CN114807841B - 对准装置、成膜装置以及调整方法 - Google Patents
对准装置、成膜装置以及调整方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114807841B CN114807841B CN202210076764.3A CN202210076764A CN114807841B CN 114807841 B CN114807841 B CN 114807841B CN 202210076764 A CN202210076764 A CN 202210076764A CN 114807841 B CN114807841 B CN 114807841B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- height
- alignment
- position information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 498
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 34
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 151
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供通过校正基板与掩模的对准时的位置偏移来提高对准精度的对准装置、成膜装置以及调整方法。该对准装置具备:对准部件,在沿着基板的被成膜面的平面中,进行基板与掩模的相对位置调整;移动部件,在与平面交叉的交叉方向上,使基板相对于掩模的相对的高度变化;以及测定部件,获取平面中的基板的位置信息,在基板位于基板整体与掩模分离的第一高度的状态下,测定部件进行测定而获取第一位置信息,在基板位于与第一高度不同且基板的至少一部分与掩模分离的第二高度的状态下,测定部件进行测定而获取第二位置信息。
Description
技术领域
本发明涉及对准装置、成膜装置以及调整方法。
背景技术
具备有机EL显示器、液晶显示器等面板显示器的显示装置被广泛应用。其中,具备有机EL显示器的有机EL显示装置的响应速度、视场角、薄型化等特性优异,适合于监视器、电视机、智能手机等。
在专利文献1所记载的面板显示器的制造工序中,在将基板和掩模搬入成膜装置内并由支承部件支承之后,在使基板与掩模的面平行的状态下进行基板与掩模的平面内的对准(位置对合)。在对准时,从照相机隔着基板拍摄掩模而得到的图像中检测分别设置于基板以及掩模的对准标记,基于基板与掩模的对准标记彼此的位置关系,基板或者掩模在平面内进行XY移动以及θ旋转。
在平面内进行了对准之后,基板的支承部件或者掩模的支承部件在与基板以及掩模的面垂直的方向上进行Z移动,从而基板与掩模的相对距离逐渐接近。并且,当基板与掩模贴紧时,隔着掩模使成膜材料在基板上成膜。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-105629号公报
在面板显示器的制造工序中,有时在成膜装置内发生基板与掩模的位置偏移,使对准精度降低。在专利文献1中,列举了在对准完成后使基板与掩模贴紧时产生的、机械/物理动作引起的位置偏移。在专利文献1中,为了校正该位置偏移,通过贴紧后的照相机拍摄来拍摄基板和掩模的对准标记,基于它们的位置偏移量计算并存储偏离量。并且,通过将所存储的偏离量反映在对准工序中,从而抑制了因位置偏移而导致的对准精度的降低。
在专利文献1中,如上所述,基于基板与掩模贴紧后的对准标记的位置偏移量来计算偏离量。但是,对于基板与掩模贴紧时的位置偏移的产生的因素的研究不充分,要求进一步提高对准精度。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提高基板与掩模的对准精度。
用于解决课题的方案
本发明采用以下的结构。即,
一种对准装置,该对准装置具备:
对准部件,在沿着基板的被成膜面的平面中,进行所述基板与掩模的相对位置调整;
移动部件,在与所述平面交叉的交叉方向上,使所述基板相对于所述掩模的相对的高度变化;以及
测定部件,获取所述平面中的所述基板的位置信息,
其特征在于,
在所述基板位于所述基板整体与所述掩模分离的第一高度的状态下,所述测定部件进行测定而获取第一位置信息,
在所述基板位于与所述第一高度不同且所述基板的至少一部分与所述掩模分离的第二高度的状态下,所述测定部件进行测定而获取第二位置信息。
发明的效果
根据本发明,能够提高对准精度。
附图说明
图1是包含成膜装置的电子器件的生产线的示意图。
图2是表示成膜装置的结构的剖视图。
图3是表示基板支承单元的结构的立体图。
图4是表示实施例1中的处理的流程的流程图。
图5是表示实施例1中的基板搬入时的情形的剖视图。
图6是表示实施例1中的偏离量计算的情形的剖视图。
图7是表示实施例1中的偏离量计算的情形的后续的剖视图。
图8是表示实施例1中的偏离量计算方法的一例的图。
图9是表示实施例1中的对准和成膜的情形的剖视图。
图10是表示实施例1中的对准和成膜的情形的后续的剖视图。
图11是表示实施例的基板载体的结构的示意图。
图12是实施例的有机EL面板的串联制造系统的示意性的结构图。
图13是实施例的对准机构的示意性的图。
图14是说明电子器件的制造方法的图。
附图标记的说明
10:基板、220:掩模、280:对准载置台、250:基板Z致动器、260:照相机。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的优选的实施方式进行说明。但是,以下的记载只是例示性地表示本发明的优选的结构,本发明的范围并不限定于这些结构。另外,以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别记载,就不意味着将本发明的范围限定于此。
在基板上形成期望的图案的膜时,使用具有适于膜的形状的掩模图案的掩模。通过使用多个掩模,能够任意地构成成膜的各层。为了在基板上的期望的位置形成膜,需要高精度地进行基板等与掩模的相对位置调整(对准)。
本发明能够理解为对基板和掩模进行对准的对准装置或对准方法。本发明还能够理解为使用该对准装置或对准方法的成膜装置或成膜方法。本发明还能够理解为该对准装置的调整方法。本发明还能够理解为使用了该成膜装置或成膜方法的电子器件的制造装置或电子器件的制造方法。本发明还能够理解为上述的各装置的控制方法。
本发明能够优选应用于在基板的表面隔着掩模形成期望的图案的薄膜材料层的情况。作为基板的材料,能够利用玻璃、树脂、金属、硅等任意的材料。作为成膜材料,能够利用有机材料、无机材料(金属、金属氧化物)等任意的材料。本发明的技术典型地应用于电子器件或光学构件的制造装置。特别适合有机EL显示器或使用其的有机EL显示装置、薄膜太阳能电池、有机CMOS图像传感器等有机电子器件。但是,本发明的应用对象不限于此。
[实施例1]
(电子器件的生产线)
图1是示意性地表示电子器件的生产线的结构的俯视图。这样的生产线可以说是包含成膜装置的成膜系统。在此,对有机EL显示器的生产线进行说明。在制造有机EL显示器的情况下,在生产线中搬入规定尺寸的基板,进行有机EL或金属层的成膜后,实施基板的切割等后处理工序。
另外,本发明不仅能够应用于图1那样的集群型的成膜系统中的对准,还能够应用于在基板从上游向下游移动的同时成膜的串联型的成膜系统中的对准。
如图1所示,生产线的成膜集群C包含配置于中央的搬送室130、配置于搬送室130的周围的成膜室110以及掩模存放室120。成膜室110包含成膜装置,进行对基板10的成膜处理。掩模存放室120收纳使用前后的掩模。设置于搬送室130内的搬送机器人140将基板10、掩模220相对于搬送室130搬入以及搬出。搬送机器人140例如是在多关节臂上安装有保持基板10、掩模220的机器人手的机器人。
路径室150将在基板搬送方向上从上游侧流转来的基板10向搬送室130搬送。缓冲室160将搬送室130中的成膜处理完成了的基板10向下游侧的其它的成膜集群搬送。搬送机器人140在从路径室150接收基板10时,向多个成膜室110中的一个搬送。搬送机器人140还从成膜室110接收成膜处理完成了的基板10,并将其向缓冲室160搬送。在路径室150的进一步上游侧、缓冲室160的进一步下游侧,设置有改变基板10的方向的回旋室170。成膜室110、掩模存放室120、搬送室130、缓冲室160、回旋室170等各腔室在有机EL显示面板的制造过程中被维持为高真空状态。
