JPS5827655B2 - アパ−チャ絞りの製造方法 - Google Patents
アパ−チャ絞りの製造方法Info
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- JPS5827655B2 JPS5827655B2 JP4187781A JP4187781A JPS5827655B2 JP S5827655 B2 JPS5827655 B2 JP S5827655B2 JP 4187781 A JP4187781 A JP 4187781A JP 4187781 A JP4187781 A JP 4187781A JP S5827655 B2 JPS5827655 B2 JP S5827655B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えば電子線装置における電子線断面形状を規
定するアパーチャ絞りを精密に製造し得るアパーチャ絞
りの製造方法に関する。
定するアパーチャ絞りを精密に製造し得るアパーチャ絞
りの製造方法に関する。
電子線露光装置、等に電子線の断面寸法を可変制御する
ものにあっては高寸法精度のアパーチャ絞りを必要とす
る。
ものにあっては高寸法精度のアパーチャ絞りを必要とす
る。
この種のアパーチャ絞りは従来、モリブデン（Ｍ ｏ
）等の薄板をエツチングして透孔を穿いて形成されてい
た。
）等の薄板をエツチングして透孔を穿いて形成されてい
た。
ところが、このような手法によって得られる従来のアパ
ーチャ絞りはアパーチャ開口寸法の精度が低く、一般的
に薄板の板厚程度もの寸法誤差を有していた。
ーチャ絞りはアパーチャ開口寸法の精度が低く、一般的
に薄板の板厚程度もの寸法誤差を有していた。
また近年実開昭５２−１３０６７９号に示されるように
単結晶板を異方性エツチングしてアパーチャ絞りを製作
することが提唱されている。
単結晶板を異方性エツチングしてアパーチャ絞りを製作
することが提唱されている。
しかしながらこのようなアパーチャ絞りは、先ずその素
材が単結晶に限られることや単結晶板の板厚のばらつき
と同程度の誤差を生じる等の問題を有している。
材が単結晶に限られることや単結晶板の板厚のばらつき
と同程度の誤差を生じる等の問題を有している。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、使用目的に応じたアパーチャ素材を用
いて簡易にして高い寸法精度のアパーチャ絞りを作成し
得るアパーチャ絞りの製造方法を提供せんとするもので
ある。
とするところは、使用目的に応じたアパーチャ素材を用
いて簡易にして高い寸法精度のアパーチャ絞りを作成し
得るアパーチャ絞りの製造方法を提供せんとするもので
ある。
即ち、本発明方法は単結晶基板上に所定断面形状の突出
部を異方性エツチングによって形成上〜この突出部の上
面を除く前記基板上に金属膜を被覆形成したのち、上記
突出部上面および金属膜上の全域に亘ってアパーチャ素
材を被着形成ししかるのち前記基板を除去してから前記
金属膜をマスクとしてアパーチャ素材をエツチングした
のち金属膜を除去することによって前記アパーチャ素材
からなる所定開口寸法のアパーチャ絞りを製造するもの
である。
部を異方性エツチングによって形成上〜この突出部の上
面を除く前記基板上に金属膜を被覆形成したのち、上記
突出部上面および金属膜上の全域に亘ってアパーチャ素
材を被着形成ししかるのち前記基板を除去してから前記
金属膜をマスクとしてアパーチャ素材をエツチングした
のち金属膜を除去することによって前記アパーチャ素材
からなる所定開口寸法のアパーチャ絞りを製造するもの
である。
従って、アパーチャ素材として単結晶、多結晶、非晶質
材、金属等、その使用目的に応じたものを適宜用いるこ
とができ、そのアパチャ開口寸法精度を十分に高くする
ことができる。
材、金属等、その使用目的に応じたものを適宜用いるこ
とができ、そのアパチャ開口寸法精度を十分に高くする
ことができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例につき説明する
。
。
尚、ここでは多結晶や非晶質からなるアパーチャ絞りの
製造を例に説明する。
製造を例に説明する。
先ず（１００）単結晶シリコンウェハ１の両面に熱酸化
等によってＳ ｘ ０２層２をそれぞれ形成する。
等によってＳ ｘ ０２層２をそれぞれ形成する。
このＳｉＯ２層２上に第１図に示すように所望形状寸法
のレジストパターン３を形成する。
のレジストパターン３を形成する。
このレジストパターン３の形成は、例えば電子ビーム露
光により、所望形状に寸法精度高く行う。
光により、所望形状に寸法精度高く行う。
しかるのち、このレジストパターン３マスクとして上面
側のＳｉＯ２層２を選択的にエツチング除去したのち残
されたＳｉＯ□層２をマスクとしてシリコンウェハ１を
第２図に示すように異方性エツチングする。
側のＳｉＯ２層２を選択的にエツチング除去したのち残
されたＳｉＯ□層２をマスクとしてシリコンウェハ１を
第２図に示すように異方性エツチングする。
この異方性エツチングには、例えばＫＯＨとイソプロピ
