JPS5937494B2 - 薄膜のパタ−ン形成法 - Google Patents
薄膜のパタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS5937494B2 JPS5937494B2 JP6233477A JP6233477A JPS5937494B2 JP S5937494 B2 JPS5937494 B2 JP S5937494B2 JP 6233477 A JP6233477 A JP 6233477A JP 6233477 A JP6233477 A JP 6233477A JP S5937494 B2 JPS5937494 B2 JP S5937494B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- pattern
- photoresist film
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は薄膜のパターン形成法に係り、特に基体上に
形成されたホトレジスト膜パターンの反転パターンを有
する薄膜を上記基体上に形成するいわゆるリフトオフ法
の改良に関するものである。
形成されたホトレジスト膜パターンの反転パターンを有
する薄膜を上記基体上に形成するいわゆるリフトオフ法
の改良に関するものである。
以下、従来のリフトオフ法の各形成段階を第１図ａ−ｃ
に示す断面図で説明する。先ず、第１図ａに示すように
、基体１上にホトレジスト剤からなる所定パターンのホ
トレジスト剤からなる所定パターンのホトレジスト膜２
を形成する。
に示す断面図で説明する。先ず、第１図ａに示すように
、基体１上にホトレジスト剤からなる所定パターンのホ
トレジスト剤からなる所定パターンのホトレジスト膜２
を形成する。
次いで、第１図ｂに示すように、ホトレジスト膜２上お
よび基体１の露出面上に、例えば多結晶シリコン膜など
の半導体膜、もしくは酸化シリコン膜、窒化シリコン膜
などの誘電体膜、もしくはアルミニウム、モリブデン、
タングステンなどの金属体膜からなる薄膜３ａ、３ｂを
堆積する。この薄膜３ａ、３ｂのそれぞれの厚さはホト
レジスト膜２の膜厚より薄くなければならない。また、
薄膜３ａ、３ｂの堆積には、例えばスパッタリング法、
もしくはプラズマＣＶＤ法を使用して基体１の温度上昇
を抑さえ、ホトレジスト膜２のパターンが変形、変質し
ないようにする必要がある。次に、第１図ｃに示すよう
に、基体１を例えばホトレジスト膨潤剤などに浸漬して
ホトレジスト膜２を剥離する。
よび基体１の露出面上に、例えば多結晶シリコン膜など
の半導体膜、もしくは酸化シリコン膜、窒化シリコン膜
などの誘電体膜、もしくはアルミニウム、モリブデン、
タングステンなどの金属体膜からなる薄膜３ａ、３ｂを
堆積する。この薄膜３ａ、３ｂのそれぞれの厚さはホト
レジスト膜２の膜厚より薄くなければならない。また、
薄膜３ａ、３ｂの堆積には、例えばスパッタリング法、
もしくはプラズマＣＶＤ法を使用して基体１の温度上昇
を抑さえ、ホトレジスト膜２のパターンが変形、変質し
ないようにする必要がある。次に、第１図ｃに示すよう
に、基体１を例えばホトレジスト膨潤剤などに浸漬して
ホトレジスト膜２を剥離する。
このとき、ホトレジスト膜２上に堆積した薄膜３ｂも除
去され、薄膜３ａのみが基体１上に残存する。
去され、薄膜３ａのみが基体１上に残存する。
このようにして、ホトレジスト膜２のパターンの反転パ
ターンの薄膜３ａが基体１上に形成される。ところで、
このような従来のリフトオフ法では、第１図ｂに示す薄
膜３ａ、３ｂの堆積段階において、堆積時の温度上昇に
よりホトレジスト膜２の端部が変形する場合、もしくは
ホトレジスト膜２と薄膜３ａとの膜厚の差が十分でない
場合、薄膜３ａと薄膜３ｂとが完全に分離することなく
、それぞれの端面が互に接した状態になることがしばし
ば生ずる。
ターンの薄膜３ａが基体１上に形成される。ところで、
このような従来のリフトオフ法では、第１図ｂに示す薄
膜３ａ、３ｂの堆積段階において、堆積時の温度上昇に
よりホトレジスト膜２の端部が変形する場合、もしくは
ホトレジスト膜２と薄膜３ａとの膜厚の差が十分でない
場合、薄膜３ａと薄膜３ｂとが完全に分離することなく
、それぞれの端面が互に接した状態になることがしばし
ば生ずる。
かかる状態では、第１図ｃに示すホトレジスト膨潤剤に
よるホトレジスト膜２の剥離段階において、上記ホトレ
ジスト膨潤剤が十分ホトレジスト膜２に浸透することが
できないので、ホトレジスト膜２を完全に剥離すること
が不可能になる。よつて、従来のリフトオフ法では、薄
膜３ａ，３ｂの堆積時に、電子ビーム蒸着法または通常
のＣＶＤ法に比べ、ホトレジスト膜２の温度上昇を抑え
ることができるスパツタリング法またはプラズマＣＶＤ
法を使用しても、ホトレジスト膜２がある程度温度上昇
するのをさけることができない。このために、ホトレジ
スト膜２の変質、変形がしばしば生ずるので、薄膜３ａ
の端面形状が不完全となり、薄膜３ａのパターンに欠陥
が発生するという欠点があつた。
よるホトレジスト膜２の剥離段階において、上記ホトレ
ジスト膨潤剤が十分ホトレジスト膜２に浸透することが
できないので、ホトレジスト膜２を完全に剥離すること
が不可能になる。よつて、従来のリフトオフ法では、薄
膜３ａ，３ｂの堆積時に、電子ビーム蒸着法または通常
のＣＶＤ法に比べ、ホトレジスト膜２の温度上昇を抑え
ることができるスパツタリング法またはプラズマＣＶＤ
法を使用しても、ホトレジスト膜２がある程度温度上昇
するのをさけることができない。このために、ホトレジ
スト膜２の変質、変形がしばしば生ずるので、薄膜３ａ
の端面形状が不完全となり、薄膜３ａのパターンに欠陥
が発生するという欠点があつた。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもので、表面
部が硬化された所定パターンのホトレジスト膜を基体上
に形成し、このホトレジスト膜を含み上記基体上に堆積
された薄膜により上記ホトレジスト膜の反転パターンを
有する上記薄膜を上記基体上に形成するようにすること
によつて、上記薄膜のパターンに欠陥の発生するのを防
止することを目的とする。
部が硬化された所定パターンのホトレジスト膜を基体上
に形成し、このホトレジスト膜を含み上記基体上に堆積
された薄膜により上記ホトレジスト膜の反転パターンを
有する上記薄膜を上記基体上に形成するようにすること
によつて、上記薄膜のパターンに欠陥の発生するのを防
止することを目的とする。
以下、この発明によるリフトオフ法の一実施例の各形成
段階を第２図ａ−ｅに示す断面図で説明する。
段階を第２図ａ−ｅに示す断面図で説明する。
先ず、第２図ａに示すように、基体１上にホトレジスト
膜２ａを形成し、基体１とホトレジスト膜２ａとの密着
性をよくするために例えば７０℃程度の加熱処理を行な
う。
膜２ａを形成し、基体１とホトレジスト膜２ａとの密着
性をよくするために例えば７０℃程度の加熱処理を行な
う。
次に、第２図ｂに示すように、ホトレジスト膜２ａの表
面に、イオンビーム４を照射する。
面に、イオンビーム４を照射する。
この実施例では、約１μｍ程度の厚さのホトレジスト膜
２ａの表面に、３０〜１００ＫｅＶ程度の加速工設（ハ
）―のアルゴンなどのイオンを１Ｘ１０１３ｃＴｒＬ−
２〜１×１０１６？−２程度照射した。このようｔζイ
オン照射されたホトレジスト膜２ａの表面部は、化学変
化をおこして硬化する。このイオン照射によるホトレジ
スト膜の硬化現象は、ネガレジスト膜でもポジレジスト
膜でも同様に生ずる。次に、第２図ｃに示すように、ホ
トレジスト膜２ａに所定パターンの露光および現像処理
を施すことによつて、上記所定パターンに対応するパタ
ーンに形成されたホトレジスト膜２ｂを基体１上に形成
し、ホトレジスト膜２ｂと基体１との密着をよくするた
めに例えば１７０℃程度の加熱処理を行う。
２ａの表面に、３０〜１００ＫｅＶ程度の加速工設（ハ
）―のアルゴンなどのイオンを１Ｘ１０１３ｃＴｒＬ−
２〜１×１０１６？−２程度照射した。このようｔζイ
オン照射されたホトレジスト膜２ａの表面部は、化学変
化をおこして硬化する。このイオン照射によるホトレジ
スト膜の硬化現象は、ネガレジスト膜でもポジレジスト
膜でも同様に生ずる。次に、第２図ｃに示すように、ホ
トレジスト膜２ａに所定パターンの露光および現像処理
を施すことによつて、上記所定パターンに対応するパタ
ーンに形成されたホトレジスト膜２ｂを基体１上に形成
し、ホトレジスト膜２ｂと基体１との密着をよくするた
めに例えば１７０℃程度の加熱処理を行う。
この現像処理の段階において、上記イオン照射を受けた
ホトレジスト膜２ａの表面部は、その下部のイオン照射
を受けない部分に比べて、現像速度が極端に遅くなるた
め、ホトレジスト膜２ｂの断面形状はオーバーハング状
になる。次に、第２図ｄに示すように、ホトレジスト膜
２ｂ上および基体１の露出面上に、例えば多結晶シリコ
ン膜などの半導体膜、もしくは酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜などの誘電体膜、もしくはアルミニウム、モリ
ブデン、タングステンなどの金属体膜からなる薄膜３ａ
，３ｂをホトレジスト膜２ｂの厚さより薄く堆積する。
このとき、ホトレジスト膜２ｂの断面形状がオーバーハ
ング状になつているので、薄膜３ａの端面と薄膜３ｂの
端面とが完全に分離し、互に接続することなく、これら
の間にすき間ができる。また、ホトレジスト膜２ｂの表
面は、イオンビーム４の照射により硬化されているため
、薄膜３ａ，３ｂの堆積時の温度上昇に対する耐量が増
大しているので、変質、変形するようなことがない。し
たがつて、ホトレジスト膜２ｂ上および基体１の露出面
上に金属薄膜を堆積する場合に、スパツタリング法ばか
