CN112824554B - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112824554B
CN112824554B CN202011292113.5A CN202011292113A CN112824554B CN 112824554 B CN112824554 B CN 112824554B CN 202011292113 A CN202011292113 A CN 202011292113A CN 112824554 B CN112824554 B CN 112824554B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
driving mechanism
substrate
holder
substrate holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011292113.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112824554A (zh
Inventor
关谷任史
木村龙司
新海达也
冈部俊介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN112824554A publication Critical patent/CN112824554A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112824554B publication Critical patent/CN112824554B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种抑制对准精度降低的成膜装置。本发明的成膜装置具备:容器;所述容器的外部的基座支承体;所述容器内的基板保持件;所述容器内的掩模保持件;基板保持件驱动机构;掩模保持件驱动机构;基板保持件驱动机构支承体,其与所述基座支承体连接;掩模保持件支承体,其与所述基座支承体连接,支承所述掩模保持件;所述基座支承体与所述基板保持件驱动机构之间的振动传递抑制构件;以及对准用相机单元,其设置于所述容器的外部且设置于所述掩模保持件支承体,用于测定基板与掩模的相对位置偏移。

Description

成膜装置
技术领域
本发明涉及一种用于经由掩模将规定的成膜材料蒸镀到基板上的成膜装置。
背景技术
有机EL显示装置(有机EL显示器)的应用领域不仅为智能手机、电视机、汽车用显示器,还扩展到VR HMD(Virtual Reality Head Mount Display)等,特别是,VR HMD所使用的显示器为了降低用户的目眩等而要求以高精度形成像素图案。即,要求进一步的高分辨率化。
在有机EL显示装置的制造中,在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件;OLED)时,将从成膜装置的成膜源放出的成膜材料经由形成有像素图案的掩模在基板上成膜,从而形成有机物层、金属层。
在这样的成膜装置中,为了提高成膜精度,在成膜工序之前,测定基板与掩模的相对位置,在相对位置发生偏移的情况下,进行使基板和/或掩模相对移动来调整(对准)位置的工序。
因此,以往的成膜装置包括与基板支承单元和/或掩模台连结并驱动基板支承单元和/或掩模台的对准台机构。
以往,作为包括对准台机构的成膜装置,已知如专利文献1所举出的成膜装置。在专利文献1中,采用了将载置对准台机构的支承板和成膜室的顶板分离的构造。由此,能够降低成膜室的变形、向成膜室传递的振动,抑制基板与掩模的位置偏移。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-33468号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,在专利文献1所公开的成膜装置中,在对基板或掩模的对准台机构进行了驱动时,该驱动时的振动传递到任一方的支承体,对准精度变差。另外,在进行高精度的对准时需要提高对准台机构的可控制的频带,但驱动时的振动成为干扰,控制性能降低,结果,对准精度降低。
本发明是鉴于上述现有技术所具有的课题而完成的,其目的在于提供一种能够抑制对准精度降低的成膜装置。
用于解决课题的手段
本发明的第1技术方案的成膜装置具备:容器;基座支承体,其设置于所述容器的外部;基板保持件,其设置于所述容器内,保持基板;掩模保持件,其设置于所述容器内,支承掩模;基板保持件驱动机构,其驱动所述基板保持件;掩模保持件驱动机构,其驱动所述掩模保持件;基板保持件驱动机构支承体,其与所述基座支承体连接,支承所述基板保持件驱动机构;掩模保持件支承体,其与所述基座支承体连接,支承所述掩模保持件;振动传递抑制构件,其设置于所述基座支承体与所述掩模保持件驱动机构之间;以及对准用相机单元,其设置于所述容器的外部且设置于所述掩模保持件支承体,用于测定保持于所述基板保持件的基板与支承于所述掩模保持件的掩模的相对位置偏移量。
另外,本发明的第2技术方案的成膜装置具备:
容器;
基座支承体,其设置于所述容器的外部;
基板保持件,其设置于所述容器内,保持基板;
掩模保持件,其设置于所述容器内,支承掩模;
基板保持件驱动机构,其驱动所述基板保持件;
掩模保持件驱动机构,其驱动所述掩模保持件;
基板保持件驱动机构支承体,其与所述基座支承体连接,支承所述基板保持件驱动机构;
掩模保持件支承体,其与所述基座支承体连接,支承所述掩模保持件;
振动传递抑制构件,其设置于所述基座支承体与所述基板保持件驱动机构之间;以及
对准用相机单元,其设置于所述容器的外部且设置于所述基板保持件驱动机构支承体,用于测定保持于所述基板保持件的基板与支承于所述掩模保持件的掩模的相对位置偏移量。
