KR101961186B1 - 웨이퍼 증착장치 - Google Patents

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KR101961186B1 KR1020170112441A KR20170112441A KR101961186B1 KR 101961186 B1 KR101961186 B1 KR 101961186B1 KR 1020170112441 A KR1020170112441 A KR 1020170112441A KR 20170112441 A KR20170112441 A KR 20170112441A KR 101961186 B1 KR101961186 B1 KR 101961186B1
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Abstract

웨이퍼 증착장치가 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼에 증착물질을 증착하기 위한 증착장치로서, 내부에 증착공간이 마련되는 증착챔버와; 상기 증착공간에 위치하며 상기 웨이퍼를 향하여 증착입자를 분출되는 증착원과; 상기 증착공간 내부에 위치하며 상기 웨이퍼의 단부를 지지하는 기판 홀더와; 상기 웨이퍼의 상부에 위치하며 정전기의 힘에 의해 상기 웨이퍼를 척킹(chucking)하는 정전척과; 상기 웨이퍼의 하면에 대향하여 배치되는 마스크 본체와, 상기 마스크 본체의 단부를 지지하는 마스크 프레임과, 상기 마스크 프레임의 상면에 돌출되어 결합되며 상기 웨이퍼와 마스크 본체의 합착에 따라 상기 웨이퍼와 상기 마스크 본체를 이격시키는 스페이서를 포함하는 마스크 유닛과; 상기 마스크 유닛을 지지하는 마스크 홀더를 포함하는, 웨이퍼 증착장치가 제공된다.

Description

웨이퍼 증착장치{Deposition apparatus for wafer}
본 발명은 웨이퍼 증착장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 웨이퍼에 대한 증착 정밀도를 높일 수 있는 웨이퍼 증착장치에 관한 것이다.
최근 디스플레이 소자로 액정 표시 소자(Liquid Crystal Display, LCD), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel, PDP), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 등 평판 표시 소자(Flat Panel Display)가 널리 이용되고 있다. 이러한 평판 표지 소자는 유리기판에 일정 패턴으로 금속박막이나 유기박막을 증착하는 증착공정 등의 일련의 공정을 진행하여 제조된다.
특히, 유기 발광 소자의 경우, 기판에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등의 유기 박막을 증착하여야 하는데, 이러한 유기 박막은 진공열증착방법으로 기판 상에 증착된다.
진공열증착방법은 진공챔버 내에 기판의 증착면이 하향 노출되도록 기판을 상부에 배치하고, 일정 패턴이 형성된 마스크(mask)와 기판을 정렬하고 합착시킨 후, 기판의 증착면 하부에 배치된 증착원에 열을 가하여 증착원에서 승화되는 증발물질을 기판의 증착면 상에 증착하는 방식으로 이루어진다.
한편, 최근 가상현실, 증강현실 기술의 발전에 따라 헤드 마운트 디스플레이(Head Mounted Display, HMD)가 각광받고 있다. 헤드 마운트 디스플레이는 소형이면서 고해상도의 디스플레이로서 유기 발광 소자의 적용이 매우 적합하다.
이러한 헤드 마운트 디스플레이는 초고해상도 및 초집적도를 요구하고 있어, 유기 발광 소자를 적용하는 경우 유리기판 대신에 반도체 웨이퍼를 기판으로 사용하는 경우가 있으며, 이 경우 웨이퍼에 대한 증착의 정밀도를 높일 필요가 있다.
