JP2002217094A - 電子線露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度で超微細パターンを有する電子線露光
用マスクを提供する。 【解決手段】 本発明の電子線露光用マスクは、転写す
べき所定パターンが形成されたマスク部１０を有する電
子遮蔽膜と、所定パターンに対応する貫通孔を有し、電
子遮蔽膜を支持する支持膜と、マスク部１０の外側で支
持膜を支持する支持枠とを備え、電子遮蔽膜をタンタル
膜４で構成し、支持膜をダイヤモンド膜３で構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路パターンを電
子線により基板上のレジストに転写するための電子線露
光用マスク及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路技術の進展は目ざ
ましく、半導体素子の微細化、高集積化の傾向も著し
い。これに伴い、長年微細パターンを形成する手段の主
流であった光を用いたフォトリソグラフィー技術に代わ
って、電子線やＸ線を利用する新しい露光方式が提案さ
れている。このうち、電子線を利用してパターン形成す
る電子線露光方式において、処理能力が飛躍的に向上す
る技術として注目されているのが、電子透過型リソグラ
フィである。電子透過型リソグラフィは、所定の回路パ
ターンを有する電子線露光用マスクに電子線を照射し、
このマスクを透過した電子線がレジストの塗布された基
板に入射してレジストを感光させ、回路パターンを焼き
付ける技術であり、電子線の照射範囲にあるマスク上の
回路パターンを一括して露光することができる。

【０００３】従来の電子線露光用マスクの構成例を図４
に示す。図４は、Solid State Technology誌１９８４年
９月号２１０頁掲載の「High Throughput Submicron Li
thography with Electron Beam Proximity Printing」
に記載されている電子線露光用マスクの構造を示す断面
図である。この電子線露光用マスクは、１０ｋＶ程度の
加速電圧で加速された電子線を露光光源に用いる等倍の
開口マスクであり、所定のパターンに開口された厚さ２
μｍのシリコン基板（メンブレン）４１と、このシリコ
ン基板４１上に所定パターンで配置された電子線の透過
を阻止し、かつ導電性を得るための厚さ０．５μｍの金
膜４２と、酸化シリコン層４３を介してシリコン基板４
１を下面から支持する複数のシリコン支柱４４とから構
成されている。この場合、金膜４２に入射した電子線は
吸収されて透過が阻止され、開口部に入射した電子線は
通過するので、所定のパターンで露光することができ
る。この電子線露光用マスクは、導電性を向上するため
硼素を注入したシリコン基板４１にリソグラフィーでマ
スクパターンを形成し、エッチングでパターン部分を開
口した後、金膜４２を成膜することにより製作する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、等倍転
写の電子透過型リソグラフィで今後必要とされる０．０
５μｍの開口を有する電子線露光用マスクを得ようとす
ると、図４に示した電子線露光用マスクでは、エッチン
グによりシリコン基板４１に開口するときの開口寸法
（０．０５μｍ）と開口高さ（シリコン基板４１の厚
さ：２μｍ）の比であるアスペクト比が４０となり、現
在のプロセス技術では製造が困難であるという問題があ
る。本発明は、高精度で超微細パターンを有する電子線
露光用マスク及びその製造方法を提供することを目的と
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、所定パターンを電子線によりウェハ
上のレジストに転写するための電子線露光用マスクにお
いて、転写すべき所定パターンが形成されたマスク部を
有する電子遮蔽膜と、所定パターンに対応する貫通孔を
有し、電子遮蔽膜を支持する支持膜と、マスク部の外側
で支持膜を支持する支持枠とを備え、支持膜がダイヤモ
ンド、炭化珪素、窒化珪素、炭化硼素及び窒化硼素のい
ずれか１つからなることによって特徴づけられる。本発
明の電子線露光用マスクは、ダイヤモンド、炭化珪素、
窒化珪素、炭化硼素及び窒化硼素のいずれか１つから支
持膜を構成するので、高剛性で熱伝導性のよい支持膜が
得られる。これにより、支持膜の膜厚を薄くできるので
現在のプロセス技術で製造可能なアスペクト比とするこ
とができる。