发明的效果
根据本发明,能够抑制对准精度降低。
附图说明
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的一部分结构的俯视图。
图2是示意性地表示成膜装置的结构的剖视图。
图3是表示本发明的第1实施方式的振动传递抑制机构的示意图。
图4是表示本发明的第2实施方式的振动传递抑制机构的示意图。
图5是表示本发明的第3实施方式的振动传递抑制机构的示意图。
附图标记说明
11、311、411、511:成膜装置,21、321、421、521:真空容器,22、322、422、522:基板保持件驱动机构,23、323、523:掩模保持件,216、316、516:掩模保持件支承体,24、424:基板保持件,25、325、425、525:成膜源,26:磁力施加部件,27、327、527:对准用相机单元,28、328、428、528:掩模保持件驱动机构,29、329、429、529:振动传递抑制构件,215、315、415、515:基板保持件驱动机构支承体,217、317、417:真空容器支承体,517:基座支承体。
具体实施方式
以下,基于附图说明用于实施本发明的方式。以下的实施方式和实施例例示性地表示本发明的优选的结构,本发明的范围并不限定于这些结构。另外,以下的说明中的装置的硬件结构和软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有限定性的记载,就并非旨在将本发明的范围仅限定于此。
本发明能够应用于使各种材料堆积于基板的表面而进行成膜的装置,能够优选地应用于通过真空蒸镀形成所期望的图案的薄膜(材料层)的装置。
作为基板的材料,能够选择半导体(例如硅)、玻璃、高分子材料的膜、金属等任意的材料。基板例如也可以是硅晶圆或者在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等的膜的基板。另外,作为成膜材料,也能够选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。
此外,本发明除了基于加热蒸发的真空蒸镀装置之外,也能够应用于包括溅射装置、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置在内的成膜装置。具体而言,本发明的技术能够应用于半导体器件、磁性器件、电子元件等各种电子器件、光学元件等的制造装置。作为电子器件的具体例,可列举出发光元件、光电转换元件、触摸面板等。
其中,本发明能够优选应用于OLED等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造装置。此外,本发明的电子器件也包括具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)、照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)。
<电子器件的制造装置>
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的一部分结构的俯视图。
图1的制造装置例如用于VR HMD用的有机EL显示装置的显示面板的制造。在VRHMD用的显示面板的情况下,例如,在对规定的尺寸(例如300mm)的硅晶圆进行了用于形成有机EL元件的成膜之后,沿着元件形成区域之间的区域(划线区域)切取该硅晶圆,制作成多个小尺寸的面板。
本实施方式的电子器件的制造装置一般而言包括多个集群装置1和将集群装置之间相连的中继装置。
集群装置1具备对基板W进行处理(例如成膜)的成膜装置11、收纳使用前后的掩模的掩模储备装置12、以及配置于其中央的输送室13。如图1所示,输送室13与成膜装置11和掩模储备装置12分别连接。
在输送室13内配置有输送基板W或掩模的输送机器人14。输送机器人14例如是具有在多关节臂安装有保持基板W或掩模的机械手的构造的机器人。
在成膜装置11中,从成膜源放出的成膜材料经由掩模在基板W上成膜。与输送机器人14的基板W/掩模的交接、基板W与掩模的相对位置的调整(对准)、基板W向掩模上的固定、成膜等一系列的成膜工艺由成膜装置11进行。
在用于制造有机EL显示装置的制造装置中,成膜装置11根据要成膜的材料的种类能够分为有机膜的成膜装置和金属性膜的成膜装置,有机膜的成膜装置通过蒸镀或溅射将有机物的成膜材料在基板W上成膜。金属性膜的成膜装置通过蒸镀或溅射将金属性的成膜材料在基板W上成膜。
在用于制造有机EL显示装置的制造装置中,将哪个成膜装置配置于哪个位置根据要制造的有机EL元件的层叠构造而不同,根据有机EL元件的层叠构造而配置有用于对其成膜的多个成膜装置。
在有机EL元件的情况下,通常具有在形成有阳极的基板W上依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极的构造,以能够依次成膜这些层的方式沿着基板的流动方向配置适当的成膜装置。
例如,在图1中,成膜装置11a对空穴注入层HIL和/或空穴传输层HTL进行成膜。成膜装置11b、11f对蓝色的发光层进行成膜,成膜装置11c对红色的发光层进行成膜,成膜装置11d、11e对绿色的发光层进行成膜。成膜装置11g对电子传输层ETL和/或电子注入层EIL进行成膜。成膜装置11h配置成对阴极金属膜进行成膜。在图1所示的实施方式中,在原材料的特性上,蓝色的发光层和绿色的发光层的成膜速度比红色的发光层的成膜速度慢,因此,为了取得处理速度的平衡,分别用2个成膜装置对蓝色的发光层和绿色的发光层进行成膜,但本发明并不限定于此,也可以具有其他配置构造。