(成膜装置)
图2是表示成膜装置的结构的剖视图。在多个成膜室110分别设置有成膜装置108。成膜装置108进行与搬送机器人140的基板10的交接、调整基板10与掩模220的相对的位置关系的对准(位置对合)、基板10向掩模上的固定、成膜等一连串的成膜工艺。
在以下的说明中,使用将铅垂方向设为Z方向的XYZ正交坐标系。在XYZ正交坐标系中,在成膜时基板以与水平面(XY平面)平行的方式被固定的情况下,将矩形的基板10的相向的两组边中的一组边延伸的方向设为X方向,将其它的一组的边延伸的方向设为Y方向。另外,用θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置108具有真空腔室200。真空腔室200的内部被维持为真空气氛或氮气等非活性气体气氛。在真空腔室200的内部设置有基板支承单元210、掩模220、掩模台221、冷却板230以及蒸发源240。
基板支承单元210(基板支承部件)具有作为对从搬送机器人140接受的基板10进行支承的支架的功能。掩模220例如是金属掩模,具有与形成在基板上的薄膜图案对应的开口图案。掩模220设置在作为掩模支承单元的框状的掩模台221(掩模支承部件)之上。在本实施例的结构中,在将基板10定位并支承于掩模上之后,进行成膜。
冷却板230是在进行成膜时与基板10的同掩模220接触的面(被成膜面)相反侧的面抵接,抑制成膜时的基板10的温度上升的板状构件。通过冷却板230冷却基板10,能够抑制有机材料的变质、劣化。冷却板230也可以兼作磁铁板。磁铁板是通过磁力吸引掩模220,从而提高成膜时的基板10与掩模220的贴紧性的构件。另外,为了提高基板10与掩模220的贴紧性,基板支承单元210也可以将基板10和掩模220双方都支承,通过致动器等使它们贴紧。
蒸发源240是由收容蒸镀材料的坩埚等容器、加热器、开闭器、驱动机构及蒸发率监视器等构成的成膜部件。在此,示出了使用蒸发源240作为成膜源的蒸镀装置,但并不限定于此。例如成膜装置108也可以是使用溅射靶作为成膜源的溅射装置。
(使基板与掩模的相对距离变化的结构)
在真空腔室200的外侧上部,设置有基板Z致动器250、夹具Z致动器251、冷却板Z致动器252。各致动器例如由马达和滚珠丝杠、马达和线性引导件等构成。在真空腔室200的外侧上部还设置有对准载置台280。
基板Z致动器250(移动部件)沿Z轴方向驱动基板支承单元210整体而使其升降。由此,在与沿着基板10的被成膜面的平面交叉的交叉方向(典型的是与基板10的被成膜面的平面垂直的方向)上,基板10与掩模220的相对距离发生变化。夹具Z致动器251驱动基板支承单元210的按压件而使其开闭。
冷却板Z致动器252驱动冷却板230而使其升降。在成膜之前,冷却板Z致动器252使冷却板230下降,使其与基板10的同被成膜面相反的一侧的面接触。另外,通过在成膜时冷却板230压住基板10,也能够得到即使不夹持基板10的周缘部也不会发生位置偏移这样的次要效果。
(关于基板与掩模的位置偏移的研究)
如上所述,在对准后基板10与掩模220的贴紧时发生位置偏移,有时会对对准精度造成影响。通过申请人的研究可知,作为该位置偏移的原因,存在成膜装置的机械性的因素和因基板10与掩模220的接触而产生的因素。
由机械性的因素引起的位置偏移是在基板10与掩模220的相对距离接近阶段发生的成膜装置固有的偏移,也被称为位置偏移的机械成分。该机械成分来自每个成膜装置的设计值的偏差的个体差异、安装/组装误差等。因此,在各成膜装置内,取比较固定的值,每个基板、每个掩模的偏差较少。例如,在虽然控制部进行了控制以使基板在铅垂方向上移动的方式但在实际上稍微从铅垂方向倾斜地移动那样的情况下,在对准时的高度对合了的基板与掩模的相对位置在贴紧时发生偏移。或者,在照相机的光轴从铅垂方向稍微偏移的情况下,虽然判断为在对准高度完成了位置对合,但在贴紧时相对位置会发生偏移。
另一方面,由接触因素引起的位置偏移是在基板10与掩模220的接触/贴紧时发生的偏移,也被称为位置偏移的接触成分。该接触成分的再现性比较低,对于每个基板或每个掩模存在偏差的倾向。
但是,在专利文献1的方法中,不判别这些位置偏移的多个成分,而是集中反映到偏离量中。因此,由于再现性低的接触成分的影响,偏离校正的精度有可能降低。因此,在本申请中,将位置偏移的机械成分从接触成分中分离出而计算,用于对准时的偏离校正。
(用于对准的结构)
返回图2继续进行说明。对准载置台280(对准部件)使基板10在XY方向上移动,并且使其在θ方向上旋转而使与掩模220的位置变化。具体而言,对准载置台280在沿着基板10的被成膜面的平面中调整基板10与掩模220的相对位置。对准载置台280具备与真空腔室200连接并固定的腔室固定部281、用于进行XYθ移动的致动器部282、与基板支承单元210连接的连接部283。
另外,也可以将对准载置台280、基板Z致动器250、基板支承单元210以及控制部270合起来,认为是对基板10和掩模220进行对准的对准装置。对准装置还可以包含后述的照相机类。
作为致动器部282,也可以使用堆叠了X致动器、Y致动器以及θ致动器而成的致动器。另外,也可以使用多个致动器协作的UVW方式的致动器。无论是哪种方式的致动器部282,都按照从控制部270发送的控制信号进行驱动,使基板10在X方向和Y方向上移动,在θ方向上旋转。如果是堆叠方式的致动器,则控制信号表示XYθ各致动器的动作量,如果是UVW方式的致动器,则控制信号表示UVW各致动器的动作量。
对准载置台280使基板支承单元210进行XYθ移动。另外,在本实施例中,设为对基板10的位置进行调整的结构,但也可以是对掩模220的位置进行调整的结构、对基板10与掩模220双方的位置进行调整的结构,只要能够使基板10与掩模220相对地位置对合即可。
在真空腔室200的外侧上部设置有进行光学拍摄而生成图像数据的多个照相机260(测定部件)。照相机260通过设置于真空腔室200的真空维持用的密封窗进行拍摄。
多个照相机260设置在能够拍摄基板10以及掩模220的角部的位置。在照相机260的拍摄区域中包含基板表面的基板对准标记104和掩模表面的掩模对准标记。在本实施例中,以与基板10以及掩模220的四角对应的方式设置有4台照相机260。但是,对准标记及照相机的数量和设置场所并不限定于该例。
控制部270是对照相机260的拍摄图像数据进行解析,并通过图案匹配处理等方法,检测基板对准标记和掩模对准标记,获取装置的XYZ坐标系中的标记的坐标作为位置信息的控制部件。控制部270基于基板与掩模的对准标记的位置偏移量,计算使基板10移动的XY方向、距离以及角度θ。然后,将计算出的移动量转换为对准载置台280的各致动器所具备的步进马达或伺服马达等的驱动量,生成控制信号。
后面将更加详细地进行说明,本实施例的照相机260在多个基板高度(第一高度和第二高度)进行拍摄。换言之,在与基板10的被成膜面垂直的方向上,在基板10处于第一高度和第二高度时进行拍摄,获取第一位置信息和第二位置信息。
通过光刻法在基板上形成基板对准标记,通过机械加工在掩模上形成掩模对准标记。但是,标记的形成方法不限于此,能够根据材料或目的进行选择。另外,标记的形状、尺寸根据照相机的性能、图像解析的能力来设定。
控制部270还进行基于致动器部282的各致动器的动作控制的对准控制、基板10和掩模220的搬入搬出控制、成膜控制、其它的各种控制。控制部270例如能够由具有处理器、存储器、存储装置、I/O等的计算机构成。在该情况下,控制部270的功能通过处理器执行存储在存储器或存储装置中的程序来实现。作为计算机,可以使用通用的个人计算机,也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logic controller:可编程逻辑控制器)。或者,也可以由ASIC或FPGA那样的电路构成控制部270的功能的一部分或全部。另外,可以对每个成膜装置设置控制部270,也可以由1个控制部270控制多个成膜装置。
