JPS59213131A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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- JPS59213131A JPS59213131A JP58088114A JP8811483A JPS59213131A JP S59213131 A JPS59213131 A JP S59213131A JP 58088114 A JP58088114 A JP 58088114A JP 8811483 A JP8811483 A JP 8811483A JP S59213131 A JPS59213131 A JP S59213131A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、Ｘ線露光に使用されるＸ線露光用マスクの、
製Ａ方法に関する。
製Ａ方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点コ
近時、より高性能な半導体集積回路を製造するために、
１［μＩＩＩ］或いはそれ以下の寸法を有する微細パタ
ーンを、半導体基板上に形成する要求が高まっている。
１［μＩＩＩ］或いはそれ以下の寸法を有する微細パタ
ーンを、半導体基板上に形成する要求が高まっている。
Ｘ線（主に波長４〜１３Ａの軟Ｘ線）を使用したパター
ン転写技術であるＸ線露光は、塵埃の影響を受けにくい
、転写されたパターンの精度が極めて高い等の多くの特
徴があり、特にサブミクロンパターン形成において有力
な技術とされている。 ′ 第１図はＸ線露光の原理を示す模式図である。
ン転写技術であるＸ線露光は、塵埃の影響を受けにくい
、転写されたパターンの精度が極めて高い等の多くの特
徴があり、特にサブミクロンパターン形成において有力
な技術とされている。 ′ 第１図はＸ線露光の原理を示す模式図である。
図中１はＸ線露光用マスクで、このマスク１はＸ線に対
し透過率の高い材料からなる薄膜基板２を支持環３に固
定すると共に、薄膜基板２の下面にＸ線吸収部材、例え
ば厚さ０．５〜１．０［μＩｌｌ］の金からなる所望の
マスクパターン４を取着して形成されている。マスク１
の下方にはレジスト５を塗布された試料６が配置され、
またマスク１の上方にはＸ線源７が配置される。そして
、Ｘ線源７からマスク１にＸ線を照射することにより、
マスク１を透過したＸ線が試料６上のレジスト５に照射
され、同レジスト５にパターン４が露光されることにな
る。
し透過率の高い材料からなる薄膜基板２を支持環３に固
定すると共に、薄膜基板２の下面にＸ線吸収部材、例え
ば厚さ０．５〜１．０［μＩｌｌ］の金からなる所望の
マスクパターン４を取着して形成されている。マスク１
の下方にはレジスト５を塗布された試料６が配置され、
またマスク１の上方にはＸ線源７が配置される。そして
、Ｘ線源７からマスク１にＸ線を照射することにより、
マスク１を透過したＸ線が試料６上のレジスト５に照射
され、同レジスト５にパターン４が露光されることにな
る。
Ｘ線露光用マスクに対する要求として、薄膜基板上に形
成されたＸ線吸収材料から成るマスクパターンの断面形
状は矩形でなければならない。前記第１図に示した如く
Ｘ線源７がら発生したＸ線束７は、薄膜基板３上に形成
されたマスクパターン４、例えば厚さ０．５［、ｃｚｍ
］の金パターン４ａ。
成されたＸ線吸収材料から成るマスクパターンの断面形
状は矩形でなければならない。前記第１図に示した如く
Ｘ線源７がら発生したＸ線束７は、薄膜基板３上に形成
されたマスクパターン４、例えば厚さ０．５［、ｃｚｍ
］の金パターン４ａ。
４ｂの像を、ウェー八６上に塗布したレジスト５に形成
する。そして、マスクパターン４が金パターン４ａの如
く台形状の断面形状を有する場合、レジスト５中に転写
される像は、δの幅だけ端部がぼけてしまう。このため
、マスクパターン４の断面は、金パターン４ｂの様に矩
形でなければならない。
する。そして、マスクパターン４が金パターン４ａの如
く台形状の断面形状を有する場合、レジスト５中に転写
される像は、δの幅だけ端部がぼけてしまう。このため
、マスクパターン４の断面は、金パターン４ｂの様に矩
形でなければならない。
このような要求、即ち薄膜基板上に、矩形断面を有する
Ｘ線吸収材料のパターンを形成するためには、次のよう
な方法が知られている（第４２回応用物理学会学術講演
会（１９８１年）講演予講集９Ｐ−Ｇ−６）。この方法
では、まず第２図（ａ ）に示す如くシリコン基板１１
上に、チタニウム薄膜１２および金薄膜１３を順次蒸着
形成し、さらにその上にプラズマ気相成長法を用いてシ
リコン窒化膜１４を形成する。ここで、金薄膜１３は後
工程では金の電気メッキの際の導電層として作用する。