在掩模储备装置12中,成膜装置11的成膜工序要使用的新的掩模和已使用的掩模分开收纳在多个盒体中。输送机器人14将已使用的掩模从成膜装置11输送到掩模储备装置12的盒体,将收纳于掩模储备装置12的其他盒体的新的掩模输送到成膜装置11。
将多个集群装置1之间连结的中继装置包括在集群装置1之间输送基板W的通路室15。
输送室13的输送机器人14从上游侧的通路室15接收基板W,输送到该集群装置1内的成膜装置11之一(例如,成膜装置11a)。另外,输送机器人14从多个成膜装置11之一(例如,成膜装置11e)接收该集群装置1中的成膜处理已完成的基板W,将其输送到与下游侧连结的通路室15。
中继装置能够除了通路室15之外还包括用于吸收上游侧的集群装置1和下游侧的集群装置1中的基板W的处理速度之差的缓冲室(未图示)以及用于改变基板W的方向的回旋室(未图示)。例如,缓冲室包括临时收纳多个基板W的基板装载部。回旋室包括用于使基板W旋转180度的基板旋转机构(例如,旋转台或输送机器人)。由此,在上游侧的集群装置和下游侧的集群装置之间基板W的朝向变得相同,基板处理变得容易。
通路室15也可以包括用于临时收纳多个基板W的基板装载部(未图示)、基板旋转机构。也就是说,通路室15也可以兼具缓冲室、回旋室的功能。
构成集群装置1的成膜装置11、掩模储备装置12、输送室13等在有机发光元件的制造过程中维持为高真空状态。中继装置的通路室15通常维持为低真空状态,但根据需要也可以维持为高真空状态。
构成有机EL元件的多个层的成膜已完成的基板W输送到用于密封有机EL元件的密封装置(未图示)、用于将基板切割为规定的面板尺寸的切割装置(未图示)等。
在本实施方式中,参照图1,说明了电子器件的制造装置的结构,但本发明并不限定于此,可以具有其他种类的装置、腔室,这些装置、腔室之间的配置也可以改变。
例如,本发明的电子器件制造装置也可以不是图1所示的集群式,而是直列式。也就是说,也可以设为将基板W和掩模搭载于载体,一边使其在排成一列的多个成膜装置内输送一边进行成膜的结构。另外,也可以具有将集群式和直列式组合而成的类型的构造。例如,可以直到有机层的成膜为止由集群式的制造装置进行,从电极层(阴极层)的成膜工序到密封工序及切割工序等由直列式的制造装置进行。
以下,说明成膜装置11的具体的结构。
<成膜装置>
图2是示意性地表示成膜装置11的结构的剖视图。在以下的说明中,使用将铅垂方向设为Z方向、将水平面设为XY平面的XYZ直角坐标系。另外,用θX表示绕X轴的旋转角,用θY表示绕Y轴的旋转角,用θZ表示绕Z轴的旋转角。
图2是表示通过加热成膜材料而使其蒸发或升华、经由掩模M在基板W上成膜的成膜装置11的一例的剖视图。
成膜装置11包括:真空容器21,其维持为真空环境或氮气等非活性气体环境;基板保持件24,其设置于真空容器21内,保持基板W;基板保持件驱动机构22,其设置于真空容器21内,用于在至少X方向、Y方向以及θZ方向上驱动基板保持件24;掩模保持件23,其设置于真空容器21内,支承掩模M;掩模保持件驱动机构28,其用于在至少X方向、Y方向、θZ方向上驱动掩模保持件23;以及成膜源25,其设置于真空容器21内,收纳成膜材料,在成膜时使成膜材料颗粒化并放出。
成膜装置11能够还包括用于通过磁力将掩模M向基板W侧吸引的磁力施加部件26。磁力施加部件26也可以兼作用于抑制基板W的温度上升的冷却部件(例如,冷却板)。
成膜装置11的真空容器21包括:第1真空容器部211,其配置有基板保持件驱动机构22;以及第2真空容器部212,其配置有成膜源25,例如通过与第2真空容器部212连接的真空泵P将整个真空容器21的内部空间维持为高真空状态。在图2中,示出了真空泵与第2真空容器部212连接,但本发明并不限定于此,也可以将真空泵与第1真空容器部211连接。
另外,至少在第1真空容器部211与第2真空容器部212之间设置有可伸缩构件213。可伸缩构件213减少来自与第2真空容器部212连结的真空泵的振动、来自设置有成膜装置11的地面或地板的振动(地面振动)通过第2真空容器部212向第1真空容器部211传递。可伸缩构件213例如为波纹管,但只要能够在第1真空容器部211与第2真空容器部212之间降低振动的传递,也可以使用其他构件。
成膜装置11还包括支承真空容器21的至少一部分(例如,图2所示的第1真空容器部211)的真空容器支承体217。
真空容器支承体217不仅支承真空容器21,还作为直接或经由其他构成要素支承成膜装置的其他支承体(例如,基板保持件驱动机构支承体215或掩模保持件支承体216等)的基座支承体发挥功能。真空容器21也可以不直接由真空容器支承体217支承,而是由基板保持件驱动机构支承体215、掩模保持件支承体216支承。
基板保持件24是保持由输送室13的输送机器人14输送来的、作为被成膜体的基板W的部件,设置于后述的基板保持件驱动机构22的可动台的微动台板部222。
基板保持件24是基板夹紧部件或基板吸附部件。作为基板保持件24的基板吸附部件例如是具有在电介质/绝缘体(例如,陶瓷材质)基体内埋设置有金属电极等电路的构造的静电吸盘或粘附式吸附部件。
作为基板保持件24的静电吸盘可以是在电极与吸附面之间夹设电阻相对较高的电介质、利用电极与被吸附体之间的库仑力进行吸附的库仑力类型的静电吸盘,也可以是在电极与吸附面之间夹设电阻相对较低的电介质、利用在电介质的吸附面与被吸附体之间产生的约翰逊·拉别克力进行吸附的约翰逊·拉别克力类型的静电吸盘,还可以是利用不均匀电场吸附被吸附体的梯度力类型的静电吸盘。
在被吸附体为导体或半导体(硅晶圆)的情况下,优选使用库仑力类型的静电吸盘或约翰逊·拉别克力类型的静电吸盘,在被吸附体为玻璃这样的绝缘体的情况下,优选使用梯度力类型的静电吸盘。
静电吸盘可以由一个板形成,也可以形成为具有多个副板。另外,在由一个板形成的情况下,也可以在其内部具有多个电路,控制为在一个板内根据位置不同而静电引力不同。