りでなく、真空蒸着法を使用することもできる。次いで
、第２図ｅに示すように、基体１をホトレジスト膨潤剤
に浸漬して、ホトレジスト膜２ｂを剥離する。このとき
、薄膜３ａ，３ｂの間にすき間ができているので、この
すき間にホトレジスト膨潤剤が十分に浸透し、ホトレジ
スト膜２ｂは容易に剥離され、同時にホトレジスト膜２
ｂ上の薄膜３ｂも完全に除去される。よつて薄膜３ａに
パターン欠陥が発生することがない。なお、上記実施例
において、ホトレジスト膜の表面部をイオンビームの照
射により硬化させる方法について述べたが、この発明に
よる方法はこれに限らず、この他のホトレジスト膜の表
面部のみを硬化させることができる方法を用いても差支
えない。
ホトレジスト膜２ａの表面部は、その下部のイオン照射
を受けない部分に比べて、現像速度が極端に遅くなるた
め、ホトレジスト膜２ｂの断面形状はオーバーハング状
になる。次に、第２図ｄに示すように、ホトレジスト膜
２ｂ上および基体１の露出面上に、例えば多結晶シリコ
ン膜などの半導体膜、もしくは酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜などの誘電体膜、もしくはアルミニウム、モリ
ブデン、タングステンなどの金属体膜からなる薄膜３ａ
，３ｂをホトレジスト膜２ｂの厚さより薄く堆積する。
このとき、ホトレジスト膜２ｂの断面形状がオーバーハ
ング状になつているので、薄膜３ａの端面と薄膜３ｂの
端面とが完全に分離し、互に接続することなく、これら
の間にすき間ができる。また、ホトレジスト膜２ｂの表
面は、イオンビーム４の照射により硬化されているため
、薄膜３ａ，３ｂの堆積時の温度上昇に対する耐量が増
大しているので、変質、変形するようなことがない。し
たがつて、ホトレジスト膜２ｂ上および基体１の露出面
上に金属薄膜を堆積する場合に、スパツタリング法ばか
りでなく、真空蒸着法を使用することもできる。次いで
、第２図ｅに示すように、基体１をホトレジスト膨潤剤
に浸漬して、ホトレジスト膜２ｂを剥離する。このとき
、薄膜３ａ，３ｂの間にすき間ができているので、この
すき間にホトレジスト膨潤剤が十分に浸透し、ホトレジ
スト膜２ｂは容易に剥離され、同時にホトレジスト膜２
ｂ上の薄膜３ｂも完全に除去される。よつて薄膜３ａに
パターン欠陥が発生することがない。なお、上記実施例
において、ホトレジスト膜の表面部をイオンビームの照
射により硬化させる方法について述べたが、この発明に
よる方法はこれに限らず、この他のホトレジスト膜の表
面部のみを硬化させることができる方法を用いても差支
えない。
以上、詳述したように、この発明による方法によれば、
表面部が硬化されたホトレジスト膜を基体上に形成し、
上記ホトレジスト膜に所定パタ一ンを露光し現像して上
記所定パターンに対応するパターンの上記ホトレジスト
膜を上記基体上に形成し、このホトレジスト膜のパター
ン上および上記基体上に上記ホトレジスト膜より厚さの
薄い薄膜を形成し、上記ホトレジスト膜のパターンとそ
の上に堆積された上記薄膜とをホトレジスト膨潤剤を用
いて上記基体から除去することによつて、上記ホトレジ
スト膜パターンの反転パターンを有する上記薄膜を上記
基体上に形成するので、次のような効果がある。
表面部が硬化されたホトレジスト膜を基体上に形成し、
上記ホトレジスト膜に所定パタ一ンを露光し現像して上
記所定パターンに対応するパターンの上記ホトレジスト
膜を上記基体上に形成し、このホトレジスト膜のパター
ン上および上記基体上に上記ホトレジスト膜より厚さの
薄い薄膜を形成し、上記ホトレジスト膜のパターンとそ
の上に堆積された上記薄膜とをホトレジスト膨潤剤を用
いて上記基体から除去することによつて、上記ホトレジ
スト膜パターンの反転パターンを有する上記薄膜を上記
基体上に形成するので、次のような効果がある。
すなわち、上記ホトレジスト膜の現像時において、上記
ホトレジスト膜の硬化された表面部は、その下部の硬化
されない部分に、現像速度が極端に遅くなるので、上記
ホトレジスト膜の断面形状はオーバーハング状になる。
ホトレジスト膜の硬化された表面部は、その下部の硬化
されない部分に、現像速度が極端に遅くなるので、上記
ホトレジスト膜の断面形状はオーバーハング状になる。
このような断面形状の上記ホトレジスト膜のパターン上
および上記基体上に堆積された薄膜はそれぞれ完全に分
離されるので、上記ホトレジスト膜のパターンとその上
に堆積された上記薄膜とをホトレジスト膨潤剤を用いて
上記基体から容易に除去することができる。よつて、上
記ホトレジスト膜に形成されたパターンの反転パターン
を有する上記薄膜にパターン欠陥が発生するのを防止す
ることができる。
および上記基体上に堆積された薄膜はそれぞれ完全に分
離されるので、上記ホトレジスト膜のパターンとその上
に堆積された上記薄膜とをホトレジスト膨潤剤を用いて
上記基体から容易に除去することができる。よつて、上