【０００６】この電子線露光用マスクのマスク部の一構
成例は、所定パターンの周辺に電子遮蔽膜のパターンか
らなる位置合わせ用のアライメントマークを有する。ま
た、電子遮蔽膜の一構成例は、塩素及びフッ素のいずれ
かと反応し、反応性ドライエッチングで除去可能な蒸気
圧の反応生成物を生成する金属又はこの金属を主成分と
する化合物で構成されている。この場合、金属の構成例
は、タンタル、タングステン及びクロムのいずれか１つ
から構成されている。また、この電子線露光用マスクの
一構成例は、絶縁体で構成された部分が導電体で被覆さ
れている。また、電子遮蔽膜の別の構成例は、導電体で
構成されている。この場合、導電体の一構成例は白金パ
ラジウム（ＰｔＰｄ）膜である。この電子線露光用マス
クの別の構成例は、アライメントマークが形成された領
域が光透過可能に構成され、かつ光学的反射防止膜が設
けられている。

【０００７】本発明の電子線露光用マスクの製造方法
は、所定パターンを電子線によりウェハ上のレジストに
転写するための電子線露光用マスクの製造方法であっ
て、シリコンウェハの一方の面側にダイヤモンド、炭化
珪素、窒化珪素、炭化硼素及び窒化硼素のいずれか１つ
からなる支持膜を形成した後、この支持膜上に電子遮蔽
膜を形成する工程と、電子遮蔽膜上に所定パターンのエ
ッチング用マスクを形成し、反応性ドライエッチングに
より電子遮蔽膜に所定パターンを有するマスク部を形成
する工程と、所定パターンが形成された電子遮蔽膜をマ
スクとして反応性ドライエッチングにより支持膜に所定
パターンと対応した貫通孔を形成する工程と、シリコン
ウェハを加工し、マスク部の外側で支持膜を支持する支
持枠を形成する工程とを有することによって特徴づけら
れる。この電子線露光用マスクの製造方法の一構成例
は、マスク部を形成する工程で所定パターンの周辺に電
子遮蔽膜のパターンからなる位置合わせ用のアライメン
トマークを同時に形成する。この電子線露光用マスクの
製造方法の別の構成例は、絶縁体で構成された部分を導
電体で被覆する工程を最後に有する。また、この電子線
露光用マスクの製造方法のさらに別の構成例は、電子遮
蔽膜を除去した後、絶縁体で構成された部分を導電体で
被覆する工程を有する。この場合、導電体が新たな電子
遮蔽膜を構成する。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下に図を用いて発明の実施の形
態を説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態にか
かる電子線露光用マスクの構成を示す説明図である。同
図において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
線断面図、（ｃ）は（ｂ）のマスク部を拡大して模式的
に示した断面図である。この電子線露光用マスクは、図
１（ａ）に示すように、マスク部１０と支持基板２０と
から構成されている。マスク部１０は、図１（ｂ）に示
すように、支持基板２０上の中央部に形成されており、
支持基板２０はマスク部１０が設けられた領域がくりぬ
かれて支持枠を構成している。この場合、支持基板２０
は直径１００ｍｍのシリコンウェハであり、このシリコ
ンウェハ上の中央部にマスク部１０が３０ｍｍ角で形成
されている。

【０００９】この電子線露光用マスクは、マスク部１０
が所定パターンに合わせて開口された等倍の開口マスク
であり、図１（ｃ）に示すように、シリコンウェハ１の
一方の面にシリコン窒化膜２、ダイヤモンド膜３、タン
タル膜４の順で積層された積層膜が形成されており、マ
スク部１０の積層膜に所定パターンに合わせて開口され
た複数の貫通孔が設けられ、シリコンウェハ１のマスク
部１０が設けられた領域がくりぬかれている。また、シ
リコンウェハ１の他方の面にもシリコン窒化膜２が形成
されており、貫通孔の壁面、シリコン窒化膜２の露出面
及びシリコンウェハ１の露出面に白金パラジウム（Ｐｔ
Ｐｄ）膜７が被着されている。