基板保持件驱动机构22是用于通过磁悬浮线性马达驱动基板保持件24来调整基板W的位置的对准台机构,调整至少X方向、Y方向以及θZ方向上的基板保持件24的位置,优选X方向、Y方向、Z方向、θX方向、θY方向、θZ方向这6个方向上的基板保持件24的位置。
基板保持件驱动机构22包括作为固定台发挥功能的台基准板部221、作为可动台发挥功能的微动台板部222以及用于使微动台板部222相对于台基准板部221磁悬浮和移动的磁悬浮单元223。
如图2所示,基板保持件驱动机构22设置于从真空容器支承体217延伸的基板保持件驱动机构支承体215。也可以在基板保持件驱动机构支承体215与第1真空容器部211之间设置可伸缩构件213。由此,能够进一步减少外部振动经由基板保持件驱动机构支承体215向基板保持件驱动机构22传递。
这样,通过使用与基板W在物理上不接触的磁悬浮式的驱动机构作为基板保持件驱动机构22,能够抑制地面振动、来自真空泵(P)的振动、门阀的振动、来自输送机器人14的振动向基板W传递。但是,本发明并不限定于此,除了磁悬浮式的驱动机构之外,也可以使用空气轴承机构这样的其他非接触悬浮式驱动机构。
掩模保持件23是支承由输送机器人14送入到真空容器内的掩模M的部件。送入到真空容器内的掩模M至少在对准时和成膜时载置于掩模保持件23。掩模保持件23设置为经由掩模保持件支承体216与后述的掩模保持件驱动机构28连结。如图2所示,掩模保持件23和掩模保持件支承体216也可以构成从掩模保持件驱动机构28延伸的一个支承体。
在掩模保持件23能够设置用于检测支承于基板保持件24的基板W的位置的位置检测机构231。位置检测机构231只要能够检测基板W、基板保持件24或者微动台板部222的位置,其种类就没有特别限制。
例如,位置检测机构231可以是包括激光干涉仪和反射镜的激光干涉测长仪,也可以是静电电容传感器、非接触的位移计、光学式的刻度尺。
掩模M具有与形成在基板W上的薄膜图案对应的开口图案。掩模M的开口图案由不使成膜材料的颗粒通过的阻断图案定义。作为掩模的材料,使用因瓦合金材料、硅、铜、镍、不锈钢等金属材料。
例如,为了制造VR-HMD用的有机EL显示面板所使用的掩模M包括形成有与有机EL元件的发光层的RGB像素图案对应的微细的开口图案的金属制掩模即精细金属掩模(FineMetal Mask)和为了形成有机EL元件的通用层(空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等)所使用的开口掩模(Open Mask)。
掩模保持件驱动机构28是用于调整掩模保持件23的位置的驱动机构,包括能够使掩模保持件23在水平方向(XYθZ方向)上移动的粗动台机构28a和能够使粗动台机构28a在铅垂方向即Z方向上升降的粗动Z升降机构28b。粗动台机构28a能够移动以使形成于基板W和掩模M的对准标记进入到后述的对准相机的视野内,粗动Z升降机构28b能够容易地调整基板W与掩模M之间的铅垂方向上的间隔。
粗动台机构28a和粗动Z升降机构28b例如由伺服马达和滚珠丝杠(未图示)等机械地驱动。
掩模保持件驱动机构28经由振动传递抑制构件29设置于真空容器支承体217之上。
振动传递抑制构件29抑制掩模保持件驱动机构28与真空容器支承体217之间的振动的传递。更具体而言,振动传递抑制构件29能够抑制地面振动、从真空容器21传递的真空泵(P)的振动、真空容器21的门阀的振动、从输送基板和掩模的输送机器人14传递的振动经由掩模保持件驱动机构28向掩模保持件23传递。
另外,能够抑制基板保持件驱动机构22驱动时的反作用力经由基板保持件驱动机构支承体215、真空容器支承体217向掩模保持件23、设置于掩模保持件23上的位置检测机构231传递。由此,能够抑制在基板保持件驱动机构22的控制中的频率特性上可能成为控制的干扰的基板保持件驱动机构支承体215等的共振振动的激发,因此能够稳定地控制到更高频率,结果,能够提高对准精度。
振动传递抑制构件29也可以设置于真空容器支承体217与基板保持件驱动机构22之间。例如,振动传递抑制构件29可以设置于基板保持件驱动机构支承体215与真空容器支承体217之间,或者也可以设置于由多个支承构件构成的基板保持件驱动机构支承体215的支承构件之间(参照图4)。
振动传递抑制构件29也可以是主动除振装置、除振橡胶这样的被动除振装置。在将振动传递抑制构件29设为主动除振装置的情况下,无论振动的类型、大小、方向等如何都能够有效地抑制振动的传递。
成膜源25包括收纳要在基板W上成膜的成膜材料的坩埚(未图示)、用于加热坩埚的加热器(未图示)、在从成膜源25的蒸镀率变得恒定之前阻止成膜材料向基板飞散的挡板(未图示)等。在成膜源25设置有放出颗粒化的成膜材料的一个以上的放出孔,掩模M和基板W以使成膜面朝向放出孔的方式配置于该放出孔所指向的前方。
成膜源25根据用途而具有多种多样的结构,如点(point)成膜源、线状(linear)成膜源等。
成膜源25也可以包括收纳互不相同的成膜材料的多个坩埚。在这样的结构中,也可以将收纳不同的成膜材料的多个坩埚设置为能够移动到成膜位置,以便不使真空容器21大气开放就能够变更成膜材料。
磁力施加部件26是用于在成膜工序时通过磁力将掩模M向基板W侧吸引而使其紧贴的部件,设置为能够在铅垂方向上升降。例如,磁力施加部件26由电磁体和/或永磁体构成。
虽在图2中未图示,但成膜装置11也可以包括用于测定在基板上蒸镀的膜的厚度的膜厚监视器(未图示)和膜厚计算单元(未图示)。
在真空容器21的上部外侧(大气侧)设置有用于使磁力施加部件26升降的磁力施加部件升降机构261。
成膜装置11还包括设置于真空容器21的上部外侧(大气侧)并用于对形成于基板W和掩模M的对准标记进行拍摄的对准用相机单元27。