Ｘ線吸収材料のパターンを形成するためには、次のよう
な方法が知られている（第４２回応用物理学会学術講演
会（１９８１年）講演予講集９Ｐ−Ｇ−６）。この方法
では、まず第２図（ａ ）に示す如くシリコン基板１１
上に、チタニウム薄膜１２および金薄膜１３を順次蒸着
形成し、さらにその上にプラズマ気相成長法を用いてシ
リコン窒化膜１４を形成する。ここで、金薄膜１３は後
工程では金の電気メッキの際の導電層として作用する。
また、チタニウム薄膜１２は金薄膜１３とシリコン基板
１１との密着性維持のために必要である。次いで、第２
図（ｂ）に示す如くレジスト１５を回転塗布しこのレジ
スト１５を露光現像してレジストパターンを形成する。
１１との密着性維持のために必要である。次いで、第２
図（ｂ）に示す如くレジスト１５を回転塗布しこのレジ
スト１５を露光現像してレジストパターンを形成する。
その後、反応性イオンエツチング技術を用い、第２図（
Ｃ）に示す如く上記レジス１〜１５をマスクとしてシリ
コン窒化膜１４を選択エツチングする。これにより、シ
リコン窒化膜１４のエツチング断面形状が矩形状となる
。次いで、金の電気メツキ技術を用い、第２図（ｄ ）
に示す如く金膜１６を選択的にシリコン窒化膜１４の溝
部に形成する。続いて、第２図（ｅ）に示す如く全面に
ポリイミド膜１７を被着し、さらにシリコン基板１１の
一部を裏面からエツチングし除去する。次いで、チタニ
ウム薄膜１２および金薄膜１３の露出した部分を除去す
ることによって、第２図（ｆ ）に示す如きマスクが作
製されることになる。
Ｃ）に示す如く上記レジス１〜１５をマスクとしてシリ
コン窒化膜１４を選択エツチングする。これにより、シ
リコン窒化膜１４のエツチング断面形状が矩形状となる
。次いで、金の電気メツキ技術を用い、第２図（ｄ ）
に示す如く金膜１６を選択的にシリコン窒化膜１４の溝
部に形成する。続いて、第２図（ｅ）に示す如く全面に
ポリイミド膜１７を被着し、さらにシリコン基板１１の
一部を裏面からエツチングし除去する。次いで、チタニ
ウム薄膜１２および金薄膜１３の露出した部分を除去す
ることによって、第２図（ｆ ）に示す如きマスクが作
製されることになる。
しかしながら、この種の製造方法にあって（よ次の（１
）〜（４）のような問題があった。
）〜（４）のような問題があった。
（１） チタニウム薄膜１２及び金薄膜１３を形成する
工程が必要であり、またこれらの薄膜１２゜１３を最終
的に除去する必要があり工程が複雑である。
工程が必要であり、またこれらの薄膜１２゜１３を最終
的に除去する必要があり工程が複雑である。
（２） 金薄膜１３の除去時にＸ線吸収部材の金膜１６
も多少エツチングされ、金膜１６の膜厚が減少する。
も多少エツチングされ、金膜１６の膜厚が減少する。
（３〉反応性イオンエツチングの条件次第ではエツチン
グ終了後の金薄膜１３の表面に変成層或いは堆積層を生
じ、金の電気メッキに支障をきたす。
グ終了後の金薄膜１３の表面に変成層或いは堆積層を生
じ、金の電気メッキに支障をきたす。
（４） シリコン基板１１の裏面に金がメッキされるの
を防止するための措置が必要である。
を防止するための措置が必要である。
［発明の目的］
２本発明の目的は、矩形の断面形状を有するＸ線吸収部
材からなるマスクパターンを容易かつ高精度に形成する
ことができるＸ線露光用マスクの製造方法を提供するこ
とにある。
材からなるマスクパターンを容易かつ高精度に形成する
ことができるＸ線露光用マスクの製造方法を提供するこ
とにある。
［発明の概要］
本発明の骨子は、基板とその上に形成すべきＸ線吸収部
材との間に、基板エツチングの際のマスクとなるストッ
パ膜及び導体膜を形成することにある。
材との間に、基板エツチングの際のマスクとなるストッ
パ膜及び導体膜を形成することにある。
シリコン基板のエツチングは、通常ＫＯＨ等のエツチン
グ溶液で行なわれるが、タングステン等もシリコンと同
様にこのようなエツチング溶液でエツチングされる性質
をもつ。そのため、シリコン基板とＸ線吸収部材との間
に耐エツチング性の高い薄膜がない場合には、シリコン
基板のエツチングがＸ線吸収部材とシリコン基板の界面
にまで進行すると、タングステン等のＸ線吸収部材がエ
ツチング溶液に接触しＸ線吸収部材が一部エッチングさ
れることになる。シリコン基板のエツチングは均一には
進まないため、場所によってＸ線吸収部材がエツチング
される時間が異なら、Ｘ線吸収部材の膜厚がＸ線露光用
マスク内で変動し、Ｘ線マスクの精度が劣化する。この
ようなＸ線吸収部材のエツチングを防止するためにシリ
コン基板と絶縁性薄膜との間に基板より耐エツチング性
の高い薄膜と導体膜を形成しておく。耐エツチング性の
高い薄膜としてはシリコン酸化膜などを用いる。導体膜
は上述の選択気相成長を行なわせるのに必要であり、多
結晶シリコン膜などを用いることができる。