대한민국 공개특허 제10-2014-0123842호 (2014. 10. 23 공개)
본 발명은 웨이퍼에 대한 증착 정밀도를 높일 수 있는 웨이퍼 증착장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼에 증착물질을 증착하기 위한 증착장치로서, 내부에 증착공간이 마련되는 증착챔버와; 상기 증착공간에 위치하며 상기 웨이퍼를 향하여 증착입자를 분출되는 증착원과; 상기 증착공간 내부에 위치하며 상기 웨이퍼의 단부를 지지하는 기판 홀더와; 상기 웨이퍼의 상부에 위치하며 정전기의 힘에 의해 상기 웨이퍼를 척킹(chucking)하는 정전척과; 상기 웨이퍼의 하면에 대향하여 배치되는 마스크 본체와, 상기 마스크 본체의 단부를 지지하는 마스크 프레임과, 상기 마스크 프레임의 상면에 돌출되어 결합되며 상기 웨이퍼와 마스크 본체의 합착에 따라 상기 웨이퍼와 상기 마스크 본체를 이격시키는 스페이서를 포함하는 마스크 유닛과; 상기 마스크 유닛을 지지하는 마스크 홀더를 포함하는, 웨이퍼 증착장치가 제공된다.
상기 정전척은, 상기 웨이퍼를 척킹하는데 필요한 최소 전압보다 큰 전압으로서 상기 웨이퍼를 척킹할 수 있다.
또한, 상기 정전척은, 상기 웨이퍼와 상기 마스크 유닛의 합착 이후 상기 마스크 유닛을 분리할 때는 상기 웨이퍼를 척킹하는데 필요한 최소 전압으로 전압을 하강시킬 수 있다.
상기 마스크 본체는, 웨이퍼를 가공하여 형성될 수 있다.
상기 스페이서는, 상기 마스크 프레임에 접촉되는 금속 재질의 메탈심재와; 상기 메탈심재를 커버하는 커버부재를 포함할 수 있다.
상기 커버부재는 세라믹을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 웨이퍼에 대한 얼라인이 용이하며 증착입자의 증착의 정밀도를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치를 간략히 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치의 합착 상태를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치의 척킹 시 대전(帶電) 상태를 도시한 도면.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 증착장치을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부한 도면을 참조하여 설명함에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치를 간략히 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치의 합착 상태를 도시한 도면이다. 그리고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치의 척킹 시 대전(帶電) 상태를 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 2에는, 증착챔버(12), 증착원(14), 증착공간(16), 기판 홀더(18), 웨이퍼(20), 정전척(22), 마스크 유닛(24), 마스크 홀더(26), 스페이서(28), 마스크 본체(30), 마스크 프레임(32), 메탈심재(34), 커버부(36)가 도시되어 있다.
본 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치는, 웨이퍼(20)에 증착물질을 증착하기 위한 증착장치로서, 내부에 증착공간(16)이 마련되는 증착챔버(12)와; 상기 증착공간(16)에 위치하며 상기 웨이퍼(20)를 향하여 증착입자를 분출되는 증착원(14)과; 상기 증착공간(16) 내부에 위치하며 상기 웨이퍼(20)의 단부를 지지하는 기판 홀더(18)와; 상기 웨이퍼(20)의 상부에 위치하며 정전기의 힘에 의해 상기 웨이퍼(20)를 척킹(chucking)하는 정전척(22)과; 상기 웨이퍼(20)의 하면에 대향하여 배치되는 마스크 본체(30)와, 상기 마스크 본체(30)의 단부를 지지하는 마스크 프레임(32)과, 상기 마스크 프레임(32)의 상면에 돌출되어 결합되며 상기 웨이퍼(20)와 마스크 본체(30)의 합착에 따라 상기 웨이퍼(20)와 상기 마스크 본체(30)를 이격시키는 스페이서(28)를 포함하는 마스크 유닛(24)과; 상기 마스크 유닛(24)을 지지하는 마스크 홀더(26)를 포함한다.
웨이퍼(20)(wafer)는, 반도체의 얇은 판으로 그 위에 트랜지스터나 다이오드 등의 미소 회로나 집적 회로를 만들기 위한 기판이다. 통상의 디스플레이의 경우 투명한 유리기판에 증착물질을 증착하게 되는데, 본 실시예에서는 디스플레이 회로의 집적도를 높이기 위해 웨이퍼(20)를 기판으로 사용하고, 웨이퍼(20)에 직접 유기물 등의 증착물질을 증착하도록 하였다. 웨이퍼(20)의 경우 실리콘 물질로 이루어져 있어 종래의 유리기판에 비해 상대적으로 전하(電荷)의 이동이 용이하다.
