JP7344236B2 - 搬送装置、成膜装置及び制御方法 - Google Patents
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Description
本発明は、基板の搬送技術に関する。
有機ＥＬディスプレイ等の製造において、基板を搬送するためにローラコンベアを用いた技術が知られている（例えば特許文献１）。多数のローラの制御は、所定のエリア単位で行われる。特許文献１の装置ではチャンバ単位でローラ群が制御される。
一のローラ群から他のローラ群へ基板が乗り移る際、ローラ群間の搬送速度差が大きいと、基板とローラとの間にスリップが生じる。これは基板に傷をつけたり、搬送精度を低下させる要因となる。よって、各ローラ群の搬送速度は基本的に一定に制御されるが、製造設備の状況によって加減速が必要となる場合があり、ローラ群間の搬送速度差が大きくなる場合がある。
本発明は、ローラ群間の搬送速度差の発生を抑制しつつ、搬送速度の加速又は減速が可能な技術を提供するものである。
本発明によれば、
基板を搬送する第一のローラ群と、
前記基板の搬送方向で前記第一のローラ群の下流側に前記第一のローラ群に対して連続的に配置され、前記基板を搬送する第二のローラ群と、
前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を制御する制御手段と、
を備えた搬送装置であって、
前記制御手段は、
前記第一のローラ群が第一の搬送速度で前記基板を搬送している途中で、前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群の搬送速度を前記第一の搬送速度より速い第二の搬送速度に変更する場合、変更前後の搬送速度差に応じた速度プロファイルで前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を加速制御し、
前記搬送速度差が所定速度未満の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルと同じ速度プロファイルで前記第二のローラ群を加速制御し、
前記搬送速度差が前記所定速度以上の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルよりも加速が急な速度プロファイルで前記第二のローラ群を加速制御する、
ことを特徴とする搬送装置が提供される。
基板を搬送する第一のローラ群と、
前記基板の搬送方向で前記第一のローラ群の下流側に前記第一のローラ群に対して連続的に配置され、前記基板を搬送する第二のローラ群と、
前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を制御する制御手段と、
を備えた搬送装置であって、
前記制御手段は、
前記第一のローラ群が第一の搬送速度で前記基板を搬送している途中で、前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群の搬送速度を前記第一の搬送速度より速い第二の搬送速度に変更する場合、変更前後の搬送速度差に応じた速度プロファイルで前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を加速制御し、
前記搬送速度差が所定速度未満の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルと同じ速度プロファイルで前記第二のローラ群を加速制御し、
前記搬送速度差が前記所定速度以上の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルよりも加速が急な速度プロファイルで前記第二のローラ群を加速制御する、
ことを特徴とする搬送装置が提供される。
本発明によれば、ローラ群間の搬送速度差の発生を抑制しつつ、搬送速度の加速又は減速が可能な技術を提供することができる。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
＜第一実施形態＞
＜成膜装置の概要＞
図１は本発明の一実施形態に係る搬送装置２を適用した成膜装置１及びその制御装置４の模式図である。本実施形態では、本発明の適用例として成膜装置を例示するが、本発明は他の装置における基板の搬送にも適用可能である。なお、各図において矢印Ｘ及びＹは互いに直交する水平方向を示し、矢印Ｚは垂直方向（鉛直方向）を示す。成膜装置１は、搬送装置２と、複数の蒸着装置３と、を含む。複数の蒸着装置３はＸ方向に並べて配置されており、搬送装置２はこれら蒸着装置３の上方に配置されている。
＜成膜装置の概要＞
図１は本発明の一実施形態に係る搬送装置２を適用した成膜装置１及びその制御装置４の模式図である。本実施形態では、本発明の適用例として成膜装置を例示するが、本発明は他の装置における基板の搬送にも適用可能である。なお、各図において矢印Ｘ及びＹは互いに直交する水平方向を示し、矢印Ｚは垂直方向（鉛直方向）を示す。成膜装置１は、搬送装置２と、複数の蒸着装置３と、を含む。複数の蒸着装置３はＸ方向に並べて配置されており、搬送装置２はこれら蒸着装置３の上方に配置されている。
搬送装置２は、搬送ユニット２Ａ～２Ｅを備える。搬送ユニット２Ａ～２ＥはＸ方向に並べて配置されており、基板７をＸ方向に搬送する。本実施形態の場合、基板７は、キャリア９によってマスク８と共に搬送される。搬送ユニット２Ｂ～２Ｄは、各蒸着装置３に対応してソースチャンバ３ａと連通するように設けられており、蒸着装置３による成膜中に基板７を搬送する。
搬送ユニット２Ａ、２Ｅは搬送速度調整基準となるユニットである。成膜装置１では、基本的に基板７は一定の速度で搬送される。しかし、成膜装置１を含む製造設備の状況に応じて基板７の搬送速度を変更する場合がある。基板７の搬送速度を変更する場合、搬送ユニット２Ａ、２Ｅで加減速を行い、その下流側の搬送ユニットは上流側の搬送速度に従う。例えば、搬送ユニット２Ａにおいて基板７の搬送速度を変更すると、搬送ユニット２Ａ～２Ｅは変更後の搬送速度で基板７を搬送する。
各搬送ユニット２Ａ～２Ｅは、使用時に真空に維持される搬送室を内部に形成する搬送チャンバ２ａを備える。搬送チャンバ２ａのＸ方向の一端部には搬入口２ｃが、他端部には搬出口２ｄが設けられており、基板７は、搬入口２ｃから搬送チャンバ２ａ内に搬入され、搬出口２ｄから外部へ搬出される。搬入口２ａ及び搬出口２ｄにはゲートバルブを設けてもよい。搬送ユニット２Ａには上流側の装置（不図示）から基板７が搬入され、搬送ユニット２Ｅは下流側の装置（不図示）へ基板７を搬出する。
搬送ユニット２Ａ～２Ｅは、ローラ群ＲＧ１～ＲＧ５を備える。各ローラ群ＲＧ１～ＲＧ５は、Ｘ方向に配列された複数の搬送ローラ２ｂで構成されている。この搬送ローラ２ｂの列は、Ｙ方向に離間して二列配置されている。各搬送ローラ２ｂはＹ方向の回転軸周りに回転する。基板７（キャリア９）は、二列の搬送ローラ２ｂに、そのＹ方向の両端部が載置され、搬送ローラ２ｂの回転によってＸ方向に水平姿勢で搬送される。
ローラ群ＲＧ１～ＲＧ５のうち、ローラ群ＲＧ１は最上流側に位置している。ローラ群ＲＧ２はローラ群ＲＧ１の下流側にローラ群ＲＧ１に対して連続的に配置されている。ローラ群ＲＧ３はローラ群ＲＧ２の下流側にローラ群ＲＧ２に対して連続的に配置されている。ローラ群ＲＧ４はローラ群ＲＧ３の下流側にローラ群ＲＧ３に対して連続的に配置されている。ローラ群ＲＧ５はローラ群ＲＧ４の下流側にローラ群ＲＧ４に対して連続的に配置されている。
各蒸着装置３は、使用時に真空に維持される内部空間を形成するソースチャンバ３ａを備える。ソースチャンバ３ａは、上部に開口部が形成された箱型を有しており、開口部を介して、搬送ユニット２Ｂ～２Ｄの搬送チャンバ２ａとソースチャンバ３ａの内部空間とが連通している。蒸着装置３は上方に蒸着物質３ｃを放出する蒸着源３ｂを備える。本実施形態の蒸着源６はいわゆるラインソースであり、搬送装置２での処理対象物の搬送方向（Ｘ方向）と交差する方向（本実施形態では搬送方向と直交するＹ方向）に延設されている。蒸着源６は、蒸着物質６ａの原材料を収容する坩堝や、坩堝を加熱するヒータ等を備え、原材料を加熱してその蒸気である蒸着物質３ｃを搬送チャンバ２ａへ放出する。
成膜装置１は、搬送装置２により処理対象物を搬送しながら（搬送工程）、蒸着装置３により基板７に蒸着物質を蒸着する（蒸着工程）、成膜方法を実行可能な、インライン型の成膜装置である。成膜装置１は、例えば、表示装置（フラットパネルディスプレイなど）や薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイスや、光学部材等を製造する、電子デバイスの製造方法を実行する製造装置に適用可能である。基板７はマスク８と共にＸ方向に搬送され、基板７の下側に位置するマスク８を通して蒸着物質３ｃを基板７に蒸着することにより、所定のパターンの蒸着物質の薄膜を基板７に形成することができる。基板７は例えばガラス、樹脂、金属等の材料からなる板材であり、蒸着物質３ｃとしては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの物質である。
本実施形態では、複数の蒸着装置３が基板１０の搬送方向に配置されている。蒸着装置３により異なる種類の蒸着物質を放出する場合、基板１０に異なる蒸着物質を連続的に蒸着することができる。なお、蒸着装置３の数は３つに限られず、１つあるいは２つでもよいし、４つ以上であってもよい。
成膜装置１は、制御装置４を備える。制御装置４は搬送ユニット２Ａ～２Ｅに個別に割り当てられた制御ユニット４Ａ～４Ｅを含む。制御ユニット４Ａ～４Ｅは本実施形態の場合、ＰＬＣ（プログラマブルコントローラ）である。各制御ユニット４Ａ～４Ｅは、ＣＰＵ等のプロセッサ、記憶デバイス、外部デバイスとのインタフェースを有し、プロセッサが記憶デバイスに格納されたプログラムを実行することで、対応するローラ群ＲＧ１～ＲＧ５の駆動制御を行う。制御ユニット４Ａ～４Ｅは互いに通信可能に接続されている。
ローラ群ＲＧ１～ＲＧ５はモータを駆動源とする。モータは、搬送ローラ２ｂ毎に設けられてもよいし、ローラ群ＲＧ１～ＲＧ５毎に一つ設けられ、歯車機構等の伝達機構によって、同じローラ群内の各搬送ローラ２ｂに駆動力が伝達されてもよい。制御ユニット４Ａ～４Ｅは、対応するローラ群ＲＧ１～ＲＧ５のモータを制御する。例えば、制御ユニット４Ａはローラ群ＲＧ１のモータを制御し、制御ユニット４Ｂはローラ群ＲＧ２のモータを制御する。同じローラ群内の各搬送ローラ２ｂは同期的に回転する。例えばローラ群ＲＧ１の各搬送ローラ２ｂは同じ回転速度で駆動され、また、加速、減速も同期的に制御される。
各制御ユニット４Ａ～４Ｅは、対応するセンサ５Ａ～５Ｅの検知結果に応じて対応するローラ群ＲＧ１～ＲＧ５のモータを制御する。センサ５Ａ～５Ｅは、搬送ユニット２Ａ～２Ｅに対応しており、例えば、センサ５Ａは搬送ユニット２Ａに設けられている。各センサ５Ａ～５Ｅは、搬送ローラ２ｂの回転速度を検知するセンサ（例えばロータリエンコーダ）や、基板７の搬送方向の位置を検知するセンサ（例えばＸ方向に複数配置され、基板７の有無を検知する光学センサ等）を含む。
入力装置６Ａ、６Ｂは、オペレータによる指示を受け付ける受付ユニットであり、例えば、タッチパネルである。入力装置６Ａは制御ユニット４Ａに接続されており、入力装置６Ｂは制御ユニット４Ｅに接続されている。オペレータは、基板７の搬送速度を変更する場合、入力装置６Ａや入力装置６Ｂから、その指示を行うことができる。
＜搬送速度の変更＞
各制御ユニット４Ａ～４Ｅは、ローラ群ＲＧ１～ＲＧ５を同じ搬送速度で制御する。入力装置６Ａから搬送速度の変更指示があると、変更後の目標搬送速度に搬送速度を制御する。以下、制御ユニット４Ａ及び４Ｂによるローラ群ＲＧ１～ＲＧ５の搬送速度の変更例について説明する。図２はその説明図である。
各制御ユニット４Ａ～４Ｅは、ローラ群ＲＧ１～ＲＧ５を同じ搬送速度で制御する。入力装置６Ａから搬送速度の変更指示があると、変更後の目標搬送速度に搬送速度を制御する。以下、制御ユニット４Ａ及び４Ｂによるローラ群ＲＧ１～ＲＧ５の搬送速度の変更例について説明する。図２はその説明図である。
入力装置６Ａを介してオペレータからＰＬＣ４Ａに対して目標搬送速度の変更指示が行われると、ＰＬＣ４Ａは変更指示に応じてローラ群ＲＧ１の搬送速度を変更する。また、ＰＬＣ４ＡはＰＬＣ４Ｂに対して目標搬送速度の変更指示を行う。ＰＬＣ４Ｂは変更指示に応じてローラ群ＲＧ２の搬送速度を変更する。
図２はローラ群ＲＧ１による基板７の搬送途中で搬送速度を変更する場合を想定している。ローラ群ＲＧ１ローラ群ＲＧ２との間に搬送速度の差が生じている段階で、基板７がローラ群ＲＧ２に到達してしまうと、基板７は速度差のあるローラ群ＲＧ１とローラ群ＲＧ２との双方に搬送される状態となり、搬送ローラ２ｂのスリップを招く。したがって、本実施形態では、基板７がローラ群ＲＧ２に到達する前にローラ群ＲＧ２の搬送速度が変更後の搬送速度に達するよう、ローラ群ＲＧ２を制御する。
図２は、時間Ｔ１において基板７がローラ群ＲＧ１のみで搬送された状態となっている。この状態から制御ユニット４Ａは目標搬送速度にローラ群ＲＧ１の搬送速度を変更する。また、制御ユニット４Ａから指示を受けた制御ユニット４Ｂも同じ目標搬送速度にローラ群ＲＧ２の搬送速度を変更する。基板７は距離Ｌだけ搬送されるとローラ群ＲＧ２に到達する。その到達時間Ｔ２までにローラ群ＲＧ１及びローラ群ＲＧ２の搬送速度の変更を完了する。
図３（Ａ）は、搬送速度を速度Ｖ０からＶ１へ加速する場合の、ローラ群ＲＧ１の搬送速度の速度プロファイルＰＦ１と、ローラ群ＲＧ２の搬送速度の速度プロファイルＰＦ２とを例示している。図示の例では速度プロファイルは線形であり、加速度は一定である（以下、他の例も同じ）。
速度プロファイルＰＦ１は、時間Ｔ１でローラ群ＲＧ１の加速が開始され、時間Ｔ２よりも速いタイミングで目標搬送速度への加速が完了している。速度プロファイルＰＦ２は、時間Ｔ１’でローラ群ＲＧ２の加速が開始され、時間Ｔ２よりも速いタイミングで目標搬送速度への加速が完了している。時間Ｔ１と時間Ｔ１’の間のタイムラグは、制御ユニット４Ｂは制御ユニット４Ａから変更指示を受信することにより制御を開始するため、その遅れを想定している。速度プロファイルＰＦ２は、速度プロファイルＰＦ１と同じプロファイルである。
図３（Ｂ）は、搬送速度を速度Ｖ０からＶ２へ加速する場合の、ローラ群ＲＧ１の搬送速度の速度プロファイルＰＦ１と、ローラ群ＲＧ２の搬送速度の速度プロファイルＰＦ２とを例示している。速度Ｖ２は速度Ｖ１よりも速く、速度Ｖ０と速度Ｖ２との速度差は、速度Ｖ０と速度Ｖ１との速度差よりも大きい。この例において、速度プロファイルＰＦ１、ＰＦ２として、図３（Ａ）と同じ速度プロファイルＰＦ１、ＰＦ２を用いると、ローラ群ＲＧ１については、時間Ｔ２よりも速いタイミングで目標搬送速度への加速が完了しているが、ローラ群ＲＧ２については、時間Ｔ２に間に合わず、時間Ｔ２の時点での搬送速度は速度Ｖ２よりも遅いＶ２’である。よって、基板７は速度差のあるローラ群ＲＧ１とローラ群ＲＧ２とによって搬送される状況となり、搬送ローラ２ｂのスリップが生じる。
そこで、図３（Ｂ）のように変更前後の搬送速度の速度差が大きい場合、速度プロファイルＰＦ２として速度プロファイルＰＦ１と異なる速度プロファイルを用いる。図３（Ｃ）はその一例を示す。速度プロファイルＰＦ２は、速度プロファイルＰＦ１よりも加速が急なプロファイルとしている。これによりローラ群ＲＧ２についても、時間Ｔ２よりも速いタイミングで目標搬送速度への加速を完了することができる。図３（Ｃ）の例の場合、速度プロファイルＰＦ１も同様に、加速が急なプロファイルに変更することも考えられるが、基板７の搬送速度の加減速はなるべく緩やかである方が搬送精度の点で有利である。したがって、速度プロファイルＰＦ１、ＰＦ２としては可能な範囲で変化が緩やかな速度プロファイルを採用しつつ、速度差が大きく変速が間に合わない場合にのみ、変化が急な速度プロファイルを採用する方が有利である。
搬送速度の減速時も同様である。図４（Ａ）は、図２の状況において、変更前後の搬送速度の速度差が大きいため、ローラ群ＧＲ１とローラ群ＧＲ２とで速度プロファイルを異ならせた例を示しており、搬送速度を速度Ｖ０からＶ３へ減速する場合の、ローラ群ＲＧ１の搬送速度の速度プロファイルＰＦ１と、ローラ群ＲＧ２の搬送速度の速度プロファイルＰＦ２とを例示している。速度プロファイルＰＦ２は、速度プロファイルＰＦ１よりも減速が急なプロファイルとしている。これによりローラ群ＲＧ２についても、時間Ｔ２よりも速いタイミングで目標搬送速度への加速を完了することができる。
図４（Ｂ）は、搬送速度変更時の制御ユニット４Ａ及び４Ｂの処理例を示すフローチャートである。制御ユニット４Ａは、Ｓ１で入力装置６Ａを介してオペレータによる搬送速度の変更指示を受け付ける。Ｓ２では変更後の搬送速度（制御の目標搬送速度）と共に、搬送速度の変更指示を制御ユニット４Ｂに送信する。Ｓ３で速度プロファイルＰＦ１を設定する（本実施形態の場合、加速度又は減速度の設定）。Ｓ４でＳ３で設定した速度プロファイルＰＦ１でローラ群ＧＲ１の速度変更を行う。
制御ユニット４Ｂは、Ｓ１１で制御ユニット４Ａから搬送速度の変更指示を受信する。Ｓ１２で速度プロファイルＰＦ２を設定する（本実施形態の場合、加速度又は減速度の設定）。Ｓ１３でＳ１２で設定した速度プロファイルＰＦ２でローラ群ＧＲ２の速度変更を行う。
Ｓ３、Ｓ１２の速度プロファイルの設定においては、変更の前後での搬送速度の速度差を演算し、速度差に応じて速度プロファイルを設定する。その際、速度差と速度プロファイルとの対応関係を示すテーブルを予め用意しておき、制御ユニット４Ａ、４Ｂの記憶デバイスに記憶しておき、読み出して設定してもよい。図５（Ａ）は加速時に用いるテーブルの例を示している。「上流」はローラ群ＧＲ１の速度プロファイル（加速度）を示し、「下流」はローラ群ＧＲ２の速度プロファイル（加速度）を示している。
速度差がｖ１未満の場合、ローラ群ＧＲ１及びＧＲ２の加速度は同じである（α１）。速度差がｖ１以上になると、ローラ群ＧＲ１とローラ群ＧＲ２とで加速度が異なり、ローラ群ＧＲ２の方が加速度が大きくなる（β１＞α１、β２＞α２）。
図５（Ｂ）は減速時に用いるテーブルの例を示している。加速時に用いるテーブルと同様の内容となっている。速度差がｖ１未満の場合、ローラ群ＧＲ１及びＧＲ２の加速度は同じである（α１１）。速度差がｖ１以上になると、ローラ群ＧＲ１とローラ群ＧＲ２とで加速度が異なり、ローラ群ＧＲ２の方が加速度が大きくなる（β１１＞α１１、β１２＞α１２）。
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）の例ではローラ群ＧＲ１の加速度、減速度も複数種類設定されているが、ローラ群ＧＲ１の加速度、減速度は一種類であってもよい（加速時はα１のみ、減速時はα１１のみ）。但し、この場合、変更可能な搬送速度の範囲の制限が強くなる。
以上の通り、本実施形態では、ローラ群ＧＲ１、ＧＲ２間の搬送速度差の発生を抑制しつつ、搬送速度の加速又は減速が可能な技術を提供することができる。
＜第二実施形態＞
第一実施形態では、加速期間、減速期間として図２の距離Ｌが固定の距離であることを想定した。しかし、距離Ｌは可変であってもよく、オペレータから変更指示を受けた任意のタイミングで設定される距離であってもよい。距離Ｌが異なることにより、加速期間、減速期間が異なることになる。この場合、距離Ｌに応じて速度プロファイルを設定することになる。したがって、距離Ｌに応じて図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に例示したテーブルを用意しておき、制御ユニット４Ａ、４Ｂの記憶デバイスに記憶しておいてもよい。
第一実施形態では、加速期間、減速期間として図２の距離Ｌが固定の距離であることを想定した。しかし、距離Ｌは可変であってもよく、オペレータから変更指示を受けた任意のタイミングで設定される距離であってもよい。距離Ｌが異なることにより、加速期間、減速期間が異なることになる。この場合、距離Ｌに応じて速度プロファイルを設定することになる。したがって、距離Ｌに応じて図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に例示したテーブルを用意しておき、制御ユニット４Ａ、４Ｂの記憶デバイスに記憶しておいてもよい。
＜第三実施形態＞
第一実施形態では、基板７がローラ群ＲＧ２に到達する前にローラ群ＲＧ２の搬送速度が変更後の搬送速度に達するよう、ローラ群ＲＧ２の加速度又は減速度を制御した。しかし、加速度又は減速度は変更せず、加速開始タイミング、減速開始タイミングを変更してもよい。例えば、制御ユニット４Ａが制御ユニット４Ｂに変更指示を出すタイミング（図２の例では時間Ｔ１）を変更前後の速度差に応じて早めてもよい。
第一実施形態では、基板７がローラ群ＲＧ２に到達する前にローラ群ＲＧ２の搬送速度が変更後の搬送速度に達するよう、ローラ群ＲＧ２の加速度又は減速度を制御した。しかし、加速度又は減速度は変更せず、加速開始タイミング、減速開始タイミングを変更してもよい。例えば、制御ユニット４Ａが制御ユニット４Ｂに変更指示を出すタイミング（図２の例では時間Ｔ１）を変更前後の速度差に応じて早めてもよい。
＜第四実施形態＞
第一実施形態では、基板７がローラ群ＲＧ２に到達する前にローラ群ＲＧ２の搬送速度が変更後の搬送速度に達するよう、ローラ群ＲＧ２を制御した。しかし、ローラ群Ｇ２の搬送速度の変更が間に合わない場合、ローラ群ＲＧ１を基板７が通過した後に速度変更を開始してもよい。図６（Ａ）はその説明図である。
第一実施形態では、基板７がローラ群ＲＧ２に到達する前にローラ群ＲＧ２の搬送速度が変更後の搬送速度に達するよう、ローラ群ＲＧ２を制御した。しかし、ローラ群Ｇ２の搬送速度の変更が間に合わない場合、ローラ群ＲＧ１を基板７が通過した後に速度変更を開始してもよい。図６（Ａ）はその説明図である。
基板７のローラ群ＧＲ１による搬送途中で、オペレータからの搬送速度の変更指示に対応して時間Ｔ１で搬送速度の変更を開始する場合を想定する。基板７がローラ群ＲＧ２に到達する前にローラ群ＲＧ２の搬送速度が変更後の搬送速度に達すると推定される場合（図３（Ａ）と同様の場合）は、直ぐに搬送速度の変更を開始する。この推定は変更の前後での搬送速度の速度差を基準とすることができる（例えば図５（Ａ）及び図５（Ｂ）の速度差ｖ１を閾値とする）。
ローラ群Ｇ２の搬送速度の変更が間に合わないと推定される場合（図３（Ｂ）と同様の場合）は、搬送速度を変更せずに基板７の搬送を継続し、基板７がローラ群ＧＲ１を通過した時間Ｔ３のタイミングでローラ群Ｇ１及びＧ２の搬送速度を変更する。ローラ群ＧＲ２は搬送速度を変更しつつ基板７を搬送し、ローラ群ＧＲ１は次に搬入されてくる基板７を搬送速度を変更しつつ搬送することになる。
図６（Ｂ）は基板７がローラ群ＧＲ１を通過した時間Ｔ３のタイミングでローラ群Ｇ１及びＧ２の搬送速度を変更する例であって、加速時の速度プロファイルＰＦ１及びＰＦ２を例示している。時間Ｔ１の段階では搬送速度の加速を行わず、時間Ｔ３の段階で搬送速度の加速を行う。ローラ群ＧＲ１の速度プロファイルＰＦ１及びローラ群ＧＲ２の速度プロファイルＰＦ２は同じ速度プロファイル（加速度）である。図６（Ｃ）は減速時の例を示しており、加速時と同様である。
図７は、本実施形態における搬送速度変更時の制御ユニット４Ａ及び４Ｂの処理例を示すフローチャートである。制御ユニット４Ａは、Ｓ２１で入力装置６Ａを介してオペレータによる搬送速度の変更指示を受け付ける。Ｓ２２では変更の前後での搬送速度の速度差を演算し、閾値（ｖ１）以上か否かを判定する。閾値以上であれば、ローラ群Ｇ２の搬送速度の変更が間に合わないと判断してＳ２３へ進み、閾値未満であれば変更が間に合うと判断してＳ２４へ進む。
Ｓ２３では基板７がローラ群ＧＲ１を通過するまで搬送速度を変更せずに搬送を継続する。Ｓ２４で制御ユニット４Ａは、変更後の搬送速度（制御の目標搬送速度）と共に、搬送速度の変更指示を制御ユニット４Ｂに送信する。Ｓ２５で制御ユニット４Ａは目標搬送速度までローラ群ＧＲ１の速度変更を行う。速度プロファイルは予め定めた一種類のプロファイルを使う。
制御ユニット４Ｂは、Ｓ３１で制御ユニット４Ａから搬送速度の変更指示を受信する。Ｓ３２で目標搬送速度までローラ群ＧＲ２の速度変更を行う。速度プロファイルはローラ群ＧＲ１と同じ、予め定めた一種類のプロファイルを使う。
＜電子デバイス＞
次に、電子デバイスの一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成を例示する。
次に、電子デバイスの一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成を例示する。
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図８（Ａ）は有機ＥＬ表示装置５００の全体図、図８（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。
図８（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５００の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。
なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素５２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素５２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。
図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１の電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、赤色層５６Ｒ・緑色層５６Ｇ・青色層５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２の電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。
また、第１の電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２の電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図８（Ｂ）に示すように正孔輸送層５５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層５７と第２の電極５８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。
なお、近接した第１の電極５４の間でのショートを防ぐために、第１の電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。
図８（Ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極５４と正孔輸送層５５との間には第１の電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層を形成してもよい。
赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層５６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。
なお、ここでは赤色層５６Ｒの例を示したが、緑色層５６Ｇや青色層５６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。
こうした電子デバイスの製造において、上述した成膜装置１が適用可能であり、当該製造方法は、搬送装置２により基板５３を搬送する搬送工程と、搬送されている基板５３に蒸着装置３によって各層の少なくともいずれか一つの層を蒸着する蒸着工程と、を含むことができる。
＜他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
１ 成膜装置、２ 搬送装置、４ 制御装置、７ 基板、ＲＧ１～ＲＧ５ ローラ群
Claims (9)
- 基板を搬送する第一のローラ群と、
前記基板の搬送方向で前記第一のローラ群の下流側に前記第一のローラ群に対して連続的に配置され、前記基板を搬送する第二のローラ群と、
前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を制御する制御手段と、
を備えた搬送装置であって、
前記制御手段は、
前記第一のローラ群が第一の搬送速度で前記基板を搬送している途中で、前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群の搬送速度を前記第一の搬送速度より速い第二の搬送速度に変更する場合、変更前後の搬送速度差に応じた速度プロファイルで前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を加速制御し、
前記搬送速度差が所定速度未満の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルと同じ速度プロファイルで前記第二のローラ群を加速制御し、
前記搬送速度差が前記所定速度以上の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルよりも加速が急な速度プロファイルで前記第二のローラ群を加速制御する、
ことを特徴とする搬送装置。 - 基板を搬送する第一のローラ群と、
前記基板の搬送方向で前記第一のローラ群の下流側に前記第一のローラ群に対して連続的に配置され、前記基板を搬送する第二のローラ群と、
前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を制御する制御手段と、
を備えた搬送装置であって、
前記制御手段は、
前記第一のローラ群が第一の搬送速度で前記基板を搬送している途中で、前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群の搬送速度を前記第一の搬送速度より遅い第二の搬送速度に変更する場合、変更前後の搬送速度差に応じた速度プロファイルで前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を減速制御し、
前記搬送速度差が所定速度未満の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルと同じ速度プロファイルで前記第二のローラ群を減速制御し、
前記搬送速度差が前記所定速度以上の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルよりも減速が急な速度プロファイルで前記第二のローラ群を減速制御する、
ことを特徴とする搬送装置。 - 請求項１に記載の搬送装置であって、
前記制御手段は、前記搬送速度差と前記速度プロファイルとの対応関係を示すテーブルに基づいて前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を加速制御する、
ことを特徴とする搬送装置。 - 請求項２に記載の搬送装置であって、
前記制御手段は、前記搬送速度差と前記速度プロファイルとの対応関係を示すテーブルに基づいて前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を減速制御する、
ことを特徴とする搬送装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の搬送装置であって、
前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群の搬送速度の、オペレータによる指示を受け付ける受付手段を備える、
ことを特徴とする搬送装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の搬送装置であって、
前記第一のローラ群は同期的に回転し、
前記第二のローラ群は同期的に回転する、
ことを特徴とする搬送装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の搬送装置と、
前記搬送装置によって搬送されている基板に成膜を行う蒸発源と、を備える、
ことを特徴とする成膜装置。 - 基板を搬送する第一のローラ群と、
前記基板の搬送方向で前記第一のローラ群の下流側に前記第一のローラ群に対して連続的に配置され、前記基板を搬送する第二のローラ群と、
を制御する制御方法であって、
前記第一のローラ群が第一の搬送速度で前記基板を搬送している途中で、前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群の搬送速度を前記第一の搬送速度より速い第二の搬送速度に変更する場合、変更前後の搬送速度差に応じた速度プロファイルで前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を加速制御し、
前記搬送速度差が所定速度未満の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルと同じ速度プロファイルで前記第二のローラ群を加速制御し、
前記搬送速度差が前記所定速度以上の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルよりも加速が急な速度プロファイルで前記第二のローラ群を加速制御する、
ことを特徴とする制御方法。 - 基板を搬送する第一のローラ群と、
前記基板の搬送方向で前記第一のローラ群の下流側に前記第一のローラ群に対して連続的に配置され、前記基板を搬送する第二のローラ群と、
を制御する制御方法であって、
前記第一のローラ群が第一の搬送速度で前記基板を搬送している途中で、前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群の搬送速度を前記第一の搬送速度より遅い第二の搬送速度に変更する場合、変更前後の搬送速度差に応じた速度プロファイルで前記第一のローラ群及び前記第二のローラ群を減速制御し、
前記搬送速度差が所定速度未満の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルと同じ速度プロファイルで前記第二のローラ群を減速制御し、
前記搬送速度差が前記所定速度以上の場合は、前記第一のローラ群の速度プロファイルよりも減速が急な速度プロファイルで前記第二のローラ群を減速制御する、
ことを特徴とする制御方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000085955A (ja) | 1998-09-09 | 2000-03-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | シート材の搬送方法 |
| JP2014141706A (ja) | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
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Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2009062604A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理システムおよび基板搬送方法 |
| TW201346050A (zh) * | 2012-02-06 | 2013-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜裝置及成膜方法 |
| JP6468540B2 (ja) * | 2017-05-22 | 2019-02-13 | キヤノントッキ株式会社 | 基板搬送機構、基板載置機構、成膜装置及びそれらの方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000085955A (ja) | 1998-09-09 | 2000-03-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | シート材の搬送方法 |
| JP2014141706A (ja) | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
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