KR930006133B1 - 모스소자의 콘택트홀 형성방법 - Google Patents

모스소자의 콘택트홀 형성방법 Download PDF

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이준석
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문정환
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Abstract

내용 없음.

Description

모스소자의 콘택트홀 형성방법
제1도는 종래의 공정단면도.
제2도는 본 발명의 공정단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 필드산화막
3 : 게이트 4 : BPSG막
5 : 폴리머막 6 : 음성감광제막
7 : 알루미늄막
본 발명은 모스(MOS)소자의 제조공정에 관한것으로, 특히 콘택트 마스트(Contact Mask)공정에 적당하도록 한 콘택트홀(Hole)형성 방법에 관한 것이다.
종래기술의 공정을 첨부된 제1a 내지 c도를 참조하여 상술하면 다음과 같다.
먼저 제1a도와 같이 기판(10)위에 필드산화막(11)과 게이트(12)를 형성한다음 전체적으로 BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass)막 또는 LTO(Low Temperature Oxide)(13)를 도포한다. 그리고 제1b도와같이 상기 BPSG막(13)위에 양성감광제(PR10)를 도포하고 포토/에치공정을 진행하여 콘택트 마스크를 형성한 다음 BPSG막(13)을 에치하여 BPSG막(13)내에 콘택트홀을 형성한다.
이어 제1c도와같이 콘택트 마스크인 상기 양성감광제막(PR10)를 벗겨내므로서 공정이 완료된다.
그러나 상기 종래기술은 다음과 같은 단점이 있었다.
첫째, 단층 양성감광제를 사용하므로 미세 콘텍트홀을 형성하기 위한 고해상도를 얻기가 어렵다.
둘째, 콘텍트 마스크인 양성감광제 위에 직접 노광 및 에치하므로 노광량이 부족하거나 웨이퍼 편평도가 불량할 경우 이후 형성되는 콘텍트홀의 밑부분 모서리가 각이있는 수직구조로 되지않고 둥글게 되는 단점이 있다.
본 발명은 상기 단점을 제거키 위한 것으로 이를위해 기판위에 필드산화막에 게이트 형성이후 진행되는 공정에 있어서, BPSG막을 형성하고 이 위에 하층감광제로서 BPSG막 평탄화용 폴리머(Polymer)막과 상층감광제로서 음성감광제막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 음성감광제막에만 포토/에치공정을 실시하여 콘텍트 마스크를 형성하는 단계, 상기 콘텍트 마스크에 알루미늄막을 원하는 소정의 각도로 선택 증착하는 단계, 이 알루미늄막을 마스크로 알루미늄이 증착되지 않은 부분의 하부막만을 에치하여 콘텍트홀을 형성하는 단계를 차례로 포함한다. 이를 첨부된 제2a 내지 e도를 참조하여 상술하면 다음과 같다.
먼저 제2a도와같이 기판(1)위에 필드산화막(2)과 게이트(3)를 형성한다음 BPSG막(4)을 형성한다.
그리고 제2b도와같이 상기 BPSG막(4)위에 하층감광제로서 BPSG막 평탄화용 폴리머막(5)을 약 0.5㎛ 이상의 두께로 형성한 다음 상층 감광제로서 음성감광제막(6)을 약 0.5㎛이상의 두께로 형성한다. 이어 상층감광제인 음성감광제막(6)위에만 포토/에치공정을 진행하여 콘텍트 마스크를 형성한다. 상기 포토공정중 사용가능한 노광파장은 UV, DUV, E-BEAM, EXCIMER, X-RAY의 파장들이다. 이어 제2c도와같이 콘텍트 마스크인 상층 음성감광제막(6)에 알루미늄 증착기를 사용하여 원하는 소정의 각도로 알루미늄막(7)을 선택적으로 표면 증착시킨다. 이때 상기 소정의 각도는 약 10°~170°범위내의 것으로하고 알루미늄 증착두께는 약 0.01~0.3㎛ 범위내의 것으로 하는 것이 바람직하다.
또한 콘텍트 마스크인 상층 음성감광제막(6)의 패턴간의 최단 거리는 약 2㎛이내의 것으로 하는것이 바람직하다.
그리고 제2d도와같이 상기 콘텍트 마스크인 상층 음성감광제막(6)중 알루미늄막(7)이 증착되지 않은 부분의 아래층에 존재하는 BPSG막(4)과 폴리머막(5)만을 O2RIE(Reactive Ion Etching)법으로 건식에치하여 콘텍트홀을 형성한다. 이어 제2e도와같이 알루미늄막(7)과 상층 감광제인 음성감광제막(6) 및 하층감광제인 폴리머막(5)을 제거함으로써 공정이 완료된다. 이상과 같이 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 상층감광제인 음성감광제의 도포두께와 하드베이크(Hardbake)온도 및 알루미늄막의 증착각도에 따라 콘텍트홀의 크기를 조절할 수 있다.
둘째, 콘텍트 마스크 형성용 감광제위에 직접노광을 하여 이에따라 하부막의 에치를 실시하지 않고 상층감광제 위에 알루미늄을 증착시키고 이를 마스크로하여 건식에치로 하므로 에치된 하층감광제인 평탄화용 폴리머막을 따라 하부막이 에치된다. 따라서 콘텍트홀의 단면 경사도가 증가된다.

Claims (4)

  1. 기판위에 통상의 방법으로 필드산화막 및 게이트를 형성하는 단계, 전체적으로 BPSG막을 형성하고 이 위에 하층감광제로서 평탄화용 폴리머막과 상승감광제로서 음성감광제막을 차례로 형성하는 단계, 상층감광제인 음성감광제막에만 포토/에치 공정을 실시하여 콘텍트 마스크를 형성하는 단계, 상기 콘텍트 마스크에 알루미늄막을 원하는 소정의 각도로 선택 증착하는 단계, 이 알루미늄막을 마스크로 알루미늄이 증착되지 않은 부분의 하부막만을 건식에치하여 콘텍트홀을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로하는 모스소자의 콘텍트홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상층감광제인 음성감광제와 하층감광제인 평탄화용 폴리머 두께는 각각 약 0.5㎛이상으로 함을 특징으로 하는 모스소자의 콘텍트홀 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 알루미늄막 증착시 증착각도는 약 10~170°범위의 것으로하고 증착두께는 약 0.01~0.3㎛ 범위의 것으로 함을 특징으로하는 모스소자의 콘텍트홀 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상층감광제인 음성감광제막의 각 패턴간의 최단 거리는 약 2㎛로 함을 특징으로 하는 모스소자의 콘텍트홀 형성방법.
KR1019900018358A 1990-11-13 1990-11-13 모스소자의 콘택트홀 형성방법 KR930006133B1 (ko)

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