CN111850461A - 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法,在成膜装置中,提高使用对准载置台对基板与掩模进行对准时的对准精度。使用进行基板与掩模的位置对合的对准装置,其中,该对准装置具有:基板支承部件;对准载置台,使支承于基板支承部件的基板平移或旋转;控制部,驱动对准载置台;以及位置获取部件,对基板对准标记进行检测而获取位置信息,控制部一边使对准载置台以载置台中心位置为中心旋转,一边通过位置获取部件多次获取基板对准标记的位置信息,基于多个位置信息,获取载置台中心位置的信息,使基板相对于基板支承部件相对地移动,以使作为基板的中心的基板中心位置来到通过载置台中心位置的对准载置台的旋转轴上。
Description
技术领域
本发明涉及对准装置、成膜装置、对准方法、成膜方法以及电子器件的制造方法。
背景技术
显示装置所使用的显示器具有液晶显示器等各种种类。其中,有机电场发光显示器的响应速度、视场角、薄型化等特性优异,近年来,利用领域广泛地遍布于监视器、电视机、智能手机等。
有机电场发光显示器具有在彼此相向的阴极电极与阳极电极之间形成有有机物层的基本构造。为了形成有机电场发光显示器的有机物层、成为电极的金属层,成膜装置在真空腔室内隔着形成有规定的图案的掩模,使来自蒸发源的蒸镀材料蒸镀到基板上。此时,为了使蒸镀物质附着于基板上的所希望的位置,需要精度良好地固定掩模与基板的相对位置关系。因此,成膜装置使用对准装置,在蒸镀开始前对掩模和基板进行对准,由此精度良好地对掩模和基板进行定位。
专利文献1(日本特开2006-176809号公报)公开了使用具备对准载置台的对准装置的基板与掩模的对准方法。在专利文献1的对准装置中,对利用CCD照相机拍摄分别配置于基板和掩模的标记而得到的图像数据进行解析。并且,基于基板与掩模的标记间的位置关系,判定基板与掩模的相对位置是否在容许范围内。在容许范围外的情况下,对准装置驱动对准载置台,使由钩构件支承的基板在XY方向上移动或者绕与XY平面正交的Z轴(θ方向)旋转,由此调整基板与掩模的相对位置。然后,通过固定基板和掩模,能够在所希望的位置进行掩模图案那样的成膜。
专利文献1:日本特开2006-176809号公报
在此,发明人进行了深入研究,作为其结果,获知在对准装置使基板或掩模进行θ旋转时,若在对准载置台的中心位置与基板的中心位置之间产生偏离,则对准精度降低。作为其原因之一,认为是当使对准载置台以远离载置台中心位置的位置为中心进行θ旋转时,旋转中心位置越远离载置台中心位置,对准载置台的驱动精度越低。例如,在载置台中心位置与基板中心位置偏离时,即使欲以基板中心位置为中心(或者以载置台中心位置为中心)使基板进行θ旋转,不仅产生旋转运动,还产生平移运动。
可是,在专利文献1的技术中,没有关于使载置台中心位置与基板中心位置对合的记载,对准精度有可能降低。另外,在使用代替基板或者与基板一起也调整掩模的位置那样的对准装置的情况下,在掩模中心位置与载置台中心位置偏离时,也发生同样的对准精度降低。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提高在成膜装置中使用对准载置台对基板与掩模进行对准时的对准精度。
用于解决课题的技术方案
本发明采用以下的结构。即,
一种对准装置,是进行基板与掩模的位置对合的对准装置,其特征在于,
该对准装置具有:
基板支承部件,支承所述基板;
对准载置台,与所述基板支承部件连接,使支承于所述基板支承部件的所述基板平移或旋转;
控制部,驱动所述对准载置台;以及
位置获取部件,对设置于所述基板的基板对准标记进行检测而获取位置信息,
所述控制部
一边使所述对准载置台以作为所述对准载置台的中心的载置台中心位置为中心旋转,一边通过所述位置获取部件多次获取所述基板对准标记的位置信息,
基于所获取的多个所述位置信息,获取所述载置台中心位置的信息,
使所述基板或与所述基板不同的第2基板相对于所述基板支承部件相对地移动,以使作为所述基板或所述第2基板的中心的基板中心位置来到通过所述载置台中心位置的所述对准载置台的旋转轴上。
本发明还采用以下的结构。即,
一种对准装置,是进行基板与掩模的位置对合的对准装置,其特征在于,
该对准装置具有:
掩模支承部件,支承所述掩模;
对准载置台,与所述掩模支承部件连接,使支承于所述掩模支承部件的所述掩模平移或旋转;
控制部,驱动所述对准载置台;以及
位置获取部件,对设置于所述掩模的掩模对准标记进行检测而获取位置信息,
所述控制部
一边使所述对准载置台以作为所述对准载置台的中心的载置台中心位置为中心旋转,一边通过所述位置获取部件多次获取所述掩模对准标记的位置信息,
基于所获取的多个所述位置信息,获取所述载置台中心位置的信息,
使所述掩模相对于所述掩模支承部件相对地移动,以使作为所述掩模的中心的掩模中心位置来到通过所述载置台中心位置的所述对准载置台的旋转轴上。
本发明还采用以下的结构。即,
一种对准方法,是在对准装置中进行基板与掩模的位置对合的对准方法,该对准装置具有:基板支承部件,支承所述基板;对准载置台,使支承于所述基板支承部件的所述基板平移或旋转;控制部,驱动所述对准载置台;以及位置获取部件,对设置于所述基板的基板对准标记进行检测而获取位置信息,其特征在于,
该对准方法具有以下的步骤:
在所述控制部使所述对准载置台以作为所述对准载置台的中心的载置台中心位置为中心旋转的期间,所述位置获取部件多次获取所述基板对准标记的位置信息的步骤;
所述控制部基于多个所述位置信息,获取所述载置台中心位置的信息的步骤;以及
所述控制部使所述基板或与所述基板不同的第2基板相对于所述基板支承部件相对地移动,以使作为所述基板或所述第2基板的中心的基板中心位置来到通过所述载置台中心位置的所述对准载置台的旋转轴上的步骤。