在本实施方式中,对准用相机单元27能够包括用于粗略地调整基板W与掩模M的相对位置的粗对准用相机和用于高精度地调整基板W与掩模M的相对位置的精对准用相机。粗对准用相机相对而言视角较宽,分辨率较低,景深较深,而精对准用相机相对而言视角较窄,但具有高分辨率,景深较浅。
粗对准用相机和精对准用相机设置于与形成于基板W和掩模M的对准标记对应的位置。例如,在基板W为圆形的晶圆的情况下,粗对准用相机的两个相机设置于矩形的对角上的两个角部,精对准用相机设置于剩余的两个角部。但是,本发明的对准用相机的配置并不限定于此,也可以根据基板W和掩模M的对准标记的位置而具有其他配置。
如图2所示,成膜装置11的对准用相机单元27从真空容器21的上部大气侧通过设置于真空容器21的观察口214对对准标记进行拍摄。
在图2中,对准用相机单元27设置于基板保持件驱动机构支承体217侧,但本发明并不限定于此,也可以设置于掩模保持件支承体215侧。
虽在图2中未图示,但由于在成膜工序中密闭的真空容器21的内部较暗,因此,为了通过对准用相机拍摄对准标记,也可以设置从下方照射对准标记的照明光源。
成膜装置11具备控制部(未图示)。控制部具有基板W/掩模M的输送和对准的控制、成膜的控制等功能。另外,控制部也可以具有控制对静电吸盘的电压施加的功能。控制部在控制对准时,特别是基于由位置检测机构231检测到的位置进行反馈控制。
控制部例如能够由具有处理器、内存、储存器、I/O等的计算机构成。在该情况下,控制部的功能通过处理器执行存储于内存或储存器的程序来实现。作为计算机,可以使用通用的个人计算机,也可以使用嵌入式计算机或PLC(Programmable Logic Controller)。或者,也可以由ASIC、FPGA这样的电路构成控制部的一部分或全部功能。另外,可以按每个成膜装置设置控制部,也可以构成为一个控制部控制多个成膜装置。
<振动传递抑制机构>
以下,参照图3~图5,详细说明本发明的实施方式的成膜装置11中的振动传递抑制机构。其中,在图3~图5中,为了更清楚地表示振动传递抑制机构,简化成膜装置11的一部分结构地进行图示。
<第1实施方式>
图3是表示第1实施方式的具备振动传递抑制机构的成膜装置311的示意图。
参照图3,成膜装置311包括内部例如维持为真空环境的真空容器321。真空容器321的至少一部分由设置于其外部的真空容器支承体317支承。
在真空容器321内设置有保持基板W的基板保持件(未图示)和支承掩模M的掩模保持件323。基板保持件是吸附并保持基板W的静电吸盘,但并不限定于此。掩模保持件323由从掩模保持件驱动机构328延伸的掩模保持件支承体316支承在真空容器321内。
基板保持件驱动机构322是用于驱动基板保持件的机构,由从真空容器支承体317延伸的基板保持件驱动机构支承体315支承在真空容器321内。根据本实施方式,基板保持件驱动机构322是用于通过磁悬浮线性马达使基板保持件非接触地移动来调整基板W的位置的磁悬浮式的驱动机构,能够调整至少X方向、Y方向以及θZ方向上的基板W的位置,优选X方向、Y方向、Z方向、θX方向、θY方向、θZ方向这6个方向上的基板W的位置。
掩模保持件驱动机构328是用于使掩模保持件323移动来调整掩模M的位置的机械式的驱动机构。掩模保持件驱动机构328能够调整至少X方向、Y方向、Z方向以及θZ方向上的掩模M的位置,优选X方向、Y方向、Z方向、θX方向、θY方向、θZ方向这6个方向上的掩模M的位置。掩模保持件驱动机构328设置于真空容器321的外部,由伺服马达、滚动线性导向件以及滚珠丝杠等构成。
这样的掩模保持件驱动机构328经由振动传递抑制构件329设置于真空容器支承体317上。也就是说,振动传递抑制构件329设置于掩模保持件驱动机构328与真空容器支承体317之间。也可以在基板保持件驱动机构支承体315与真空容器支承体317之间也设置振动传递抑制构件。也可以仅在基板保持件驱动机构支承体315与真空容器支承体317之间设置振动传递抑制构件。
本实施方式的成膜装置311能够还包括设置于掩模保持件323并用于检测由基板保持件保持的基板W的位置的位置检测机构331。例如,位置检测机构331能够选择激光干涉测长仪、静电电容传感器、非接触的位移计或者光学式的刻度尺。
本实施方式的成膜装置311能够还包括经由基板保持件驱动机构支承体315设置于真空容器321的上部外侧并用于对形成于基板W和掩模M的对准标记进行拍摄的对准用相机单元327。
根据本实施方式,基板保持件驱动机构322由不与基板W或基板保持件接触地调整基板W的位置的磁悬浮式的驱动机构构成。另外,调整掩模M的位置的机械式的驱动机构即掩模保持件驱动机构328经由振动传递抑制构件329设置于真空容器支承体317上。
根据这样的结构,能够抑制地面振动、从真空容器321传递的真空泵P的振动、门阀的振动、从输送基板W和掩模M的输送机器人14传递的振动向掩模保持件驱动机构328传递。
另外,即使作为磁悬浮式的驱动机构的基板保持件驱动机构322驱动时的反作用力经由基板保持件驱动机构支承体315向真空容器支承体317传递,也能够通过振动传递抑制构件329抑制向掩模保持件323、设置于掩模保持件323上的位置检测机构331传递。由此,能够抑制在基板保持件驱动机构322的控制中的频率特性上可能成为控制的干扰的基板保持件驱动机构支承体315、掩模保持件支承体316等的共振振动的激发,因此能够稳定地控制到更高频率,结果,能够提高对准精度。
<第2实施方式>
图4是表示第2实施方式的具备振动传递抑制机构的成膜装置411的示意图。
图4所示的成膜装置411中,基板保持件驱动机构422是设置于真空容器421的外部的机械式的驱动机构,掩模保持件驱动机构428是设置于真空容器421内的磁悬浮式的驱动机构。另外,振动传递抑制构件429设置于真空容器支承体417与基板保持件驱动机构422之间。以下,以与图3所示的成膜装置311的振动传递抑制机构之间的不同为中心,说明本实施方式的成膜装置411的振动传递抑制机构。