【００１０】ここで、マスク部１０の所定パターンは、
露光するウェハに回路用パターンを転写するための電子
線マスクとなる転写パターン４ａと、露光するウェハと
の位置決めに用いるアライメントマークとなるアライメ
ントパターン４ｂとからなり、アライメントパターン４
ｂは転写パターン４ａ領域の周囲に配置されている。ま
た、露光時に電子線が透過する貫通孔の最小開口寸法
は、０．０５μｍである。シリコン窒化膜２は、シリコ
ンウェハ１をくりぬくエッチングを行う際の保護膜であ
り、厚さは０．１μｍである。また、ダイヤモンド膜３
側のシリコン窒化膜２は、ダイヤモンド膜３の付着性を
よくする下地膜を兼ねている。ダイヤモンド膜３は、タ
ンタル膜４を支える支持膜であり、厚さは０．５μｍで
ある。タンタル膜４は、露光用の電子線を遮蔽する電子
遮蔽膜であり、厚さは０．０５μｍである。白金パラジ
ウム膜７は、露光用の電子線による帯電を防止するため
の帯電防止膜であり、厚さは０．０１μｍ程度である。

【００１１】次に、この実施の形態にかかる電子線露光
用マスクの製造工程について図２を参照して説明する。
図２は、この製造工程を順に示す断面図である。まず、
図２（ａ）に示すように、マスク部の支持枠となるシリ
コンウェハ１に支持枠形成時の保護膜となるシリコン窒
化膜２を形成する。ここで、シリコン窒化膜２は、減圧
ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法により、シリコ
ンウェハ１の両面に０．１μｍの厚さに形成する。次
に、図２（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜２の形成
されたシリコンウェハ１の一方の面に電子遮蔽膜の支持
基板となるダイヤモンド膜３を形成する。ここで、ダイ
ヤモンド膜３は、周知のプラズマＣＶＤ法により０．５
〜１μｍの厚さに形成する。

【００１２】次に、図２（ｃ）に示すように、ダイヤモ
ンド膜３上に電子遮蔽膜となるタンタル膜４を形成した
後、さらにタンタル膜４上にエッチングマスクとなるシ
リコン酸化膜５を形成する。ここで、タンタル膜４は、
スパッタリング法により０．０５〜０．１μｍ程度の厚
さに形成する。この膜厚は、タンタル膜４がエッチング
マスクとして用いられることによる目減り分を考慮し
て、最終的な膜厚が０．０３〜０．０５μｍとなるよう
な値にする。また、シリコン酸化膜５は、プラズマＣＶ
Ｄ法より０．１〜０．２μｍ程度の厚さに形成する。

【００１３】次に、図２（ｄ）に示すように、シリコン
ウェハ１の他方の面に形成されたシリコン窒化膜２にシ
リコンウェハ１から所望の部分を除去してマスク部をメ
ンブレン化し、かつ支持枠を形成するためのいわゆる裏
窓を形成した後、シリコン酸化膜５上に電子線レジスト
６を塗布する。ここで、裏窓は、シリコンウェハ１の他
方の面に形成されたシリコン窒化膜２にレジストを塗布
し、パターニングして窓を開けたレジストマスクを形成
した後、ドライエッチングにより窓部分のシリコン窒化
膜２を除去し、さらにレジストマスクを除去することに
より行う。

【００１４】次に、図２（ｅ）に示すように、電子線レ
ジスト６をパターニングして所望の回路用レジストパタ
ーン６ａと、位置合わせ用アライメントレジストパター
ン６ｂを形成する。なお、位置合わせ用アライメントレ
ジストパターン６ｂは、回路用レジストパターン６ａの
周囲に配置する。ここで、パターニングは、電子線レジ
スト６に電子線を用いて所望のパターンを得るためのレ
ジストパターン描画を行い、描画後に現像処理すること
により行う。