記ホトレジスト膜に形成されたパターンの反転パターン
を有する上記薄膜にパターン欠陥が発生するのを防止す
ることができる。
第１図ａ−ｃは従来のリフトオフ法の各形成段階を説明
するための断面図、第２図ａ−ｅはこの発明によるリフ
トオフ法の一実施例の各形成段階を説明するための断面
図である。 図において、１は基体、２，２ａ，２ｂはホトレジスト
膜、３ａ，３ｂは薄膜、４はイオンビームを示す。
するための断面図、第２図ａ−ｅはこの発明によるリフ
トオフ法の一実施例の各形成段階を説明するための断面
図である。 図において、１は基体、２，２ａ，２ｂはホトレジスト
膜、３ａ，３ｂは薄膜、４はイオンビームを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体上にホトレジスト膜を形成し、上記ホトレジス
ト膜の表面部を硬化させる第１の工程、上記ホトレジス
ト膜に所定パターンの露光および現像処理を施して上記
所定パターンに対応するパターンを有する上記ホトレジ
スト膜を形成する第２の工程、上記パターンに形成され
たホトレジスト膜上および上記基体の露出面上に上記ホ
トレジスト膜より厚さの薄い薄膜を堆積する第３の工程
、上記ホトレジスト膜を膨潤させて上記基板から剥離し
上記基板上に上記所定パターンの反転パターンを有する
上記薄膜を形成する第４の工程を備えてなる薄膜のパタ
ーン形成法。 ２ 薄膜に多結晶シリコンなどの半導体膜を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜のパター
ン形成法。 ３ 薄膜に誘電体膜を用いることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜のパターン形成法。 ４ 薄膜に金属体膜を用いることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜のパターン形成法。 ５ ホトレジスト膜の表面部をイオンビームの照射によ
り硬化させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の薄膜のパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6233477A JPS5937494B2 (ja) | 1977-05-27 | 1977-05-27 | 薄膜のパタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6233477A JPS5937494B2 (ja) | 1977-05-27 | 1977-05-27 | 薄膜のパタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53147531A JPS53147531A (en) | 1978-12-22 |
| JPS5937494B2 true JPS5937494B2 (ja) | 1984-09-10 |
Family
ID=13197120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6233477A Expired JPS5937494B2 (ja) | 1977-05-27 | 1977-05-27 | 薄膜のパタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5937494B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637630A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-11 | Fujitsu Ltd | Formation of thin film |
| JPS59228648A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ホトレジストの現像法 |
| KR0147211B1 (ko) * | 1994-08-30 | 1998-11-02 | 이헌조 | 도전성 마이크로 브릿지의 제조방법 |
| ATE495553T1 (de) * | 1999-08-31 | 2011-01-15 | E Ink Corp | Methode zur herstellung eines strukturierten halbleiterfilms |
-
1977
- 1977-05-27 JP JP6233477A patent/JPS5937494B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53147531A (en) | 1978-12-22 |
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