参照图4,成膜装置411包括内部例如维持为真空环境的真空容器421。真空容器421的至少一部分由设置于其外部的真空容器支承体417支承。
在真空容器421内设置有保持基板W的基板保持件424和保持掩模M的掩模保持件(未图示)。基板保持件424是吸附并保持基板W的静电吸盘或夹具机构。掩模保持件是吸附并保持掩模M的静电吸盘。
掩模保持件驱动机构428是用于使掩模保持件(未图示)移动来调整掩模M的位置的驱动机构,由从真空容器支承体417延伸的掩模保持件驱动机构支承体423支承于真空容器421内。由此,掩模保持件驱动机构支承体423通过支承掩模保持件驱动机构428而支承掩模M,也作为掩模保持件支承体发挥功能。
根据本实施方式,掩模保持件驱动机构428是用于通过磁悬浮线性马达使掩模保持件非接触地移动来调整掩模M的位置的磁悬浮式的驱动机构,能够调整至少X方向、Y方向以及θZ方向上的掩模M的位置,优选X方向、Y方向、Z方向、θX方向、θY方向、θZ方向这6个方向上的掩模M的位置。
基板保持件驱动机构422是用于使基板保持件424移动来调整基板W的位置的机械式的驱动机构,构成为能够调整至少X方向、Y方向、Z方向以及θZ方向上的基板W的位置,优选X方向、Y方向、Z方向、θX方向、θY方向、θZ方向这6个方向上的基板W的位置。基板保持件驱动机构422设置于真空容器421的外部,由伺服马达、滚动线性导向件以及滚珠丝杠等构成。
基板保持件驱动机构422由从真空容器支承体417延伸设置的基板保持件驱动机构支承体415支承。在本实施方式中,基板保持件驱动机构支承体415包括:第1支承构件415a,其配置于真空容器421的上部外侧,设置有基板保持件驱动机构422;以及第2支承构件415b,其从真空容器支承体417延伸,支承第1支承构件415a。为了抑制振动传递,真空容器421和第1支承构件415a也可以经由未图示的可伸缩构件连结。
而且,在本实施方式的成膜装置411中,在真空容器支承体417与基板保持件驱动机构422之间,特别是在第1支承构件415a与第2支承构件415b之间设置有用于抑制向基板保持件驱动机构422侧的振动传递的振动传递抑制构件429。越是在真空容器支承体417与基板保持件驱动机构422之间靠近基板保持件驱动机构422地设置振动传递抑制构件429,越能够更有效地抑制向基板保持件驱动机构422传递的振动。但是,本发明并不限定于此,也可以在其他位置设置振动传递抑制构件429。例如,可以在第2支承构件415b与真空容器支承体417之间设置振动传递抑制构件,也可以在第1支承构件415a与第2支承构件415b之间以及第2支承构件415b与真空容器支承体417之间全都设置振动传递抑制构件。
本实施方式的成膜装置411能够还包括设置于基板保持件424并用于测定由掩模保持件保持的掩模M的位置的位置检测机构431。例如,位置检测机构431能够选择激光干涉测长仪、静电电容传感器、非接触的位移计或者光学式的刻度尺。
虽然在图4中未示出,但在本实施方式的成膜装置411中,能够将用于拍摄形成于基板W和掩模M的对准标记的对准用相机单元设置于真空容器421的上部外侧。作为一例,对准用相机单元也可以设置于掩模保持件驱动机构支承体423侧。对准用相机单元也可以设置于基板保持件驱动机构支承体415(例如,第1支承构件415a)。
根据本实施方式,在调整基板W的位置的机械式的驱动机构即基板保持件驱动机构422与真空容器支承体417之间设置有振动传递抑制构件429。另外,掩模保持件驱动机构428由不与掩模M或掩模保持件接触地调整掩模M的位置的磁悬浮式的驱动机构构成。
由此,能够抑制地面振动、从真空容器421传递的真空泵的振动、门阀的振动、从输送基板W和掩模M的输送机器人14传递的振动向基板保持件驱动机构422传递。
另外,即使作为磁悬浮式的驱动机构的掩模保持件驱动机构428驱动时的反作用力经由掩模保持件驱动机构支承体423向真空容器支承体417传递,也能够通过振动传递抑制构件429抑制振动向基板保持件424、设置于基板保持件424的位置检测机构431传递。由此,能够抑制在掩模保持件驱动机构428的控制中的频率特性上可能成为控制的干扰的基板保持件驱动机构支承体415、掩模保持件驱动机构支承体423等的共振振动的激发,因此能够稳定地控制到更高频率,结果,能够提高对准精度。
<第3实施方式>
图5是表示第3实施方式的具备振动传递抑制机构的成膜装置511的示意图。
参照图5,成膜装置511包括:真空容器521,其内部例如维持为真空环境;以及基座支承体517,其设置于成膜装置511的外部,支承成膜装置511的主要构成要素。
真空容器521支承于从基座支承体517延伸的基板保持件驱动机构支承体515。但是,本发明并不限定于此,例如,真空容器521也可以支承于掩模保持件支承体516来代替支承于基板保持件驱动机构支承体515。
一般而言,作为真空容器521的特征,在内部为大气压环境的状态和真空环境的状态下,有时由于气压差而使形状发生较大变化。所以,在真空容器521与基板保持件驱动机构支承体515的连接上,优选使用未图示的运动联接件、未图示的真空波纹管等,以避免真空容器521的变形向基板保持件驱动机构支承体515传递。
另外,如图5所示,为了避免真空容器521的变形传递到掩模保持件支承体516,能够在真空容器521与掩模保持件支承体516之间也设置可伸缩构件513。
在真空容器521内设置有保持基板W的基板保持件(未图示)和支承掩模M的掩模保持件523。基板保持件是吸附并保持基板W的静电吸盘,但并不限定于此。掩模保持件523由从掩模保持件驱动机构528延伸的掩模保持件支承体516支承于真空容器521内。