本发明还采用以下的结构。即,
一种对准方法,是在对准装置中进行基板与掩模的位置对合的对准方法,该对准装置具有:掩模支承部件,支承所述掩模;对准载置台,使支承于所述掩模支承部件的所述掩模平移或旋转;控制部,驱动所述对准载置台;以及位置获取部件,对设置于所述掩模的掩模对准标记进行检测而获取位置信息,其特征在于,
该对准方法具有以下的步骤:
在所述控制部使所述对准载置台以作为所述对准载置台的中心的载置台中心位置为中心旋转的期间,所述位置获取部件多次获取所述掩模对准标记的位置信息的步骤;
所述控制部基于多个所述位置信息,获取所述载置台中心位置的信息的步骤;以及
所述控制部使所述掩模相对于所述掩模支承部件相对地移动,以使作为所述掩模的中心的掩模中心位置来到通过所述载置台中心位置的所述对准载置台的旋转轴上的步骤。
发明效果
根据本发明,能够提高在成膜装置中使用对准载置台对基板与掩模进行对准时的对准精度。
附图说明
图1是表示电子器件的制造装置整体的结构的俯视图。
图2是表示成膜装置的结构的剖视图。
图3是表示基板支承机构的结构的图。
图4是与对准装置关联的结构的框图。
图5是说明基于照相机的拍摄区域和坐标系的图。
图6是说明实施方式1的处理的流程图。
图7是说明获取对准载置台的中心坐标的方法的图。
图8是说明使基板中心位置与载置台中心位置对合的方法的图。
图9是对基板与掩模的对准进行说明的图。
图10是对实施方式2的处理进行说明的流程图。
图11是表示实施方式3的成膜装置的结构的剖视图。
图12是对实施方式3的处理进行说明的流程图。
图13是说明使掩模中心位置与载置台中心位置对合的方法的图。
图14是表示有机EL元件的一般的层结构的图。
附图标记说明
10、基板;210、基板支承单元;220、掩模;261、照相机;270、控制部;280、对准载置台。
具体实施方式
以下,详细地说明本发明的优选的实施方式。但是,以下的实施方式仅例示地表示本发明的优选的结构,本发明的范围不受这些结构的限定。此外,以下的说明中的、装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定的记载,本发明的范围就不限定于它们。
本发明适合于在基板等成膜对象物上形成蒸镀膜,特别是有机膜。本发明也可以被理解为是对准装置、成膜装置、具备该成膜装置的蒸镀装置及其控制方法。本发明还可以被理解为是对准方法或成膜方法。本发明还可以被理解为是电子器件的制造装置或电子器件的制造方法。本发明还可以被理解为是使计算机执行控制方法的程序和存储有该程序的存储介质。存储介质也可以是能够由计算机读取的非暂时性的存储介质。
[实施方式1]
参照附图,对实施方式1的对准装置的基本的结构进行说明。对准装置典型地构成为成膜装置的一部分。成膜装置用于在半导体器件、磁器件、电子零件等各种电子器件、光学零件等的制造中,在基板或在基板上形成有层叠体的结构(以下也称为“基板等”)之上堆积形成薄膜。更具体而言,成膜装置优选用于发光元件、光电转换元件、触摸面板等电子器件的制造中。成膜装置例如优选用于有机EL(Erectro Luminescence)元件等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造。作为电子器件,可举出具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)、照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)等。
(形成于基板的膜)
图14示意性地示出有机EL元件的一般的层结构。图14所示的一般的有机EL元件是在基板10上依次成膜阳极1001、空穴注入层1002、空穴输送层1003、有机发光层1004、电子输送层1005、电子注入层1006、阴极1007的各功能层、电极层的结构。成膜装置在通过蒸镀、溅射在基板10上或形成在基板10上的层之上成膜各功能层、电极层时优选使用。
在基板等上形成具有某种所希望的形状的膜时,使用具有适合所形成的膜的形状的掩模图案的掩模。由此,能够任意地构成所成膜的各层。此时,为了在基板上的所希望的位置形成膜,需要高精度地对准基板等与掩模的相对位置。
(电子器件的生产线)
图1是示意性地表示电子器件的生产线的结构的一部分的俯视图。本生产线例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板。在制造智能手机用的显示面板的情况下,例如在约1800mm×约1500mm、约900mm×约1500mm的尺寸的基板上进行了有机EL的成膜后,切割该基板,制成多个小尺寸的面板。有机EL显示装置的生产线的成膜集群1一般如图1所示,具有对基板10进行成膜等处理的多个成膜室110、收纳使用前后的掩模的掩模储存腔室120、以及配置于这些成膜室110和掩模储存腔室120的中央的搬送室130。
设置于搬送室130内的搬送机器人140进行基板10、掩模向搬送室130的搬出搬入。搬送机器人140例如是具有在多关节臂上安装有保持基板10或掩模的机器人手的构造的机器人。
成膜集群1在基板10的流动方向上连结有将来自上游侧的基板10向成膜集群1搬送的路径室150、和用于将在该成膜集群1中完成了成膜处理的基板10搬送到下游侧的其他的成膜集群的缓冲室160。搬送室130的搬送机器人140从上游侧的路径室150接收基板10,搬送到该成膜集群1内的一个成膜室110。另外,搬送机器人140从多个成膜室110中的一个接收该成膜集群1中的成膜处理完成了的基板10,并向连结于下游侧的缓冲室160搬送。在缓冲室160与更下游侧的路径室150之间设置有改变基板10的方向的回旋室170。由此,基板在上游侧成膜集群和下游侧成膜集群中的方向相同,基板处理变得容易。
在掩模储存腔室120中,将要被成膜室110中的成膜工序使用的未使用掩模和成膜结束后的已使用掩模分开收纳于两个盒。搬送机器人140将已使用的掩模从成膜室110搬送到掩模储存腔室120的盒,将收纳在掩模储存腔室120的其他的盒中的新的掩模搬送到成膜室110。成膜室110、掩模储存腔室120、搬送室130、缓冲室160、回旋室170等各腔室在有机EL显示面板的制造过程中被维持为高真空状态。
(成膜装置)
在各成膜室110中分别设置有成膜装置108(也称为蒸镀装置)。与搬送机器人140交接基板10、基板10与掩模的相对位置的调整(对准)、基板10向掩模上的固定、成膜(蒸镀)等一连串的成膜工艺通过成膜装置的各构成要素来进行。
图2是示意性地表示成膜装置的结构的剖视图。在以下的说明中,使用将铅垂方向设为Z方向的XYZ直角坐标系。在XYZ直角坐标系中,在成膜时基板以与水平面(XY平面)平行的方式固定的情况下,将基板的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向,将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。另外,用θ表示绕Z轴的旋转角。
各成膜室的成膜装置虽然存在蒸发源的差异、掩模的差异等细小的方面不同的部分,但基本的结构(特别是与基板的搬送、对准有关的结构)大致相同。以下,对各成膜室的成膜装置的共同结构进行说明。另外,在以下的说明中,对在成膜时基板的成膜面朝向重力方向下方的状态下成膜的向上淀积的结构进行说明,但并不限定于此,也可以是在成膜时基板的成膜面朝向重力方向上方的状态下成膜的向下淀积的结构。另外,也可以是基板铅垂立起而以成膜面与重力方向大致平行的状态进行成膜的侧向淀积的结构。
成膜装置具有真空腔室200。真空腔室200的内部被维持为真空气氛或氮气等非活性气体气氛。在真空腔室200的内部设置有基板支承单元210、掩模220、掩模台221、冷却板230以及蒸发源240。
作为基板支承部件的基板支承单元210是对从搬送机器人140接收到的基板10进行支承的保持架。掩模220是具有与在基板10上形成的薄膜图案对应的开口图案的掩模,固定在作为支承掩模220的掩模支承单元的框状的掩模台221之上。作为掩模220,例如能够利用金属掩模。在本实施方式的结构中,在掩模220之上定位并载置基板10之后,进行成膜。因此,掩模220还起到作为载置基板10的载置体的作用。
冷却板230是在成膜时与基板10的同掩模220接触的面相反侧的面接触,抑制成膜时的基板10的温度上升的板状构件。由此,可抑制有机材料的变质或劣化。冷却板230也可以兼作磁铁板。所谓磁铁板,是通过利用磁力吸引掩模220来提高成膜时的基板10与掩模220的贴紧性的构件。磁铁板也可以与冷却板230分体设置,在该情况下,也能够独立地驱动冷却板230和磁铁板。另外,为了提高基板10与掩模220的贴紧性,基板支承单元210也可以保持基板10和掩模220双方,并通过致动器等使它们贴紧。
蒸发源240由收容蒸镀材料的容器(坩埚)、加热器、挡板、驱动机构、蒸发速率监视器等构成。另外,成膜源并不限定于蒸发源240。本实施方式的成膜装置也可以是使用溅射靶作为成膜源的溅射装置。
在真空腔室200的外侧上部,设置有基板Z致动器250、夹具Z致动器251、冷却板Z致动器252。各致动器例如由马达和滚珠丝杠、马达和线性引导件等构成。在真空腔室200的外侧上部还设置有对准载置台280。
基板Z致动器250是使基板支承单元210整体沿Z轴方向升降的驱动部件。夹具Z致动器251是使基板支承单元210的夹持机构(后述)开闭的驱动部件。冷却板Z致动器252是使冷却板230升降的驱动部件。
(用于对准的结构)
本实施方式的对准载置台280是使基板10进行XY方向移动并进行θ方向旋转而使其与掩模220的位置变化的对准装置。对准载置台280具备与真空腔室200连接并固定的腔室固定部281、用于进行XYθ移动的致动器部282、与基板支承单元210连接的连接部283。另外,也可以使对准载置台280与基板支承单元210合并而作为使基板相对于掩模对准的对准装置。另外,也可以对对准载置台280和基板支承单元210进一步添加控制部270而作为对准装置。
作为致动器部282,也可以使用层叠X致动器、Y致动器以及θ致动器而成的致动器。另外,也可以使用多个致动器协作的UVW方式的致动器。无论是哪种方式的致动器部282,都按照从控制部270发送的控制信号进行驱动,使基板10在X方向和Y方向上移动,并在θ方向上旋转。如果是层叠方式的致动器,则控制信号表示XYθ各致动器的动作量,如果是UVW方式的致动器,则控制信号表示UVW各致动器的动作量。
对准载置台280使基板支承单元210和/或冷却板230进行XYθ移动。此外,在本实施方式中采用了调整基板10的位置的结构,但也可以采用调整掩模220的位置的结构、调整基板10和掩模220这两者的位置的结构。
在真空腔室200的外侧上部设置有进行光学拍摄并生成图像数据的照相机261。照相机261通过设置于真空腔室200的窗来进行拍摄。照相机261的设置场所优选在该照相机的拍摄区域内、包括基板上的基板对准标记104和掩模上的掩模对准标记224那样的场所。由此,控制部270能够对拍摄图像数据进行解析而获取基板对准标记104和掩模对准标记224的位置信息。其结果,能够算出基板对准标记104与掩模对准标记224的相对位置关系(距离、角度等)。也可以将照相机261作为获取基板对准标记104和掩模对准标记224的位置信息的位置获取部件。另外,也可以将照相机261以及对照相机图像进行处理的控制部270的结构一并作为位置获取部件。
在本实施方式中,配置有多台相同种类的照相机261。在此,对在基板10以及掩模220各自的四角各配置1个、合计4个对准标记,利用4台照相机261测量这些标记的结构进行说明。但是,对准标记的数量及设置场所以及照相机的数量、设置场所以及种类并不限定于该例子。例如,照相机可以是两台,也可以设置在真空腔室200的外侧下部。在进行两阶段对准的情况下,也可以设置低分辨率但大视场的粗略对准用的照相机和窄视场但高分辨率的精细对准用的照相机这两种照相机。另外,也可以在四角部配置粗略对准用的标记,在边的中央部配置精细对准用的标记等。
典型地,基板对准标记104通过光刻法而形成在基板上,掩模对准标记224通过机械加工而形成在掩模上。但是,标记的形成方法不限于此。另外,标记的形状、尺寸能够根据照相机的性能、图像解析的能力而任意地设定。
控制部270进行致动器部282的各致动器的动作控制、照相机261的拍摄控制及图像数据解析、基板10及掩模220的搬出搬入控制及对准控制、蒸发源的控制、成膜的控制、其他各种控制。控制部270例如能够由具有处理器、存储器、存储装置、I/O等的计算机构成。在这种情况下,通过处理器执行存储在存储器或存储装置中的程序来实现控制单元270的功能。作为计算机,可以使用通用的个人计算机,也可以使用嵌入式计算机或PLC(programmable logic controller:可编程逻辑控制器)。或者,也可以由ASIC、FPGA那样的电路构成控制部270的功能的一部分或全部。此外,既可以针对每个成膜装置设置控制部270,也可以由1个控制部270控制多个成膜装置。
(与对准相关的功能块)
图4是用于说明使用了实施方式的装置的控制的流程的框图,示出与对准装置关联的构成要素。控制部270具有图像处理部272、运算部274、控制器部276、存储部278作为功能块。这些功能块既可以以物理方式实现,也可以作为程序模块以虚拟方式实现。
图像处理部272对照相机261光学拍摄的图像数据进行解析,通过图案匹配处理等从图像中检测基板对准标记104以及掩模对准标记224。
运算部274基于图像数据进行各种运算。在通常的对准时,图像处理部基于检测出的对准标记的位置偏离来算出基板的XYθ方向的移动量。另外,作为本发明所特有的处理,基于在对准载置台280使基板10旋转的中途获取的多个图像数据,获取对准载置台280的中心位置。然后,基于对准载置台280的中心位置与基板10的中心位置的偏离量,算出基板10的移动量。
控制器部276将由运算部算出的基板等的移动量转换为对准载置台280的各致动器所具备的步进马达、伺服马达等的驱动量,生成用于实现该驱动量的控制信号。另外,根据需要,接收来自对准载置台280的传感器信号而进行反馈控制。
如上所述,照相机261经由腔室顶棚的窗户而对下方进行光学拍摄。为了保持腔室内的气密,作为窗使用真空用的密封窗等。照相机261设置在基板和掩模的标记来到拍摄区域内那样的位置。
由于照相机261的位置固定在腔室外侧上部,所以基于照相机261的拍摄区域也与腔室内的特定的区域对应。图5是从Z方向上方观察真空腔室200内的特定的区域200d的俯视图。在此,在区域200d中设定由X轴(XCAM)和Y轴(YCAM)表示的照相机坐标系。另外,在本实施方式中,照相机坐标系的X方向以及Y方向与装置的X方向以及Y方向一致,但并不限定于此。
装置具备四个照相机261a~261d,各个照相机拍摄拍摄区域263a~263d。此时,由于在照相机坐标系中各拍摄区域的坐标范围被固定,因此能够将各照相机所获取的图像数据中的任意的位置变换为照相机坐标系中的坐标。因此,能够获取各图像数据中存在的对准标记的位置等作为坐标值。
(基板支承单元)
参照图3的立体图,对基板支承单元210的结构进行说明。基板支承单元210通过夹持基板10的周缘来保持基板10。对准载置台280通过向保持有基板10的状态下的基板支承单元210传递驱动力,来对基板10相对于掩模220的相对位置进行微调整。具体而言,基板支承单元210具有设置有从下方支承基板10的各边的多个支承件300的支承框体301、和设置有在与各支承件300之间夹入基板10的多个按压件302的夹紧构件303。一对支承件300和按压件302构成一个夹持机构。图中,沿着基板10的长边配置有6个夹持机构,夹持2个长边。另外,沿着短边配置有3个支承件300。
但是,夹持机构的结构不限于图3的例子,也可以根据成为处理对象的基板尺寸、形状、成膜条件等,适当变更夹持机构的数量、配置。另外,也可以不是夹持方式,而是将基板载置于支承件的方式。
在从搬送机器人140向基板支承单元210交接基板10时,首先,通过夹具Z致动器251使夹紧构件303上升,使按压件302离开支承件300,由此使夹持机构成为释放状态。在利用搬送机器人140将基板10导入支承件300与按压件302之间之后,利用夹具Z致动器251使夹紧构件303下降,以规定的按压力将按压件302按压于支承件300。由此,成为在按压件302与支承件300之间夹持有基板10的基板支承状态。
在基板支承状态下,即使进行Z方向移动、XYθ移动,基板10也被稳定地保持。在Z方向移动中,基板Z致动器250进行驱动而使基板支承单元210移动,使基板10升降。由此,基板10与掩模220接近或分离。在XYθ移动中,对准载置台280使基板10在XY方向上平移移动或在θ方向上旋转移动。在对准时基板10移动是指在配置有基板的XY平面内,该平面与配置有掩模的平面大致平行。即,在基板10的XYθ移动时,基板10与掩模220的Z方向的距离不变化,基板10的位置在XY平面内变化。由此,基板10和掩模220在面内被位置对合。另外,基板与基板支承部件的位置对合是相对的。即,也可以通过基板支承部件那侧移动来进行位置对合。
在此,图3的附图标记104表示附加于基板10的四角的基板对准标记。基板对准标记104成为对准时的基板侧的记号。另外,也优选在大致进行位置对合的粗略对准和高精度地进行位置对合的精密对准这两个阶段进行对准控制。在该情况下,也可以分别设置粗略对准用标记和精细对准用标记。
(处理流程)
参照附图对本实施方式的处理的流程进行说明。在图6的流程中,在基板10与掩模220的对准之前使基板中心与对准载置台中心对合。
(步骤S101)搬送机器人140将掩模220搬入真空腔室内。被搬入的掩模220被掩模台221支承。
(步骤S102)搬送机器人140向真空腔室内搬入基板10,基板支承单元210支承基板10。在基板10被设置于基板支承单元210时的位置精度取决于搬送机器人140、基板支承单元210的结构和性能、或者基板10的加工精度等。因此,即使控制搬送机器人140及基板支承单元210以使基板中心位置与载置台中心位置对合,基板中心位置也未必与载置台中心位置对合。因此,进行本流程所示的处理。
(步骤S103)控制部270控制对准载置台280和照相机261,一边使基板10连同基板支承单元210一起进行θ旋转,一边对基板10进行多次光学拍摄。
(步骤S104)控制部270基于由照相机261获取的多个图像数据,求出对准载置台280的中心位置的坐标(载置台中心坐标Cst)。
在此,说明S103~S104中的载置台中心坐标的获取方法。
图7(a)是说明获取方法的一例的图,示出基板10通过对准载置台280旋转规定的角度θ的情形。例如,通过多次获取标记位置并解析图像,能够获取中心坐标。
在图7(a)中,用附图标记10(ta1)、附图标记10(ta2)、附图标记10(ta3)表示旋转开始时(时刻ta1)、旋转中途(时刻ta2)、旋转结束时(时刻ta3)的基板10的情形。另外,对于配置于基板上的某一角的基板对准标记104,用附图标记104(ta1)表示时刻ta1的位置,用附图标记104(ta2)表示时刻ta2的位置,用附图标记104(ta3)表示时刻ta3的位置。
另外,用附图标记Csub(ta1)表示时刻ta1的基板中心位置,用附图标记Csub(ta3)表示时刻ta3的基板中心位置。于是,如图7(a)所示,由于基板中心位置与载置台中心位置未对合,因此基板中心位置随着θ旋转的进行而移动。为了消除该问题,需要使基板中心位置与载置台中心位置对合,但控制部270未必把握照相机坐标系中的载置台中心位置。因此,在本实施方式中,为了使基板与载置台的中心对合,控制部270首先获取载置台中心坐标。
具体而言,控制部270在时刻ta1~时刻ta3分别一边驱动对准载置台280一边使用照相机261进行光学拍摄而获取图像数据(步骤S103)。由此,能够算出表示各时刻的基板对准标记104的坐标的三个点。由此,能够获取通过该3点的圆弧(附图标记TSubM)以及包括圆弧TSubM的圆的坐标信息。其结果,能够获取圆的中心坐标作为基板中心位置。另外,在图7(a)中为了容易理解而增大了θ旋转的角度,但实际上,设定无论在哪个时刻基板对准标记104均收纳于照相机261的拍摄区域内那样的旋转角。接着,控制部270算出圆的中心点的坐标并设为载置台中心坐标Cst(步骤S104)。
接着,参照图7(b),说明载置台中心坐标的获取方法的另一例。用附图标记10(tb1)、附图标记10(tb2)表示旋转开始时(时刻tb1)、旋转结束时(时刻tb2)的基板10的情形。
在该例子中,首先,在时刻tb1,照相机261对位于基板10的一角的第1基板对准标记(附图标记104tb1_1)和位于其对角的第2基板对准标记(附图标记104tb2_1)进行拍摄。然后,在驱动对准载置台280之后,在时刻tb2,照相机261再次进行拍摄,获取包括第1基板对准标记(附图标记104tb1_2)和第2基板对准标记(附图标记104tb2_2)的像在内的图像数据(步骤S103)。另外,在该例中,将以对准载置台280的中心来到连结位于一角和其对角的基板对准标记的直线上的方式支承基板10作为前提。
然后,控制部270算出连结时刻tb1的基板对准标记104tb1_1和104tb2_1的直线与连结时刻tb2的基板对准标记104tb1_2和104tb2_2的直线的交点的坐标,作为载置台中心坐标Cst(步骤S104)。
此外,即使是上述任一种方法以外的方法,只要能够一边使对准载置台280旋转一边对基板10的对准标记104进行拍摄,并获取载置台中心坐标,则可以使用任意的方法。
返回流程继续说明。
(步骤S105)控制部270使基板10移动以使基板中心位置与载置台中心位置对合。即,在对准载置台280的旋转轴为通过载置台中心位置且与对准载置台280垂直的方向的直线时,使基板10移动,以使基板中心位置来到旋转轴上。以下,作为具体例,参照图8,叙述基板支承单元210重新保持基板10而进行中心位置对合的方法。
(105_a)照相机261a~d在各自的拍摄区域263a~d进行光学拍摄,生成图像数据。控制部270解析图像数据,算出照相机坐标系中的基板对准标记104a~d的坐标。
(105_b)控制部270基于基板对准标记坐标,算出当前时刻的实际的基板中心位置的坐标Csub。
(105_c)另一方面,控制部270基于在步骤S104中获取的载置台中心坐标Cst,在假定为基板中心位置与载置台中心位置一致时,算出各基板对准标记104a~d应来到的坐标。将这些坐标称为理想的基板对准标记坐标106a~106d。
(105_d)控制部270基于在(a)中算出的当前的基板对准标记104a~d的坐标与(c)中算出的理想的基板对准标记坐标106a~106d的偏离量,算出使基板10的位置挪动的量。例如在图8的情况下,由于基板中心坐标Csub比载置台中心坐标Cst在纸面上向左侧偏离了距离f,因此基板10被保持在纸面上向右侧偏离了距离f的位置。
(105_e)因此,基板支承单元210重新保持基板10,以使基板中心坐标与载置台中心坐标一致。
(步骤S106)控制部270驱动对准载置台280,使基板10连同基板支承单元210一起进行XYθ移动,使基板与掩模相对地位置对合。以下,作为具体例,参照图9说明位置对准顺序。
图9(a)是在S105结束了的阶段由照相机261a~261d得到的、拍摄区域263a~263d的图像数据。为了方便起见,记入了连结基板对准标记的单点划线和连结掩模对准标记的虚线。另外,图9(b)是在正确地设定了掩模220与基板10的位置关系的情况下,在拍摄区域263a~263d中应得到的图像数据。
控制部270在图9(a)的状态下解析基板对准标记104a~104d与掩模对准标记224a~224d的位置关系,决定用于实现图9(b)的状态的对准载置台280的控制量并生成控制信号。
在图示例中,控制部270决定使基板10旋转的角度θa,驱动对准载置台而使基板10旋转角度θa。此时,由于基板10与对准载置台280的中心大致一致,因此旋转的精度高。控制部270还使基板10在XY方向上平移移动。
如上所述,在具备本实施方式的对准装置的成膜装置中,在基板10与对准载置台280的中心位置对齐的状态下进行对准控制,因此能够进行高精度的对准。其结果,使用蒸镀装置而进行蒸镀时的成膜图案的精度也提高,因此能够制造品质良好的电子器件。
[实施方式2]
对实施方式2的结构和控制进行说明。对与实施方式1相同的结构、处理标注相同的附图标记,并简化说明。
图10是说明本实施方式的处理流程的流程图。在本流程中包括载置台中心坐标存储工序(第1工序)和在每次对各基板进行成膜时实施的位置对合工序(第2工序)。即,在与为了获取载置台中心位置的信息而使用的基板(也称为第1基板)不同的基板(也称为第2基板)的对准中利用由第1基板获取的信息。
[第1工序]
第1工序包括步骤S101、S103、S104和S201。
(步骤S101、S103、S104)关于这些步骤,进行与实施方式1同样的处理。即,基于对由搬送机器人140搬入到成膜装置内的基板10的光学拍摄的结果,获取对准载置台中心坐标Cst。
(步骤S201)控制部270将在S104中获取的对准载置台的中心位置的坐标保存于存储部278。
[第2工序]
(步骤S201)搬送机器人140将掩模220搬入真空腔室内。被搬入的掩模220载置于掩模台221而被支承。
(步骤S202)搬送机器人140向真空腔室内搬入基板10,基板支承单元210支承基板10。此时,控制部270从存储部278读取载置台中心坐标。然后,以所搬入的基板10的中心坐标与所读取的载置台中心坐标一致的方式,使基板支承单元210保持基板10。关于使中心坐标一致时的控制,与实施方式1的步骤S105同样地进行。(步骤S203)控制部270驱动对准载置台280,使基板10连同基板支承单元210一起进行XYθ移动,使基板与掩模位置对合。此时的控制与实施方式1的步骤S106同样地进行。
如上所述,在具备本实施方式的对准装置的成膜装置中也与实施方式1同样地,在基板10与对准载置台280的中心位置对齐的状态下进行对准控制,因此能够进行高精度的对准。并且,在本实施方式中,仅针对第1张基板算出载置台中心坐标即可,因此能够改善成膜的生产节拍时间。
另外,在上述流程中,紧接着第1工序进行了第2工序,但也可以仅将第1工序作为“载置台中心坐标检测模式”来执行。在装置装配时或维护时,通过进行该载置台中心坐标检测模式并保存坐标值,能够兼顾对准精度的提高和生产节拍时间改善。
[实施方式3]
图11是示意性地表示本实施方式的成膜装置108的结构的剖视图。本实施方式的对准载置台280不仅能够使基板10移动,还能够使掩模220进行XYθ移动。因此,本实施方式的成膜装置具备掩模支承单元295以及掩模Z致动器290。掩模支承单元295由爪状的构件支承掩模端部。在掩模220被支承的状态下,控制部270驱动掩模Z致动器290,由此掩模在Z方向上升降。
另外,在本实施方式的结构中,一个对准载置台280对掩模支承单元295和基板支承单元210这两者进行驱动。因此,在想要仅调整基板10的位置的情况下,预先将掩模220载置于掩模台221。另一方面,通过在掩模220和基板10均被支承的状态下驱动对准载置台280,也能够使两者同时进行XYθ移动。
在本实施方式中,也可以使掩模支承单元295与对准载置台280和基板支承单元210合并,作为对基板和掩模进行对准的对准装置。另外,对准装置也可以进一步具有控制部270。
参照图12说明本实施方式的处理流程。此外,步骤S301~S304的处理与实施方式1的步骤S101~S104相同。
(步骤S301)搬送机器人140将掩模220搬入真空腔室内。被搬入的掩模220被掩模台221支承。
(步骤S302)搬送机器人140向真空腔室内搬入基板10,基板支承单元210支承基板10。
(步骤S303)控制部270控制对准载置台280和照相机261,一边使基板连同基板支承单元210一起进行θ旋转,一边对基板10进行多次光学拍摄。
(步骤S304)控制部270基于由照相机261获取的多个图像数据,求出对准载置台280的中心位置的坐标(载置台中心坐标Cst)。
(步骤S305)接着,控制部270使掩模220移动以使掩模中心坐标与载置台中心坐标对合。本步骤的处理是将实施方式1的S105中的基板10置换为掩模220。
参照图13,一边与实施方式1对比,一边说明步骤S305的处理。在本实施方式中,以掩模对准标记224为基准进行中心位置对合。首先,照相机261a~d生成拍摄区域263a~d的图像数据。接着,控制部270基于掩模对准标记坐标而算出掩模中心坐标Cm。
另一方面,控制部270基于掩模中心坐标Cm而算出理想的掩模对准标记坐标226a~226d。然后,基于掩模对准标记224a~224d与理想的掩模对准标记坐标226a~226d的相对位置关系,决定使掩模220进行XYθ移动时的控制量。在图示例中,以掩模220向纸面上右侧移动距离g的方式决定控制值。由此,能够使掩模中心坐标Cm与载置台中心坐标Cst对合。
(步骤S306)控制部270控制掩模Z致动器290,将掩模220载置于掩模台221。由此,对准载置台280能够仅对基板10进行位置调整。
(步骤S307)控制部270驱动对准载置台280,使基板10连同基板支承单元210一起进行XYθ移动,使基板与掩模位置对合。
如上所述,在具备本实施方式的对准装置的成膜装置中,在掩模220与对准载置台280的中心位置对齐的状态下进行对准控制,因此能够进行高精度的对准。其结果,使用蒸镀装置进行蒸镀时的成膜图案的精度也提高,因此能够制造品质良好的电子器件。
[实施方式4]
在上述实施方式3中,仅进行了掩模中心位置与载置台中心位置的位置对合。可是,在具备图11的结构的成膜装置中,也能够对掩模中心位置、基板中心位置以及载置台中心位置这3者进行位置对合。在该情况下,只要在步骤S305之前或之后,利用与图6的步骤S105同样的方法使基板中心位置与载置台中心位置对合即可。
若将本实施方式与实施方式1或3进行比较,则虽然会花费将基板与掩模这两者位置对合的时间,但能够进一步提高对准精度。
[实施方式5]
在实施方式3的步骤S303、S304中,基于对基板10进行多次光学拍摄而得到的图像数据来获取载置台中心坐标。但是,如果是如图11那样能够进行掩模220的位置控制的结构,则也能够不使用基板10而使用掩模220的图像数据来获取载置台中心坐标。在该情况下,也预先保存载置台中心坐标,并用于基板中心位置与载置台中心位置的位置对合、掩模中心位置与载置台中心位置的位置对合,从而提高对准精度。
[实施方式6]
在实施方式3的步骤S305~S307中,首先使掩模中心与载置台中心一致,接着将掩模220载置于掩模台221之后,对准载置台280调整被支承于基板支承单元210的基板10的位置来进行对准。可是,也可以在该处理中调换掩模220和基板10。即,首先使基板中心与载置台中心一致,接着使基板暂时退避到不与对准载置台280联地的支承机构之后,对准载置台280调整掩模220的位置而进行对准。根据本实施方式,也与上述实施方式同样地提高对准精度。
Claims (22)
1.一种对准装置,是进行基板与掩模的位置对合的对准装置,其特征在于,
该对准装置具有:
基板支承部件,支承所述基板;
对准载置台,与所述基板支承部件连接,使支承于所述基板支承部件的所述基板平移或旋转;
控制部,驱动所述对准载置台;以及
位置获取部件,对设置于所述基板的基板对准标记进行检测而获取位置信息,
所述控制部
一边使所述对准载置台以作为所述对准载置台的中心的载置台中心位置为中心旋转,一边通过所述位置获取部件多次获取所述基板对准标记的位置信息,
基于所获取的多个所述位置信息,获取所述载置台中心位置的信息,
使所述基板或与所述基板不同的第2基板相对于所述基板支承部件相对地移动,以使作为所述基板或所述第2基板的中心的基板中心位置来到通过所述载置台中心位置的所述对准载置台的旋转轴上。
2.根据权利要求1所述的对准装置,其特征在于,
所述控制部在所述基板或所述第2基板来到所述旋转轴上的状态下,驱动所述对准载置台而进行所述基板与所述掩模的位置对合。
3.根据权利要求1所述的对准装置,其特征在于,
该对准装置还具有掩模支承部件,该掩模支承部件与所述对准载置台连接,对所述掩模进行支承,
所述控制部使所述掩模移动,以使作为所述掩模的中心的掩模中心位置来到所述旋转轴上。
4.根据权利要求1所述的对准装置,其特征在于,
该对准装置还具有存储所述载置台中心位置的信息的存储部,
所述控制部基于存储于所述存储部的所述载置台中心位置的信息,决定所述基板支承部件支承所述第2基板时的位置关系。
5.根据权利要求1所述的对准装置,其特征在于,
所述控制部通过向所述对准载置台所具备的致动器发送控制信号,来控制基于所述对准载置台的所述基板的移动。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的对准装置,其特征在于,
所述位置获取部件具备对所述基板对准标记进行光学拍摄的照相机。
7.根据权利要求6所述的对准装置,其特征在于,
所述控制部基于所述位置获取部件获取的所述基板对准标记的位置信息,获取所述基板中心位置的信息。
8.一种成膜装置,具备:腔室,在内部配置有基板和掩模;蒸发源,使蒸镀材料隔着所述掩模蒸镀到所述基板上;以及对准装置,其特征在于,
所述对准装置是权利要求1~7中任一项所述的对准装置。
9.一种对准装置,是进行基板与掩模的位置对合的对准装置,其特征在于,
该对准装置具有:
掩模支承部件,支承所述掩模;
对准载置台,与所述掩模支承部件连接,使支承于所述掩模支承部件的所述掩模平移或旋转;
控制部,驱动所述对准载置台;以及
位置获取部件,对设置于所述掩模的掩模对准标记进行检测而获取位置信息,
所述控制部
一边使所述对准载置台以作为所述对准载置台的中心的载置台中心位置为中心旋转,一边通过所述位置获取部件多次获取所述掩模对准标记的位置信息,
基于所获取的多个所述位置信息,获取所述载置台中心位置的信息,
使所述掩模相对于所述掩模支承部件相对地移动,以使作为所述掩模的中心的掩模中心位置来到通过所述载置台中心位置的所述对准载置台的旋转轴上。
10.根据权利要求9所述的对准装置,其特征在于,
所述控制部在所述掩模来到所述旋转轴上的状态下,驱动所述对准载置台进行所述基板与所述掩模的位置对合。
11.根据权利要求9所述的对准装置,其特征在于,
该对准装置还具有基板支承部件,该基板支承部件与所述对准载置台连接,对所述基板进行支承,
所述控制部使所述基板移动,以使作为所述基板的中心的基板中心位置与所述掩模中心位置一起来到所述旋转轴上。
12.根据权利要求9所述的对准装置,其特征在于,
该对准装置还具有存储所述载置台中心位置的信息的存储部,
所述控制部基于存储于所述存储部的所述载置台中心位置的信息,决定所述掩模支承部件支承与所述载置台中心位置的获取所使用的掩模不同的掩模时的、所述掩模支承部件与所述不同的掩模的位置关系。
13.根据权利要求9所述的对准装置,其特征在于,
所述控制部通过向所述对准载置台所具备的致动器发送控制信号,来控制基于所述对准载置台的所述掩模的移动。
14.根据权利要求9~13中任一项所述的对准装置,其特征在于,
所述位置获取部件具备对所述掩模对准标记进行光学拍摄的照相机。
15.根据权利要求14所述的对准装置,其特征在于,
所述控制部基于所述位置获取部件获取的所述掩模对准标记的位置信息,获取所述掩模中心位置的信息。
16.一种成膜装置,具备:腔室,在内部配置有基板和掩模;蒸发源,使蒸镀材料隔着所述掩模蒸镀到所述基板上;以及对准装置,其特征在于,
所述对准装置是权利要求9~15中任一项所述的对准装置。
17.一种对准方法,是在对准装置中进行基板与掩模的位置对合的对准方法,该对准装置具有:基板支承部件,支承所述基板;对准载置台,使支承于所述基板支承部件的所述基板平移或旋转;控制部,驱动所述对准载置台;以及位置获取部件,对设置于所述基板的基板对准标记进行检测而获取位置信息,其特征在于,
该对准方法具有以下的步骤:
在所述控制部使所述对准载置台以作为所述对准载置台的中心的载置台中心位置为中心旋转的期间,所述位置获取部件多次获取所述基板对准标记的位置信息的步骤;
所述控制部基于多个所述位置信息,获取所述载置台中心位置的信息的步骤;以及
所述控制部使所述基板或与所述基板不同的第2基板相对于所述基板支承部件相对地移动,以使作为所述基板或所述第2基板的中心的基板中心位置来到通过所述载置台中心位置的所述对准载置台的旋转轴上的步骤。
18.一种成膜方法,是使用成膜装置的成膜方法,该成膜装置具备:腔室,在内部配置有基板和掩模;蒸发源,使蒸镀材料隔着所述掩模蒸镀到所述基板上;以及对准装置,其特征在于,
所述对准装置通过权利要求17所述的对准方法而进行对准,
该成膜方法还具有所述蒸发源进行所述蒸镀材料的蒸镀的步骤。
19.一种电子器件的制造方法,是在基板上成膜有蒸镀材料的电子器件的制造方法,其特征在于,
该电子器件的制造方法使用电子器件的制造装置,该电子器件的制造装置具备:腔室,在内部配置有基板和掩模;蒸发源,使蒸镀材料隔着所述掩模蒸镀到所述基板上;以及对准装置,
所述对准装置通过权利要求17所述的对准方法而进行对准,
该电子器件的制造方法还具有所述蒸发源进行所述蒸镀材料的蒸镀的步骤。
20.一种对准方法,是在对准装置中进行基板与掩模的位置对合的对准方法,该对准装置具有:掩模支承部件,支承所述掩模;对准载置台,使支承于所述掩模支承部件的所述掩模平移或旋转;控制部,驱动所述对准载置台;以及位置获取部件,对设置于所述掩模的掩模对准标记进行检测而获取位置信息,其特征在于,
该对准方法具有以下的步骤:
在所述控制部使所述对准载置台以作为所述对准载置台的中心的载置台中心位置为中心旋转的期间,所述位置获取部件多次获取所述掩模对准标记的位置信息的步骤;
所述控制部基于多个所述位置信息,获取所述载置台中心位置的信息的步骤;以及
所述控制部使所述掩模相对于所述掩模支承部件相对地移动,以使作为所述掩模的中心的掩模中心位置来到通过所述载置台中心位置的所述对准载置台的旋转轴上的步骤。
21.一种成膜方法,是使用成膜装置的成膜方法,该成膜装置具备:腔室,在内部配置有基板和掩模;蒸发源,使蒸镀材料隔着所述掩模蒸镀到所述基板上;以及对准装置,其特征在于,
所述对准装置通过权利要求20所述的对准方法而进行对准,
该成膜方法还具有所述蒸发源进行所述蒸镀材料的蒸镀的步骤。
22.一种电子器件的制造方法,是在基板上成膜有蒸镀材料的电子器件的制造方法,其特征在于,
该电子器件的制造方法使用电子器件的制造装置,该电子器件的制造装置具备:腔室,在内部配置有基板和掩模;蒸发源,使蒸镀材料隔着所述掩模蒸镀到所述基板上;以及对准装置,
所述对准装置通过权利要求20所述的对准方法而进行对准,
该电子器件的制造方法还具有所述蒸发源进行所述蒸镀材料的蒸镀的步骤。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019086391A JP7290988B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法および電子デバイスの製造方法 |
JP2019-086391 | 2019-04-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111850461A true CN111850461A (zh) | 2020-10-30 |
Family
ID=72970887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911297334.9A Pending CN111850461A (zh) | 2019-04-26 | 2019-12-17 | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7290988B2 (zh) |
KR (1) | KR20200125397A (zh) |
CN (1) | CN111850461A (zh) |
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2019
- 2019-04-26 JP JP2019086391A patent/JP7290988B2/ja active Active
- 2019-12-10 KR KR1020190163765A patent/KR20200125397A/ko active Search and Examination
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