DE112009002468T5 - Organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung und organisches Dünnschicht-Niederschlagsverfahren - Google Patents

Organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung und organisches Dünnschicht-Niederschlagsverfahren Download PDF

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Abstract

Es wird eine eine organische Dünnschicht niederschlagende Niederschlagsvorrichtung bereitgestellt, die kompakt ist und die in der Verarbeitungsfähigkeit hoch ist. Innerhalb einer Unterdruckkammer sind erste und zweite Substrat-Anordnungsvorrichtungen vorgesehen, die in einer horizontalen Lage und in einer stehenden Lage sein können; und wenn sie in der stehenden Lage sind, sind Substrate, die durch jeweilige Substrat Anordnungsvorrichtungen gehalten werden, und erste und zweite organische Dampfabführvorrichtungen so, dass sie einander zugewandt sind bzw. gegenüberstehen. Wenn eine der Substrat-Anordnungsvorrichtungen sich in der horizontalen Lage befindet, werden Masken und die Substrate durch Ausrichtungsstifte und Übertragungsstifte angehoben und durch ein noch nicht mit einem Film bzw. einer Schicht gebildetes Substrat zur Positionseinstellung ersetzt. Mit einer organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung können zwei Substrate zur gleichen Zeit verarbeitet werden.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein technisches Gebiet von organischen EL-Anzeigevorrichtungen und insbesondere auf eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, die eine organische Dünnschicht herstellt, der für ein organisches EL-Element verwendet wird, und auf eine organische Anzeigevorrichtungs-Herstellungsvorrichtung, welche die organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung aufweist.
  • Hintergrund-Technik
  • In Vorrichtungen zum Herstellen organischer EL-Elemente sind ein Cluster-System und ein Reihen-System bekannt.
  • 11(a) ist eine Herstellungsvorrichtung 200 eines Cluster-Systems. Ein von einer Einführkammer 201 eingeführtes Substrat wird in mit einer Transportkammer 209 verbundene Niederschlagskammern 202 bis 206 durch einen Transportroboter geleitet, der in der Transportkammer 209 angeordnet ist; und eine organische Dünnschicht wird aufeinanderfolgend in jeder der Niederschlagskammern 202 bis 206 gebildet und durch eine Abgabekammer 207 zu einer Transportkammer 219 in einer nächsten Stufe bewegt.
  • Ein Substrat-Transportroboter ist ebenfalls in der Transportkammer 219 in der nächsten Stufe angeordnet: das Substrat wird der Reihe nach von den Niederschlagskammern 211 bis 214, die am Umfang der Transportkammer 219 angeordnet sind, bewegt; eine organische Dünnschicht oder eine Kathoden-Elektrode wird in jeder der Niederschlagskammern 211 bis 214 gebildet; und das Substrat wird von einer Ausführkammer 215 zur Außenseite der Herstellungsvorrichtung 200 geleitet.
  • Masken-Lagerkammern 221 und 222 sind mit den jeweiligen Transportkammern 209 und 219 verbunden. In den Niederschlagskammern 202 bis 206 und 211 bis 214 wird eine Maske in Ausrichtung bezogen auf das Substrat gebildet und zur Filmbildung auf einer Mehrzahl von Substraten herangezogen, und eine Maske, die viele Male verwendet Worden ist, wird durch eine Maske ersetzt, welche in den Masken-Lagerkammern 221 und 222 angeordnet ist, um eine kontinuierliche Verarbeitung einer großen Anzahl von Substraten zu erlauben.
  • 11(b) ist eine Herstellungsvorrichtung 300 in einem Reihen-System.
  • Substrat-Transportroboter sind innerhalb einer Transportkammer 309 in einer vorgehenden Stufe und einer Transportkammer 329 in einer späteren Stufe angeordnet, und ein Substrat, welches von einer Einführkammer 301 transportiert wird, wird zu einer mit der Transportkammer 309 verbundenen Vorverarbeitungs- bzw. Vorprozesskammer 302 durch den Substrat-Transportroboter in der Transportkammer 309 in der vorhergehenden Stufe transportiert.
  • Darüber hinaus ist eine Bewegungs- bzw. Verschiebekammer 311 mit der Transportkammer 309 verbunden, und das Substrat, welches in der Vorverarbeitungs- bzw. Vorprozesskammer 302 vorverarbeitet worden ist, wird zu einer nicht mit der Transportkammer 309 verbundenen Ausrichtungskammer 312 über bzw. durch die Bewegungs- bzw. Verschiebekammer 311 bewegt.
  • Eine Maske wird in der Ausrichtungskammer 312 angeordnet, und nachdem das Substrat und die Maske ausgerichtet sind, um die Maske an dem Substrat anzubringen, werden sie durch eine Wendekammer 313 in eine in eine Reihen-Niederschlagskammer 314 transportiert.
  • In der Reihen-Niederschlagskammer 314 wird, während das Substrat und die Maske bewegt werden, eine organische Dünnschicht auf einer Substratoberfläche gebildet, und das Substrat und die Maske, die aus der Reihen-Niederschlagskammer 314 herausgekommen sind, werden durch eine Wendekammer 315 in eine Trennkammer 316 transportiert, um die Maske von dem Substrat zu trennen.
  • Die Trennkammer 316 ist mit einer Transportkammer 329 in einer späteren Stufe verbunden, und das in der Trennkammer 316 getrennte Substrat wird durch die Transportkammer 329 in der späteren Stufe in Zerstäubungskammern 321 und 322 transportiert, welche mit der Transportkammer 329 verbunden sind.
  • In den Zerstäubungskammern 321 und 322 wird auf dem Substrat eine Kathodenelektrodenschicht gebildet, und sie wird aus der organischen EL-Element-Herstellungsvorrichtung 300 über bzw. durch eine Ausführ- bzw. Ausleitkammer 323 herausgenommen bzw. entfernt.
  • Die abgetrennte Maske wird in einer Sammelkammer 332 gesammelt. Eine neue Maske wird in einer Zuführkammer 331 angeordnet und an die Ausrichtungskammer 312 abgegeben.
    [Patentdokument 1] JP 2008-56966 A
    [Patentdokument 2] JP 2004-241319 A
  • Offenbarung der Erfindung
  • In bzw. bei den beiden Arten bzw. Typen von organischen EL-Element-Herstellungsvorrichtungen 200 und 300, wie oben erörtert, treten Probleme, wie unten beschrieben, in einem Fall der Handhabung eines Substrats von großer Größe oder in einem Fall der Verringerung der Taktzeit auf.
    • (1) Die Maske wird mittels des Substrat-Transportroboters versetzt, und obwohl die Maske vergrößert ist, wenn das Substrat vergrößert ist, gibt es keinen Substrat-Transportroboter, der eine vergrößerte Maske transportieren kann. Sogar dann, wenn solch ein Roboter entwickelt werden kann, wird bzw. muss er einer sein, der zu groß ist.
    • (2) Um die Taktzeit kürzer zu machen, ist es erforderlich, die Anzahl an Filmbildungskammern zu erhöhen, was bewirken kann, die Vorrichtungskosten und die Stellfläche zu erhöhen. Darüber hinaus sind Ausrichtungsvorrichtungen, Unterdruck- bzw. Vakuumkammern und Abluftsysteme erforderlich, um in derselben Zahl vorhanden zu sein wie die Niederschlagsvorrichtungen, so dass die Kosten aufwendig werden und die Vorrichtungen komplex werden.
    • (3) Im Falle einer Reihenvorrichtung wird dann, wenn die Anzahl an Unterdruck- bzw. Vakuumkammern groß wird, die Größe der Vorrichtung groß. Insbesondere in einem Fall der Herstellung einer organischen EL-Element-Vorrichtung, welche Lichtemissionsbereiche aus Rot, Grün und Blau jeweils in diskreten Positionen anordnet, beträgt die Anzahl der Reihenschleifen zumindest drei, was bewirkt, dass die Vorrichtung sogar noch größer wird.
  • Mittel zur Lösung der Probleme
  • Um die obigen Probleme zu lösen, ist eine Ausführungsform bzw. ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung gerichtet, enthaltend eine Unterdruck- bzw. Vakuumkammer; erste und zweite Substrat-Anordnungsvorrichtungen, die in der Unterdruckkammer angeordnet sind, und in denen erste und zweite Substrate angeordnet sind; erste und zweite Masken, die an bzw. auf den ersten bzw. zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen angebracht sind und die darin gebildete Öffnungen aufweisen; eine erste Drehwelle für einen Betrieb, um die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der ersten Maske in eine horizontale Lage zu schalten, um horizontal an einer vertikal überlappenden Position zu sein, und um die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der ersten Maske in eine stehende Lage zu schalten, um in einer stehenden Weise angeordnet zu sein; eine zweite Drehwelle für einen Betrieb, um die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der zweiten Maske in die horizontale Lage zu bringen bzw. zu platzieren, um in einer vertikal überlappenden Position horizontal zu sein, und um die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der zweiten Maske in die stehende Lage zu schalten, um in einer stehenden Weise angeordnet zu sein; und erste und zweite organische Dampf-Entladungsvorrichtungen, die in der Unterdruckkammer vorgesehen sind, und zum Entladen bzw. Abführen eines organischen Materialdampfes aus Entladungsöffnungen, die in ersten und zweiten organischen Dampf-Entladungsebenen vorgesehen sind, wobei die ersten und zweiten Substrate konfiguriert bzw. gestaltet sind, um ihre Lage zwischen der horizontalen Lage und der stehenden Lage in einem Zustand, in welchem sie durch die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen und die ersten und zweiten Masken eingeschichtet sind, infolge des Betriebs der ersten und zweiten Drehwellen zu ändern, und worin bzw. wobei die ersten und zweiten organischen Dampf-Entladungsebenen konfiguriert bzw. gestaltet sind, um den ersten bzw. zweiten Masken zugewandt zu sein, die in die stehende Lage geschaltet sind, und um den organischen Materialdampf, der von den Abführöffnungen der ersten und zweiten organischen Dampf-Abgabeebenen abgeführt ist, durch die Öffnungen der ersten und zweiten Masken treten zu lassen, um die Schicht- bzw. Filmbildungsebene zu erreichen.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann außerdem auf eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung gerichtet sein, worin die stehende Lage dadurch hergestellt wird, dass die ersten und zweiten Filmbildungsobjekte drehmäßig unter einem Winkel von weniger als 90° von der horizontalen Lage bewegt werden, wobei die Oberflächen, auf denen die ersten und zweiten Masken angeordnet sind, nach oben weisen.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann außerdem auf eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung gerichtet sein, worin ein Durchgang für ein Strömen einer Kühlmittelflüssigkeit in den ersten bzw. zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen gebildet ist.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann außerdem auf eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung gerichtet sein, worin Dampferzeugungsquellen jeweils mit den ersten bzw. zweiten organischen Dampfentladungsvorrichtungen bzw. -Abführvorrichtungen verbunden sind; und worin der durch die Dampferzeugungsquelle erzeugte organische Materialdampf so konfiguriert ist, dass der Dampf von den Entladungs- bzw. Abführöffnungen der ersten und zweiten Dampfabführebenen abgeführt werden kann.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann außerdem auf eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung gerichtet sein, die ferner erste und zweite Anzugsmagnete aufweist, welche in den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen zum magnetischen Anziehen der ersten und zweiten Masken an die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen vorgesehen sind.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann außerdem auf eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung gerichtet sein, die ferner eine Masken-Bewegungsvorrichtung bzw. Masken-Verschiebevorrichtung zum Bewegen bzw. Verschieben der ersten und zweiten Masken vertikal in den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen in der horizontalen Lage aufweist.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann außerdem auf eine organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung gerichtet sein, die eine Transportkammer mit einem darin angeordneten Substrat-Transportroboter; und die organische Dünnschicht-Nieder schlagsvorrichtung aufweist, welche mit der Transportkammer verbunden ist.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist auf ein organisches Dünnschicht-Niederschlagsverfahren bzw. auf ein Niederschlagsverfahren zum Niederschlagen einer organischen Dünnschicht gerichtet, enthaltend: einen ersten Anordnungsschritt, in bzw. bei welchem ein erstes Substrat in eine Unterdruck- bzw. Vakuumkammer transportiert wird, um das erste Substrat in einer ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung in einer horizontalen Lage anzuordnen, die horizontal ist, während die ersten und zweiten organischen Dampfentladungs- bzw. Dampfabführebenen einer organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung in einer stehenden Weise angeordnet sind, wobei die organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung erste und zweite Substrat-Anordnungsvorrichtungen aufweist, die in derselben Unterdruck- bzw. Vakuumkammer angeordnet sind und die imstande sind, Substrate und erste und zweite organische Dampfentladungs- bzw. Dampfabführvorrichtungen anzuordnen, die in der Unterdruckkammer vorgesehen sind, wobei die Entladungs- bzw. Abführöffnungen in den ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen gebildet sind; einen ersten Aufstellschritt, in welchem das erste Substrat durch die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung gehalten wird, um in einer stehenden Lage zu sein, das heißt stehend, und das erste Substrat veranlasst wird, der ersten Dampfentladungsebene bzw. -abführebene zugewandt zu sein; einen ersten Filmbildungs-Startschritt, in welchem eine Entladung bzw. Abfuhr eines organischen Materialdampfes aus den Abführöffnungen der ersten organischen Dampfabführvorrichtung begonnen wird; einen zweiten Anordnungsschritt, in welchem ein zweites Substrat in die Unterdruck- bzw. Vakuumkammer eingeführt wird, während die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung sich in der stehenden Lage befindet, um das zweite Substrat in der in die horizontale Lage geschalteten zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung anzuordnen; einen zweiten Aufstellschritt, in welchem das zweite Substrat durch die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung gehalten wird, um in die stehende Lage zu schalten, und das zweite Substrat veranlasst wird, der zweiten organischen Dampfabführebene zugewandt zu sein; einen zweiten Filmbildungs-Startschritt, in welchem eine Entladung bzw. Abfuhr eines organischen Materialdampfes aus den Abführöffnungen der zweiten organischen Dampfabführvorrichtung begonnen wird; und einen ersten Herausführungsschritt, in welchem die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung in die horizontale Lage geschaltet wird, während die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung steht, und das erste Substrat aus der Unterdruck- bzw. Vakuumkammer herausgeführt wird, worin bzw. wobei das erste mit einem Film gebildete bzw. versehene Substrat während der Filmbildung des zweiten Substrats herausgeführt wird.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann außerdem auf ein organisches Dünnschicht-Niederschlagsverfahren bzw. auf ein Niederschlagsverfahren zum Niederschlagen einer organischen Dünnschicht gerichtet sein, bei dem in bzw. bei den ersten und zweiten Aufstellschritten in die stehende Lage von der horizontalen Lage in einen Zustand der ersten und zweiten Masken umgeschaltet wird, die auf den ersten bzw. zweiten Substraten angeordnet sind, und bei dem beim ersten Ausführungsschritt das erste Substrat aus der Unterdruckkammer herausgeführt wird, nachdem die Masken von den Substraten abgetrennt sind.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann außerdem auf ein organisches Dünnschicht-Niederschlagsverfahren bzw. auf ein Niederschlagsverfahren zum Niederschlagen einer organischen Dünnschicht gerichtet sein, bei dem in bzw. bei den ersten und zweiten Anordnungsschritten die ersten und zweiten Masken in bzw. auf den ersten bzw. zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen in der horizontalen Lage in einem Zustand angeordnet sind, in welchem sie voneinander in Abstand sind, und die ersten und zweiten Substrate, die in die Unterdruckkammer eingeführt sind, zwischen die ersten und zweiten Masken und die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen eingeführt werden, und anschließend ein Positions-Einstellungsschritt ausgeführt wird, der die Positionen der ersten und zweiten Substrate und der ersten und zweiten Masken einstellt.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann außerdem auf das organische Dünnschicht-Niederschlagsverfahren bzw. auf das Niederschlagsverfahren zum Niederschlagen einer organischen Dünnschicht gerichtet sein, bei dem die ersten und zweiten organischen Dampfniederschlags- bzw. Dampfabgabeebenen von der senkrechten Stellung geneigt werden bzw. sind und bei dem in bzw. bei den ersten und zweiten Aufrechtstellungsschritten die ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen unter einem Winkel von weniger als 90° von der horizontalen Lage gedreht werden, um die Vorrichtungen in die stehende Lage zu bringen bzw. zu platzieren, welche unter demselben Winkel wie die ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen geneigt ist.
  • Wirkungen bzw. Effekte der Erfindung
  • Mit einer organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung kann zur selben Zeit Dampf auf zwei Substratplatten bzw. -scheiben niedergeschlagen werden.
  • Während eine Schicht bzw. ein Film auf einem der Substrate gebildet wird, kann die Ausrichtung zwischen dem anderen Substrat und einer Maske bearbeitet werden, so dass die Arbeitsrate der Ausrichtungsvorrichtung verbessert ist.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, die in bzw. bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 2 ist ein Diagramm zur Veranschaulichung eines Bereiches der Vorrichtung zum Anordnen eines Substrats davon.
  • 3 ist ein Diagramm (1) zur Veranschaulichung einer Arbeitsweise der organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, welche in bzw. bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 4 ist ein Diagramm (2) zur Veranschaulichung einer Arbeitsweise der organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, die in bzw. bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 5 ist ein Diagramm (3) zur Veranschaulichung einer Arbeitsweise der organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, die in bzw. bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 6 ist ein Diagramm (4) zur Veranschaulichung einer Arbeitsweise der organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, die in bzw. bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 7 ist ein Diagramm (5) zur Veranschaulichung einer Arbeitsweise der organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, die in bzw. bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 8 ist ein Diagramm (6) zur Veranschaulichung einer Arbeitsweise der organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, die in bzw. bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 9(a) ist ein Diagramm zur Veranschaulichung eines organischen EL-Elements der Farblichtemission.
  • 9(b) ist ein Diagramm zur Veranschaulichung eines organischen EL-Elements der weißen Lichtemission.
  • 10 ist ein Beispiel einer organischen EL-Element-Herstellungsvorrichtung, die in bzw. bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 11(a) ist eine organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung eines Cluster-Systems des Standes der Technik.
  • 11(b) ist eine organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung eines Reihen-Systems.
  • Bezugszeichenliste
    • 8
    Substrat-Bewegungsvorrichtung
    9
    Masken-Bewegungsvorrichtung
    11
    Unterdruck- bzw. Vakuumkammer
    13a
    erste Substrat-Anordnungsvorrichtung
    13b
    zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung
    14a bis 14c
    Substrat
    15
    Ausrichtungsstift
    16
    Übertragungsstift
    21a
    erste organische Dampfabführvorrichtung
    21b
    zweite organische Dampfabführvorrichtung
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Beste Ausführungsform zur Ausführung der Erfindung
  • 1 veranschaulicht eine Niederschlagsvorrichtung für eine organische Dünnschicht bzw. eine Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung 10, die in bzw. bei einem Beispiel der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • Die organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung 10 weist eine Unterdruck- bzw. Vakuumkammer 11, erste und zweite Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a und 13b und erste und zweite organische Dampfabführvorrichtungen 21a und 21b auf.
  • Die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a und 13b sind innerhalb der Unterdruckkammer 11 angeordnet. Darüber hinaus sind erste und zweite Drehwellen 19a und 19b horizontal innerhalb der Unterdruckkammer 11 angeordnet, und die ersten und zweite Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a und 13b sind an den ersten bzw. zweiten Drehwellen 19a und 19b durch Anbringungsglieder 18a bzw. 18b angebracht. Die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a und 13b drehen sich infolge der Drehung der ersten und zweiten Drehwellen 19a und 19b mit ihren derart gestalteten Oberflächen, dass sie einnehmen können, entweder: eine horizontale Lage, die horizontal ist; oder eine stehende Lage, die stehend ist unter einem Winkel von einem Neigungswinkel Θ, was später beschrieben wird, der von der senkrechten Position aus geneigt ist.
  • Die ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a und 21b sind an Seitenwänden 28a bzw. 28b angeordnet, die von der Unterdruckkammer 11 einander gegenüberstehen.
  • Die ersten und zweiten Dampfabführvorrichtungen 21a und 21b weisen erste und zweite organische Dampfabführebenen 22a und 22b mit einer großen Anzahl von darin gebildeten Abführöffnungen 41a bzw. 41b auf, und die ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen 22a und 22b sind unter mehreren Graden geneigt, was ein Neigungswinkel Θ ist Θ = 2–20°), dadurch in einer stehenden Weise angeordnet, geneigt unter einem Winkel von 80°–88°, um nach unten zu weisen.
  • Die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a und 13b drehen sich von der horizontalen Lage um einen Winkel (Winkel kleiner als 90°: 90° – Θ), der um den Neigungswinkel Θ kleiner ist als der Winkel der senkrechten Stellung, und stehen still. Zieht man den Zustand des Stoppen oder des Stillstehens unter diesem Winkel als eine stehende Lage heran, stehen sie den ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a und 21b in der stehenden Lage gegenüber.
  • Wenn die beiden ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der horizontalen Lage sind, können sie in unterschiedlichen Höhen vertikal stoppen oder stillstehen; und in derselben Position horizontal. Mit anderen Worten stoppt oder steht irgendein Ende der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a und 13b in einer Position gerade oberhalb der anderen still, und bei dieser Ausführungsform ist bzw. befindet sich die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a an einer Position gerade unterhalb.
  • An bzw. auf den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a und 13b sind die erste bzw. zweite Masken 12a bzw. 12b angeordnet, und die ersten und zweiten Masken 12a und 12b sind aus einem magnetischen Material hergestellt, welches an einen bzw. von einem Magneten angezogen wird, wie Eisen, Nickel oder Kobalt.
  • Wie in 2 gezeigt, sind die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b mit Magneten 27a, 27b versehen, und die Substrate 14a, 14b, welche einer Filmbildung unterzogen werden bzw. sind, werden bzw. sind auf den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der horizontalen Lage mit nach oben weisenden Filmbildungsebenen der Substrate angebracht; und wenn die erste oder zweite Maske 12a, 12b auf dem Substrat 14a oder 14b platziert bzw. angebracht ist, werden die ersten und zweiten Masken 12a, 12b durch die Magnete 27a, 27b in den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b magnetisch angezogen, um die Substrate 14a, 14b auf bzw. an die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b zu pressen.
  • Demgemäß werden bzw. sind die Substrate 14a, 14b zwischen der ersten Maske 12a und der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a oder durch die zweite Maske 12b und die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b eingeschichtet und werden durch die erste oder zweite Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b gehalten. Wenn die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b aus der horizontalen Lage in die stehende Lage positioniert werden bzw. sind, werden bzw. gelangen die ersten und zweiten Masken 12a, 12b und die Substrate zusammen mit den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in die stehende Lage. In der stehenden Lage sind die ersten und zweiten Masken 12a, 12b, die Substrate und die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b gemeinsam um den Neigungswinkel Θ aus einer senkrechten Position geneigt, so dass die jeweiligen Filmbildungsebenen um den Neigungswinkel Θ nach oben weisen, um den ersten und zweiten Dampfabführvorrichtungen 21a und 21b gegenüberzustehen.
  • 3 zeigt einen Zustand der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der stehenden Lage, in der die Substrate 14a, 14b eingeschichtet sind.
  • Die Substrate 14a, 14b sind Glassubstrate mit einer in der Film- bzw. Schichtbildungsebene gebildeten Elektrode, und eine organische Dünnschicht wird auf der Oberfläche der Film- bzw. Schichtbildungsebene mit der darauf gebildeten Elektrode gebildet.
  • Auf den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b weist das Substrat 14a, 14b die Film- bzw. Schichtbildungsebene auf, die zu der ersten oder zweiten Maske 12a, 12b gerichtet ist. In den ersten und zweiten Masken 12a, 12b sind Öffnungen 42a, 42b in den Bereichen gebildet, die den Positionen entsprechen, um eine Dünnschicht auf bzw. in den Schichtbildungsebenen zu bilden.
  • Außerhalb der Unterdruckkammer 11 ist eine organische Dampferzeugungsquelle 20 angeordnet, die einen organischen Materialdampf erzeugt, der ein Dampf aus einer organischen Verbindung ist, und die ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a, 21b sind mit der organischen Dampferzeugungsquelle 20 verbunden, um einen in der organischen Dampferzeugungsquelle 20 erzeugten organischen Materialdampf zu liefern.
  • Parallel zu den ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen 22a, 22b der ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a, 21b sind erste bzw. zweite Kontaktglieder 31a, 31b angeordnet.
  • Die ersten und zweiten Kontaktglieder 31a, 31b sind in der Form eines Ringes, der mit den Umfangsbereichen der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der stehenden Lage in Kontakt kommen kann, und die ersten und zweiten Kontaktglieder 31a, 31b sind an Öffnungspositionen in den Bereichen in einer Behälterform der Unterdruckkammer 11 angeordnet, wo die ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a, 21b angeordnet sind.
  • Die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b kommen in der stehenden Lage mit den ersten und zweiten Kontaktglieder 31a, 31b in ihrer Gesamtheit oder mit einem Teil ihrer Umfangsbereiche in Kontakt; und die Bereiche in einer Behälterform, wo die ersten und zweiten Dampfabführvorrichtungen 21a, 21b angeordnet sind, sind von den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b, den Substraten 14a und 14b und den ersten und zweiten Masken 12a und 12b bedeckt, um einen ersten Niederschlagsraum 32a zwischen der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a und der ersten organischen Dampfabführvorrichtung 21a zu bilden; und um einen zweiten Niederschlagsraum 32b zwischen der zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b und der zweiten organischen Dampfabführvorrichtung 21b zu bilden.
  • Ein Bewegungs- bzw. Verschieberaum 33, der der Teil zwischen den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der stehenden Lage in der Unterdruckkammer 11 ist, ist ein Raum zur Bewegung bzw. zum Verschieben, wenn die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b zwischen der horizontalen Lage und der stehenden Lage bewegt bzw. verschoben werden; und in einem solchen Zustand, wodurch die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der stehenden Lage mit den ersten und zweiten Kontaktgliedern 31a, 31b in Kontakt sind, werden bzw. sind die ersten und zweiten Niederschlagsräumer 32a und 32b jeweils von dem Bewegungsraum 33 für eine Bewegung getrennt.
  • Der erste Niederschlagsraum 32a und der zweite Niederschlagsraum 32b sind mit Unterdruck-Evakuierungsvorrichtungen 29a bzw. 29b verbunden und gestaltet, um für einen Unterdruck evakuiert zu werden. Die ersten und zweiten Kontaktglieder 31a, 31b dichten die ersten und zweiten Niederschlagsräume 32a, 32b nicht hermetisch ab, und die ersten und zweiten Niederschlagsräume 32a, 32b sind mit dem Bewegungsraum 33 verbunden, und der Bewegungsraum 33 wird über die ersten und zweiten Niederschlagsräume 32a, 32b durch die Unterdruck-Evakuierungsvorrichtungen 29a und 29b in dem Zustand der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a und 13b in der stehenden Lage auf einen Unterdruck bzw. Vakuum evakuiert.
  • Die ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a, 21b weisen Hauptkörper in der Form eines Behälters auf; und die Hauptkörper sind durch plattenförmige Glieder abgesperrt, die die ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen 22a, 22b auf einer Seite aufweisen, und Hohlräume 23a, 23b sind innerhalb der ersten und zweiten Dampfabführvorrichtungen 21a, 21b vorgesehen. Der organische Materialdampf, der an die ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a, 21b geliefert wird, füllt sich in den Hohlräumen 23a, 23b.
  • Die Abführöffnungen 41a und 41b sind mit den Hohlräumen 23a und 23b in Verbindung, und der die Hohlräume 23a und 23b füllende organische Materialdampf wird gleichmäßig von jeder der Abführöffnungen 41a und 41b in den ersten oder zweiten Niederschlagsraum 32a, 32b in einem Unterdruck- bzw. Vakuumzustand gleichmäßig abgeführt und tritt durch die Öffnungen 42a und 42b der ersten und zweiten Masken 12a und 12b hindurch, um die Film- bzw. Schichtbildungsebenen der Substrate 14a und 14b zu erreichen, und eine organische Dünnschicht in der Form einer flachen Ebene entsprechend der Form einer flachen Ebene der Öffnungen 42a und 42b wird in den Film- bzw. Schichtbildungsebenen gebildet. Der organische Materialdampf kann außerdem dadurch abgeführt werden, dass die organische Dampferzeugungsquelle 20 in den Hohlräumen 23a und 23b angeordnet wird, oder der Dampf kann auch direkt abgeführt werden, indem eine organische Verbindung in den Hohlräumen 23a und 23b angeordnet wird.
  • Bei 3, die einen Zustand veranschaulicht, in welchem der organische Materialdampf von den ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a, 21b abgeführt wird und eine Dünnschicht auf den Oberflächen der Substrate 14a und 14b gewachsen ist, die durch die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b gehalten werden, weist irgendeine der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b eine frühere Film- bzw. Schichtbildungs-Startzeit auf als die andere, so dass die Zufuhr des organischen Materialdampfs von der organischen Dampferzeugungsquelle 20 zu der ersten oder zweiten organischen Dampfabführvorrichtung 21a, 21b entweder des Substrats 14a oder 14b, welches die Film- bzw. Schichtbildung abgeschlossen hat, und durch die ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der stehenden Lage während der Schichtbildung gehalten wird, gestoppt wird bzw. ist.
  • Bei dieser Ausführungsform wird unter der Annahme, dass eine organische Dünnschichtbildung des Substrats 14a, welches durch die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a gehalten wird, beendet ist, nachdem die Abgabe des organischen Materialdampfes an die erste organische Dampfabführvorrichtung 21a gestoppt ist, wie in 4 gezeigt, die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a drehmäßig aus der stehenden Lage in die horizontale Lage bewegt. Zu diesem Zeitpunkt bildet das Substrat 14b, welches durch die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b gehalten ist, eine organische Dünnschicht, und die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b wird in der stehenden Lage gehalten.
  • Wenn eines der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in die horizontale Lage gebracht ist, werden bzw. sind eine Masken-Bewegungsvorrichtung 9 und eine Substrat-Bewegungsvorrichtung 8 in einer Position unterhalb der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b angeordnet, die in die horizontale Lage gebracht ist.
  • Die Masken-Bewegungsvorrichtung 9 weist Ausrichtungsstifte 15, die senkrecht gebildet sind, und einen Ausrichtungsmechanismus 24 auf, der die Ausrichtungsstifte 15 vertikal und horizontal bewegt.
  • Ein Teil oder die Gesamtheit der Umfange der ersten und zweiten Masken 12a, 12b ragt über die Ränder der Substrate 14a und 14b hinaus.
  • Wenn eine der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der horizontalen Lage ist und die andere in der stehenden Lage ist, gelangen, da die Ausrichtungsstifte 15 durch den Ausrichtungsmechanismus 24 angehoben sind, die Ausrichtungsstifte 15 außerhalb des äußeren Umfangs des Substrats 14a oder 14b in der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b in der horizontalen Lage, und ein oberes Ende der Ausrichtungsstifte 15 gelangt mit dem Bereich in Kontakt, in welchem die erste oder zweite Maske 12a, 12b von dem Substrat 14a oder 14b übersteht.
  • Bei dieser Ausführungsform ist jede Spitze der Ausrichtungsstifte 15 mit einem Haken versehen und der Haken gelangt mit der ersten oder zweiten Maske 12a, 12b in Kontakt.
  • Die Ausrichtungsstifte 15 sind in zwei Reihen längs der Seitenwände 28a und 28b ausgerichtet, an denen die ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a und 21b angeordnet sind; und wenn der Ausrichtungsmechanismus 24 angehoben wird, sind sie ausgelegt, um mit einer Position in Kontakt zu kommen, die nahe zweier paralleler Seiten der Rückflächen der ersten und zweiten Masken 12a und 12b in Form eines Vierecks ist.
  • Nachdem sie in Kontakt gelangen, wenn die Ausrichtungsstifte 15 noch mehr mit einer Kraft angehoben werden, die größer ist als eine magnetische Anziehungskraft zwischen den ersten und zweiten Masken 12a, 12b und den Magneten 27a und 27b in den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b, wird eine Presskraft durch die magnetische Anziehungskraft der Masken zu der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b aufgehoben, und die erste oder zweite Maske 12a, 12b wird durch die Ausrichtungsstifte 15 hochgehoben.
  • Die Substrat-Bewegungsvorrichtung 8 weist einen Substrat-Übertragungsmechanismus 26 und Übertragungsstifte 16 auf. Die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b sind mit Durchgangslöchern 43a bzw. 43b versehen; nach dem Hochheben der ersten oder zweiten Maske 12a, 12b in der horizontalen Lage gelangen, wenn der Substrat-Übertragungsmechanismus 26 die Übertragungsstifte 16 anhebt, um die Übertragungsstifte 16 in die Durchgangslöcher 43a, 43b der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b im horizontalen Zustand einzuführen, die oberen Enden der Übertragungsstifte 16 mit denjenigen rückseitigen Bereichen der Substrate in Kontakt, die sich auf dem Durchgangsloch 43a, 43b befinden. Wenn die Übertragungsstifte 16 weiter angehoben werden, wird das Substrat durch die oberen Ende der Übertragungsstifte 16 hochgehoben, und die Substrate 14a, 14b werden auf den Übertragungsstiften 16 von der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b übertragen.
  • Wenn in einer solchen Weise eine der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b, welche die Substrate 14a und 14b halten, in der horizontalen Lage ist und die andere in der stehenden Lage ist, können die erste oder zweite Maske 12a, 12b und die Substrate 14a, 14b auf der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b in der horizontalen Lage jeweils an- bzw. hochgehoben werden.
  • Bei dieser Ausführungsform werden, da die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a in der horizontalen Lage ist und die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b in der stehenden Lage ist, die erste Maske 12a und das Substrat 14a auf der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a angehoben werden, wie in 5 gezeigt. Zu diesem Zeitpunkt bzw. zu dieser Zeit kann das Substrat 14b auf der zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b in der stehenden Lage mit der Filmbildung fertig gestellt werden oder es kann auch in der Mitte einer Film- bzw. Schichtbildung sein.
  • Mit einer Wand der Unterdruckkammer 11 der organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung 10 sind Transportkammern 105b bis 105d verbunden, wie in 10 gezeigt und später beschrieben wird; und Substrat-Transportroboter 30b bis 30d sind innerhalb der Transportkammern 105b bis 105d angeordnet.
  • Die Transportkammern 105b bis 105d sind nicht mit den Seitenwänden 28a und 28b verbunden, an denen die ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a und 21b angeordnet sind, und sie sind mit den anderen Seitenwänden verbunden.
  • Die Substrat-Transportroboter 30b bis 30d weisen einen Arm 34, der mit einer Drehwelle 36 verbunden ist, und eine Hand 35 auf, die an der Spitze des Arms 34 vorgesehen ist, und sie sind so gestaltet bzw. konfiguriert, um die Substrate 14a, 14b an bzw. mit der Hand 35 platzieren zu können.
  • An einer Seite der Seitenwände, an der die Unterdruckkammer 11 mit den Transportvorrichtungen 105b bis 105d verbunden ist, sind die Ausrichtungsstifte 15 nicht vorgesehen; und die Breite der Hand 35 ist kleiner gebildet als ein Abstand zwischen dem Ausrichtungsstift 15 an einer Seitenwand und dem Ausrichtungsstift 15 an der anderen Seitenwand.
  • Darüber hinaus ist die Hand 35 in einer solchen Form gestaltet, um imstande zu sein, zwischen die Übertragungsstifte 16 eingeführt zu werden, welche die Substrate 14a, 14b hochheben; daher wird, wenn die erste oder zweite Maske 12a, 12b durch die Ausrichtungsstifte 15 hochgehoben wird, und dann, wenn das Substrat 14a oder 14b durch die Übertragungsstifte 16 hochgehoben wird, die Hand 35 zwischen die Ausrichtungsstifte 15 in zwei Reihen und zwischen die Übertragungsstifte 16 eingeführt, um sie zwischen der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b und dem Substrate 14a oder 14b zur Ruhe zu bringen.
  • 5 veranschaulicht einen Zustand, in welchem die Hand 35 in eine Position gerade unterhalb des Substrats 14a eingeführt und zwischen der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a und dem Substrat 14a gestoppt oder veranlasst ist, stillzustehen. Wenn die Übertragungsstifte 16 in einem solchen Zustand abgesenkt werden bzw. sind, wird bzw. ist auch das Substrat 14a zusammen damit abgesenkt, und wie in 6 gezeigt, wird bzw. ist das Substrat 14a auf den Übertragungsstiften 16 auf die Hand 35 übertragen.
  • Anschließend werden die Arme 34 der Substrat-Transportroboter 30b bis 30d verkürzt, um die Hand 35, auf der das Substrat 14a platziert ist, in die Transportvorrichtungen 105b bis 105d zurückzuführen; sodann wird der Arm 34 gedreht und ausgefahren, um das Substrat 14a zusammen mit der Hand 35 in die Unterdruckkammer einer weiteren Vorrichtung zu führen, und wenn das Substrat 14a in der Unterdruckkammer angeordnet ist, wird die Hand 35 leer, um ein weiteres Substrat auf der Hand 35 platzieren zu können.
  • Die Übertragungsstifte 16 werden im abgesenkten Zustand beibehalten und das Substrat, welches in einer Einführungs-/-Ausführungskammer (das sind die Kammern, die durch das Bezugszeichen 102 in 10 bezeichnet sind, die später beschrieben wird) oder in Abgabekammern 104a bis 104d angeordnet ist, wird auf der Hand 35 platziert, und die Hand 35 wird in diesem Zustand zwischen die ersten oder zweiten Masken 12a, 12b auf den Ausrichtungsstiften 15 und den ersten oder zweiten Substrat Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der horizontalen Lage eingeführt, um gestoppt oder veranlasst zu werden stillzustehen.