基板保持件驱动机构522是用于驱动基板保持件的机构,由从基座支承体517延伸的基板保持件驱动机构支承体515支承于真空容器521内。根据本实施方式,基板保持件驱动机构522是用于通过磁悬浮线性马达使基板保持件非接触地移动来调整基板W的位置的磁悬浮式的驱动机构,能够调整至少X方向、Y方向以及θZ方向上的基板W的位置,优选X方向、Y方向、Z方向、θX方向、θY方向、θZ方向这6个方向上的基板W的位置。
掩模保持件驱动机构528是用于使掩模保持件523移动来调整掩模M的位置的机械式的驱动机构。掩模保持件驱动机构528能够调整至少X方向、Y方向、Z方向以及θZ方向上的掩模M的位置,优选X方向、Y方向、Z方向、θX方向、θY方向、θZ方向这6个方向上的掩模M的位置。掩模保持件驱动机构528设置于真空容器521的外部,由伺服马达、滚动线性导向件以及滚珠丝杠等构成。
这样的掩模保持件驱动机构528经由振动传递抑制构件529设置于基座支承体517上。也就是说,振动传递抑制构件529设置于掩模保持件驱动机构528与基座支承体517之间。
本实施方式的成膜装置511能够还包括设置于掩模保持件523并用于测定由基板保持件保持的基板W的位置的位置检测机构531。例如,位置检测机构531能够选择激光干涉测长仪、静电电容传感器、非接触的位移计或者光学式的刻度尺。
本实施方式的成膜装置511能够还包括经由掩模保持件支承体516设置于真空容器521的上部外侧并用于拍摄形成于基板W和掩模M的对准标记的对准用相机单元527。即,对准用相机单元527设置于在振动传递抑制构件529上设置的掩模保持件支承体516。在振动传递抑制构件529设置于基板保持件驱动机构522与基座支承体517之间的实施方式中,对准用相机单元527也可以设置于基板保持件驱动机构支承体515。
根据本实施方式,如在第1实施方式、第2实施方式中详细地说明的那样,通过在掩模保持件驱动机构528或基板保持件驱动机构522与基座支承体517之间设置振动传递抑制构件529,能够抑制地面振动、从真空泵、门阀、输送基板W和掩模M的输送机器人14传递的振动向掩模保持件驱动机构528和/或基板保持件驱动机构522传递。
另外,即使作为磁悬浮式的驱动机构的基板保持件驱动机构522驱动时的反作用力经由基板保持件驱动机构支承体515向基座支承体517传递,也能够通过振动传递抑制构件529抑制向掩模保持件523、设置于掩模保持件523上的位置检测机构531传递。由此,能够抑制在基板保持件驱动机构522的控制中的频率特性上可能成为控制的干扰的基板保持件驱动机构支承体515、掩模保持件支承体516等的共振振动的激发,因此能够稳定地控制到更高频率,结果,能够提高对准精度。
另外,在掩模保持件驱动机构528、基板保持件驱动机构522与基座支承体517之间设置振动传递抑制构件529的情况下,由于振动传递抑制构件529的机构特性,载置于振动传递抑制构件529上的基板W或者掩模M的静止位置有时会发生变动。因此,基板W或者掩模M有可能脱离对准用相机单元527、特别是景深较浅的精对准用相机的景深而使画质变差,结果,导致对准精度的降低。
根据本实施方式,为了能够抑制因振动传递抑制构件529的设置而导致的对准精度的降低,对准用相机单元527设置于掩模保持件支承体516或基板保持件驱动机构支承体515中的、在与基座支承体517之间夹设有振动传递抑制构件529的支承体侧。根据这样的结构,即使在对准用相机单元527使用景深较浅的高分辨率的镜头的情况下,也不会受到振动传递抑制构件529的静止稳定性的影响,能够拍摄高画质的图像,测定基板W与掩模M的相对位置,能够抑制对准精度的降低。

Claims (9)

1.一种成膜装置,其特征在于,所述成膜装置具备:
容器;
基座支承体,其设置于所述容器的外部;
基板保持件,其设置于所述容器内,保持基板;
掩模保持件,其设置于所述容器内,支承掩模;
基板保持件驱动机构,其是磁悬浮式的驱动机构,驱动所述基板保持件;
掩模保持件驱动机构,其是机械式的驱动机构,驱动所述掩模保持件;
基板保持件驱动机构支承体,其与所述基座支承体连接,支承所述基板保持件驱动机构;
掩模保持件支承体,其与所述基座支承体连接,支承所述掩模保持件;
振动传递抑制构件,其设置于所述基座支承体与所述掩模保持件驱动机构之间;以及
对准用相机单元,其设置于所述容器的外部且设置于所述掩模保持件支承体,用于测定保持于所述基板保持件的基板与支承于所述掩模保持件的掩模的相对位置偏移量。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述基板保持件驱动机构设置于所述容器的内部,
所述掩模保持件驱动机构设置于所述容器的外部。
3.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述容器支承于所述基板保持件驱动机构支承体。
4.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述成膜装置还包括位置检测机构,所述位置检测机构设置于所述掩模保持件,用于检测保持于所述基板保持件的基板的位置。
5.一种成膜装置,其特征在于,所述成膜装置具备:
容器;
基座支承体,其设置于所述容器的外部;
基板保持件,其设置于所述容器内,保持基板;
掩模保持件,其设置于所述容器内,支承掩模;
基板保持件驱动机构,其是机械式的驱动机构,驱动所述基板保持件;
掩模保持件驱动机构,其是磁悬浮式的驱动机构,驱动所述掩模保持件;
基板保持件驱动机构支承体,其与所述基座支承体连接,支承所述基板保持件驱动机构;
掩模保持件支承体,其与所述基座支承体连接,支承所述掩模保持件;
振动传递抑制构件,其设置于所述基座支承体与所述基板保持件驱动机构之间;以及