증착챔버(12)는, 내부에 진공의 분위기에서 증착물질의 증착이 이루어지는 증착공간(16)이 마련된다. 증착공간(16)은 증착을 진행하는 동안 진공 펌프 등에 의해 공기의 흡입에 따른 진공 상태로 유지된다.
증착원(14)은, 증착챔버(12)의 증착공간(16)의 하부에 위치하며, 증착물질의 증발에 따라 발생하는 기체 성분의 증착입자를 상향으로 분출시킨다. 증착원(14)은 고체 성분의 유기물 등의 증착물질을 수용하는 도가니(미도시)와, 도가니의 외측에 배치되어 도가니를 가열하는 가열부(미도시)와, 가열부의 가열에 따라 증발되는 증착입자를 하향으로 유도하는 노즐부(미도시) 등을 포함할 수 있다.
가열부의 가열에 따라 증착물질이 증발되면서 증착입자가 도가니의 상향으로 이동하고 노즐부가 상향으로 이동하는 증착입자를 웨이퍼(20)를 향하여 상향으로 유도한다.
증착입자의 증착은 증착챔버(12) 내부에서 웨이퍼(20)의 증착면이 하향 노출되도록 웨이퍼(20)를 상부에 배치하고, 일정 패턴이 형성된 마스크 본체(30)와 웨이퍼(20)를 정렬시킨 후, 증착원(14)에 열을 가하여 증착원(14)에서 승화되는 증발물질이 상향으로 이동하여 웨이퍼(20)의 증착면 상에 증착하도록 구성된다.
기판 홀더(18)는 증착공간(16) 내부에 위치하며 웨이퍼(20)의 단부를 지지하여 웨이퍼(20)의 하면이 증착원(14)을 향하여 노출되도록 한다. 기판 홀더(18)의 상하 방향으로 승강시킬 수 있는 승강부가 증착챔버(12)의 외측에 결합될 수 있다. 승강부의 작동에 따라 기판 홀더(18)가 상하로 이동할 수 있다. 웨이퍼(20)에 대한 증착을 진행하기 위해 웨이퍼(20)가 증착공간(16) 내부로 유입되어 기판 홀더(18)에 로딩된다.
정전척(22)은, 웨이퍼(20)의 상부에 위치하며 정전기의 힘에 의해 웨이퍼(20)를 척킹(chucking)한다. 정전척(22)은 정전기의 힘을 이용하여 기판이나 웨이퍼(20)를 고정하는 척킹 장치로서, 정전척(22)에 '+', '-'를 인가시키면 대상물에는 반대의 전위가 대전('-', '+')되고, 대전된 전위에 의하여 서로 끌어당기는 힘이 발생하는 원리를 이용하여 정전척(22)에 웨이퍼(20)를 부착시켜 고정하게 된다.
웨이퍼(20)가 실리콘 물질로 이루어져 있기 때문에 상술한 바와 같이 정전척(22)을 사용하여 웨이퍼(20)를 척킹할 때 전하의 이동이 용이하여 척킹 강도가 크다. 그러나, 이러한 성질은 웨이퍼(20)를 척킹할 때는 유리하나, 웨이퍼(20)를 정전척(22)에서 분리할 때는 웨이퍼(20)의 분리를 어렵게 할 수도 있다.
마스크 유닛(24)은, 웨이퍼(20)의 하면에 대향하여 배치되는 마스크 본체(30)와, 마스크 본체(30)의 단부를 지지하는 마스크 프레임(32)과, 마스크 프레임(32)의 상면에 돌출되어 결합되며 웨이퍼(20)와 마스크 본체(30)의 합착에 따라 웨이퍼(20)와 마스크 본체(30)를 이격시키는 스페이서(28)를 포함한다. 마스크 유닛(24)은 웨이퍼(20)에 합착되어 증착입자를 일정 패턴을 갖고 웨이퍼(20)에 증착되도록 하는 것이다.
