CN108677158B - 基板搬送机构、基板载置机构、成膜装置及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明为基板搬送机构、基板载置机构、成膜装置及其方法。提供可在基板的搬送、载置中降低基板挠曲的影响的技术。在基板搬送机构中,对基板的下面进行支撑的第1支撑部从比多个第2支撑部高的位置在多个第2支撑部之间通过后向比第2支撑部低的位置相对移动,从而成为第2支撑部对基板的下面进行支撑的状态,由按压部按压由第2支撑部支撑的基板的上面,使基板被第2支撑部与按压部夹持,在成为基板的下面被第2支撑部支撑的状态开始到按压部对基板的上面进行按压为止的期间,使第1支撑部位于多个第2支撑部之间,在按压部对基板的上面进行按压之后,使第1支撑部向比第2支撑部低的位置相对移动。

Description

基板搬送机构、基板载置机构、成膜装置及其方法
技术领域
本发明涉及电子设备的显示板中使用的基板的搬送装置、载置装置、成膜装置及其方法。
背景技术
近年,有机电子设备中使用的显示板,基板的薄型化得到进展,另一方面,为了提高批量生产的效率,使为了切出多个板而进行制作的基板的一张的尺寸大型化也得到进展。作为那样的大型基板的成膜手法,已知夹持着基板的外周部(周缘部)将基板抬起,并载置在用来在基板表面形成薄膜的材料层的掩模(载置体)上,经掩模进行材料的蒸镀的手法(专利文献1)。
专利文献1:日本特开2009-277655号公报
发明内容
发明要解决的课题
在薄型化及大型化的基板的制作中,基板的自重造成的挠曲的影响大。即,由于将成膜区域设置在基板中央部的关系,仅在基板的外周能够对基板进行夹持,因此,当夹持着外周部抬起时,未受到支撑的中央部就会挠曲。当把基板载置在掩模上时,从挠曲着向下方突出的中央部与掩模接触,因此有时载置位置因挠曲的程度而改变。因此,需要在掩模上再三进行重新载置,直至能够载置到所要的载置位置的对准工序。基板的挠曲程度在各个基板有偏差,而且,夹持机构进行夹持的程度,也会致使载置在掩模上时的位置偏移的程度改变。
本发明的目的是,提供一种可以在基板的搬送、载置中降低基板的挠曲的影响的技术。
用于解决课题的技术手段
为了达成上述目的,本发明的基板搬送机构,以使对基板的下面进行支撑的第1支撑部位于多个第2支撑部之间的方式使所述第1支撑部及所述第2支撑部相对移动,从而,成为所述第2支撑部对所述基板的下面进行支撑的状态,由按压部对支撑于所述第2支撑部的所述基板的上面进行按压,将所述基板由所述第2支撑部与所述按压部进行夹持,所述基板搬送机构的特征在于:
对所述第1支撑部、所述第2支撑部与所述按压部的相对位置进行控制的控制部,在成为所述第2支撑部对所述下面进行支撑的状态开始到所述按压部对所述上面进行按压为止的期间,使所述第1支撑部位于多个所述第2支撑部之间,
在所述按压部对所述上面进行按压之后,进行使所述第1支撑部从所述下面离开的控制。
为了达成上述目的,本发明的基板载置机构的特征为,具有上述基板搬送机构,和用来载置所述基板的载置体,
所述控制部对所述第2支撑部及所述按压部与所述载置体之间的相对位置进行控制,将由所述第2支撑部与所述按压部夹持的所述基板载置到所述载置体上。
为了达成上述目的,本发明的成膜装置的特征为,具有上述基板载置机构、供给源,和腔室,
所述基板载置机构的所述载置体具有用来实施在所述基板上成膜用的蒸镀处理的掩模;
所述供给源经所述掩模向所述掩模上载置的所述基板供给蒸镀物质;
所述腔室收容所述基板载置机构和所述供给源。
为了达成上述目的,本发明的基板搬送方法的特征为,包括:
以使对基板的下面进行支撑的第1支撑部位于多个第2支撑部之间的方式使所述第1支撑部及所述第2支撑部相对移动的交接工序、
在所述第1支撑部位于多个所述第2支撑部之间的期间,由所述按压部对所述基板的上面进行按压,以使被所述第1支撑部支撑着的所述基板成为被夹持在所述第2支撑部与按压部之间的状态的夹持工序,以及
当所述基板被所述第2支撑部与所述按压部夹持后,使所述第1支撑部从所述下面离开的退避工序。
为了达成上述目的,本发明的基板载置方法的特征为,包括:上述基板搬送方法中的各工序,和
将通过所述夹持工序由所述第2支撑部与所述按压部夹持的所述基板载置到载置体上的载置工序。
为了达成上述目的,本发明的成膜方法的特征为,包括:
上述基板载置方法中的各工序、
载置工序,作为所述载置工序,将所述基板载置到作为所述载置体的、用来实施在所述基板上成膜用的蒸镀处理的掩模上,以及
经所述掩模向所述掩模上载置的所述基板供给蒸镀物质实施所述蒸镀处理的蒸镀工序。
为了达成上述目的,本发明的电子设备的制造方法,电子设备具有形成在基板上的有机膜及金属膜的至少一方的膜,其特征为,通过上述成膜方法形成所述至少一方的膜。
为了达成上述目的,本发明的电子设备的制造方法的特征为,包括上述基板搬送方法中的各工序,和在所述基板上成膜的工序。
发明效果
根据本发明,可以在基板的搬送、载置中降低基板的挠曲的影响。
附图说明
图1是电子设备的制造装置的一部分的模式的俯视图。
图2是成膜装置的模式的截面图。
图3是基板保持单元的立体图。
图4是有机EL显示装置的说明图。
图5是搬送机器人的模式图。
图6是基板搬送工序的说明图。
图7是基板搬送工序的说明图。
图8是成膜工序的流程图。
图9是比较例的基板搬送机构的说明图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的合适的实施方式及实施例进行说明。但是,以下的实施方式及实施例仅为举例表示本发明的优选的构成的实施方式,本发明的范围不限于此构成。而且,以下的说明中的、装置的硬件构成及软件构成、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等,在不特别做特定记载的情况下,本发明的范围不仅限于此。
本发明涉及在基板上形成薄膜的成膜装置及其控制方法,尤其是,涉及用来进行基板的高精度的搬送及位置调整的技术。本发明可以优选适用于在平行平板的基板的表面上通过真空蒸镀形成所要的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料,可以选择玻璃、树脂、金属等的任意的材料,而且,作为蒸镀材料,也可以选择有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等的任意的材料。本发明的技术,具体来说,可以适用于有机电子设备(例如,有机EL显示装置、薄膜太阳电池)、光学部件等的制造装置。其中,有机EL显示装置的制造装置,因基板的大型化或显示板的高精细化而要求进一步提高基板的搬送精度及基板与掩模的对准精度,因而为本发明的优选的适用例之一。
(实施例1)
<制造装置及制造工序>
图1是模式地表示电子设备的制造装置的构成的一部分的俯视图。图1的制造装置,例如,在智能电话用的有机EL显示装置的显示板的制造中使用。在智能电话用的显示板的情况下,例如在约1800mm×约1500mm、厚度约0.5mm的尺寸的基板上进行有机EL的成膜后,将该基板切割成多个小尺寸的板来进行制作。
电子设备的制造装置,一般如图1所示,具有多个成膜室111、112,和搬送室110。在搬送室110内,设有对基板10进行保持和搬送的搬送机器人119。搬送机器人119,例如,是具有在多关节臂上安装了对基板进行保持的机械手的构造的机器人(详情后述),向各成膜室进行基板10的搬入/搬出。
在各成膜室111、112中分别设有成膜装置(也称作蒸镀装置)。通过成膜装置自动进行基板10与搬送机器人119的交接、基板10与掩模的相对位置的调整(对准)、基板10在掩模上的固定、成膜(蒸镀)等的一连串的成膜工序。各成膜室的成膜装置,尽管在蒸镀源的不同、掩模的不同等细微之处具有不同,但是,基本的构成(尤其是基板的搬送、对准相关的构成)几乎相同。以下,对各成膜室的成膜装置的相同构成进行说明。
<成膜装置>
图2是模式地表示成膜装置的构成的截面图。在以下的说明中,使用铅直方向作为Z方向的XYZ正交坐标系。成膜时基板与水平面(XY平面)平行地进行固定,以此时的基板的短边方向(与短边平行的方向)作为X方向、以长边方向(与长边平行的方向)作为Y方向。而且绕Z轴的旋转角用θ表示。
成膜装置具有真空腔200。真空腔200的内部,维持真空气氛,或氮气等惰性气体气氛。在真空腔200的内部,大致设有基板保持单元210、掩模220、掩模座221、冷却板230、蒸镀源240。基板保持单元210是对从搬送机器人119接受的基板10进行保持/搬送的构件,也被称作基板保持件。掩模220是具有与形成在基板10上的薄膜图案对应的开口图案的金属掩模,固定在框状的掩模座221上。成膜时将基板10载置在掩模220上。因此掩模220还起到对基板10进行载置的载置体的作用。冷却板230,是在成膜时与基板10(的与掩模220相反侧的面)紧贴,抑制基板10的温度上升从而抑制有机材料变质、劣化的部件。冷却板230也可兼做磁铁板。磁铁板,是通过磁力对掩模220进行牵引,从而提高成膜时的基板10与掩模220的紧贴性的部件。蒸镀源240由蒸镀材料、加热器、挡板、蒸发源的驱动机构、蒸发程度监视器等构成(都未图示)。
在真空腔200上(外侧),设有基板Z促动器250、夹紧Z促动器251、冷却板Z促动器252、X促动器(未图示)、Y促动器(未图示)、θ促动器(未图示)。这些促动器,例如,由马达与丝杠、马达与线性导向件等构成。基板Z促动器250是用来使基板保持单元210的整体升降(Z方向移动)的驱动构件。夹紧Z促动器251是用来使基板保持单元210的夹持机构(后述)开闭的驱动构件。冷却板Z促动器252是用来使冷却板230升降的驱动构件。X促动器、Y促动器、θ促动器(以下统称为“XYθ促动器”)是用来进行基板10的对准的驱动构件。XYθ促动器使基板保持单元210及冷却板230整体进行X方向移动、Y方向移动、θ旋转。另外,在本实施方式中,是在将掩模220固定的状态下对基板10的X,Y,θ进行调整的构成,但是,也可以对掩模220的位置进行调整,或者,对基板10与掩模220的两者的位置进行调整,从而进行基板10与掩模220的对准。
在真空腔200上(外侧),为了进行基板10及掩模220的对准,设置了对基板10及掩模220各自的位置进行测定的摄像机260、261。摄像机260、261通过设于真空腔200的窗口对基板10与掩模220进行摄像。从其画像辨认基板10上的对准标记及掩模220上的对准标记,从而,可以测定各自的XY位置、在XY面内的相对偏移。为了在短时间内实现高精度的对准,优选为,实施大致进行位置对合的第1对准(也称作“粗对准”),和高精度地进行位置对合的第2对准(也称作“精密对准”)的2阶段的对准。在此情况下,可使用分辨率低但视野宽的的第1对准用的摄像机260和视野窄但分辨率高的第2对准用的摄像机261这2种摄像机。在本实施方式中,对于基板10及掩模220,分别用2台第1对准用的摄像机260对相向的一对边的2个部位的对准标记进行测定,用4台第2对准用的摄像机261对基板10及掩模220的4个角落的对准标记进行测定。
成膜装置具有控制部270。控制部270除了具有对基板Z促动器250、夹紧Z促动器251、冷却板Z促动器252、XYθ促动器及摄像机260、261进行控制之外,还具有对基板10的搬送及对准、蒸镀源的控制、成膜进行控制等的功能。控制部270,例如,可由具有处理器、存储器、储存器、I/O等的计算机构成。在此情况下,控制部270的功能,通过由处理器运行存储器或储存器中存储的程序来实现。作为计算机,可以采用通用的个人计算机,也可以采用编成式的计算机或PLC(programmable logic controller(可编程序逻辑控制器))。或者,控制部270的功能的一部分或全部也可以由ASIC、FPGA那样的回路构成。另外,可以对每个成膜装置设置控制部270,也可以由1个控制部270控制多个成膜装置。
另外,基板10的保持/搬送及对准涉及构成部分(基板保持单元210、基板Z促动器250、夹紧Z促动器251、XYθ促动器、摄像机260、261、控制部270等)也被称作“基板载置装置”、“基板夹持装置”、“基板搬送装置”等。
<基板保持单元>
参照图3对基板保持单元210的构成进行说明。图3是基板保持单元210的立体图。
基板保持单元210是通过夹持机构对基板10的周缘部进行夹持,由此对基板10进行保持/搬送的构件。具体来说,基板保持单元210具有:设有多个用来从下方分别支撑基板10的4边的多个支撑件300的支撑框体301,和设有在各支撑件300之间夹着基板10的多个按压件302的夹紧部件303。由一对支撑件300与按压件302构成1个夹持机构。在图3的例子中,沿基板10的短边配置3个支撑件300,沿长边设置6个夹持机构(支撑件300与按压件302形成的一对),成为对长边2边进行夹持的构成。但是,夹持机构的构成不限于图3的例子,也可以对应作为处理対象的基板的尺寸、形状或成膜条件等适当改变夹持机构的数量、配置。另外,支撑件300也被称作“接受爪”或“机构手”,按压件302也被称作“夹紧件”。
例如按如下那样进行将基板10从搬送机器人119向基板保持单元210的交接。首先,由夹紧Z促动器251使夹紧部件303上升,将按压件302从支撑件300离开,从而,夹持机构成为释放状态。在通过搬送机器人119将基板10导入支撑件300与按压件302之间后,由夹紧Z促动器251使夹紧部件303下降,将按压件302以规定的按压力按压到支撑件300。由此,将基板夹持在按压件302与支撑件300之间。在此此状态下由基板Z促动器250对基板保持单元210进行驱动,从而,可以使基板10进行升降(Z方向移动)。另外,由于夹紧Z促动器251与基板保持单元210一起上升/下降,因此,即使基板保持单元210升降,夹持机构的状态也不改变。
另外,图3的附图标记101表示基板10的4个角落的第2对准用的对准标记,附图标记102表示基板10的短边中央的第1对准用的对准标记。
<电子设备的制造方法的实施例>
接着,对使用本实施方式的成膜装置的电子设备的制造方法的一例进行说明。以下,作为电子设备的例子举例表示有机EL显示装置的构成及制造方法。
首先,对进行制造的有机EL显示装置进行说明。图4(a)表示有机EL显示装置60的整体图,图4(b)表示1个像素的截面构造。
如图4(a)所示,在有机EL显示装置60的显示区域61,呈矩阵状配置了多个具备多个发光组件的像素62。详情在后文中进行说明,但是发光组件具有各自具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外,这里所称的像素,是指能够在显示区域61中表示所要的颜色的最小単位。在本实施例涉及的有机EL显示装置的情况下,通过显示相互不同的发光的第1发光组件62R、第2发光组件62G、第3发光组件62B的组合来构成像素62。像素62大多由红色发光组件、绿色发光组件和青蓝色光组件的组合来构成,但是,也可以由黄色发光组件、青色发光组件和白色发光组件的组合来构成,只要为至少1种颜色以上即可,无特别限定。
图4(b)是图4(a)的A-B线中的部分截面模式图。像素62在基板63上具有有机EL组件,该有机EL组件具备第1电极(阳极)64、正孔输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一个、电子输送层67、第2电极(阴极)68。其中,正孔输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67与有机层碰触。而且,在本实施方式中,发光层66R是发出红色的有机EL层、发光层66G是发出绿色的有机EL层、发光层66B是发出蓝色的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别被形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光组件(有时也描述为有机EL组件)对应的图案。而且,第1电极64在每个发光组件分离地形成。正孔输送层65、电子输送层67和第2电极68可以与多个发光组件62R、66G、66B共享地形成,也可以在每个发光组件形成。另外,第1电极64与第2电极68为了防止异物导致短路而在第1电极64间设置了绝缘层69。进而,有机EL层因水分、氧气而劣化,因此,设置了用于自水分、氧气保护有机EL组件的保护层70。
为了将有机EL层设置在发光组件単位上,采用借助掩模进行成膜的方法。近年,显示装置的高精细化获得进展,在有机EL层的形成中采用开口幅度为数十μm的掩模。在使用这样的掩模的情况下,当掩模在成膜中受到来自蒸发源的热量而产生热变形时,掩模与基板的位置会错位,形成在基板上的薄膜的图案可能会从所要的位置偏离。于是,在这些有机EL层的成膜中适合使用本发明涉及的成膜装置(真空蒸镀装置)。
接着,对有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体说明。
首先,准备用来驱动有机EL显示装置的回路(未图示)及形成有第1电极64的基板63。
在形成有第1电极64的基板63上通过旋转涂覆形成丙烯树脂,将丙烯树脂通过图刻蚀法图案化地(日文:パターニングし)形成绝缘层69,以便在形成第1电极64的部分形成开口。此开口部相当于发光组件实际发光的发光区域。
绝缘层69将形成了图案的基板63搬入第1的成膜装置,通过基板保持单元对基板进行保持,将正孔输送层65在显示区域的第1电极64上作为共享的层进行成膜。正孔输送层65通过真空蒸镀进行成膜。由于实际上正孔输送层65形成为比显示区域61大的尺寸,因此,不需要高精细的掩模。
接着,将形成了正孔输送层65的基板63搬入第2的成膜装置,由基板保持单元进行保持。进行基板与掩模的对准,将基板载置在掩模上,在基板63的配置发出红色的组件的部分将发出红色的发光层66R成膜。根据本例,可以将掩模与基板良好重合,可以进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜同样地,通过第3的成膜装置将发出绿色的发光层66G成膜,进而,通过第4的成膜装置将发出蓝色的发光层66B成膜。发光层66R、66G、66B的成膜完了之后,通过第5的成膜装置在显示区域61的整体将电子输送层67成膜。电子输送层67作为3色的发光层66R、66G、66B共享的层形成。
将形成了电子输送层67的基板向喷镀装置移动,将第2电极68成膜,然后移动到等离子体CVD装置将保护层70成膜,将有机EL显示装置60完成。
从将绝缘层69图案化了的基板63搬入成膜装置到保护层70的成膜完了为止,如果进一步处于包含水分、氧气的气氛中,有机EL材料构成的发光层有可能会因水分、氧气而劣化。因此,在本例中,成膜装置间的基板的搬入搬出,在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
这样得到的有机EL显示装置,在每个发光组件上精度良好地形成发光层。因此,采用上述制造方法,可以抑制发光层的位置错误导致有机EL显示装置发生的不良情形。
<基板搬送机构(基板搬送方法)>
参照图5~图9对本实施例的特征的构成进行说明。本实施例的特征在于,搬送机器人119将基板10向各成膜室111、112的成膜装置中的真空腔200内部的基板保持单元210进行交接时的、基板10的交接方式。更加具体来说,是将搬送机器人119载持的基板10导入基板保持单元210的支撑件300与按压件302之间,直至成为由按压件302与支撑件300夹持的状态的基板10的交接方式。
(机械臂的构成)
参照图5对搬送机器人119的构成进行说明。图5(a)是搬送机器人119的模式的俯视图。图5(b)是搬送机器人119的模式的侧面图。另外,在此进行说明的搬送机器人的构成(机械臂、机械手的构成)仅为一例,本发明不限于该构成。
搬送机器人119大致由用来载持基板10的机械手90,和用来使机械手90向XYZ正交坐标的任意的位置自由移动的机械臂91构成。
机械臂91具有固定设置在搬送室110的设置面上的底座910,和借助接头920、921、922与底座910顺次连结的臂911、912、913。第1臂911借助第1接头920,能够以沿垂直于设置面的方向(Z方向)延伸的旋转轴为中心旋转地与底座910连结。第2臂912,分别借助第2接头921能够以沿垂直于设置面的方向(Z方向)延伸的旋转轴为中心旋转地与第1臂911连结,并借助第3接头922能够以沿垂直于设置面的方向(Z方向)延伸的旋转轴为中心旋转地与第3臂913连结。在第3臂913的前端连结着机械手90。通过各臂911~913的旋转的组合,可以使机械手90的水平位置(XY坐标)任意地进行位移。
而且,第1臂911构成为,能够相对于底座910向沿着接头920的方向升降移动(图中箭头Z1方向)。通过第1臂911的升降,第2臂912及第3臂913也进行升降,从而,可以使机械手90的高度改变,使基板10的高度改变(图中箭头Z2方向)。
机械手90具有:从第3臂913的前端延伸的刺状杆(日文:スパインロッド)901,和从刺状杆901的的两侧面分别向相对于刺状杆901正交的方向延伸的多个肋杆902。在肋杆902上面设有多个用来对基板10的下面进行支撑的垫片903(第1支撑部)。垫片903为能对基板表面不造成伤害地进行支撑而由硅橡胶等弹性部件构成,在考虑到基板10的挠曲的配置中设有多个。
(基板的交接)
参照图6~图8,对将基板10从搬送机器人119向基板保持单元210的交接进行说明。在此,为了将基板10从机械手90向基板保持单元210交接,而对机械手90(垫片903)与基板保持单元210(支撑件300、按压件302)的相对位置进行控制的构成,即,搬送机器人119(机械臂91)、控制部270等,与本发明的控制部相当。
基板10的交接大致如下进行,即,使对基板10进行支撑的机械手90(垫片903)从比支撑件300高的位置向低的位置相对移动,使对基板10进行支撑的构成从机械手90切换为支撑件300。另外,在本实施例中,通过使机械手90相对于静止的基板保持单元210移动来改变两者的相对位置,但是不限于该构成。即,也可以不移动机械手90而是移动基板保持单元210,或使两者一起移动,由此使两者的相对位置改变(相对移动)。
图6是按时间系列表示基板的交接的样子的模式的俯视图。图6(a)表示基板10搬入前的样子,图6(b)表示基板10搬入后,由夹持机构对基板10进行夹持前的样子,图6(c)表示将基板10由夹持机构进行夹持后的样子。
图7是按时间系列表示基板的交接的样子的模式的侧面。图7(a)表示机械手90刚到基板保持单元210的内部后(将基板10交接到支撑件300之前)的样子(第1相对位置)。图7(b)表示搬送机器人90下降到位于垫片903邻接的支撑件300之间的高度,下降动作暂停后的状态(第2相对位置)。图7(c)表示按压件302下降而对基板10的上面进行按压,在支撑件300之间夹持基板10的状态(第3相对位置)。图7(d)表示机械手90(垫片903)从支撑基板10的位置离开(退避)后的状态(第4相对位置)。
图8是包含通过上述搬送机器人119将基板10向基板保持单元210进行搬送的基板搬送流程的成膜工序的流程图。
首先,控制部270对搬送机器人119(机械臂91)进行操作,将载持着基板10的机械手90导入真空腔200的内部(图8,S101)。如图6(a)、(b)、图7(a)所示,机械手90相对于基板保持单元210插入到支撑件300(第2支撑部)与按压件302(按压部)之间的规定的高度,即支撑件300上方且按压件302(按压部)下方的高度。基板10成为仅被机械手90的垫片903支撑的状态。
接着,控制部270,作为交接工序,对搬送机器人119进行操作,开始机械手90的下降(图8,S102)。而且,如图7(b)所示,机械手90下降到垫片903的基板支撑面(上面)处于与支撑件300的基板支撑面(上面)大致相同的高度的位置,停止在该位置(图8,S103)。由此,基板10成为被垫片903和支撑件300的两支撑部支撑的状态。通过此支撑状态,消除或降低了仅由垫片903支撑时产生的基板10的挠曲。
接着,控制部270,作为夹持工序,对按压件302的升降机构(夹紧Z促动器251)进行控制,使按压件302下降到对基板10上面进行按压的位置(图8,S104)。如图6(c)、图7(c)所示,处于非按压位置的按压件302下降到按压位置,使被垫片903和支撑件300的两支撑部支撑着的基板10的上面被夹在支撑件300之间地进行按压。由此,基板10成为通过由支撑件300与按压件302构成的夹持机构相对于基板保持单元210被夹持的状态。这样,通过在由垫片903和支撑件300的两支撑部支撑的状态下对基板10进行夹持,可以在没有挠曲或挠曲的少的状态下对基板10进行夹持。
接着,控制部270,作为退避工序,对搬送机器人119进行操作,再次开始机械手90的下降动作(图8,S105),下降到规定的高度之后使其从真空腔200退出去(图8,S106)。如图7(d)所示,机械手90下降到垫片903对比支撑件300低的位置即基板10不进行支撑的位置,基板10的交接结束,从真空腔200退出去。其后,作为载置工序,开始上述成膜工序中的对准工序(图8,S107)。即,直至基板10相对于掩模220上面(基板载置面)的的载置位置成为规定的载置位置为止,反复进行将基板10载置在用来实施在基板10上成膜的蒸镀处理的掩模220上的载置工序。当对准工序结束时,开始进行从蒸镀源240(供给源)经掩模220向基板10供给蒸镀物质实施蒸镀处理的蒸镀工序等(图8,S108)。以后的工序如上述那样进行。
<本实施例的优点>
本实施例的特征为,如上述那样,当由支撑件300与按压件302对基板10进行夹持时,维持通过机械手90(垫片903)对基板10的支撑状态。对基于该特征的效果,与比较例进行对比说明。图9是对比较例的基板搬送机构(基板搬送方法)进行售卖的模式图。图9(a)表示基板10从机械手90向支撑件300交接之后按压件302未下降到按压位置的状态(非夹持状态),图9(b)表示按压件302下降到按压位置后的状态(夹持状态)。
比较例的构成为,在机械手90的基板交接动作中,当将机械手90相对于支撑件300从比支撑件300高的位置向低的位置相对移动时,不阻止机械手90的下降动作。因此,如图9(a)所示,在基板10从机械手90(垫片903)向支撑件300交接之后,按压件302下降到按压位置之前,产生基板10仅被支撑件300支撑的状态。因此,有时在相邻的支撑件300间基板10会产生挠曲。当在此状态下按压件302对基板10的上面进行按压而将基板10夹在支撑件300之间时,如图9(b)所示,基板10在产生了挠曲的状态下被夹持。当在这样的挠曲状态下进行夹持时,不能良好地夹持,或夹持的情形出现偏差。而且,如果在按上述那样产生挠曲的状态进行夹持的状态下进入以后的对准工序,则对准工序中的最初的载置动作(第1对准)中的载置位置的偏差可能会变大。其结果,可能会增加对准工序中的载置动作的反复次数。
对此,根据本实施例,直至基板10被支撑件300与按压件302夹持的状态为止都维持机械手90对基板进行支撑的状态,从而,如图7(d)所示,可以在没有挠曲或挠曲少的状态下将基板10夹持。可以稳定地进行夹持动作,而且可以减少夹持状态的偏差。为了将机械手90的动作暂停,会增加基板搬送工序中的间歇时间,但是在其后的对准工序中,可以抑制第1对准中的基板10对掩模220的载置位置的偏差。因此,降低了包含基板载置工序及其后的蒸镀工序等的成膜工序整体的间歇时间。
而且,根据本实施例,停止机械手90的下降动作,形成将基板10由垫片903与支撑件300的两支撑部进行支撑的静止状态,从而,可以消除仅由垫片903进行支撑时产生的基板10的挠曲。
另外,在本实施例中,为将机械手90的下降动作一度停止的构成,但是不限于该构成。例如,也可以将机械手90的下降速度减速,以可以直至按压部303对基板10上面进行按压的状态为止都维持垫片903对基板10下面进行支撑(抑制挠曲)的状态的低速度继续进行下降动作。
附图标记说明
10…基板、300…支撑件(第2支撑部)、302…按压件(按压部)、90…机械手、902…肋杆(第1支撑部)、903…垫片(第1支撑部)。

Claims (20)

1.一种基板搬送机构,所述基板搬送机构以使对基板的下面进行支撑的第1支撑部位于多个第2支撑部之间的方式使所述第1支撑部及所述第2支撑部相对移动,从而,成为所述第2支撑部对所述基板的下面进行支撑的状态,由按压部对支撑于所述第2支撑部的所述基板的上面进行按压,将所述基板由所述第2支撑部与所述按压部进行夹持,所述基板搬送机构的特征在于:
对所述第1支撑部、所述第2支撑部与所述按压部的相对位置进行控制的控制部,在成为所述第2支撑部对所述下面进行支撑的状态开始到所述按压部对所述上面进行按压为止的期间,使所述第1支撑部位于多个所述第2支撑部之间,
在所述按压部对所述上面进行按压之后,进行使所述第1支撑部从所述下面离开的控制。
2.如权利要求1所述的基板搬送机构,其特征在于,在成为所述第2支撑部对所述下面进行支撑的状态开始到所述按压部对所述上面进行按压为止的期间,由所述第1支撑部与所述第2支撑部对所述下面进行支撑。
3.如权利要求1所述的基板搬送机构,其特征在于,所述第1支撑部从比所述多个第2支撑部高的位置开始,在多个所述第2支撑部之间通过后向比所述第2支撑部低的位置相对移动,
在成为所述第2支撑部对所述下面进行支撑的状态开始到所述按压部对所述上面进行按压为止的期间,所述第1支撑部及所述第2支撑部位于相同高度。
4.如权利要求1所述的基板搬送机构,其特征在于,所述控制部使所述第1支撑部的所述相对移动在所述第1支撑部位于多个所述第2支撑部之间时暂停。
5.如权利要求1所述的基板搬送机构,其特征在于,所述控制部使所述相对位置顺次改变为:
所述第1支撑部位于比所述第2支撑部高的位置、所述按压部位于不对所述基板进行按压的非按压位置的第1相对位置;
所述第1支撑部位于多个所述第2支撑部之间、所述按压部位于所述非按压位置的第2相对位置;
所述第1支撑部位于多个所述第2支撑部之间、所述按压部位于对所述基板进行按压的按压位置的第3相对位置;以及
所述第1支撑部位于比所述第2支撑部低的位置、所述按压部位于所述按压位置的第4相对位置。
6.如权利要求3所述的基板搬送机构,其特征在于,所述低的位置为所述第1支撑部不对所述基板的下面进行支撑的位置。
7.一种基板载置机构,其特征在于,具有:权利要求1~6中的任意1项记载的基板搬送机构,和
用来载置所述基板的载置体,
所述控制部对所述第2支撑部及所述按压部与所述载置体之间的相对位置进行控制,将由所述第2支撑部与所述按压部夹持的所述基板载置到所述载置体上。
8.如权利要求7所述的基板载置机构,其特征在于,所述控制部使由所述第2支撑部与所述按压部夹持的所述基板在所述载置体上向相对于载置所述基板的载置面垂直的方向相对移动,反复进行向所述载置面进行载置的载置动作,直至所述基板相对于所述载置面的载置位置成为规定的载置位置为止。
9.一种成膜装置,其特征在于,具有:权利要求7所述的基板载置机构、供给源和腔室,所述基板载置机构的所述载置体具有用来实施在所述基板上成膜用的蒸镀处理的掩模;
所述供给源经所述掩模向所述掩模上载置的所述基板供给蒸镀物质;
所述腔室收容所述基板载置机构和所述供给源。
10.一种基板搬送方法,其特征在于,包括:
以使对基板的下面进行支撑的第1支撑部位于多个第2支撑部之间的方式使所述第1支撑部及所述第2支撑部相对移动的交接工序;
在所述第1支撑部位于多个所述第2支撑部之间的期间,由按压部对所述基板的上面进行按压,以使被所述第1支撑部支撑着的所述基板成为被夹持在所述第2支撑部与所述按压部之间的状态的夹持工序;以及
当所述基板被所述第2支撑部与所述按压部夹持后,使所述第1支撑部从所述下面离开的退避工序。
11.如权利要求10所述的基板搬送方法,其特征在于,在所述交接工序中,成为使所述基板的下面被所述第1支撑部与所述第2支撑部支撑的状态。
12.如权利要求10所述的基板搬送方法,其特征在于,在所述交接工序中,使所述第1支撑部从比多个所述第2支撑部高的位置向多个所述第2支撑部之间的位置相对移动,使所述第1支撑部及所述第2支撑部成为相同高度。
13.如权利要求10所述的基板搬送方法,其特征在于,在所述夹持工序中,不使所述第1支撑部与所述第2支撑部的相对位置改变。
14.如权利要求10所述的基板搬送方法,其特征在于,在所述退避工序中,使所述第1支撑部向比所述第2支撑部低的位置相对移动,所述低的位置为所述第1支撑部不对所述基板的下面进行支撑的位置。
15.一种基板载置方法,其特征在于,包括:权利要求10~14中的任意1项所述的基板搬送方法中的各工序,和
将通过所述夹持工序由所述第2支撑部与所述按压部夹持的所述基板载置到载置体上的载置工序。
16.如权利要求15所述的基板载置方法,其特征在于,在所述载置工序中,使由所述第2支撑部与所述按压部夹持的所述基板在所述载置体上向相对于载置所述基板的载置面垂直的方向相对移动,反复进行向所述载置面进行载置的载置动作,直至所述基板相对于所述载置面的载置位置成为规定的载置位置为止。
17.一种成膜方法,其特征在于,包括:权利要求15所述的基板载置方法中的各工序;
载置工序,作为所述载置工序,将所述基板载置到作为所述载置体的、用来实施在所述基板上成膜用的蒸镀处理的掩模上;以及
经所述掩模向所述掩模上载置的所述基板供给蒸镀物质实施所述蒸镀处理的蒸镀工序。
18.一种电子设备的制造方法,所述电子设备具有形成在基板上的有机膜及金属膜的至少一方的膜,其特征在于:
通过权利要求17所述的成膜方法形成所述至少一方的膜。
19.一种电子设备的制造方法,其特征在于,包括:权利要求10~14中的任意1项所述的基板搬送方法中的各工序,和
在所述基板上成膜的工序。
20.如权利要求19所述的电子设备的制造方法,其特征在于,所述电子设备为有机EL显示装置的显示板。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7269000B2 (ja) * 2018-12-26 2023-05-08 キヤノントッキ株式会社 基板載置方法、成膜方法、成膜装置、および有機elパネルの製造システム
KR20210127810A (ko) 2019-03-15 2021-10-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증착 마스크 및 증착 마스크를 제조하고 사용하는 방법들
KR102618589B1 (ko) * 2019-04-10 2023-12-28 엘지전자 주식회사 이차전지의 셀 적층장치 및 이를 포함하는 제조 시스템
US11189516B2 (en) 2019-05-24 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Method for mask and substrate alignment
US11538706B2 (en) 2019-05-24 2022-12-27 Applied Materials, Inc. System and method for aligning a mask with a substrate
WO2020251696A1 (en) 2019-06-10 2020-12-17 Applied Materials, Inc. Processing system for forming layers
US10916464B1 (en) 2019-07-26 2021-02-09 Applied Materials, Inc. Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
KR20210053761A (ko) * 2019-11-04 2021-05-12 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치 및 성막 방법
JP7344236B2 (ja) * 2021-02-08 2023-09-13 キヤノントッキ株式会社 搬送装置、成膜装置及び制御方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3940823B2 (ja) * 1994-12-26 2007-07-04 株式会社ニコン ステージ装置及びその制御方法
JP2005075663A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Hitachi Kiden Kogyo Ltd 基板置台
JP5052753B2 (ja) * 2005-02-16 2012-10-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板反転装置および基板製造装置
JP4609757B2 (ja) * 2005-02-23 2011-01-12 三井造船株式会社 成膜装置における基板装着方法
TWI440129B (zh) * 2005-08-29 2014-06-01 Ebara Corp 基板處理單元、基板搬送方法、基板清洗處理單元及基板鍍覆裝置
JP4773834B2 (ja) * 2006-02-03 2011-09-14 キヤノン株式会社 マスク成膜方法およびマスク成膜装置
JP2008251754A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Nikon Corp 基板搬送方法及び装置、並びに露光方法及び装置
KR101517020B1 (ko) 2008-05-15 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법
WO2010106958A1 (ja) * 2009-03-18 2010-09-23 株式会社アルバック 位置合わせ方法、蒸着方法
JP5206528B2 (ja) * 2009-03-19 2013-06-12 トヨタ自動車株式会社 ワーク搬送用機器およびワーク搬送方法
JP2011073875A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Sharp Corp 搬送方法
JP5938904B2 (ja) * 2009-12-16 2016-06-22 株式会社ニコン 基板支持部材、基板搬送装置、基板搬送方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2011125967A (ja) * 2009-12-18 2011-06-30 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ウェーハ搬送ロボット用のハンド、ウェーハ搬送ロボット及びウェーハ搬送装置
JP5170912B2 (ja) * 2010-03-30 2013-03-27 住友化学株式会社 基板搬送機構、偏光フィルムの貼合装置およびこれを備える液晶表示装置の製造システム
CN102859031B (zh) * 2010-04-28 2014-08-20 株式会社爱发科 真空处理装置、基板和对位掩模的移动方法以及对位方法及成膜方法
JP2012207263A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Hitachi High-Technologies Corp 蒸着方法および蒸着装置
SG10201605873QA (en) * 2011-07-19 2016-09-29 Ebara Corp Plating apparatus and plating method
CN203712702U (zh) * 2014-02-12 2014-07-16 昆山龙腾光电有限公司 用于搬运玻璃基板的机械手臂
JP6417916B2 (ja) * 2014-12-15 2018-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、基板処理装置、及び記憶媒体

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