存储部275是存储控制部270使用的数据的存储部件。能够使用闪存、非易失性存储器、SSD、HDD等任意的存储部件。控制部270将计算出的偏离量保存在存储部275中,在对准中的偏离校正时利用。
(基板支承单元)
参照图3的立体图,对基板支承单元210的结构例进行说明。基板支承单元210具有:支承框体301,设置有对基板10的各边进行支承的多个支承件300;以及夹紧构件303,设置有在与各支承件300之间夹持基板10的多个按压件302。一对支承件300和按压件302构成1个夹持机构305。但是,夹持机构305的数量和配置不限于此。
对准载置台280向支承基板10的状态的基板支承单元210传递驱动力,由此调整基板10相对于掩模220的相对位置。在基板10沿Z方向移动时,基板Z致动器250驱动而使基板支承单元210移动,使基板10升降。由此,基板10与掩模220接近或分离。在基板10的XY移动或θ旋转中,对准载置台280使基板10在XY方向上平动移动或在θ方向上旋转移动。在对准时基板10移动的范围是配置有基板的XY平面内,该平面与配置有掩模的平面大致平行。即,在基板10的XY移动及θ旋转时,基板10与掩模220的Z方向的距离不变化,基板10的位置在XY平面内变化。由此,基板10和掩模220在面内被位置对合。
(偏离量计算的处理流程)
参照附图对处理的流程进行说明。图4(a)是表示偏离量的计算工序的流程图。图5~图7是示意性地表示成膜装置内部中与对准相关的结构的剖视图,表示与流程的进行相应的状态的变化。关于成膜装置内部的各构成要素,仅在说明需要的情况下进行图示。
图5是简化地表示成膜室内部的剖视图。在本实施方式中,能够如下定义基板10相对于掩模220的Z方向高度h(从掩模220到基板10的相对距离)。第一例是基板10的下表面与掩模220的上表面的距离。另外,有时基板10、掩模220挠曲。因此,作为第二例,也可以将被支承的基板周缘部的高度(基板支承面的高度)与掩模220的上表面的高度之差设为基板10相对于掩模220的Z方向高度h。另外,作为第二例,也可以将基板支承面的高度与掩模台221(掩模支承部件)的支承面的高度之差设为从掩模220到基板10的相对距离。这样,也能够将与基板10、掩模220的高度相关的部位的高度用于从掩模220到基板10的相对距离的定义。关于实施例中的不同的多个高度,只要通过共同的定义来定义基板10相对于掩模220的Z方向高度h即可。
将基板10与设置于掩模台221的掩模220贴紧的贴紧高度设为h0。在高度h0时也进行成膜。基板10与掩模220贴紧的状态是指,至少不会通过由基板支承部抬起基板10而使基板10的一部分与掩模220分离。也可以产生因基板10、掩模220不平坦而引起的分离、由微粒引起的分离、尺寸不同而引起的分离等。从另一观点来说,在高度h0的状态下,基板支承面的高度是与掩模220的上表面相同的高度,或者是比掩模220的上表面低的高度。将搬入基板10时的接收高度设为hc。将进行基板10的对准的高度设为对准高度ha。在高度hc的状态以及高度ha的状态下,基板10的整体与掩模220分离。
将进行用于偏离量计算的第一测定的高度设为第一高度h1。将进行用于偏离量计算的第二测定的高度设为第二高度h2。由于第二高度h2比第一高度h1低,所以在基板10处于第二高度h2时,与处于第一高度h1时相比接近掩模220。
在本实施例中,第一高度h1被设定为基板10的整体与掩模220分离。第二高度h2被设定为基板10的至少一部分与掩模220分离。作为与第一高度h1的差异,在第二高度h2,基板10的一部分也可以与掩模接触。优选的是,第二高度h2被设定为基板10的任意部分均不与掩模220接触的高度。在以下的说明中,设为基板10与掩模220不接触那样的第二高度h2。另外,在本实施例中,为了简化,设第一高度h1=对准高度ha。但是,对准高度和测定高度也可以不相同。
图4(a)的流程在装置的运行开始时、维护时、处理了规定张数的基板10时、装置运行了规定时间时等任意的时刻执行的偏离量计算模式(第一模式)下执行。在图中,示出了掩模220,但即使没有掩模220也能够实施本流程。
在步骤S101中,搬送机器人140从路径室150向成膜室110搬入基板10。此处的基板10是用于偏离量计算的预备基板。但是,预备基板也可以与成膜用的基板10相同。搬送机器人140在将基板10的周缘部(端部)载置于支承件300时,从成膜室110退避。然后,按压件302下降而夹持并夹紧基板端部。图5表示该情形。
在步骤S102中,如图6(a)所示,基板Z致动器驱动而使基板支承单元210下降,由此使基板10移动至第一高度h1。
在步骤S103中,如图6(b)所示,照相机260对设置于基板10的角部的对准标记进行拍摄。控制部270对拍摄图像进行解析来检测各基板对准标记,并计算坐标。
在步骤S104中,如图7(a)所示,基板Z致动器驱动而使基板支承单元210下降,由此使基板10移动至第二高度h2。
在步骤S105中,如图7(b)所示,照相机260拍摄设置在基板10的角部的对准标记。控制部270对拍摄图像进行解析来检测各基板对准标记,并计算坐标。
在步骤S106中,控制部270比较在第一高度h1和第二高度h2得到的基板对准标记的坐标,获取位置偏移量,基于该位置偏移量计算对准时的偏离量,并保存在存储部275中。
参照图8,说明计算偏离量的方法的一例。图表示从Z方向上侧观察设置于XY平面的基板10的情形。实线为第一高度h1处的基板10及基板对准标记104(104a~104d),虚线为第二高度h2处的基板10及基板对准标记104(104a~104d)。
当观察装置的坐标系的第一象限时,基板对准标记104a的(x,y)坐标在第一高度h1处为(100,150),在第二高度h2处为(80,130)。因此,基板10从第一高度h1下降到第二高度h2期间的机械性的因素引起的位置偏移量为(x,y)=(-20,-20)。另外,其它的基板对准标记104b~104d也表示相同的位置偏移量。因此,该成膜装置的偏离量为在(x,y)方向上(+20,+20)的平行移动,不进行θ旋转。
在步骤S107中,搬送机器人140从成膜室110搬出基板10(预备基板)。由此,偏离量计算工序结束。
另外,在步骤S106中,控制部270基于各基板对准标记104a~104d的位置变化,在判断为基板10在下降中进行了θ旋转的情况下,只要预先在第一高度h1处进行补偿下降中的旋转那样的偏离校正即可。
另外,在基板10从第二高度h2向贴紧高度h0下降的微小的期间,也有可能产生基于机械性的因素的位置偏移。因此,控制部270也可以外插第一高度h1到第二高度h2之间的偏离量,推定从第二高度到贴紧高度h0(第三高度)为止的偏离量的校正量。通过将推定出的校正量与实测计算出的偏离量相加,从而偏离校正的精度进一步提高。
另外,在本流程中,不仅是第一高度h1处,在第二高度h2处,基板10也与掩模220的支承面分离。但是,即使在基板10的一部分(例如因自重而垂下的中央部)与掩模支承面接触的状态下测定位置偏移,也能够得到本发明的效果。这是因为,即使在该情况下,与如专利文献1那样基板10与掩模220贴紧的状态下的测定相比,也能够期待提取位置偏移的机械成分来提高对准精度的效果。或者,在偏离量计算模式下能够使掩模220、掩模台221等退避,在基板10不可能与障碍物接触的情况下,也可以使第二高度h2与贴紧高度h0相同。
另外,在本流程中,对多个照相机各自的拍摄图像中的位置偏移量分别进行研究,计算出最终的偏离量。但是,也可以将由多个照相机得到的信息汇总而简便地计算偏离量。例如,也可以基于各照相机的视场内的基板对准标记的位置,计算第一高度h1和第二高度h2处的基板10的重心位置,根据重心位置的位置偏移量计算偏离量。
本实施例的对准是使用照相机260仅进行对准高度ha下的对准的一阶段对准。但是,本发明也可以应用于在使用低分辨率但宽视场的照相机进行大致的第一对准(粗略对准)之后,进行使用窄视场但高分辨率的照相机的第二对准(精细对准)的两阶段对准。在这种情况下,偏离校正能够应用于第一对准和第二对准中的一方或两方。
另外,在本流程中,第一高度h1与对准高度ha一致,但两者也可以不同。在该情况下,通过以下的方法对计算偏离量时的高度范围(第一高度h1~第二高度h2)内得到的偏离量进行校正。