【００１５】次に、図２（ｆ）に示すように、電子線レ
ジスト６のレジストパターン６ａ，６ｂをエッチングマ
スクとしてシリコン酸化膜５を加工し、回路用ハードマ
スク５ａとアライメントパターン用ハードマスク５ｂを
形成する。ここで、シリコン酸化膜５の加工は、例えば
フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチング（以後、
ＲＩＥと記す）法で行う。次に、図２（ｇ）に示すよう
に、電子線レジスト６を除去した後、回路用ハードマス
ク５ａとアライメントパターン用ハードマスク５ｂをエ
ッチングマスクとしてタンタル膜４を加工し、転写パタ
ーン４ａとアライメントパターン４ｂを形成する。ここ
で、電子遮蔽膜となるタンタル膜４の加工は、例えば塩
素系ガスを用いたＲＩＥ法で行う。また、電子線レジス
ト６の除去は、シリコン酸化膜５のエッチング時に、い
わゆるオーバーエッチングを行うことにより行う。

【００１６】次に、図２（ｈ）に示すように、シリコン
酸化膜５を除去した後、転写パターン４ａとアライメン
トパターン４ｂをエッチングマスクとしてダイヤモンド
膜３を加工する。ここで、支持膜となるダイヤモンド膜
３の加工は、酸素ガスを用いたＲＩＥ法で行う。また、
シリコン酸化膜５の除去は、タンタル膜４のエッチング
時に、いわゆるオーバーエッチングを行うことにより行
う。次に、図２（ｉ）に示すように、裏窓が形成された
シリコン窒化膜２をエッチングマスクとしてシリコンウ
ェハ１を加工し、マスク部をメンブレン化するととも
に、マスク部の支持枠を形成する。ここで、シリコンウ
ェハ１の加工は、タンタル膜４が形成された面をＯリン
グシールし、ＫＯＨ溶液でエッチングすることにより行
う。

【００１７】次に、図２（ｊ）に示すように、転写パタ
ーン４ａとアライメントパターン４ｂをエッチングマス
クとして、マスク部をメンブレン化するときに保護膜と
して用いたダイヤモンド膜３側のシリコン窒化膜２を加
工してマスク部に貫通孔を形成した後、貫通孔壁、シリ
コン窒化膜２の露出面及びシリコンウェハ１の露出面に
導電性を付与するために白金パラジウム（ＰｔＰｄ）膜
７をコーティングする。ここで、ダイヤモンド膜３側の
シリコン窒化膜２の加工は、例えば転写パターン４ａと
アライメントパターン４ｂをマスクとしてフッ素系ガス
を用いたＲＩＥ法で行う。また、白金パラジウム膜７の
コーティングは、０．０１μｍ程度の膜厚となるように
スパッタリング法により行う。以上の処理により、この
実施の形態にかかる電子線露光用マスクが完成する。

【００１８】この電子線露光用マスクは、電子遮蔽膜を
支持する支持膜として高剛性のダイヤモンド膜を用いて
いるので、３０ｍｍ角のマスク部でも０．５μｍ程度の
厚さでよく、かつ従来のシリコン基板を用いた支持膜の
ように下面から支持する複数のシリコン支柱をマスク部
に設ける必要もない。このため、ダイヤモンド膜の厚さ
を０．５μｍとすれば、回路用パターンの開口寸法が
０．０５μｍとなっても、アスペクト比は１０であり、
容易に製造可能な値となる。また、ダイヤモンド膜は、
高熱伝導性を有し、かつ高融点であるので、電子線照射
による温度上昇を抑え、加熱による影響を低減すること
が可能である。

【００１９】また、電子遮蔽膜として、重金属のタンタ
ルを用いているので、遮蔽に必要な膜厚を薄くすること
ができる。重金属を用いると膜厚を薄くできるのは、物
質中の電子飛程Ｒが材料の密度をρ（ｇ／ｃｍ³）、電
子のエネルギーをＥ（ｋｅＶ）としたときに、Ｒ＝０．
０４６（１／ρ）Ｅ^1.75の関係にあるためである。した
がって、低エネルギー電子線露光用マスクとして、例え
ば２ｋｅＶのエネルギーの電子を想定すると、電子を遮
断するために必要なタンタルの膜厚は、０．０３μｍで
よい。このように非常に薄い膜厚で十分な電子遮蔽効果
が得られるので、回路用パターンの開口寸法が０．０５
μｍとなっても、加工時にアスペクト比が問題になるこ
とがない。また、膜厚が薄くてよいので支持膜に及ぼす
応力が小さく、薄い支持膜を用いても支持膜を大きく歪
ませることがないので、高精度のマスクを安定に製造す
ることができる。