마스크 본체(30)는 고해상도의 패턴이 형성된 얇은 판으로 구성되고, 이러한 마스크 본체(30)의 단부를 잡아당겨 마스크 프레임(32)에 고정하여 마스크 본체(30)가 팽팽한 상태로 유지된다.
최근 고해상도의 디스플레이의 요구에 따라 픽셀의 크기가 작아지면서 유기물의 증착을 위한 마스크 본체(30)의 두께가 매우 얇아지고 있다. 마스크 본체(30)의 두께가 매우 얇은 경우 웨이퍼(20)와의 얼라인 과정에서 웨이퍼(20)와 마스크 본체(30)가 밀착되면서 웨이퍼(20)나 마스크에 미세한 스크레치가 발생하여 증착의 정밀도가 떨어질 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(20)와 마스크의 합착 과정에서 웨이퍼(20)와 마스크가 접하도록 합착하지 않고 단지 서로 맞닿지 않을 정도로 가깝게 떨어뜨린 상태로 증착을 수행할 수 있다.
마스크 홀더(26) 등의 승강량의 조절에 따라 웨이퍼(20)와 마스크의 이격 거리를 유지하는 것이 어렵기 때문에, 본 실시예에서는 마스크 프레임(32)의 상면에 스페이서(28)를 두어 웨이퍼(20)와 마스크 본체(30)의 합착에 따라 웨이퍼(20)와 마스크 본체(30)가 매우 미세한 거리로 이격되도록 구성하였다.
웨이퍼(20)와 마스크의 합착 과정에서 웨이퍼(20)와 마스크가 접하도록 합착하지 않고 단지 서로 맞닿지 않을 정도로 가깝게 떨어뜨린 상태로 증착을 수행하는 경우, 웨이퍼(20)와 마스크의 접촉이 발생하지 않아 보다 정밀한 증착이 이루어진다.
한편, 마스크 본체(30)는 웨이퍼를 가공하여 형성될 수 있는데, 디스플레이에 대한 고해상도의 요구에 따라 마스크 본체(30)의 패턴도 고해상도로 형성되어야 한다. 따라서, 웨이퍼에 대한 미세공정을 거쳐 웨이퍼에 패턴을 형성하고 이를 마스크 본체(30)로 사용하는 것이다. 마스크 본체(30)가 웨이퍼로 가공되는 경우 상술한 웨이퍼 기판(20)과 마찬가지로 전하의 이동이 용이하여 정전척(22)에 의해 웨이퍼(20)를 척킹한 후 마스크 유닛(24)과 합착이 진행될 때 정전력이 마스크 본체(30)에 전달될 수 있다. 이 경우, 증착완료 후 마스크 유닛(24)을 분리할 때 마스크 유닛(24)의 분리를 어렵게 할 수도 있다.
본 실시예에서는 웨이퍼(20)와의 합착 후 마스크 유닛(24)의 분리를 용이하게 하기 위해, 마스크 프레임(32)에 접촉되는 금속 재질의 메탈심재(34)와, 메탈심재(34)를 커버하는 커버부(36)재로 스페이서(28)를 구성하였다. 메탈심재(34)를 금속 재질로 형성함으로써, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(20)에 대전된 전하가 메탈심재(34)를 거쳐 마스크 프레임(32)으로 전달되도록 구성하여 마스크 유닛(24)의 분리가 용이하도록 하였다. 커버부(36)는 전열체로서 세라믹을 포함하는 재질로 구성하였다.
도 2를 참조하여 웨이퍼(20)와 마스크 유닛(24)의 합착 과정을 설명하기로 한다.