首先,在对准高度ha比第一高度h1低的情况下,通过线性插值等插值处理,能够计算从对准高度ha到第二高度h2之间的偏离量。另一方面,在对准高度ha比第一高度h1高的情况下,通过外插处理,能够计算从对准高度ha到第二高度h2之间的偏离量。
(对准和成膜时的处理流程)
图4(b)是与实际进行成膜的成膜模式(第二模式)对应地表示基板10与掩模220的对准处理的工序的流程图。图9~图10是示意性地表示成膜装置内部中与对准相关的结构的剖视图,表示与流程的进行相应的状态的变化。关于成膜装置内部的各构成要素,仅在说明需要的情况下进行图示。
在步骤S201中,如图9(a)所示,搬送机器人140从路径室150向成膜室110搬入成膜用的基板10。
在步骤S202中,如图9(b)所示,基板Z致动器驱动而使基板支承单元210下降,由此使基板10移动至对准高度ha。
在步骤S203中,如图9(c)所示,照相机260拍摄基板10和掩模220的角部。控制部270对拍摄图像进行解析,检测各基板对准标记和各掩模对准标记,计算坐标。
控制部270对图像进行解析,基于基板10与掩模220的对准标记彼此的距离、角度,计算基板10与掩模220的位置偏移量。控制部270还从存储部275获取在图4(a)的步骤S106中求出的偏离量。
在步骤S204中,如图10(a)所示,对准载置台280使基板10进行XY移动及θ旋转,以基板10与掩模220的位置对合的方式使基板10在平面内移动。此时,控制部270在进行了基于从存储部275读出的偏离量的偏离校正的基础上进行对准。
当对准载置台280的操作结束时,照相机260再次拍摄基板10和掩模220的对准标记,控制部270判定标记彼此的坐标是否一致(或者,位置偏移量是否收纳于规定的关系)。但是,在本实施例中,考虑基板下降中的位置偏移,判定在对准高度处的基板对准标记的坐标上加上位置偏移量而得到的值是否与检测出的掩模对准标记的坐标一致(或者是否收纳于规定的关系)。在判定结果为否定的情况下,对准载置台280再次使基板10在面内移动,反复进行位置对合直到判定结果成为肯定为止。换言之,在对准高度ha处的拍摄图像内基板与掩模的对准标记的坐标一致的情况下,需要预先使基板10移动与偏离量相应的量,由此,基板10与掩模220的位置在第二高度h2准确地对合。
在步骤S205中,如图10(b)所示,基板Z致动器驱动而使基板支承单元210下降,使基板10移动至贴紧高度h0。由此,精度良好地进行了位置对合的基板10与掩模220贴紧。
在步骤S206中,如图10(c)所示,蒸发源240被加热而成膜材料飞翔,经由掩模220附着于基板10,由此在基板10的下表面形成与掩模图案对应的膜。成膜完成后,搬送机器人140搬出已成膜的基板10。通过以上的工序,能够实施将基板10与掩模220之间的机械性的因素引起的位置偏移从基于接触因素的位置偏移分离出的、高精度的对准。
[实施例1的变形例]
在上述例子中,基于不同高度处的测定结果来计算对准时的偏离量。与此相对,在变形例中,进行调整照相机260的光轴及基板Z致动器250的驱动轴的一方或双方的调整工序。
具体而言,根据第一高度h1与第二高度h2之间的位移量和拍摄到的对准标记的位置偏移量,计算照相机260的光轴以及基板Z致动器250的驱动轴的倾斜度。然后,改变照相机260的光轴和基板Z致动器250的驱动轴中的至少一方的倾斜度。也可以以照相机260的光轴以及基板Z致动器250的驱动轴分别与铅垂方向一致的方式调整倾斜度。或者,也可以以照相机260的光轴与基板Z致动器250的驱动轴相互平行的方式调整倾斜度。若两者的轴平行,则在利用基板Z致动器250使基板10贴紧于掩模220时,基板10的对准标记与掩模220以规定的位置关系重叠。
这样,利用在第一高度h1测定了的基板10的位置信息和在第二高度h2测定了的基板10的位置信息的对象不限于偏离量的计算。而且,也能够在与装置的调整不同的用途中利用位置信息。
[实施例2]
下面参照附图对另一实施例进行说明。在实施例1中,以基板支承部支承基板的结构为例进行了说明。本实施例是串联型的成膜装置。基板被保持在基板载体上而被搬送。并且,在保持有基板的基板载体被支承部件支承的状态下进行对准。
参照图11~图13,对本发明的实施例的基板载体、基板搬送装置、成膜装置、成膜方法进行说明。在以下的说明中,以用于制造电子器件的装置所具备的掩模安装装置等为例进行说明。
(载体结构)
参照图11,对本发明的实施例的基板载体9的结构进行说明。图11(a)是处于保持基板5的保持面朝向上方(纸面近前方向)的状态的基板载体9的示意性的俯视图,(b)是(a)的A向视剖视图。基板载体9是俯视时呈大致矩形的平板状的构造体。方便起见,基板载体9包含与保持基板5的位置对应的基板保持部和包围基板5的外周的外周部。在图11(a)中,表示基板5的外缘的虚线是基板保持部与外周部的边界。这样,两者是由所保持的基板5方便地规定的,两者的边界也可以不具有特征性的构造。另外,以下有时将基板保持部称为基板保持区域。形成基板载体9的矩形外周缘部的四边中的相向两边附近由搬送辊15(参照图13)支承。该相向两边分别以沿着搬送方向的姿势支承基板载体9。搬送辊15由在基板载体9的搬送路径的两侧沿搬送方向配置有多个的搬送旋转体构成。通过该支承结构,上述搬送方向的基板载体9的移动通过作为基板搬送部件的搬送辊的旋转而被引导。基板载体9具有作为矩形的平板状构件的载体面板30、多个装夹构件32和多个支承体33(落座构件)。基板载体9将基板5保持于载体面板30的保持面31。
装夹构件32是具有与基板5接触而对基板5进行装夹的装夹面的突起。本实施例的装夹构件32的装夹面是由粘接性的构件(PSC:Physical Sticky Chucking:物理粘性装夹件)构成的粘接面,通过物理性的粘接力、或者物理性的吸附力(adsorption)保持基板5。因此,本实施例的装夹构件32也能够称为粘接垫。通过分别利用多个装夹构件32对基板5进行装夹,能够沿着承载面板30的保持面31保持基板5。多个装夹构件32被配置成各自具有的装夹面成为从承载面板30的保持面31突出规定的距离的状态。优选装夹构件32根据掩模6的形状而配置,更优选与掩模6的用于划分基板5的被成膜区域的边界部(边框的部分)对应地配置。由此,能够抑制因装夹构件32与基板5接触而对基板5的成膜区域的温度分布造成的影响。
另外,优选的是,装夹构件32配置在显示器的有源区域之外。这可能导致装夹构件32的吸附所产生的应力使基板5变形或者引起成膜时的温度分布,因此,以装夹构件32与基板5的接触面积尽量小、保持数尽量小为佳。另外,由于上述理由,在成膜上优选将装夹构件32的排列配置在掩模部的背面。
为了降低基板载体9整体的重量,载体面板30的材质优选以铝或铝合金为主材料。
如后所述,在使基板载体9翻转以使保持基板5的载体面板30的保持面31朝向下方,并载置到掩模6上时,支承体33相对于掩模6支承基板载体9。在本实施例中,至少在支承体33的附近,支承体33以保持于基板载体9的基板5与掩模6分离的方式支承基板载体9。详细内容后述。
参照图12,对本发明的实施例的制造系统(成膜装置)进行说明。图12是本发明的实施例的制造系统的示意性的结构图,例示了串联地制造有机EL面板(有机EL显示装置)的制造系统MS。有机EL面板通常经形成电路元件的电路元件形成工序、在基板上形成有机发光元件的有机发光元件形成工序、在所形成的有机发光层上形成保护层的密封工序来制造。本实施例的制造系统MS主要进行有机发光元件形成工序。
如图12所示,制造系统MS具有掩模搬入室90、对准室100(掩模安装室)、多个成膜室110a、110b、翻转室111a、111b、搬送室112、掩模分离室113、基板分离室114、载体搬送室115、掩模搬送室116、基板搬入室117(基板安装室)。制造系统MS还具有后述的搬送部件,基板载体9通过搬送部件沿着通过制造系统MS所具有的各腔室内的规定的搬送路径被搬送。
具体而言,在图12的结构中,基板载体9按照基板搬入室117、翻转室111a、掩模搬入室90、对准室100(掩模安装室)、多个成膜室110a、110b、搬送室112、掩模分离室113、翻转室111b、基板分离室114、搬送室115的顺序通过各腔室内而被搬送,再次返回到基板搬入室117。另一方面,掩模6按照掩模搬入室90、对准室100(掩模安装室)、多个成膜室110a、110b、搬送室112、掩模分离室113的顺序通过各腔室内而被搬送,再次返回到掩模搬入室90。这样,基板载体9和掩模6分别沿着规定的搬送路径(循环搬送路径)循环地被搬送。以下,对各腔室的功能进行说明。