ルアルコールとの水溶液（６０℃）が用いられる。
ルアルコールとの水溶液（６０℃）が用いられる。
かくしてここに、異方性エツチングによってエツチング
面およびその寸法が高精度に規定された突出部４が台形
状に形成される。
面およびその寸法が高精度に規定された突出部４が台形
状に形成される。
その後、突出部４の上面とシリコンウェハ１の裏面とを
８６０２層２で覆った状態で、シリコンウェハ１の表面
（こ例えばメッキ処理にて第３図に示すように金属層５
を選択的に形成する。
８６０２層２で覆った状態で、シリコンウェハ１の表面
（こ例えばメッキ処理にて第３図に示すように金属層５
を選択的に形成する。
つまり、マスクとして用いられたＳ １０２層２の形成
領域を除くシリコン基板１の上面に金属１６を被着形成
する。
領域を除くシリコン基板１の上面に金属１６を被着形成
する。
しかるのち、同ウェハに対して、Ｓｉ多結晶、５ｉｎ２
． Ｓｉ１％、 ＢＰ 、 ＢＮ 、 Ｕ 。
． Ｓｉ１％、 ＢＰ 、 ＢＮ 、 Ｕ 。
Ａｕ、Ｗ等のアパーチャ素材６を第４図すに示すように
形成する。
形成する。
この形成は、上記素材に応じてＣＶＤ、蒸着、イオンブ
レーティング、イオンスパッタ等によって行われる。
レーティング、イオンスパッタ等によって行われる。
尚、このアパーチャ素材６の形成は、ＳｉＯ２層２を除
去したのち行ってもよい。
去したのち行ってもよい。
次にエツチングによって前記シリコンウェハ１およびＳ
ｉＯ２層２を第５図に示すように除去したのち、金属層
５をマスクとしてアパーチャ素材６を裏面側よりエツチ
ングする。
ｉＯ２層２を第５図に示すように除去したのち、金属層
５をマスクとしてアパーチャ素材６を裏面側よりエツチ
ングする。
そして前記マスクとしての金属層５をエツチング除去す
ることにより、第６図に示す如き所望の断面形状寸法の
アパーチャ開ロアを有するアパーチャ絞りを得ることが
できる。
ることにより、第６図に示す如き所望の断面形状寸法の
アパーチャ開ロアを有するアパーチャ絞りを得ることが
できる。
尚、上記アパーチャ素材６のエツチング方法によっては
素材６の表面に予め耐エツチング層Ｃ図示せず）を設け
て、裏面以外からのエツチングを防ぐことが必要である
。
素材６の表面に予め耐エツチング層Ｃ図示せず）を設け
て、裏面以外からのエツチングを防ぐことが必要である
。
かくしてこのようにして製造されたアパーチャ絞りによ
れば、そのアパーチャ開口絞り７が異方性エツチングに
より寸法規定されたシリコンウェハ１の台形部４の上面
部寸法によって規定される為、非常に寸法精度の高いも
のとなる。
れば、そのアパーチャ開口絞り７が異方性エツチングに
より寸法規定されたシリコンウェハ１の台形部４の上面
部寸法によって規定される為、非常に寸法精度の高いも
のとなる。
また従来のように、アパーチャ開口寸法とアパーチャ素
材の厚さとからマスク開口寸法を逆算する必要がないの
で、誤差の発生もない。
材の厚さとからマスク開口寸法を逆算する必要がないの
で、誤差の発生もない。
またアパーチャ素材の厚さの変化に起因する誤差の発生
もない。
もない。
しかも、突出部４の断面形状寸法Ａ、特に８６０２層２
のマスク寸法を高精度に定めるだけでアパーチャ開口寸
法Ａを高精度に規定できるので、その製造工程における
制御管理が簡単である。
のマスク寸法を高精度に定めるだけでアパーチャ開口寸
法Ａを高精度に規定できるので、その製造工程における
制御管理が簡単である。
その上、使用目的に応じたアパーチャ素材を多結晶や非
結晶、更には他の素材と任意に用いることができるので
その利点は多大である。
結晶、更には他の素材と任意に用いることができるので
その利点は多大である。
以上、実施例に基いて本発明方法を説明したように、本
方法によればアパーチャ開口寸法を高精度に、しかも簡
易に定めることができる。
方法によればアパーチャ開口寸法を高精度に、しかも簡
易に定めることができる。
またアパーチャ素材としてその使用目的に応じた種々の
素材を用いることができ、その製造工程も簡単である更
には単結晶基板の異方性エツチングだけでアパーチャ開
口寸法を高精度に規定するだけで、他の格別な寸法制御
の処理を要することがない。
素材を用いることができ、その製造工程も簡単である更
には単結晶基板の異方性エツチングだけでアパーチャ開
口寸法を高精度に規定するだけで、他の格別な寸法制御
の処理を要することがない。
故に使用目的に応じた素材で、寸法精度の高いアパーチ
ャ絞りを簡易に製造することができ、またその製造処理
も簡単で安価に製作できる等の絶大なる効果を奏し得る
。
ャ絞りを簡易に製造することができ、またその製造処理
も簡単で安価に製作できる等の絶大なる効果を奏し得る
。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
例えば基板としてＳｉばかりでなく他の素材を適宜用い
ることができ、Ｓｉ単結晶とイオン結晶等の異種の素材
を組合せた多層構造基板を用いることも可能である。
ることができ、Ｓｉ単結晶とイオン結晶等の異種の素材
を組合せた多層構造基板を用いることも可能である。
またアパーチャ絞りの用途としては粒子線装置のアパー
チャを始めとして、レーザ装置の光学的アパーチャ等と
して用いることができる。
チャを始めとして、レーザ装置の光学的アパーチャ等と
して用いることができる。
またアパーチャ絞りの厚さ等も適宜定めればよいもので
あり、要するに要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実
施することができる。
あり、要するに要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実
施することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第６図は本発明方法の一実施例を説明する為
の工程図である。 １・・・・・・シリコンウェハ（基板）、２・１．・・
・８１０２層、３・・・・・・レジストパターン、４・
・・・・・突出部、５・・・・・・金属層、６・・・・
・・アパーチャ素材、７・・・・・・アパーチャ開口。
の工程図である。 １・・・・・・シリコンウェハ（基板）、２・１．・・
・８１０２層、３・・・・・・レジストパターン、４・
・・・・・突出部、５・・・・・・金属層、６・・・・
・・アパーチャ素材、７・・・・・・アパーチャ開口。
Claims (1)
- １ 単結晶基板上に所望形状寸法のレジストパクンを形
成し、このレジストパターンをマスクとして上記単結晶
基板を所定深さに異方性エツチングして寸法規定された
台形状の突出部を形成し、前記結晶基板上に上記突出部
の上面領域を除いて金属膜を被覆形成したのちこの金属
膜形成領域を含む前記単結晶基板の上面全域に所定のア
パーチャ素材を被着形成し、しかるのち前記単結晶基板
をエツチング除去してから前記金属膜をマスクとして上
記アパーチャ素材をエツチングして開口を形成したのち
前記金属膜を除去して前記アパーチャ素材からなる所定
開口寸法のアパーチャ絞りを得ることを特徴とするアパ
ーチャ絞りの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187781A JPS5827655B2 (ja) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | アパ−チャ絞りの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187781A JPS5827655B2 (ja) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | アパ−チャ絞りの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13648378A Division JPS5562732A (en) | 1978-11-06 | 1978-11-06 | Preparation of aperture stop |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56150829A JPS56150829A (en) | 1981-11-21 |
| JPS5827655B2 true JPS5827655B2 (ja) | 1983-06-10 |
Family
ID=12620494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4187781A Expired JPS5827655B2 (ja) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | アパ−チャ絞りの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5827655B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH074655A (ja) * | 1992-06-30 | 1995-01-10 | Takeuchi Akira | 電池ライター |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2641020B2 (ja) * | 1993-07-13 | 1997-08-13 | 株式会社しなのエレクトロニクス | 吸着挟持機構及びそれを用いた温度試験装置 |
-
1981
- 1981-03-23 JP JP4187781A patent/JPS5827655B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH074655A (ja) * | 1992-06-30 | 1995-01-10 | Takeuchi Akira | 電池ライター |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56150829A (en) | 1981-11-21 |
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