웨이퍼(20)가 증착챔버(12)의 내부로 이송되어 기판 홀더(18)에 안착되면, 정전척(22)을 하강하거나 기판 홀더(18)를 상승시켜 정전척(22)에 웨이퍼(20)를 척킹한다. 이때, 웨이퍼(20)를 척킹하는데 필요한 최소 전압(예컨데, 2kV)보다 큰 전압(예컨대, 5kV)으로 웨이퍼(20)를 척킹한다. 이는 마스크 유닛(24)과의 합착 시 마스크 본체(30)를 웨이퍼(20) 방향으로 끌어들이기 위한 것이다. 다음에, 마스크 홀더(26)를 승강시켜 웨이퍼(20)와 마스크 본체(30)를 얼라인한 후 웨이퍼(20)와 마스크를 합착한다. 이때, 마스크 프레임(32)에 형성된 스페이서(28)에 의해 웨이퍼(20)의 하면과 마스크 본체(30)의 상면은 서로 맞닿지 않을 정도로 가깝게 이격거리를 유지한다. 이때, 정전척(22)의 정전력에 의해 마스크 본체(30)가 웨이퍼(20) 방향으로 들어 올려진다.
웨이퍼(20)에 대한 증착 공정이 완료되면 마스크 유닛(24)을 분리하여야 하는데, 웨이퍼(20)를 척킹하는데 필요한 전압(위의 예시에서 2kV)만을 나두고 전압(3kV)을 하강시키고, 마스크 홀더(26)를 하향으로 이동하여 웨이퍼(20)에서 마스크 유닛(24)을 분리한다. 전압의 하강에도 불구하고 정전척(22)으로부터 대전된 전하의 영향으로 마스크 유닛(24)이 웨이퍼(20)와 함께 정전척(22)에 부착될 수 있는데, 이 경우, 스페이서(28) 내부의 메탈심재(34)에 의해 대전된 전하가 빠르게 마스크 홀더(26)로 이동하면서 마스크 홀더(26)의 이동에 따라 마스크 유닛(24)의 분리가 바로 이루어진다.
상기에는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
12: 증착챔버 14: 증착원
16: 증착공간 18: 기판 홀더
20: 웨이퍼 22: 정전척
24: 마스크 유닛 26: 마스크 홀더
28: 스페이서 30: 마스크 본체
32: 마스크 프레임 34: 메탈심재
36: 커버부

Claims (6)

  1. 웨이퍼에 증착물질을 증착하기 위한 증착장치로서,
    내부에 증착공간이 마련되는 증착챔버와;
    상기 증착공간에 위치하며 상기 웨이퍼를 향하여 증착입자를 분출되는 증착원과;
    상기 증착공간 내부에 위치하며 상기 웨이퍼의 단부를 지지하는 기판 홀더와;
    상기 웨이퍼의 상부에 위치하며 정전기의 힘에 의해 상기 웨이퍼를 척킹(chucking)하는 정전척과;
    상기 웨이퍼의 하면에 대향하여 배치되는 마스크 본체와, 상기 마스크 본체의 단부를 지지하는 마스크 프레임과, 상기 마스크 프레임의 상면에 돌출되어 결합되며 상기 웨이퍼와 마스크 본체의 합착에 따라 상기 웨이퍼와 상기 마스크 본체를 이격시키는 스페이서를 포함하는 마스크 유닛과;
    상기 마스크 유닛을 지지하는 마스크 홀더를 포함하며,
    상기 스페이서는,
    상기 마스크 프레임에 접촉되는 금속 재질의 메탈심재와;
    상기 메탈심재를 커버하는 커버부재를 포함하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정전척은,
    상기 웨이퍼를 척킹하는데 필요한 최소 전압보다 큰 전압으로서 상기 웨이퍼를 척킹하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 증착장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 정전척은,
    상기 웨이퍼와 상기 마스크 유닛의 합착 이후 상기 마스크 유닛을 분리할 때는 상기 웨이퍼를 척킹하는데 필요한 최소 전압으로 전압을 하강하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 증착장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 본체는,
    웨이퍼를 가공하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 증착장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 커버부재는 세라믹을 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 증착장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20140123842A (ko) 2013-04-15 2014-10-23 주식회사 원익아이피에스 박막 증착 시스템의 카메라 어셈블리
KR20150077998A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217094A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Ntt Advanced Technology Corp 電子線露光用マスク及びその製造方法

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