グ溶液で行なわれるが、タングステン等もシリコンと同
様にこのようなエツチング溶液でエツチングされる性質
をもつ。そのため、シリコン基板とＸ線吸収部材との間
に耐エツチング性の高い薄膜がない場合には、シリコン
基板のエツチングがＸ線吸収部材とシリコン基板の界面
にまで進行すると、タングステン等のＸ線吸収部材がエ
ツチング溶液に接触しＸ線吸収部材が一部エッチングさ
れることになる。シリコン基板のエツチングは均一には
進まないため、場所によってＸ線吸収部材がエツチング
される時間が異なら、Ｘ線吸収部材の膜厚がＸ線露光用
マスク内で変動し、Ｘ線マスクの精度が劣化する。この
ようなＸ線吸収部材のエツチングを防止するためにシリ
コン基板と絶縁性薄膜との間に基板より耐エツチング性
の高い薄膜と導体膜を形成しておく。耐エツチング性の
高い薄膜としてはシリコン酸化膜などを用いる。導体膜
は上述の選択気相成長を行なわせるのに必要であり、多
結晶シリコン膜などを用いることができる。
本発明はこのような点に看目し、Ｘ線露光用マスクの製
造方法において、基板上に該基板より耐エツチング性の
高い第１の被膜を形成したのち、この被膜上に導体若し
くは半導体からなる第２の被膜を形成し、次いで第２の
被膜上に絶縁物からなる第３の被膜を形成し、次いで上
記第３の被膜を所望のマスクパターンに応じてパターニ
ングし、次いで気相成長法を用い上記第３の被膜には成
長層が形成されない条件下で前記第２の被膜の露出した
部分にＸ線吸収部材を選択的に形成し、しかるのち前記
基板の一部を前記第１の被膜が形成された面の反対側か
ら該被膜が露出するまで除去するようにした方法である
。
造方法において、基板上に該基板より耐エツチング性の
高い第１の被膜を形成したのち、この被膜上に導体若し
くは半導体からなる第２の被膜を形成し、次いで第２の
被膜上に絶縁物からなる第３の被膜を形成し、次いで上
記第３の被膜を所望のマスクパターンに応じてパターニ
ングし、次いで気相成長法を用い上記第３の被膜には成
長層が形成されない条件下で前記第２の被膜の露出した
部分にＸ線吸収部材を選択的に形成し、しかるのち前記
基板の一部を前記第１の被膜が形成された面の反対側か
ら該被膜が露出するまで除去するようにした方法である
。
［発明の効果］
本発明によれば、反応性イオンエツチング法等を用い絶
縁性の第３の被膜を垂直にエツチングすることができ、
このエツチング側面に沿ってＸ線吸収部材を形成してい
るので、Ｘ線吸収部材の断面形状を矩形状に形成するこ
とができる。また、第１及び第２の被膜を除去する必要
がないので、工程の簡略化をはかり得る。さらに、基板
エツチングの際に第１の被膜がストッパ膜として作用す
るため、第２の被膜やＸ線吸収部材の膜厚が減少する等
の不都合はない。また、前記した従来法の欠点（３）〜
（４）も効果的に解決することができ、Ｘ線露光用マス
クの信頼性向上をはかり得る。
縁性の第３の被膜を垂直にエツチングすることができ、
このエツチング側面に沿ってＸ線吸収部材を形成してい
るので、Ｘ線吸収部材の断面形状を矩形状に形成するこ
とができる。また、第１及び第２の被膜を除去する必要
がないので、工程の簡略化をはかり得る。さらに、基板
エツチングの際に第１の被膜がストッパ膜として作用す
るため、第２の被膜やＸ線吸収部材の膜厚が減少する等
の不都合はない。また、前記した従来法の欠点（３）〜
（４）も効果的に解決することができ、Ｘ線露光用マス
クの信頼性向上をはかり得る。
［発明の実施例］
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第３図（ａ ）〜（ｅ ）は本発明の一実施例に係わる
Ｘ線露光用マスクの製造工程を示す模式図である。まず
、第３図（ａ ）に示す如く、シリコン基板２１上に熱
酸化技術を用いてシリコン酸化膜２２（耐エツチング性
の高い第１の被膜）を０．３［μＩＩｌ］の厚さに形成
する。続いて、シリコン酸化膜１１上に気相成長技術を
用いて多結晶シリコン膜２３（第２の被膜）を０．３［
μｍ］の厚さに形成し、この上に気相成長技術を用いて
シリコン窒化膜２４（絶縁性の第３の被膜）を０．５［
μＩｌ］の厚さに形成する、その後、シリコン窒化膜２
４上にレジスト２５を回転塗布し、このレジスト２５を
露光現像してレジストパターンを形成する。次いで、第
３図（ｂ）に示す如く反応性イオンエツチング技術を用
い、上記レジスト２５をマスクとしてシリコン窒化膜２
４をエツチングする。これにより、シリコン窒化ｌ！２
４のエツチング断面形状が矩形状となる。次いで、レジ
スト２５を除去したのち、第３図（Ｃ）に示す如く気相
成長技術を用い、５００ ［’Ｃ］で金属タングステン
２６（Ｘ線吸収部材）を膜厚ｏ、３［μｌ］だけ選択成
長させる。なお、この選択成長は気相成長時の条件を適
当に選ぶことにより容易に行なえる。
Ｘ線露光用マスクの製造工程を示す模式図である。まず
、第３図（ａ ）に示す如く、シリコン基板２１上に熱
酸化技術を用いてシリコン酸化膜２２（耐エツチング性
の高い第１の被膜）を０．３［μＩＩｌ］の厚さに形成
する。続いて、シリコン酸化膜１１上に気相成長技術を
用いて多結晶シリコン膜２３（第２の被膜）を０．３［
μｍ］の厚さに形成し、この上に気相成長技術を用いて
シリコン窒化膜２４（絶縁性の第３の被膜）を０．５［
μＩｌ］の厚さに形成する、その後、シリコン窒化膜２
４上にレジスト２５を回転塗布し、このレジスト２５を
露光現像してレジストパターンを形成する。次いで、第
３図（ｂ）に示す如く反応性イオンエツチング技術を用
い、上記レジスト２５をマスクとしてシリコン窒化膜２
４をエツチングする。これにより、シリコン窒化ｌ！２
４のエツチング断面形状が矩形状となる。次いで、レジ
スト２５を除去したのち、第３図（Ｃ）に示す如く気相
成長技術を用い、５００ ［’Ｃ］で金属タングステン
２６（Ｘ線吸収部材）を膜厚ｏ、３［μｌ］だけ選択成
長させる。なお、この選択成長は気相成長時の条件を適
当に選ぶことにより容易に行なえる。
次いで、第３図（ｄ）に示す如くシリコン窒化膜２４及
びタングステン２６上に膜厚１［μｍ］のポリイミド膜
２７を形成する。しかるのち、ＫＯＨ溶液を用い第３図
（ｅ）に示す如くシリコン基板２・１の中央部を裏面か
らエツチングする。エツチングはシリコン酸化膜２２で
停止するのでタングステン２６は全くエツチングされな
い。かくして形成されたｘｍ露光用マスクは、前記シリ
コン窒化膜２４およびポリイミド膜２７がＸ線を透過し
、前記タングステン２６がＸ線を透過しないので、Ｘ線
露光に用いることが可能となる。
びタングステン２６上に膜厚１［μｍ］のポリイミド膜
２７を形成する。しかるのち、ＫＯＨ溶液を用い第３図
（ｅ）に示す如くシリコン基板２・１の中央部を裏面か
らエツチングする。エツチングはシリコン酸化膜２２で
停止するのでタングステン２６は全くエツチングされな
い。かくして形成されたｘｍ露光用マスクは、前記シリ
コン窒化膜２４およびポリイミド膜２７がＸ線を透過し
、前記タングステン２６がＸ線を透過しないので、Ｘ線
露光に用いることが可能となる。
このように本実施例方法によれば、反応性イオンエツチ
ング技術等を用いてエツチングしたシリコン窒化膜２４
の垂直な側面に沿ってタングステン２６を成長させてい
るので、タングステン２６の断面を矩形状に形成するこ
とができ、マスクパターンの断面を矩形状に形成できる
。また、シリコン酸化膜２２がシリコン基板２１のエツ
チングの際のストッパとして作用するため、タングステ
ン２６がエツチングされる等の不都合はない。さらに、
第１及び第２の被膜２２．２３として透明膜を用いてい
るので、これらの被膜２２．２３を除去する工程が不要
となり、工程の簡略化をはかり得る。
ング技術等を用いてエツチングしたシリコン窒化膜２４
の垂直な側面に沿ってタングステン２６を成長させてい
るので、タングステン２６の断面を矩形状に形成するこ
とができ、マスクパターンの断面を矩形状に形成できる
。また、シリコン酸化膜２２がシリコン基板２１のエツ
チングの際のストッパとして作用するため、タングステ
ン２６がエツチングされる等の不都合はない。さらに、
第１及び第２の被膜２２．２３として透明膜を用いてい
るので、これらの被膜２２．２３を除去する工程が不要
となり、工程の簡略化をはかり得る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記第３図（Ｃ）で示したＸ線吸収部材の
形成工程の後に、第４図（ａ ）に示す如くシリコン窒
化膜２４を除去し、その後同図（ｂ）に示す如くポリイ
ミド膜２７を形成し、しかるのち同図（Ｃ）に示す如く
シリコン基板２１の裏面エツチングを行なうようにして
もよい。
い。例えば、前記第３図（Ｃ）で示したＸ線吸収部材の
形成工程の後に、第４図（ａ ）に示す如くシリコン窒
化膜２４を除去し、その後同図（ｂ）に示す如くポリイ
ミド膜２７を形成し、しかるのち同図（Ｃ）に示す如く
シリコン基板２１の裏面エツチングを行なうようにして
もよい。
また、第３図（Ｃ，）で示した工程の後にシリコン基板
２１の裏面エツチングを施し第５図に示す構造を得るよ
うにしてもよい。
２１の裏面エツチングを施し第５図に示す構造を得るよ
うにしてもよい。
また、前記第１の被膜としては、シリコン酸化膜に限ら
ず、シリコン窒化膜、シリコン窒化・酸化膜、窒化ホウ
素膜或いはこれらの複合膜を用いてもよい。また、第３
の被膜は絶縁膜であればよく、第１の被膜と同一のもの
であってもよい。さらに、前記Ｘ線吸収部材としてはタ
ングステンの他にモリブデンを用いるようにしてもよい
。また、前記第２の被膜は多結晶シリコン膜に限るもの