【００２０】この実施の形態では、支持膜にダイヤモン
ド膜を用いた例で説明したが、ダイヤモンドと同様の高
剛性、高熱伝導性及び高融点の材料を用いてもよい。ダ
イヤモンドに近い材料として、例えば炭化珪素、窒化珪
素、炭化硼素及び窒化硼素のいずれかを支持膜としても
よい。これらの材料は、いずれもダイヤモンド膜と同様
にＣＶＤ法で形成することができる。また、炭化珪素は
塩素系ガスを用いたＲＩＥ法、窒化珪素、炭化硼素及び
窒化硼素はフッ素系ガスを用いたＲＩＥ法により加工す
ることができる。

【００２１】また、電子遮蔽膜としてタンタルを用いた
例で説明したが、タンタルと同様に塩素及びフッ素のい
ずれかと反応し、反応性ドライエッチングで除去可能な
蒸気圧の反応生成物を生成する金属又はこの金属を主成
分とする化合物でもよい。このような金属として、例え
ばタンタル、タングステン及びクロムから１つを選択し
て用いてよい。タングステン及びクロムもタンタル同
様、スパッタリング法で電子遮蔽膜を形成することがで
きる。

【００２２】また、第１の実施の形態において、図２
（ｉ）の状態からシリコン窒化膜２を加工してマスク部
に貫通孔を形成した後、タンタル膜４等の重金属を除去
し、貫通孔壁、シリコン窒化膜２の露出面及びシリコン
ウェハ１の露出面に導電性を付与するために白金パラジ
ウム（ＰｔＰｄ）膜をコーティングし、この白金パラジ
ウム（ＰｔＰｄ）膜を新たな電子遮蔽膜として用いるこ
とも可能である。この場合、アライメントマークが形成
された領域を除いて白金パラジウム（ＰｔＰｄ）膜をコ
ーティングすることも可能である。さらに、この場合、
露出したダイヤモンド膜の光学透過率が高いので、マー
ク部分のパタンではコントラストが低くなる問題がで
る。そこで、アライメントマークが形成された領域にリ
フトオフ技術を用いる等により金属等の光学反射率の高
い膜を形成した構造とすることも可能である。

【００２３】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態にかかる
電子線露光用マスクの製造工程を順に示す断面図であ
り、図３（ｊ）が、この実施の形態にかかる電子線露光
用マスクの構成を示す。この電子線露光用マスクが図１
に示したものと異なる点は、回路用パターンの周囲に配
置される位置合わせ用アライメントパターン部分のダイ
ヤモンド膜に開口を設けないことと、アライメントパタ
ーン部分のシリコン窒化膜に白金パラジウム膜が被着し
ていないことである。

【００２４】この場合、光がシリコン窒化膜２とダイヤ
モンド膜３を透過するため、このマスクのアライメント
マークと露光するウェハのアライメントマークを光学的
に検出することができるので光学式の位置合わせが可能
であり、従来のアライメント方式が採用できる。また、
電子線がアライメントパターン部分を透過しないため、
露光するウェハのアライメントマークが電子線で露光さ
れることがないので、その後のプロセスで露光の影響に
よってウェハ上のアライメントマークが変形することが
ない。

【００２５】次に、この実施の形態にかかる電子線露光
用マスクの製造工程について図３を参照して説明する。
同図において、（ａ）〜（ｇ）は、図２と同じ工程であ
るので説明を省略する。タンタル膜４の加工が終了し、
シリコン酸化膜５を除去した後、アライメントパターン
部分のダイヤモンド膜３を保護した状態で、図３（ｈ）
に示すように、転写パターン４ａをエッチングマスクと
してダイヤモンド膜３を加工する。ここで、アライメン
トパターン部分のダイヤモンド膜３を保護する方法は、
回路用パターン部分を開口したステンシルマスクを表面
に装着する方法を用いる。なお、保護したい部分にレジ
ストを塗布する方法でもよい。ダイヤモンド膜３の加工
は、酸素ガスを用いたＲＩＥ法で行う。

【００２６】次に、図３（ｉ）に示すように、裏窓が形
成されたシリコン窒化膜２をエッチングマスクとしてシ
リコンウェハ１を加工し、マスク部をメンブレン化する
とともに、マスク部の支持枠を形成する。ここで、シリ
コンウェハ１の加工は、タンタル膜４が形成された面を
Ｏリングシールし、ＫＯＨ溶液でエッチングすることに
より行う。次に、図３（ｊ）に示すように、マスク部を
メンブレン化するときに保護膜として用いたダイヤモン
ド膜３側のシリコン窒化膜２を加工してマスク部に貫通
孔を形成した後、貫通孔壁、シリコン窒化膜２の露出面
及びシリコンウェハ１の露出面に導電性を付与するため
に白金パラジウム膜７を、ダイヤモンド膜３側のシリコ
ン窒化膜２のアライメントパターン部分を除いてコーテ
ィングする。

【００２７】ここで、ダイヤモンド膜３側のシリコン窒
化膜２の加工は、例えば転写パターン４ａをエッチング
マスクとして、フッ素系ガスを用いたＲＩＥ法で行う。
また、白金パラジウム膜７のコーティングは、ダイヤモ
ンド膜３側のシリコン窒化膜２のアライメントパターン
部分にレジストを塗布し、スパッタリング法により貫通
孔壁、シリコン窒化膜２の露出面及びシリコンウェハ１
の露出面に厚さ０．０１μｍ程度の白金パラジウム膜７
を形成した後、アライメントパターン部分のレジストを
除去することにより行う。以上の処理により、この実施
の形態にかかる電子線露光用マスクが完成する。なお、
光学的アライメント時の多重干渉を防止するために、ア
ライメントパターン部分に反射防止膜を設けることが望
ましい。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子線露
光用マスクは、電子遮蔽膜を支持する支持膜としてダイ
ヤモンド、炭化珪素、窒化珪素、炭化硼素及び窒化硼素
のいずれか１つを用いたので、高剛性で熱伝導性のよい
支持膜が得られるため、支持膜の膜厚を薄くでき、現在
のプロセス技術で製造可能なアスペクト比とすることが
できる。また、マスク部の所定パターンの周辺に電子遮
蔽膜のパターンからなる位置合わせ用のアライメントマ
ークを設け、アライメントマークが形成された領域が光
透過可能に構成され、かつ光学的反射防止膜が設けられ
ているので、このマスクのアライメントマークと露光す
るウェハのアライメントマークを光学的に検出すること
ができ、光学式の位置合わせが可能である。

【００２９】また、電子遮蔽膜をタンタル、タングステ
ン及びクロムのいずれか１つの金属又はこの金属を主成
分とする化合物で構成したので、電子遮蔽に必要な膜厚
を薄くでき、加工時にアスペクト比が問題になることが
ない。また、膜厚が薄くてよいので支持膜に及ぼす応力
が小さく、薄い支持膜を用いても支持膜を大きく歪ませ
ることがないので、高精度のマスクを安定に製造するこ
とができる。また、絶縁体で構成された部分が導電体で
被覆されているので、電子線による帯電が抑止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施の形態にかかる電子線露
光用マスクの構成を示す説明図である。

【図２】 本発明の第１の実施の形態にかかる電子線露
光用マスクの製造工程を順に示す断面図である。

【図３】 本発明の第２の実施の形態にかかる電子線露
光用マスクの製造工程を順に示す断面図である。

【図４】 従来の電子線露光用マスクの構成例を示す断
面図である。

【符号の説明】

１…シリコンウェハ、２…シリコン窒化膜、３…ダイヤ
モンド膜、４…タンタル膜、４ａ…転写パターン、４ｂ
…アライメントパターン、５…シリコン酸化膜、５ａ…
回路用ハードマスク、５ｂ…アライメントパターン用ハ
ードマスク、６…電子線レジスト、６ａ…回路用レジス
トパターン、６ｂ…アライメントレジストパターン、７
…白金パラジウム膜、１０…マスク部、２０…支持基
板、４１…シリコン基板、４２…金膜、４３…酸化シリ
コン層、４４…シリコン支柱。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉原 秀雄 東京都新宿区西新宿二丁目１番１号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 島津 信生 東京都町田市本町田1337−13 株式会社リ ープル内 Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BA08 BB01 BB16 BC05 BC13 BC16 BC27 BE03 5F056 AA06 EA04 FA05

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定パターンを電子線によりウェハ上の
   レジストに転写するための電子線露光用マスクにおい
   て、 転写すべき前記所定パターンが形成されたマスク部を有
   する電子遮蔽膜と、 前記所定パターンに対応する貫通孔を有し、前記電子遮
   蔽膜を支持する支持膜と、 前記マスク部の外側で前記支持膜を支持する支持枠とを
   備え、 前記支持膜は、ダイヤモンド、炭化珪素、窒化珪素、炭
   化硼素及び窒化硼素のいずれか１つからなることを特徴
   とする電子線露光用マスク。
2. 【請求項２】 前記マスク部は、 前記所定パターンの周辺に前記電子遮蔽膜のパターンか
   らなる位置合わせ用のアライメントマークを有すること
   を特徴とする請求項１記載の電子線露光用マスク。
3. 【請求項３】 前記電子遮蔽膜は、 塩素及びフッ素のいずれかと反応し、反応性ドライエッ
   チングで除去可能な蒸気圧の反応生成物を生成する金属
   又はこの金属を主成分とする化合物であることを特徴と
   する請求項１又は２記載の電子線露光用マスク。
4. 【請求項４】 前記金属は、 タンタル、タングステン及びクロムのいずれか１つから
   なることを特徴とする請求項３記載の電子線露光用マス
   ク。
5. 【請求項５】 絶縁体で構成された部分が導電体で被覆
   されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか
   記載の電子線露光用マスク。
6. 【請求項６】 前記電子遮蔽膜は、導電体であることを
   特徴とする請求項１又は２記載の電子線露光用マスク。
7. 【請求項７】 前記アライメントマークが形成された領
   域は、 光透過可能に構成され、かつ光学的反射防止膜が設けら
   れていることを特徴とする請求項２から６のいずれか記
   載の電子線露光用マスク。
8. 【請求項８】 所定パターンを電子線によりウェハ上の
   レジストに転写するための電子線露光用マスクの製造方
   法であって、 シリコンウェハの一方の面側にダイヤモンド、炭化珪
   素、窒化珪素、炭化硼素及び窒化硼素のいずれか１つか
   らなる支持膜を形成した後、この支持膜上に電子遮蔽膜
   を形成する工程と、 前記電子遮蔽膜上に前記所定パターンのエッチング用マ
   スクを形成し、反応性ドライエッチングにより前記電子
   遮蔽膜に前記所定パターンを有するマスク部を形成する
   工程と、 前記所定パターンが形成された前記電子遮蔽膜をマスク
   として反応性ドライエッチングにより前記支持膜に前記
   所定パターンと対応した貫通孔を形成する工程と、 前記シリコンウェハを加工し、前記マスク部の外側で前
   記支持膜を支持する支持枠を形成する工程とを有するこ
   とを特徴とする電子線露光用マスクの製造方法。
9. 【請求項９】 前記マスク部を形成する工程は、 前記所定パターンの周辺に前記電子遮蔽膜のパターンか
   らなる位置合わせ用のアライメントマークを同時に形成
   することを特徴とする請求項８記載の電子線露光用マス
   クの製造方法。
10. 【請求項１０】 絶縁体で構成された部分を導電体で被
    覆する工程を最後に有することを特徴とする請求項８又
    は９記載の電子線露光用マスクの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記電子遮蔽膜を除去した後、絶縁体
    で構成された部分を導電体で被覆する工程を有すること
    を特徴とする請求項８又は９記載の電子線露光用マスク
    の製造方法。