对准用相机单元,其设置于所述容器的外部且设置于所述基板保持件驱动机构支承体,用于测定保持于所述基板保持件的基板与支承于所述掩模保持件的掩模的相对位置偏移量。
6.根据权利要求5所述的成膜装置,其特征在于,
所述基板保持件驱动机构设置于所述容器的外部,
所述掩模保持件驱动机构设置于所述容器的内部。
7.根据权利要求5所述的成膜装置,其特征在于,
所述成膜装置还包括位置检测机构,所述位置检测机构设置于所述基板保持件,用于检测保持于所述掩模保持件的掩模的位置。
8.根据权利要求5所述的成膜装置,其特征在于,
所述基板保持件驱动机构支承体包括:
第1支承构件,其设置有所述基板保持件驱动机构;以及
第2支承构件,其构成为与所述基座支承体连接并支承所述第1支承构件,
所述振动传递抑制构件设置于所述第1支承构件与所述第2支承构件之间。
9.根据权利要求5~8中任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述容器支承于所述掩模保持件支承体或所述基座支承体。
CN202011292113.5A 2019-11-20 2020-11-18 成膜装置 Active CN112824554B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190149713A KR20210061774A (ko) 2019-11-20 2019-11-20 성막장치
KR10-2019-0149713 2019-11-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112824554A CN112824554A (zh) 2021-05-21
CN112824554B true CN112824554B (zh) 2023-03-31

Family

ID=75906488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011292113.5A Active CN112824554B (zh) 2019-11-20 2020-11-18 成膜装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7051969B2 (zh)
KR (1) KR20210061774A (zh)
CN (1) CN112824554B (zh)
TW (1) TWI757930B (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4494832B2 (ja) * 2004-03-11 2010-06-30 株式会社アルバック アライメント装置及び成膜装置
JP2005308145A (ja) 2004-04-23 2005-11-04 Nikon Corp 防振装置及び露光装置
KR101060652B1 (ko) * 2008-04-14 2011-08-31 엘아이지에이디피 주식회사 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착 방법
JP5783811B2 (ja) 2010-07-06 2015-09-24 キヤノン株式会社 成膜装置
KR20150101906A (ko) * 2014-02-27 2015-09-04 (주)브이앤아이솔루션 얼라이너 구조 및 얼라인 방법
CN106939408B (zh) * 2017-05-08 2019-09-13 武汉华星光电技术有限公司 一种蒸镀装置
JP6662841B2 (ja) * 2017-12-21 2020-03-11 株式会社アルバック 蒸着装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202123771A (zh) 2021-06-16
CN112824554A (zh) 2021-05-21
TWI757930B (zh) 2022-03-11
JP7051969B2 (ja) 2022-04-11
KR20210061774A (ko) 2021-05-28
JP2021080561A (ja) 2021-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112824553B (zh) 对准装置、对准方法、成膜装置及成膜方法
TWI764206B (zh) 對準機構、對準方法、成膜裝置及成膜方法
CN111434798B (zh) 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法
CN112813381B (zh) 成膜装置
CN112680696B (zh) 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法
CN111434796A (zh) 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造装置和制造方法
CN111434795A (zh) 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造装置和制造方法
CN112824554B (zh) 成膜装置
CN111434797B (zh) 成膜装置以及电子器件的制造装置
KR102391472B1 (ko) 성막장치 및 전자 디바이스 제조장치
CN114807841B (zh) 对准装置、成膜装置以及调整方法
JP7449215B2 (ja) アライメント装置、アライメント方法、成膜装置及び成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant