JP7118864B2 - 成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム - Google Patents
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Description
有機EL素子の製造は、減圧されたチャンバ内に基板を搬入し、基板とマスクを高精度に位置合わせ(アライメント)し、所定パターンの有機膜をマスク越しに基板上に成膜する方法で行われることが多い。
基板111と成膜用マスク113の位置合わせ精度が低下すると、有機膜のパターニング精度が低下し、所望の画質の有機EL素子を高い歩留まりで量産できない可能性がある。
この構成により、成膜装置内外の圧力差により天板が変形したとしても支持板は天板と離間しており、振動が熱エネルギーに変換されるようになり、変形や振動がアライメント機構の動作に及ぼす影響を軽減することができる。
(成膜装置の構成)
実施形態1の成膜装置の構成について、複数の図面を参照して説明する。成膜装置100に関し、図1は模式的な概観斜視図、図2は模式的な上面図、図3および図4は模式的な断面図である。尚、図3は、図1におけるYZ面と平行なC1面で装置を切った断面図、あるいは図2のC1-C1線に沿って装置を切った断面図である。また、図4は、図2のC2-C2線に沿って装置を切った断面図である。
マスク支持部14の軸と基板支持部12の軸は、各々不図示の金属ベローズを介して気密性が確保された状態で上下動が可能に大気側に連通している。
また、蒸着源装置16は、各蒸着ステージにおいて、Y軸スライド機構により基板11に沿ってY方向に往復走査が可能で、基板11上に均一性の高い膜を成膜することができる。
次に、実施形態1の成膜装置の特徴的部分として、アライメント駆動部15を支持している支持構造について説明する。図5は、支持構造を抽出して示した模式的な平面図である。
本実施形態によれば、成膜装置の重量増を抑制しながら、成膜室の変形や成膜室の内外からの振動によるアライメント機構への影響を抑制することができる。
実施形態2の成膜装置について説明するが、本実施形態は、アライメント駆動部の支持構造の一部が実施形態1と異なる。実施形態1と共通する部分については、説明を省略する。
図7は、実施形態2の成膜装置の模式的な断面図であり、実施形態1の説明における図3と同様に、図1におけるYZ面と平行なC1面で装置を切った断面図、あるいは図2のC1-C1線に沿って装置を切った断面図である。
梯子形の枠体を構成する梁25及び梁23を、図5のC3-C3線及びC4-C4線で切った断面形状を、図6(c)及び図6(d)に示す。本実施形態では、梁25及び梁23には、断面形状がH字形のH型鋼を用いている。また、梁24にも、同様のH型鋼を用いている。
本実施形態においても、成膜装置の重量増を抑制しながら、成膜室の変形や成膜室の内外からの振動によるアライメント機構への影響を抑制することができる。
次に、本発明を実施した製造システムについて説明する。図8は、本発明を実施した製造システムの模式的な構成図で、有機ELパネルを製造する製造システム300を例示している。
本実施形態によれば、成膜室の変形が生じたり、成膜室の内外で振動が生じたとしても、アライメント機構の動作が影響を受けにくく、しかも軽量な成膜装置を備えた成膜システムを提供することができる。
尚、本発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
例えば、枠体を構成する複数の梁は、どの梁も同じ断面形状を有しなければならないわけではない。実施形態1では断面がI字形の梁を用い、実施形態2では断面がH字形の梁を用いたが、一つの枠をI字形とH字形の梁を組み合わせて構成してもよい。また、断面係数の大きな部材であれば、断面形状はI字形やH字形には限らない。
Claims (10)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバの外に配置され、前記真空チャンバの中に配置されたマスクと基板の相対位置を調整するアライメント駆動部と、
前記真空チャンバの側壁の上に配置された脚部を介して前記真空チャンバの上に固定された枠体と、を備え、
前記枠体は、前記真空チャンバの側壁と平行な複数の梁を有し、
前記複数の梁に固定されて前記真空チャンバの天板から間隔をおいて支持された支持板に、前記アライメント駆動部は固定されている、
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記枠体は、前記真空チャンバの側壁と平行な複数の梁が接続された梯子形の枠体である、
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記枠体が有する複数の梁は、長手方向と直交する方向で切った断面がH字形もしくはI字形の梁である、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。 - 前記アライメント駆動部と前記支持板と前記枠体よりなる組が、前記真空チャンバの上に2組配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記アライメント駆動部は、前記マスクを支持するマスク支持部と前記基板を支持する基板支持部の相対位置を調整する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記支持板には、前記マスクと前記基板のアライメントマークを撮像するためのアライメントカメラが固定されている、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記支持板には、前記アライメントカメラが前記マスクと前記基板のアライメントマークを撮像するための窓が設けられている、
ことを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。 - 請求項1乃至7の中のいずれか1項に記載の成膜装置を複数台備える、
ことを特徴とする製造システム。 - 請求項1乃至7の中のいずれか1項に記載の成膜装置を複数台備え、少なくとも一台の前記成膜装置は有機材料の蒸着源を備える、
ことを特徴とする有機ELパネルの製造システム。 - 請求項9に記載の有機ELパネルの製造システムを用いて有機ELパネルを製造する、
ことを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004176124A (ja) | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Ulvac Japan Ltd | アライメント装置、成膜装置及びアライメント方法 |
WO2007023553A1 (ja) | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Hitachi Zosen Corporation | 真空蒸着用アライメント装置 |
US20090258142A1 (en) | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Young Ung An | Organic deposition apparatus and method of depositing organic substance using the same |
JP2010248583A (ja) | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置及び成膜システム |
JP2011119657A (ja) | 2009-10-27 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2012033468A (ja) | 2010-07-06 | 2012-02-16 | Canon Inc | 成膜装置 |
JP2015218554A (ja) | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 積水ハウス株式会社 | 太陽電池モジュールの架台の支持脚の陸屋根への設置方法 |
JP2018003141A (ja) | 2016-07-08 | 2018-01-11 | キヤノントッキ株式会社 | 真空成膜装置 |
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Family Cites Families (3)
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---|---|---|---|---|
JP3067579B2 (ja) * | 1995-03-29 | 2000-07-17 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ装置 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004176124A (ja) | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Ulvac Japan Ltd | アライメント装置、成膜装置及びアライメント方法 |
WO2007023553A1 (ja) | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Hitachi Zosen Corporation | 真空蒸着用アライメント装置 |
US20090258142A1 (en) | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Young Ung An | Organic deposition apparatus and method of depositing organic substance using the same |
JP2010248583A (ja) | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置及び成膜システム |
JP2011119657A (ja) | 2009-10-27 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2012033468A (ja) | 2010-07-06 | 2012-02-16 | Canon Inc | 成膜装置 |
JP2015218554A (ja) | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 積水ハウス株式会社 | 太陽電池モジュールの架台の支持脚の陸屋根への設置方法 |
JP2018003141A (ja) | 2016-07-08 | 2018-01-11 | キヤノントッキ株式会社 | 真空成膜装置 |
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