一般にポジ型よりネガ型の方が、
ＣＦ４ 、ＣＣＪ１４ 系ガスのプラズマに対して耐エ
ツチング性がよい。第１層に厚いネガ型レジストを使用
することによって、基板あるいは絶縁膜。
ＣＦ４ 、ＣＣＪ１４ 系ガスのプラズマに対して耐エ
ツチング性がよい。第１層に厚いネガ型レジストを使用
することによって、基板あるいは絶縁膜。
金属膜をエツチングする工程における耐エツチング性を
向上させることができる。
向上させることができる。
尚、本発明は上記した実施例以外に下記の態様で実施で
きる。すなわち、本実施例では一第１層としてＰＣＭム
を用いたが、ポジ型あるいはネガ型の紫外線感光性レジ
ストを使用することができる。第２層としてＰＭＭムを
用いたが、ＰＢＳ 。
きる。すなわち、本実施例では一第１層としてＰＣＭム
を用いたが、ポジ型あるいはネガ型の紫外線感光性レジ
ストを使用することができる。第２層としてＰＭＭムを
用いたが、ＰＢＳ 。
ＦＢＭ等の高感度、高解像性であるが、プラズマ中で分
解し易い電子線感光性レジストを用いることができる。
解し易い電子線感光性レジストを用いることができる。
また、硫酸浸漬の代りに、イオン注入、イオンビーム照
射、プラズマ照射を用いて変質処理を行なうことができ
る。
射、プラズマ照射を用いて変質処理を行なうことができ
る。
以上、本発明による方法は高解像かつ耐エツチング性に
すぐれたレジストパターンを形成出来るので工業的価値
が高い。
すぐれたレジストパターンを形成出来るので工業的価値
が高い。
第１図〜第３図は本発明によるレジストパターンの形成
法の工程断面図を示したものである。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第１層レジスト、
３・・・・・・第２層レジスト、４・・・・・・第１層
レジストの露出面、５・・・・・・形成パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ＩＩ
ＩＩ図 第 ３ｒＩ！Ｊ
法の工程断面図を示したものである。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第１層レジスト、
３・・・・・・第２層レジスト、４・・・・・・第１層
レジストの露出面、５・・・・・・形成パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ＩＩ
ＩＩ図 第 ３ｒＩ！Ｊ
Claims (4)
- （１）基板表面に第１および第２のレジスト層を順次被
覆する工程と、前記第２のレジスト層に所望のパターン
を形成して前記第１層のフォトレジスト層を露出する工
程と、露出した前記第１のレジスト層表面を変質処理す
る工程を有することを特徴とするパターン形＾。 - （２）第１のレジスト層にＰＣＭムを、第２のレジスト
層にＰＭＭムを用いることを特徴とする特許請求範囲第
１項に記載のパターン形請し。 - （３）第１のレジスト層露出面の変質処理を化学組成溶
液に浸漬して行うことを特徴とする特許請求範囲第１項
に記載のパターン形ａｔ。 - （４）第１のレジスト層露出面の変質処理をイオンビー
ム照射或いはプラズマ照射にて行うことを特徴とする特
許請求範囲第１項に記載のパターン形−瞥。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1608982A JPS58132927A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1608982A JPS58132927A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132927A true JPS58132927A (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=11906794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1608982A Pending JPS58132927A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132927A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60164323A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0304077A2 (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a fine pattern |
| EP0422375A2 (en) * | 1989-10-13 | 1991-04-17 | International Business Machines Corporation | Versatile reactive ion etch barriers from polyamic acid salts |
| CN111433675A (zh) * | 2017-12-13 | 2020-07-17 | 株式会社尼康 | 图案形成方法、晶体管的制造方法和图案形成用部件 |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP1608982A patent/JPS58132927A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60164323A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0304077A2 (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a fine pattern |
| US5032491A (en) * | 1987-08-20 | 1991-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a fine pattern |
| EP0422375A2 (en) * | 1989-10-13 | 1991-04-17 | International Business Machines Corporation | Versatile reactive ion etch barriers from polyamic acid salts |
| JPH03138924A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-06-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Ｒｉｅエツチ・バリア形成方法 |
| CN111433675A (zh) * | 2017-12-13 | 2020-07-17 | 株式会社尼康 | 图案形成方法、晶体管的制造方法和图案形成用部件 |
| CN111433675B (zh) * | 2017-12-13 | 2023-08-29 | 株式会社尼康 | 图案形成方法、晶体管的制造方法和图案形成用部件 |
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