未成膜的基板5从基板搬入室117投入循环搬送路径,在保持于基板载体9的状态下成膜。之后,已成膜的基板5从基板分离室114搬出。搬入到基板搬入室117的未成膜的基板5首先在基板搬入室117安装并保持于基板载体9。然后,在成膜之前,经由翻转室111a、掩模搬入室90搬入到对准室100。
在翻转室111a、111b具备使基板载体9的基板保持面的朝向从铅垂方向朝上翻转成铅垂方向朝下、或者从铅垂方向朝下翻转成铅垂方向朝上的翻转机构120a、120b。作为翻转部件的翻转机构120a、120b可以适当采用能够把持基板载体9等使姿势(朝向)变化的以往已知的机构,省略具体的结构的说明。
在基板载体9以保持面朝向铅垂方向上方的状态配置的基板搬入室117,以被成膜面朝向铅垂方向上方的状态搬入基板5。搬入的基板5载置于基板载体9的保持面之上,由基板载体9保持。之后,在翻转室111a中,通过翻转机构120a将保持有基板5的基板载体9翻转,成为基板5的被成膜面朝向铅垂方向下方的状态。另一方面,在基板载体9从掩模分离室113搬入到翻转室111b时,以基板5的被成膜面朝向铅垂方向下方的状态被搬入。搬入后,通过翻转机构120b使保持有基板5的基板载体9翻转,成为基板5的被成膜面朝向铅垂方向上方的状态。之后,基板5在被成膜面朝向铅垂方向上方的状态下从基板分离室114搬出。
与对搬入到基板搬入室117的基板5进行保持并翻转的基板载体9经由掩模搬入室90搬入到对准室100中相应地,掩模6也从掩模搬入室90搬入到对准室100。在对准室100(掩模安装室)搭载有对准装置1。在对准室100中,对准装置1将载置在本实施例的基板载体9上的基板5与掩模6高精度地位置对合,在掩模6上载置基板载体9(基板5)。之后,将载置有基板载体9的掩模6交接到搬送辊(搬送部件),朝向下一工序开始搬送。如图13所示,作为搬送部件的搬送辊15在搬送路径的两侧沿搬送方向配置有多个,分别通过未图示的AC伺服马达的驱动力而旋转,由此搬送基板载体9、掩模6。
在图12中,在成膜室110a、110b中,吸附在搬入的基板载体9上的基板5在蒸镀源7(参照图13)上方通过,由此在基板5的被成膜面上形成被掩模6遮挡的部位以外的面。成膜室110能够通过具备真空泵、室压计的室压控制部(未图示)来调整室压(腔室内部的压力)。在成膜室110的内部能够配置收纳有蒸镀材料(成膜材料)的蒸发源(成膜源),由此,在腔室内部形成减压后的成膜空间。在成膜空间中,蒸镀材料从蒸发源朝向基板5飞翔,在基板上形成膜。蒸发源例如也可以具备收容蒸镀材料的坩埚等材料收容部、和对蒸镀材料进行加热的封装加热器等加热部件。而且,也可以具备在与基板载体9及掩模6大致平行的平面内使材料收容部移动的机构、使蒸发源整体移动的机构,由此使射出蒸镀材料的射出口的位置在腔室4内相对于基板5相对位移,使向基板5上的成膜均匀化。
在成膜室110a、110b中的成膜完成后,基板载体9和掩模6到达掩模分离室113,并在掩模分离室113中被分离。从基板载体9分离了的掩模6向掩模搬送室116搬送,并被传递到新的基板5的成膜工序中。另一方面,保持有基板5的基板载体9向翻转室111b、基板分离室114搬送。在基板分离室114中,完成了成膜的基板5从基板载体9分离,并从循环搬送路径内被回收。基板载体9被搬送到基板搬入室117,在基板搬入室117中搬入、吸附新的基板5。之后,在翻转室111a中被翻转的基板载体9再次在对准室100中被对准并载置在从掩模搬入室90搬送来的掩模6上。
图13是用于表示本实施例的串联蒸镀装置的对准机构部的整体结构的示意性的剖视图,对应于图12的BB向视。
蒸镀装置大致具备腔室4和对保持于基板载体9的基板5及掩模6进行保持并进行相对位置对合的对准装置1。腔室4能够通过具备真空泵、室压计的室压控制部(未图示)来调整室压(腔室内部的压力)。
在图示例中,对在成膜时基板5的成膜面(被成膜面)朝向重力方向下方的状态下成膜的向上淀积的结构进行说明。但是,也可以是在成膜时基板5的成膜面朝向重力方向上方的状态下成膜的向下淀积的结构。另外,也可以是在垂直地立起基板5而成膜面与重力方向大致平行的状态下进行成膜的侧向淀积的结构。即,本发明在使保持于基板载体9的基板5与掩模6相对接近时,在要求该基板载体9与掩模6的至少任一个构件发生下垂或挠曲的状态下高精度地进行位置对合时,能够适当地利用。
另外,在本实施例中,掩模6具有在框状的掩模框架6a上焊接固定有几μm~几十μm左右的厚度的掩模箔6b的构造。掩模框架6a以掩模箔6b不挠曲的方式,在将掩模箔6b沿着其面方向(后述的X方向及Y方向)拉伸的状态下进行支承。掩模箔6b包含用于划分基板的被成膜区域的边界部。掩模箔6b所具有的边界部在将掩模6安装于基板5时贴紧于基板5,遮蔽成膜材料。另外,掩模6可以是掩模箔6b仅具有边界部的开放掩模,也可以是在边界部以外的部分、即与基板的被成膜区域对应的部分形成有与像素或副像素对应的微细的开口的精细掩模。在使用玻璃基板或在玻璃基板上形成有聚酰亚胺等树脂制的膜的基板作为基板5的情况下,作为掩模框架6a及掩模箔6b的主要材料,能够使用铁合金,优选使用含有镍的铁合金。作为含有镍的铁合金的具体例,能够举出含有34质量%以上且38质量%以下的镍的因瓦合金材料、在30质量%以上且34质量%以下的镍的基础上还含有钴的超级因瓦合金材料、含有38质量%以上且54质量%以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀敷合金等。
如图13所示,腔室4具有上部隔壁4a(顶板)、侧壁4b、底壁4c。腔室内部除了上述减压气氛之外,也可以维持在真空气氛、氮气等非活性气体气氛。需要说明的是,本说明书中的“真空”是指由比大气压低的压力的气体充满的空间内的状态,典型而言,是指由比1atm(1013hPa)低的压力的气体充满的空间内的状态。
对准装置1大致包含搭载在腔室4的上部隔壁4a之上并驱动基板载体9而相对地对合与掩模6的位置的位置对合机构60。对准装置1具有保持基板载体9的载体支承部8(基板载体支承部)、保持掩模6的掩模支承台16(掩模支承部)和搬送辊15(搬送部件)。
位置对合机构60设置在腔室4的外侧,为了能够在蒸镀时实现期望的精度,使基板载体9与掩模6的相对的位置关系变化或稳定地保持。位置对合机构60大致包含面内移动部件11、Z升降基座13和Z升降滑动件17。
面内移动部件11与腔室4的上部隔壁4a连接,沿XYθ方向驱动Z升降基座13。Z升降基座13与面内移动部件11连接,成为基板载体9沿Z方向移动时的基座。Z升降滑动件17是能够沿Z引导件18在Z方向上移动的构件。Z升降滑动件经由基板保持轴12与载体支承部8连接。
在该结构中,在基于面内移动部件11的与基板载体9及掩模6大致平行的面内的XYθ驱动时,Z升降底座13、Z升降滑动件17及基板保持轴12一体移动,向载体支承部8传递驱动力。并且,使基板5在与基板5以及掩模6大致平行的平面内移动。另外,掩模6及基板5如后所述因重力而挠曲,但在此所说的与基板5及掩模6大致平行的平面是指与未产生挠曲的理想状态的基板5及掩模6大致平行的平面。例如,在向上淀积、向下淀积等水平配置基板5和掩模6的结构中,面内移动部件11使基板5在水平面内移动。另外,在Z升降滑动件17通过Z引导件18相对于Z升降基座13沿Z方向驱动时,驱动力具备基板保持轴12(在本实施例中为4根基板保持轴12a、12b、12c、12d。
如图示例那样,通过将包含较多可动部的位置对合机构60配置在成膜空间之外,能够抑制在成膜空间内或进行对准的空间内的扬尘。由此,能够抑制因扬尘而掩模、基板被污染从而成膜精度降低的情况。另外,在本实施例中,对位置对合机构60使基板5沿XYθ方向及Z方向移动的结构进行了说明,但并不限定于此,位置对合机构60可以使掩模6移动,也可以使基板5及掩模6双方移动。即,位置对合机构60是使基板5及掩模6中的至少一方移动的机构,由此,能够使基板5与掩模6的相对位置对合。
在本实施例中,在通过面内移动部件11调整了基板载体9的位置之后,Z升降滑动件17经由基板保持轴12使载体支承部8升降。此时,与实施例1同样地,由于照相机14的光轴与基板保持轴12的轴的偏移,可能产生基板载体9与掩模6的位置偏移。
因此,在本实施例中,在将基板载体9配置于第一高度h1时及配置于第二高度h2时,分别测定基板载体9的对准标记的位置。关于第一高度h1以及第二高度h2,应用将实施例1的基板10全部置换为基板载体9的说明。即,基板载体9相对于掩模的高度h的定义与实施例1的基板10相对于掩模的高度h的定义相同。
也可以根据通过以上的方法得到的基板载体9的位置信息,计算对准时的偏离量。此时的计算方法与实施例1相同,因此省略说明。另外,也可以如实施例1的变形例那样,在本实施例中也调整照相机14的光轴以及与升降滑动件17连结的基板保持轴12的驱动轴的一方或双方。
这样,根据本实施例,在串联型的成膜装置中,能够实施将基板载体9与掩模6之间的机械性的因素引起的位置偏移从因接触因素引起的位置偏移分离出的、高精度的对准。
[实施例3]
(有机电子器件的制造方法)
在本实施例中,对使用了具备对准装置的成膜装置的有机电子器件的制造方法的一例进行说明。以下,作为有机电子器件的例子,例示有机EL显示装置的结构和制造方法。首先,对制造的有机EL显示装置进行说明。图14(a)表示有机EL显示装置60的整体图,图14(b)表示一个像素的截面构造。
如图14(a)所示,在有机EL显示装置60的显示区域61呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外,在此所说的像素,是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本图的有机EL显示装置的情况下,通过显示互不相同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成,但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成,只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图14(b)是图14(a)的A-B线处的局部剖视示意图。像素62在基板10上具有有机EL元件,该有机EL元件具备第一电极(阳极)64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子输送层67、第二电极(阴极)68。它们当中的空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。此外,在本实施方式中,发光层66R是发出红色光的有机EL层,发光层66G是发出绿色光的有机EL层,发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。
发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外,第一电极64针对每一个发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67和第二电极68既可以以与多个发光元件62R、62G、62B共同的方式形成,也可以针对每一个发光元件而形成。另外,为了防止第一电极64和第二电极68因异物而短路,在第一电极64间设有绝缘层69。而且,由于有机EL层因水分和氧而劣化,所以设置有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层P。
接着,具体地说明作为电子器件的有机EL显示装置的制造方法的例子。首先,准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有第一电极64的基板10。
接着,在形成有第一电极64的基板10之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂,利用光刻法,以在形成有第一电极64的部分形成开口部的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
接着,将图案形成有绝缘层69的基板10搬入第一成膜装置,由基板支承单元支承基板,将空穴输送层65作为在显示区域的第一电极64之上共同的层而成膜。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上由于空穴输送层65被形成为比显示区域61大的尺寸,所以不需要高精细的掩模。在此,本步骤中的成膜、以下的各层的成膜中使用的成膜装置是上述各实施例中的任一实施例所述的成膜装置。
接着,将形成有空穴输送层65为止的基板10搬入第二成膜装置,由基板支承单元支承。进行基板与掩模的对准,将基板载置在掩模之上,在基板10的配置发出红色光的元件的部分,成膜发出红色光的发光层66R。根据本例,能够使掩模与基板良好地重合,能够进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜同样地,利用第三成膜装置成膜发出绿色光的发光层66G,而且利用第四成膜装置成膜发出蓝色光的发光层66B。发光层66R、66G、66B的成膜完成之后,利用第五成膜装置在显示区域61的整体成膜电子输送层67。电子输送层67对3色的发光层66R、66G、66B形成为共同的层。
将形成有电子输送层67为止的基板移动到溅射装置,使第二电极68成膜,然后移动到等离子体CVD装置而成膜保护层P,从而完成有机EL显示装置60。
从将图案形成有绝缘层69的基板10搬入成膜装置到保护层P的成膜完成为止,若暴露于含有水分和氧的气氛中,则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而,在本例中,基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
根据本实施例的对准装置、成膜装置或电子器件的制造方法,能够进行提高了对准的精度的良好的成膜。
Claims (15)
1.一种对准装置,该对准装置具备:
对准部件,在沿着基板的被成膜面的平面中,进行所述基板与掩模的相对位置调整;
移动部件,在与所述平面交叉的交叉方向上,使所述基板相对于所述掩模的相对的高度变化;
测定部件,获取所述平面中的所述基板的位置信息;以及
控制部件,
其特征在于,
在所述基板位于所述基板整体与所述掩模分离的第一高度的状态下,所述测定部件进行测定而获取第一位置信息,
在所述基板位于与所述第一高度不同且所述基板的至少一部分与所述掩模分离的第二高度的状态下,所述测定部件进行测定而获取第二位置信息,
所述控制部件使用所述第一位置信息以及所述第二位置信息,计算用于所述相对位置调整的校正量,
在对所述基板进行成膜时,所述移动部件使所述基板移动到与所述第一高度及所述第二高度不同的第三高度,
所述控制部件基于所述第一位置信息以及所述第二位置信息,计算用于对偏移量进行补偿的所述校正量,该偏移量是在所述基板从进行所述相对位置调整时的所述基板的高度移动至所述第三高度的期间产生的所述平面中的所述基板与所述掩模的相对位置的偏移量。
2.根据权利要求1所述的对准装置,其特征在于,
所述控制部件基于所述第一位置信息和所述第二位置信息,计算用于对偏移量进行补偿的所述校正量,该偏移量是在所述基板从所述第一高度向所述第二高度移动的期间引起的所述平面中的所述基板与所述掩模的相对位置的偏移量。
3.一种对准装置,该对准装置具备:
对准部件,在沿着基板的被成膜面的平面中,进行所述基板与掩模的相对位置调整;
移动部件,在与所述平面交叉的交叉方向上,使所述基板相对于所述掩模的相对的高度变化;
测定部件,获取所述平面中的所述基板的位置信息;以及
控制部件,
其特征在于,
在所述基板位于所述基板整体与所述掩模分离的第一高度的状态下,所述测定部件进行测定而获取第一位置信息,
在所述基板位于与所述第一高度不同且所述基板的至少一部分与所述掩模分离的第二高度的状态下,所述测定部件进行测定而获取第二位置信息,
所述控制部件使用所述第一位置信息以及所述第二位置信息,计算用于所述相对位置调整的校正量,
该对准装置具备多个所述测定部件,
所述控制部件针对多个所述测定部件中的每一个测定部件计算所述校正量,
所述控制部件使用由多个所述测定部件测定出的多个所述第一位置信息来计算所述第一高度处的所述基板的重心位置,并且使用由多个所述测定部件测定出的多个所述第二位置信息来计算所述第二高度处的所述基板的重心位置,基于所述第一高度和所述第二高度各自的所述重心位置的变化来计算所述校正量。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的对准装置,其特征在于,
所述第一高度是进行所述相对位置调整时的所述基板的高度。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的对准装置,其特征在于,
所述第二高度是比所述第一高度接近所述掩模的高度。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的对准装置,其特征在于,
所述第二高度是所述基板的整体与所述掩模分离的高度。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的对准装置,其特征在于,
所述测定部件通过测定设置于所述基板的基板对准标记的位置,获取所述位置信息。
8.根据权利要求7所述的对准装置,其特征在于,
所述测定部件获取所述基板对准标记的位置信息和设置在所述掩模上的掩模对准标记的位置信息,
在所述相对位置调整中,所述对准部件基于所述基板对准标记的位置信息和所述掩模对准标记的位置信息,使所述基板与所述掩模成为规定的位置关系。
9.根据权利要求8所述的对准装置,其特征在于,
在所述相对位置调整之前,所述对准部件将使用所述第一位置信息及所述第二位置信息计算出的校正量与所述基板对准标记的位置信息相加。
10.根据权利要求1~3中任一项所述的对准装置,其特征在于,
该对准装置具备保持所述基板的基板载体,
所述第一位置信息及所述第二位置信息分别是表示所述基板或所述基板载体的位置的信息。
11.一种成膜装置,其特征在于,
该成膜装置具备:
权利要求1至10中任一项所述的对准装置;以及
成膜部件,隔着通过所述对准装置调整了与所述基板的相对位置的所述掩模,在所述基板上进行成膜。
12.根据权利要求11所述的成膜装置,其特征在于,
该成膜装置具有串联型或集群型的结构。
13.一种电子器件的制造装置,其特征在于,
该电子器件的制造装置通过利用权利要求11所述的成膜装置在所述基板的被成膜面上进行成膜来制造电子器件。
14.一种对准装置的调整方法,其是成膜装置的调整方法,该对准装置具备:
对准部件,在沿着基板的被成膜面的平面中,进行所述基板与掩模的相对位置调整;
移动部件,在与所述平面交叉的交叉方向上,使所述基板相对于所述掩模的相对的高度变化;
拍摄部件,拍摄所述基板;以及
控制部件,
其特征在于,
该对准装置的调整方法具有:
通过将所述基板配置在所述基板的整体与所述掩模分离的第一高度,并进行基于所述拍摄部件的拍摄,从而获取与所述基板的所述平面中的位置有关的第一位置信息的工序;
通过将所述基板配置在与所述第一高度不同且所述基板的至少一部分与所述掩模分离的第二高度,并进行基于所述拍摄部件的拍摄,从而获取与所述基板的所述平面中的位置有关的第二位置信息的工序;以及
基于所述第一位置信息和所述第二位置信息来调整所述拍摄部件的光轴和所述移动部件的轴中的至少一方的调整工序,
所述控制部件使用所述第一位置信息以及所述第二位置信息,计算用于所述相对位置调整的校正量,
在对所述基板进行成膜时,所述移动部件使所述基板移动到与所述第一高度及所述第二高度不同的第三高度,
所述控制部件基于所述第一位置信息以及所述第二位置信息,计算用于对偏移量进行补偿的所述校正量,该偏移量是在所述基板从进行所述相对位置调整时的所述基板的高度移动至所述第三高度的期间产生的所述平面中的所述基板与所述掩模的相对位置的偏移量。
15.一种对准装置的调整方法,其是成膜装置的调整方法,该对准装置具备:
对准部件,在沿着基板的被成膜面的平面中,进行所述基板与掩模的相对位置调整;
移动部件,在与所述平面交叉的交叉方向上,使所述基板相对于所述掩模的相对的高度变化;
拍摄部件,拍摄所述基板;以及
控制部件,
其特征在于,
该对准装置的调整方法具有:
通过将所述基板配置在所述基板的整体与所述掩模分离的第一高度,并进行基于所述拍摄部件的拍摄,从而获取与所述基板的所述平面中的位置有关的第一位置信息的工序;
通过将所述基板配置在与所述第一高度不同且所述基板的至少一部分与所述掩模分离的第二高度,并进行基于所述拍摄部件的拍摄,从而获取与所述基板的所述平面中的位置有关的第二位置信息的工序;以及
基于所述第一位置信息和所述第二位置信息来调整所述拍摄部件的光轴和所述移动部件的轴中的至少一方的调整工序,
所述控制部件使用所述第一位置信息以及所述第二位置信息,计算用于所述相对位置调整的校正量,
该对准装置具备多个所述拍摄部件,
所述控制部件针对多个所述拍摄部件中的每一个拍摄部件计算所述校正量,
所述控制部件使用由多个所述拍摄部件拍摄出的多个所述第一位置信息来计算所述第一高度处的所述基板的重心位置,并且使用由多个所述拍摄部件拍摄出的多个所述第二位置信息来计算所述第二高度处的所述基板的重心位置,基于所述第一高度和所述第二高度各自的所述重心位置的变化来计算所述校正量。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-011785 | 2021-01-28 | ||
JP2021011785A JP7337108B2 (ja) | 2021-01-28 | 2021-01-28 | アライメント装置、成膜装置および調整方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114807841A CN114807841A (zh) | 2022-07-29 |
CN114807841B true CN114807841B (zh) | 2023-09-12 |
Family
ID=82527118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210076764.3A Active CN114807841B (zh) | 2021-01-28 | 2022-01-24 | 对准装置、成膜装置以及调整方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7337108B2 (zh) |
CN (1) | CN114807841B (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109722626A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 佳能特机株式会社 | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 |
JP2019192898A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | キヤノントッキ株式会社 | 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 |
CN110408886A (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-05 | 佳能特机株式会社 | 对准方法、使用对准方法的蒸镀方法及电子器件制造方法 |
CN111378932A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-07 | 佳能特机株式会社 | 基板载置方法、成膜方法、成膜装置及有机el面板的制造系统 |
JP2020141121A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法、記録媒体、及びプログラム |
CN111850461A (zh) * | 2019-04-26 | 2020-10-30 | 佳能特机株式会社 | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002033352A1 (fr) | 2000-10-19 | 2002-04-25 | Nikon Corporation | Procede et dispositif de mesure de forme, procede et dispositif d'exposition, programme de commande, et procede de fabrication de dispositif |
JP2007129101A (ja) | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Nikon Corp | 補正情報算出方法、可動ステージの制御方法、及び露光装置 |
JP2010067705A (ja) | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Adwelds:Kk | アライメント方法およびアライメント装置 |
JP2014065959A (ja) | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸着装置、および、蒸着装置における基板設置方法 |
JP6960789B2 (ja) | 2017-07-14 | 2021-11-05 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント装置、および、成膜装置 |
WO2019170252A1 (en) | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing system and method of operating a vacuum processing system |
KR102133900B1 (ko) | 2018-12-27 | 2020-07-15 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
-
2021
- 2021-01-28 JP JP2021011785A patent/JP7337108B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-24 CN CN202210076764.3A patent/CN114807841B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109722626A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 佳能特机株式会社 | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 |
JP2019192898A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | キヤノントッキ株式会社 | 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 |
CN110408886A (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-05 | 佳能特机株式会社 | 对准方法、使用对准方法的蒸镀方法及电子器件制造方法 |
CN111378932A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-07 | 佳能特机株式会社 | 基板载置方法、成膜方法、成膜装置及有机el面板的制造系统 |
JP2020141121A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法、記録媒体、及びプログラム |
CN111850461A (zh) * | 2019-04-26 | 2020-10-30 | 佳能特机株式会社 | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114807841A (zh) | 2022-07-29 |
JP7337108B2 (ja) | 2023-09-01 |
KR20220109324A (ko) | 2022-08-04 |
JP2022115267A (ja) | 2022-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6461235B2 (ja) | 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
JP7429723B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法 | |
JP7244401B2 (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
KR102128888B1 (ko) | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법 | |
CN113388806B (zh) | 掩膜安装装置及方法、成膜装置及方法、以及基板载置器 | |
KR102630778B1 (ko) | 기판 캐리어, 성막 장치, 및 성막 방법 | |
CN113106395B (zh) | 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
CN111434798B (zh) | 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 | |
CN112813381B (zh) | 成膜装置 | |
KR20220107970A (ko) | 성막 장치 | |
CN112680696B (zh) | 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
CN113851407A (zh) | 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质 | |
JP6821641B2 (ja) | 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
KR20210109998A (ko) | 흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
CN114807841B (zh) | 对准装置、成膜装置以及调整方法 | |
CN114540758B (zh) | 对准方法、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
JP7078694B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
CN113851406A (zh) | 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质 | |
JP2021073373A (ja) | 基板載置方法、電子デバイスの製造方法、基板保持装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
KR102717514B1 (ko) | 얼라인먼트 장치, 성막 장치 및 조정 방법 | |
CN112342519A (zh) | 成膜系统、成膜系统的异常部位判别方法及计算机可读取的存储介质 | |
CN112824554B (zh) | 成膜装置 | |
WO2023210464A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法、電子デバイスの製造方法、およびコンピュータプログラム記録媒体 | |
WO2024034236A1 (ja) | アライメント装置、成膜装置、制御方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体 | |
JP2023094309A (ja) | 動作設定装置、動作設定方法及び電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |