JP6662841B2 - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6662841B2 JP6662841B2 JP2017244653A JP2017244653A JP6662841B2 JP 6662841 B2 JP6662841 B2 JP 6662841B2 JP 2017244653 A JP2017244653 A JP 2017244653A JP 2017244653 A JP2017244653 A JP 2017244653A JP 6662841 B2 JP6662841 B2 JP 6662841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vapor deposition
- image
- camera
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 404
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 53
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 53
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 36
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 30
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 28
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 26
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F15/00—Suppression of vibrations in systems; Means or arrangements for avoiding or reducing out-of-balance forces, e.g. due to motion
- F16F15/02—Suppression of vibrations of non-rotating, e.g. reciprocating systems; Suppression of vibrations of rotating systems by use of members not moving with the rotating systems
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/70—Determining position or orientation of objects or cameras
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、基板とマスクとの相対位置の精度を向上可能とした蒸着装置を提供することを目的とする。
蒸着装置は、前段モジュールの一例であるEFEMと蒸着チャンバーとを備える。以下の例では、EFEMは、表面位置の特定処理、および、裏面位置の特定処理に用いられる。蒸着チャンバーは、別の裏面位置の特定処理に用いられる。
図2が示すように、検出機構31は、ステージ32、複数のマークカメラ33、および、複数のロードカメラ34を備える。以下では、3台のマークカメラ33、および、3台のロードカメラ34を備える例を説明する。
図4、および、図5を参照して、蒸着チャンバー50の構成を説明する。なお、図4、および、図5では、説明の便宜上、構成要素間の機械的な結合を破線で示す。
図7が示すように、画像は、基板Wの像IMWと、基板Wの背景像IMBとを含む。基板Wの像IMWのなかで、相対的に明度の高い部分が、平坦部Wp1の像IM1、すなわち、第1像である。これに対して、基板Wの像のなかで、相対的に明度の低い部分が、ベベル部Wp2の像IM2、すなわち、第2像である。基板Wの背景像における明度は、第1像の明度よりも低く、かつ、第2像の明度よりも高い。
図8を参照して、制御装置100が行う校正処理、表面位置の特定処理、裏面位置の特定処理、および、位置合わせ処理を説明する。
[校正処理:EEFM30]
画像処理部110は、校正処理において、各マークカメラ33が校正基板の表面を撮影した画像(表面画像)に対して画像解析を行う。すなわち、画像処理部110は、基板マークWmを検出するためのエッジ検出などを表面画像に施し、マークカメラ33のカメラ座標系において、光軸3Aに対する基板マークWmの相対位置を算出する。なお、画像処理部110は、カメラ座標系における光軸3Aの位置を、例えば、表面画像の中心とする。
画像処理部110は、校正処理において、校正基板の裏面画像に対する画像解析を行う。すなわち、画像処理部110は、エッジ検出などを各裏面画像に施し、蒸着カメラ52のカメラ座標系において、光軸5Aに対する基板マークWmの相対位置を算出する。なお、画像処理部110は、カメラ座標系における光軸5Aの位置を、例えば、裏面画像の中心とする。次いで、画像処理部110は、蒸着カメラ52のカメラ座標系での基板マークWmの位置、および、その基板マークWmの相対座標を用い、基板マークWmの相対位置が定められる相対座標系において、蒸着カメラ52の光軸位置を算出する。すなわち、画像処理部110は、3つの蒸着カメラ52の光軸5A間における相対位置を算出する。画像処理部110は、カメラ間の相対位置の一例として、各蒸着カメラ52の光軸位置を記憶する。画像処理部110は、校正処理を行う都度、各蒸着カメラ52の光軸位置を更新する。
画像処理部110は、表面位置の特定処理において、各マークカメラ33が処理基板の表面を撮影した画像(表面画像)を用い、パターン中心の位置を算出する。すなわち、画像処理部110は、エッジ検出などを各表面画像に施し、マークカメラ33のカメラ座標系において、基板マークWmの位置を算出する。次いで、画像処理部110は、各マークカメラ33の光軸位置と、カメラ座標系での基板マークWmの位置とから、基板マークWm間の相対位置を算出する。そして、画像処理部110は、パターン中心を中心とする仮想円が、各基板マークWmの相対位置を通るように、基板マークWmの相対位置が定められる相対座標系において、パターン中心の位置を算出する。
制御装置100は、EFEM30での裏面位置の特定処理において、ステージに載置された処理基板の裏面WRに光を照射する。そして、制御装置100は、平坦部Wp1で反射した光による像IM1と、ベベル部Wp2で反射した光による像IM2とを含む画像をロードカメラ34に撮影させる。次いで、制御装置100は、ロードカメラ34が撮影した画像をEFEM30から取得する。
制御装置100は、蒸着チャンバー50での裏面位置の特定処理において、基板ホルダー53に載置された処理基板の裏面WRに光を照射する。そして、制御装置100は、平坦部Wp1で反射した光による像IM1と、ベベル部Wp2で反射した光による像IM2とを含む画像を蒸着カメラ52に撮影させる。次いで、制御装置100は、蒸着カメラ52が撮影した画像を蒸着チャンバー50から取得する。
図8が示すように、制御装置100は、例えば、1枚目の処理基板について、EFEM30での撮影によるパターン中心と第1基板中心とを用い、パターン中心と第1基板中心とのずれ量(Δx,Δy,Δθ)を算出する。
(1)真空槽50Bで生じた振動が基板Wと蒸着マスクMとに伝達することを抑えることが可能である。それゆえに、基板Wと蒸着マスクMとの相対位置、および、これらと蒸着カメラ52との相対位置に、上記振動の伝達によるずれが生じることを抑えることが可能である。
・画像処理部110は、抽出された平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の位置のみから基板Wの位置を検出する。これを変更して、画像処理部110は、抽出された平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の位置と、基板Wの位置を検出するための他の情報とを用い、基板Wの位置を検出することも可能である。基板Wの位置を検出するための他の情報は、基板Wが備えるノッチなどの特徴点の位置や、基板Wの回転角度などである。
例えば、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の形状は、微視的には、ベベル部Wp2の加工ごと、すなわち、基板Wごとに異なり、各基板Wにおいて固有の形状である場合がある。外周部のなかの1箇所の境界から基板Wの位置を検出する構成では、まず、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の形状を、基板Wの全体にわたり、全周形状として予め収集する。そして、抽出された平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の形状が、全周形状のなかのどの部位であるかを検出することによって、基板Wの位置を検出する。
Claims (5)
- 蒸着源を収容した蒸着チャンバー内で非透過性の基板における表面を前記蒸着源に向けた状態で前記基板を保持すると共に、前記蒸着源と前記基板との間で蒸着マスクを保持する保持機構と、
前記基板に対する前記蒸着マスクの側とは反対側から前記蒸着チャンバー内における前記基板と前記蒸着マスクとを撮影する撮影部と、
前記保持機構および前記撮影部を搭載した上部構造体と、
前記上部構造体を支持する下部構造体と、前記上部構造体とに挟まれて前記上部構造体と前記下部構造体とを接続する接続部とを備え、
前記接続部が、前記下部構造体での振動の伝達を前記上部構造体に対して抑える防振機能を備え、
前記撮影部は、前記基板の平坦部で反射された光による第1像と、前記平坦部につながるベベル部で反射された光による第2像とを撮影し、
前記第1像と前記第2像とのコントラストに基づく前記平坦部と前記ベベル部との境界を前記基板の外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部を用いて前記基板の位置を検出する画像処理部をさらに備え、
前記基板は、基板マークを含む前記表面と、前記表面とは反対側の裏面とを含み、
前記蒸着チャンバーの前段で前記基板を収容する前段モジュールと、
前記前段モジュールから搬入される前記基板の表裏を反転させて前記蒸着チャンバーに前記基板を搬入する反転チャンバーと、をさらに備え、
前記前段モジュールは、裏面撮影部と表面撮影部とを備え、
前記裏面撮影部は、前記裏面と対向して、前記基板の平坦部で反射された光による第1像と、前記平坦部につながるベベル部で反射された光による第2像とを撮影し、
前記表面撮影部は、前記表面と対向して、前記基板マークを撮影し、
前記画像処理部は、前記裏面撮影部が撮影した前記第1像と前記第2像とのコントラストに基づく前記平坦部と前記ベベル部との境界を前記基板の外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部を用いて前記基板の位置である裏面位置を特定し、かつ、前記表面撮影部の撮影した前記基板マークの位置から前記基板の位置である表面位置を特定し、前記撮影部による撮影の結果から検出された前記基板の位置を、前記表面位置と前記裏面位置とのずれ量で補正する
蒸着装置。 - 前記下部構造体は、前記蒸着チャンバーが備える真空槽である
請求項1に記載の蒸着装置。 - 前記保持機構は、前記基板と前記蒸着マスクとを前記基板の周方向に回転させる回転機構と、前記基板と前記蒸着マスクとを別々に昇降させる昇降機構と、を備える
請求項1または2に記載の蒸着装置。 - 複数の前記接続部を備え、
各接続部は、前記基板の周方向に分散されている
請求項1から3のいずれか一項に記載の蒸着装置。 - 前記基板は、処理基板であり、
光透過性の基板である校正基板の表面が複数の校正マークを備え、
前記表面撮影部は、各校正マークに対応するカメラで前記校正基板の表面を撮影し、
前記裏面撮影部は、各校正マークに対応するカメラで前記校正基板の裏面を撮影し、
前記画像処理部は、
前記表面撮影部の各カメラが前記校正マークを撮影した結果から、前記表面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記表面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、前記表面位置を算出し、かつ、
前記裏面撮影部の各カメラが前記校正マークの透過画像を撮影した結果から、前記裏面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、前記裏面位置を算出する
請求項4に記載の蒸着装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017244653A JP6662841B2 (ja) | 2017-12-21 | 2017-12-21 | 蒸着装置 |
KR1020180162766A KR102353944B1 (ko) | 2017-12-21 | 2018-12-17 | 증착 장치 |
TW107145564A TWI730275B (zh) | 2017-12-21 | 2018-12-18 | 蒸鍍裝置 |
CN201811553630.6A CN110004406B (zh) | 2017-12-21 | 2018-12-18 | 蒸镀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017244653A JP6662841B2 (ja) | 2017-12-21 | 2017-12-21 | 蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019112655A JP2019112655A (ja) | 2019-07-11 |
JP6662841B2 true JP6662841B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=67165164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017244653A Active JP6662841B2 (ja) | 2017-12-21 | 2017-12-21 | 蒸着装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6662841B2 (ja) |
KR (1) | KR102353944B1 (ja) |
CN (1) | CN110004406B (ja) |
TW (1) | TWI730275B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7118864B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2022-08-16 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム |
KR20210061774A (ko) * | 2019-11-20 | 2021-05-28 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치 |
KR20210078337A (ko) * | 2019-12-18 | 2021-06-28 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 시스템, 성막장치, 얼라인먼트 방법, 성막방법, 전자 디바이스의 제조방법 및 컴퓨터 프로그램 기록매체 |
JP2022032234A (ja) * | 2020-08-11 | 2022-02-25 | キヤノントッキ株式会社 | 回転成膜装置および電子デバイスの製造方法 |
JP2023180361A (ja) * | 2022-06-09 | 2023-12-21 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント装置、成膜装置、及びアライメント方法 |
KR20240120234A (ko) * | 2023-01-31 | 2024-08-07 | 주식회사 선익시스템 | 갭센서가 구비된 기판 증착 장치 및 그 제어방법 |
KR20240123991A (ko) * | 2023-02-08 | 2024-08-16 | 주식회사 선익시스템 | 카메라 측정 정밀도를 개선하는 증착 장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3789857B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2006-06-28 | トッキ株式会社 | 蒸着装置 |
JP4022627B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2007-12-19 | 株式会社昭和真空 | 給電機構を搭載する真空装置および給電方法 |
JP2006216425A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Tohoku Pioneer Corp | 表示パネルの製造方法 |
JP2008300056A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Shinko Electric Co Ltd | マスクアライメント装置 |
JP5783811B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2015-09-24 | キヤノン株式会社 | 成膜装置 |
JP5639431B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-12-10 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
CN103154303B (zh) * | 2010-10-20 | 2016-01-06 | 株式会社爱发科 | 有机膜形成装置以及有机膜形成方法 |
JP2012092397A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Canon Inc | アライメント方法、アライメント装置、有機el表示装置の製造方法及び製造装置 |
KR101288683B1 (ko) | 2011-06-28 | 2013-07-22 | 인하대학교 산학협력단 | 갱폼 인양용 가이드레일 장치 |
JP2014055342A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置 |
JP6086731B2 (ja) * | 2013-01-09 | 2017-03-01 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置 |
JP6250999B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-12-20 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント方法並びにアライメント装置 |
JP2017171946A (ja) * | 2015-03-13 | 2017-09-28 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置 |
JP6672054B2 (ja) * | 2016-04-19 | 2020-03-25 | アルバック・クライオ株式会社 | クライオポンプ、真空処理装置 |
-
2017
- 2017-12-21 JP JP2017244653A patent/JP6662841B2/ja active Active
-
2018
- 2018-12-17 KR KR1020180162766A patent/KR102353944B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-18 CN CN201811553630.6A patent/CN110004406B/zh active Active
- 2018-12-18 TW TW107145564A patent/TWI730275B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI730275B (zh) | 2021-06-11 |
KR20190075811A (ko) | 2019-07-01 |
TW201929138A (zh) | 2019-07-16 |
KR102353944B1 (ko) | 2022-01-20 |
CN110004406A (zh) | 2019-07-12 |
CN110004406B (zh) | 2021-06-25 |
JP2019112655A (ja) | 2019-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6662841B2 (ja) | 蒸着装置 | |
JP6490771B1 (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、および、蒸着装置 | |
US11037810B2 (en) | Teaching method | |
JP5539154B2 (ja) | アライメント方法、アライメント装置、及び有機el素子製造装置 | |
JP7220060B2 (ja) | 基板検査システム、電子デバイスの製造装置、基板検査方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP4884345B2 (ja) | 画像処理装置 | |
JP2002516238A (ja) | 自動基板処理システム | |
JP2013149902A (ja) | ウエハ搬送装置 | |
KR102034481B1 (ko) | 전자 부품의 실장 방법 및 실장 장치 | |
KR102356735B1 (ko) | 증착 장치 | |
KR102508236B1 (ko) | 마크 검출 장치, 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 마크 검출 방법, 및, 성막 방법 | |
KR20210059549A (ko) | 성막장치 | |
KR102291656B1 (ko) | 위치검출장치 및 증착장치 | |
JP3959265B2 (ja) | プロキシミティ露光装置及びその装置におけるプロキシミティギャップ制御方法 | |
JP5859263B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP7438865B2 (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体 | |
CN112342519A (zh) | 成膜系统、成膜系统的异常部位判别方法及计算机可读取的存储介质 | |
WO2023210096A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
JPH09283403A (ja) | 露光装置 | |
US20240105487A1 (en) | Substrate transfer system and image correction method | |
KR102665607B1 (ko) | 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 장치, 및 성막 방법 | |
TW202411037A (zh) | 基板搬送機器人系統及基板搬送機器人 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6662841 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |