JP2004241319A - 成膜装置 - Google Patents

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Hiroyuki Watanabe
洋之 渡辺
Hideo Nagasaki
英夫 長崎
Hiroshi Kano
浩志 加納
Keizo Mori
圭三 森
Masaru Nagashima
勝 永島
Hiroki Kishishita
洋樹 岸下
Takao Mori
敬郎 森
Isao Kamiyama
功 紙山
Yasunori Kin
康憲 金
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【課題】搬送路と処理室とが連続する成膜装置において、稼働率の向上や、新規プロセス条件出しに機敏に対応できるようにすること。
【解決手段】本発明は、ガラス基板1の搬送路11および処理室が連続して設けられ、搬送路11を経由して処理室へ送られてきたガラス基板1に対し、ライン型蒸発源2もしくは基板を移動させながらガラス基板1への成膜処理を行う成膜装置10において、搬送路11から分岐して複数の処理室12a、12bが設けられているものである。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対する各種処理工程間の搬送路および処理室が連続した空間内に設けられ、この処理室内で材料発生源から基板へ所定の膜を被着する成膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、平面型の表示装置として、有機EL素子を発光素子としたもの(以下、単に「有機ELディスプレイ」と言う。)が注目を集めている。この有機ELディスプレイは、バックライトが不要な自発光型のフラットディスプレイであり、自発光型に特有の広視野角を実現できるという利点を有する。
【0003】
また、有機ELディスプレイは、必要な画素のみを点灯させればよいため消費電力の点でバックライト型(例えば、液晶ディスプレイ)に比べて有利であるとともに、今後実用化が期待されている高精細度の高速のビデオ信号に対して十分な応答性能を具備すると考えられている。
【0004】
ここで、有機EL素子における有機層は、通常、正孔(ホール)注入層、正孔輸送層、発光層、電荷注入層等といった3〜5層が積層されてなる。ただし、各層を形成する有機材料は耐水性が低く、ウエットプロセスを利用できない。そこで、有機層を形成する際には真空薄膜成膜技術を利用した真空蒸着によって各層を順に成膜して積層構造とするのが一般的である。
【0005】
また、例えばフルカラーの画像表示を行う有機EL素子を構成する場合は、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色成分に対応した3種類の有機材料から成る有機層を、それぞれ異なる画素位置に成膜する必要がある。
【0006】
このような有機膜の成膜を行う技術として、本願発明者らは特許文献1において成膜対象となる基板と複数の蒸発源とを相対移動させることで複数の有機層を連続成膜する装置および方法を提案している。
【0007】
【特許文献1】
特願2002−133536号
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような成膜を行う蒸着装置においては、蒸発源の交換等を行う際のメンテナンスのたびに真空室を大気開放する必要があるため、真空室の大気開放や真空引きに多大な時間を要しており、製品製造のスループット低下を招く原因となっている。
【0009】
また、頻繁な大気開放によって真空度を高い状態に保つことが困難となる。さらに、予備加熱等の作業にも時間が必要となり、実際に成膜できる状態になるまで多くの時間を要し、装置の稼働率を高めるのが非常に困難である。
【0010】
ここで、蒸発源の交換頻度を少なくする観点から大きな蒸発源を用いることも考えられるが、蒸発源が大きくなると長時間安定して蒸発させることが困難となり、基板に蒸着される膜の厚さ分布に悪影響を及ぼすことになる。
【0011】
このような問題は、有機EL素子および有機ELディスプレイの製造において特に顕著となる。すなわち、有機ELディスプレイでは基板とライン型蒸発源とを相対移動させながら成膜を行うため真空室の大型化を伴い、メンテナンスによる大気開放、真空引き、予備加熱など通常の蒸着装置に比べて長時間を要することになる。
【0012】
また、有機EL素子および有機ELディスプレイの製造ではRGB3色に対応した成膜を連続して行うシステムが構築されている場合には、各色の成膜処理が順番に施されることから、例えば一つの色に対応した蒸発源の交換等のメンテナンスを行うことで他の色に対応した成膜処理も一時中断しなくてはならず、生産性の低下を招く原因となっている。
【0013】
さらに、このような連続成膜のシステムは非常に大がかりとなることから、生産のほかに成膜条件を検討するため一部の成膜材料や条件を変えて比較を行いたい場合など機動的な対応が難しい。つまり、一部の条件を変更するためにシステム全体を止めて条件変更を行わなければならず、細かい条件変更や設計変更に十分対応できないという問題がある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明は、基板の処理を行う処理室および処理工程間の搬送路が連続した空間内に設けられ、搬送路を経由して処理室へ送られてきた基板に対し、材料発生源もしくは基板を移動させながら基板への成膜処理を行う成膜装置において、搬送路から分岐して複数の処理室が設けられているものである。
【0015】
このような本発明では、基板の搬送路から分岐して複数の処理室が設けられていることから、一方の処理室へ基板を搬送して処理している間、他方の処理室に関わるメンテナンスや条件変更を行うことができ、処理工程間の搬送路および処理室が複数連続して配置される大がかりなシステムであっても全体の処理を止めることなくメンテナンス等を実施できる。また、搬送路から複数の処理室を分岐させて設けることにより、大がかりなシステムを複数設けることなく一つのシステムでも並行処理によって生産性の拡大を図ることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。本実施形態に係る成膜装置は、主として有機EL素子の製造装置であり、成膜対象の基板を所定方向へ移動させながらその移動軸と略直角な方向に伸びるライン型蒸発源と基板との相対移動によって均一な有機膜を基板の主面(ライン型蒸発源との対向面)に形成するものである。
【0017】
図1は本実施形態に係る成膜装置の主要部を説明する模式図である。成膜対象はガラス基板1であり、インライン方式の有機EL蒸着システムにより有機EL等の材料を真空蒸着する。成膜材料を収容するとともに蒸発を行うライン型蒸発源2はガラス基板1の下方に配置され、ガラス基板1を図中矢印に示す移動方向へ移動させながらガラス基板1の主面に向けて有機材料を蒸発させ被膜形成を行う。
【0018】
図2は、本実施形態に係る成膜装置の構成を説明する平面図である。この成膜装置10は、ガラス基板1の処理工程間の搬送路11と処理室12a、12bとが空間として連続して設けられたもので、仕切り弁Bによって搬送路11と処理室12a、12bとを仕切ることができるようになっている。
【0019】
本実施形態の成膜装置10の特徴は、一つの搬送路11から分岐して複数の処理室12a、12bが設けられている点である。つまり、ガラス基板1は搬送路11から処理室12a、12bのいずれか一方に送られて成膜処理が成されることになる。各処理室12a、12bにはそれぞれ複数本のライン型蒸発源2が配置されており、処理室12a、12bをガラス基板1が移動する間に順にライン型蒸発源2から所定の材料を蒸着していくことになる。
【0020】
各処理室12a、12bのライン型蒸発源2の本数や配置は同じでも異なっていてもよいが、同じ場合には同一の成膜を各処理室12a、12bで並行して行うことができ、異なる場合にはガラス基板1について異なる条件で成膜を行って条件出しや仕様の異なる製品を同時に製造できるようになる。また、各処理室12a、12bのライン型蒸発源2の本数が複数ある場合、それらの構造は同じ場合もあり、異なる場合もある。さらに、そこで使用する材料も同様に同じ場合もあり、異なる場合もある。
【0021】
このように、複数の処理室12a、12bが並列で設けられていることにより、一方の処理室12aもしくは12bのライン型蒸発源2等をメンテナンスする場合、成膜装置10全体の稼働を停止することなく、他方の処理室12bもしくは12aを稼働させて成膜を続けることが可能となる。
【0022】
また、本実施形態の成膜装置10には、搬送路11からいずれかの処理室12a、12bへガラス基板1の搬送方向を振り分けるため、搬送路11内に振り分け装置13が設けられている。振り分け装置13は回転可能なアーム型ロボットRから構成され、手前の処理室もしくは搬送路から送られてきたガラス基板1を受け取って、図示しない制御装置からの指示に基づき処理室12a、12bのいずれかへそのガラス基板1の搬送方向を振り分けて送り出す処理を行う。
【0023】
また、振り分け装置13は、必要がある場合には、ガラス基板1をアライメント装置14へ送り出し、マスクとのアライメントを行った後のガラス基板1を再び受け取って処理室12a、12bのいずれかへそのガラス基板1の搬送方向を振り分けて送り出す処理を行う。
【0024】
このような回転可能なアーム型ロボットRから成る振り分け装置13を備える成膜装置10では、2つの処理室12a、12bの配置間隔すなわちアーム型ロボットRによる振り分けの角度を鋭角にすることで効率の良い振り分けを行うことができるようになる。
【0025】
特に、図2に示す成膜装置10では、手前の処理についても複数の処理室を備えた他の成膜装置と連続して一体的に形成されたシステムであり、振り分け装置13は少なくとも4箇所の処理室を対象とした振り分け動作が必要となる。このため、アーム型ロボットRによる各処理室12a、12bへの振り分けの角度(アーム型ロボットRの回転中心から一方の処理室への送り出し軸と他方の処理室への送り出し軸とのなす角度)を鋭角にすることで、回転動作を必要最小限にすることができ、効率の良い振り分け動作が可能となる。
【0026】
また、図示しないが振り分け装置13に隣接してガラス基板1の格納庫(ストッカー)を備えるようにしてもよい。格納庫を設けることで、手前の処理室から送られてきたガラス基板1を一旦格納庫に貯めておき、必要なガラス基板1を次の処理室12a、12bへ送り出すようにすることができ、大量生産を行う場合の各処理室での処理タイミングのずれを吸収できるようになる。
【0027】
図3は、図2に示すA−A’断面図である。各処理室12a、12bは例えばアルミニウムから構成される真空チャンバであり、内部にライン型蒸発源2と、ガラス基板1を搬送するための搬送ローラ3と、上部に取り付けられる扉4とを備えている。なお、この扉4は例えばライン型蒸発源2のメンテナンスを行うために設けられたものであるから、必要に応じて処理室12a、12bの側部や下部にあってもよい。
【0028】
次に、この成膜装置10の動作を図2、図3に基づき説明する。先ず、搬送路11と各処理室12a、12bとの間の仕切り弁Bを閉じておき、処理室12aでガラス基板1に対する成膜処理を実施する。図3に示す状態は、処理室12aで成膜処理を行っているところを示している。
【0029】
ここで、処理室12a内でガラス基板1を搬送させながらライン型蒸発源2から材料を蒸着している間、処理室12b内のメンテナンスを行うことができる。この場合、処理室12bの扉4を開けて処理室12b内を大気開放し(もしくは図示しないバルブによって処理室12b内を大気開放した後、扉4を開ける)、内部のライン型蒸発源2に材料を補充したり、ライン型蒸発源2を取り出して材料補充や清掃等のメンテナンスを行う。
【0030】
この際、各処理室12a、12bとの間の仕切り弁Bが閉じていることにより、成膜処理を実施中の処理室12aからの熱や材料の飛散の影響が搬送路11内の振り分け装置13へ及ばないようにすることができるとともに、処理室12bの扉4を開けて大気開放してもその影響がもう一方の処理室12aや搬送路11内に及ばないようになる。
【0031】
つまり、処理室12bをメンテナンス中であっても処理室12aを用いて通常の成膜処理を続行できるようになる。また、大きなシステムであっても、大気開放するのが仕切り弁Bで仕切られた処理室12bだけになるため、メンテナンスが終了して処理室12bの真空引きを行う際にも短時間で所定の真空度まで達することが可能となる。
【0032】
なお、処理室12bを用いてガラス基板1への成膜処理を行う場合には、処理室12bが所定の真空度になった後で処理室12bと搬送路11との間の仕切り弁Bを開け、振り分け装置13から処理室12bへガラス基板1を送り出し、仕切り弁Bを閉じる。そして、処理室12b内でガラス基板1を搬送させながらライン型蒸発源2から所定の材料を被着するようにする。
【0033】
処理室12bで成膜処理を行っている間、同時に処理室12aで成膜処理を実施してもよく、また処理室12a内のメンテナンスを行ってもよい。処理室12aのメンテナンスを行う場合には先に説明した処理室12b内のメンテナンスと同様に、処理室12aの仕切り弁Bを閉じた状態で処理室12a内のみを大気開放して行う。その間、処理室12bでは通常の成膜処理を実行できることになる。
【0034】
ここで、図2に示す成膜装置10に用いられる振り分け装置13では、振り分け装置13からガラス基板1を送り出す際のガラス基板1の向きと、処理室12a、12bでの搬送方向との間に角度ずれが生じるため、その角度ずれを補正する回転手段を備えている。図4は回転手段を説明する模式図である。
【0035】
すなわち、振り分け装置のアーム型ロボットRから送り出されたガラス基板1の角度と処理室12a、12b内でのガラス基板1の搬送方向との間には角度差θが生じるため、処理室12a、12bに入れる直前にガラス基板1を回転させて処理室12a、12b内での搬送方向に合わせるようにする。
【0036】
回転手段としては、図4(a)では示されないが例えば下方からガラス基板1を支えるテーブルを用意し、このテーブルを回転させることで角度補正を行うようなものでよい。この回転手段によって、アーム型ロボットRによるガラス基板1の向きと搬送方向との差を吸収でき、的確な成膜処理を行うことができるようになる。
【0037】
回転手段のもう一つの形態としては、図4(b)に示すように、搬送コンベアの真下に角度補正テーブルTを設置するようなものもある。この形態であれば処理室12a、12bに入れる直前の部分が短くでき、尚且つタクトタイムも短くできる。この部分の形態に関しては他にもいくつかの種類(例えば、(1)アーム型ロボットRの基板保持部分に回転手段が設けられ、アーム型ロボットRによる振り分け動作と同時にガラス基板1を回転させる構成、(2)搬送コンベアの左右回転差を利用してガラス基板1を回転させる構成)が考えられる。
【0038】
図5は、本実施形態の他の例を説明する模式平面図である。この例に係る成膜装置10は、搬送路11から分岐して複数の処理室12a、12bが設けられている点で先と同様であるが、振り分け装置13として回転可能なアーム型ロボットRと直角搬送路15とから構成される点で相違する。
【0039】
すなわち、この振り分け装置13では、アーム型ロボットRから送り出されたガラス基板1が直角搬送路15によって各処理室12a、12bの並びに沿って移動する。つまり、振り分け装置13は、ガラス基板1を振り分けるにあたり、処理室12a、12bでのガラス基板1の搬送方向と同じ方向への動きと、この方向と略直角な方向への動きとに分けて行う。
【0040】
したがって、アーム型ロボットRはガラス基板1を直角搬送路15の端部(予め定められた位置)へ配置する。そして、直角搬送路15はガラス基板1を各処理室12a、12bの並びに沿って移動させ、処理を行う処理室12a、12bの入り口まで搬送する。なお、図5の例では、直角搬送路15上のガラス基板1の載置位置と、処理室12bの入り口とが対応していることから、処理室12bで処理する場合にはガラス基板1を直角搬送路15で移動させる必要はない。
【0041】
このような構成では、振り分け装置13のアーム型ロボットRの動きを直角搬送路15上の所定位置に限定することができる。また、直角搬送路15を用いることで、処理室の並列配置が多くなった場合でもアーム型ロボットRの稼働範囲に限定されず直角搬送路15によってガラス基板1を各処理室の入り口まで搬送することができ、並列配置の数やスペースに余裕を持たせることが可能となる。
【0042】
例えば、図5に示す例では、処理室12aと処理室12bとの間に真空ポンプを配置している。図示する4つの真空ポンプPのうち2つは処理室12aの真空引き用、他の2つは処理室12bの真空引き用に用いる。また、真空ポンプP以外の補器類を処理室12a、12bの間に配置してもよい。これにより、処理室12a、12bの長さ(ガラス基板1の搬送方向に沿った距離)を短くすることが可能となり、処理室12a、12bの個別の容量を小型化して真空引きの時間を短くできるようになる。
【0043】
また、真空ポンプPや補器類を各処理室12a、12bの間に共有して配置することで、これらの機器のメンテナンスを一箇所でまとめて行うことが可能となる。さらに、処理室12a、12bの補器類を配置した位置と反対側のスペースをライン型蒸発源2等のメンテナンススペースとし、しかも隣接する処理室のメンテナンススペースと共有させることで、装置レイアウトのスペース効率を高めることも可能となる。
【0044】
なお、いずれの実施形態でも、1つの搬送路11から分岐する処理室の数として2つの場合を示したが、3つ以上あっても同様である。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば次のような効果がある。すなわち、一方の処理室で成膜処理を実施している間に、他方の処理室の材料交換、清掃、予備加熱等を行うことができ、連続する成膜装置(システム)全体の稼働率を向上させることが可能となる。一方の処理室でトラブルが発生した場合でも他方の処理室で処理を行っている間に対処でき、ダウンタイムを短くすることが可能となる。
【0046】
また、一方の処理室をメンテナンスする際に大気開放しても他方の処理室を大気開放することがないので、成膜を行う処理室の真空度を良い状態に保つことができ、成膜の質を低下させずに済むことになる。また、一方の処理室と他方の処理室とで異なる条件での成膜を並行して実施でき、新規プロセスの条件出し等を、生産を止めずに機動的かつ効率良く行うことが可能となる。さらに、複数の処理室で同時に成膜を行うようにすれば、大きなシステムを2つ用意しなくても生産性をほぼ2倍にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係る成膜装置の主要部を説明する模式図である。
【図2】本実施形態に係る成膜装置の構成を説明する平面図である。
【図3】図2に示すA−A’断面図である。
【図4】回転手段を説明する模式図である。
【図5】本実施形態の他の例を説明する模式平面図である。
【符号の説明】
1…ガラス基板、2…ライン型蒸発源、10…成膜装置、11…搬送路、12a…処理室、12b…処理室、13…振り分け装置、R…アーム型ロボット

Claims (8)

  1. 基板の処理を行う処理室および処理工程間で基板を搬送する搬送路が連続した空間内に設けられ、
    前記搬送路を経由して前記処理室へ送られてきた前記基板に対し、材料発生源もしくは前記基板を移動させながら前記基板への成膜処理を行う成膜装置において、
    前記搬送路から分岐して複数の処理室が設けられている
    ことを特徴とする成膜装置。
  2. 前記搬送路から前記複数の処理室のいずれかへ搬送される前記基板の搬送方向を振り分ける振り分け手段を備えている
    ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
  3. 前記振り分け手段によって前記基板の搬送方向を振り分けるにあたり、各処理室への振り分けの角度が鋭角となっている
    ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
  4. 前記振り分け手段によって前記基板の搬送方向を振り分けるにあたり、各処理室への振り分けの角度が略直角となっている
    ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
  5. 前記振り分け手段は、前記基板の振り分けを行う際の前記基板の角度を回転させる回転手段を備えている
    ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
  6. 前記振り分け手段に隣接して前記基板の格納庫を備えている
    ことを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
  7. 前記材料発生源は、ライン状蒸発源からなる
    ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
  8. 前記材料発生源によって前記基板へ有機電界発光材料を成膜する
    ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227822A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機半導体製造方法及びその装置
JP2008270218A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Applied Materials Inc 基板を処理するための処理装置及び方法
JP2009117584A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ処理装置
JP2010077487A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び同製造方法並び成膜装置及び成膜方法
US7964037B2 (en) 2006-07-13 2011-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Deposition apparatus
JP2011522968A (ja) * 2008-06-09 2011-08-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板をコーティングするためのコーティングシステム及び方法
DE112009002468T5 (de) 2008-11-14 2011-11-24 Ulvac, Inc. Organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung und organisches Dünnschicht-Niederschlagsverfahren
JP2013110114A (ja) * 2012-12-27 2013-06-06 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び角度補正機構
US8851008B2 (en) 2007-06-29 2014-10-07 Sokudo Co., Ltd. Parallel substrate treatment for a plurality of substrate treatment lines
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
US9368383B2 (en) 2007-12-28 2016-06-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with substrate reordering

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227822A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機半導体製造方法及びその装置
US7964037B2 (en) 2006-07-13 2011-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Deposition apparatus
JP2008270218A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Applied Materials Inc 基板を処理するための処理装置及び方法
US9165807B2 (en) 2007-06-29 2015-10-20 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with vertical treatment arrangement including vertical blowout and exhaust units
US10290521B2 (en) 2007-06-29 2019-05-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe
US9230834B2 (en) 2007-06-29 2016-01-05 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US9174235B2 (en) 2007-06-29 2015-11-03 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus using horizontal treatment cell arrangements with parallel treatment lines
US8851008B2 (en) 2007-06-29 2014-10-07 Sokudo Co., Ltd. Parallel substrate treatment for a plurality of substrate treatment lines
JP2009117584A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ処理装置
US9687874B2 (en) 2007-11-30 2017-06-27 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
US9368383B2 (en) 2007-12-28 2016-06-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with substrate reordering
JP2011522968A (ja) * 2008-06-09 2011-08-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板をコーティングするためのコーティングシステム及び方法
JP2010077487A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び同製造方法並び成膜装置及び成膜方法
US8470403B2 (en) 2008-11-14 2013-06-25 Ulvac, Inc. Organic thin film deposition device, organic EL element manufacturing device, and organic thin film deposition method
US8298340B2 (en) 2008-11-14 2012-10-30 Ulvac, Inc. Organic thin film deposition device, organic EL element manufacturing device, and organic thin film deposition method
DE112009002468T5 (de) 2008-11-14 2011-11-24 Ulvac, Inc. Organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung und organisches Dünnschicht-Niederschlagsverfahren
DE112009002468B4 (de) 2008-11-14 2020-01-02 Ulvac, Inc. Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung und organische Dünnschicht-Niederschlagsverfahren
JP2013110114A (ja) * 2012-12-27 2013-06-06 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び角度補正機構

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