ではなく、シリサイドを用いてもよく、要は半導体若し
くは導電体であればよい。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
ず、シリコン窒化膜、シリコン窒化・酸化膜、窒化ホウ
素膜或いはこれらの複合膜を用いてもよい。また、第３
の被膜は絶縁膜であればよく、第１の被膜と同一のもの
であってもよい。さらに、前記Ｘ線吸収部材としてはタ
ングステンの他にモリブデンを用いるようにしてもよい
。また、前記第２の被膜は多結晶シリコン膜に限るもの
ではなく、シリサイドを用いてもよく、要は半導体若し
くは導電体であればよい。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図はＸ線露光の原理を示す模式図、第２図（ａ）〜
（ｆ）は従来のＸ線露光用マスクの製造工程を示す断面
模式図、第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例に係
わるＸ線露光用マスク製造工程を示す断面模式図、第４
図（ａ ）〜（Ｃ）および第５図はそれぞれ変形例を示
す断面模式図である。 ２１・・・シリコン基板、２２・・・シリコン酸化膜（
第１の被膜）、２３・・・多結晶シリコン膜（第２の被
膜）、２４・・・シリコン窒化膜（第３の被膜）、２５
・・・レジスト、２６・・・タングステン（Ｘ線吸収部
材）、２７・・・ポリイミド膜（有機物膜）。 出願人代理人 り弁理士 鈴江武彦 第１図 す 第２図 第２図 第３図 ２Ｌ：１ 第４図 第５ｒｌ！Ｊ
（ｆ）は従来のＸ線露光用マスクの製造工程を示す断面
模式図、第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例に係
わるＸ線露光用マスク製造工程を示す断面模式図、第４
図（ａ ）〜（Ｃ）および第５図はそれぞれ変形例を示
す断面模式図である。 ２１・・・シリコン基板、２２・・・シリコン酸化膜（
第１の被膜）、２３・・・多結晶シリコン膜（第２の被
膜）、２４・・・シリコン窒化膜（第３の被膜）、２５
・・・レジスト、２６・・・タングステン（Ｘ線吸収部
材）、２７・・・ポリイミド膜（有機物膜）。 出願人代理人 り弁理士 鈴江武彦 第１図 す 第２図 第２図 第３図 ２Ｌ：１ 第４図 第５ｒｌ！Ｊ
Claims (7)
- （１） 基板上に該基板より耐エツチング性の高い第１
の被膜を形成する工程と、上記第１の被膜上に導体若し
くは半導体からなる第２の被膜を形成する工程と、上記
第２の被膜上に絶縁物からなる第３の被膜を形成する工
程と、上記第３の被膜を所望のマスクパターンに応じて
パターニングする工程と、次いで気相成長法を用い上記
第３の被膜には成長層が形成されない条件下で前記第２
の被膜の露出した部分にＸ線吸収部材を選択的に形成す
る工程と、しかるのち前記基板の一部を前記第１の被膜
が形成、された面の反対側から該被膜が露出するまで除
去する工程とを具備したことを特徴とするＸ線露光用マ
スクの製造方法。 - （２） 前記Ｘ線吸収部材を形成する工程ののち、前記
第３の被膜およびＸ線吸収部材上に有機物膜を形成する
ようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のＸ性露光用マスクの製造方法。 - （３） 前記Ｘ線吸収部材を形成する工程ののち、前記
第３の被膜を除去し、次いでＸ線吸収部材および第２の
被膜上に有機物膜を形成し、しかるのち前記基板の除去
工程を施すようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のＸ線露光用マスクの製造方法。 - （４）前記基板として、シリコンを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光用マスクの製
造方法。 - （５） 前記第３の被膜としてシリコン酸化膜、シリコ
ン窒化膜、シリコン酸化・窒化膜、窒化ホウ素膜或いは
これらの複合膜を用い、前記Ｘ線吸収部材としてタング
ステン或いはモリブデンを用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のＸ線露光用マスクの製造方法。 - （６） 前記第２の被膜として、多結晶シリコン膜或い
はシリサイド膜を用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＸ線露光用マスクの製造方法。 - （７） 前記第１の被膜として、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜、シリコン酸化・窒化膜、窒化ホウ素膜或い
はこれらの複合膜を用いたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58088114A JPS59213131A (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58088114A JPS59213131A (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213131A true JPS59213131A (ja) | 1984-12-03 |
| JPH0469410B2 JPH0469410B2 (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=13933858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58088114A Granted JPS59213131A (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213131A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220310A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
| US5051326A (en) * | 1989-05-26 | 1991-09-24 | At&T Bell Laboratories | X-Ray lithography mask and devices made therewith |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185437A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-15 | Nec Corp | Production of x-ray exposure mask |
| JPS585744A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Dainippon Ink & Chem Inc | 原稿の分類方法と装置並びに電子色分解機のト−ンセツトアツプ方法とそれに使用する装置 |
| JPS5887821A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Toshiba Corp | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS5890729A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Nec Corp | Ｘ線マスク製作方法 |
-
1983
- 1983-05-19 JP JP58088114A patent/JPS59213131A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185437A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-15 | Nec Corp | Production of x-ray exposure mask |
| JPS585744A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Dainippon Ink & Chem Inc | 原稿の分類方法と装置並びに電子色分解機のト−ンセツトアツプ方法とそれに使用する装置 |
| JPS5887821A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Toshiba Corp | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS5890729A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Nec Corp | Ｘ線マスク製作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220310A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
| US5051326A (en) * | 1989-05-26 | 1991-09-24 | At&T Bell Laboratories | X-Ray lithography mask and devices made therewith |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0469410B2 (ja) | 1992-11-06 |
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