  • Wenn danach die Übertragungsstifte 16 angehoben werden, wird das Substrat auf der Hand 35 auf die spitzen Enden der Übertragungsstifte 16 übertragen.
  • Danach wird nach einem Herausziehen der Hand 35 aus bzw. aus dem Bereich zwischen den Ausrichtungsstiften 15 und zwischen den Übertragungsstiften 16 zu ihrem Abtransport, wenn die Übertragungsstifte 16 in eine Position unterhalb der Oberflächen der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b nach unten abgesenkt sind, das Substrat von bzw. von der Stelle auf den Übertragungsstiften 16 auf die erste oder zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b in der horizontalen Lage übertragen. Bei dieser Ausführungsform befindet sich die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b in der stehenden Lage, und das Substrat wird bzw. ist, wie in 7 gezeigt, auf der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a in der horizontalen Lage platziert. Ein Bezugszeichen 14c bezeichnet in 7 das Substrat, wie es platziert ist.
  • In einer Position unterhalb der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der horizontalen Lage ist eine Kamera 17 angeordnet. Die ersten und zweiten Masken 12a, 12b und die Substrate 14a bis 14c sind jeweils mit Ausrichtungsmarkierungen versehen, und die Ausrichtungsmarkierungen der Substrate 14a–14c können durch die Kamera 17 betrachtet werden, und die Ausrichtungsmarkierungen der ersten und zweiten Maske 12a, 12b können durch die Substrate 14a–14c betrachtet werden, die transparent sind.
  • Die Kamera 17 ist mit einer Steuervorrichtung verbunden; und während die Steuervorrichtung die Ausrichtungsmarkierungen des Substrats und die Ausrichtungsmarkierungen der in der horizontalen Ebene auf den Ausrichtungsstiften 15 sich befindenden ersten oder zweiten Maske 12a, 12b mittels der Kamera 17 betrachtet, bewegt sie die Ausrichtungsstifte 15 horizontal mit der Masken-Bewegungsvorrichtung 9, um die erste oder zweite Maske 12a, 12b auf den Ausrichtungsstiften 15 für eine Positionseinstellung (Ausrichtung) der Substrate 14a–14c und der ersten oder zweiten Maske 12a, 12b horizontal zu bewegen.
  • Anschließend wird, wenn die Ausrichtungsstifte 15 senkrecht abgesenkt sind, die erste oder zweite Maske 12a, 12b magnetisch an bzw. von den Magneten 27a oder 27b in der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b in einem Zustand angezogen, in welchem sie in engem Kontakt oder neben dem Substrat ist. Wenn die erste oder zweite Maske 12a, 12b magnetisch angezogen ist, sind die Substrate 14a–14c und die erste oder zweite Maske 12a, 12b in einem Zustand fixiert, in welchem sie auf der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b ausgerichtet sind.
  • Die erste Maske 12a und das Substrat 14c sind in der Position eingestellt, um die erste Maske 12a an der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a zusammen mit dem Substrat 14c durch magnetisches Anziehen zu fixieren; und die erste Maske 12a und das Substrat sind vorgesehen, um in der stehenden Lage in einem Zustand zu sein, in welchem sie durch die ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a gehalten werden, und eine Film- bzw. Schichtbildung auf dem Substrat 14c wird begonnen.
  • Wenn die Dünnschichtbildung auf dem Substrat 14b, welches durch die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b gehalten wird, während der Dünnschichtbildung auf dem Substrat 14c abgeschlossen wird bzw. ist, welches durch die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a gehalten wird, werden die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b und das Substrat 14b und die zweite Maske 12b, welche durch die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b gehalten wird, wie in 8 gezeigt, von der stehenden Lage in die horizontale Lage umgeschaltet, wie beim Ersatz der Substrate 14a und 14c in bzw. an der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung, wobei das Substrat 14b, welches mit der Dünnschichtbildung in der zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13b fertig gestellt ist, ebenfalls durch ein Substrat ersetzt wird, auf welchem noch keine Schicht bzw. kein Film gebildet ist, gefolgt von einem Umschalten in die stehende Lage, um die Film- bzw. Schichtbildungsoperation auszuführen.
  • Die Bezugszeichen 25a und 25b in 2 sind Medium- bzw. Mitteldurchgänge für ein Kühlmittel, welches in den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a und 13b vorgesehen ist, und ein Kühlmittel, welches gekühlt ist, wird auch veranlasst, sich zu den Mediumdurchgängen 13a, 13b in den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in der stehenden Lage zu bewegen, um die Temperatur des Substrats 14a–14c während der Film- bzw. Schichtbildung zu verringern, um damit zu verhindern, dass die zu bildende organische Dünnschicht thermisch beschädigt wird, was außerdem die Wärmedehnung der ersten und zweiten Masken 12a und 12b kleiner machen kann.
  • Die organischen Dampf erzeugende Dampferzeugungsquelle 20 der vorliegenden Erfindung weist eine Mehrzahl von Behältern 201–203 auf, so dass unterschiedliche Arten von organischen Materialien in den verschiedenen Behältern 201–203 jeweils angeordnet sind, um die individuelle Erzeugung von Dampf zu ermöglichen. Beispielsweise kann eine lochinjizierende organische Substanz, eine lochtransportierende organische Substanz, eine lichtemittierende organische Substanz von R (rot), G (grün) oder B (blau) und eine Elektronen transportierende organische Substanz in den getrennten Behältern 201–203 für die Erzeugung eines Dampfes angeordnet sein.
  • Wenn die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b in die stehende Lage umgeschaltet sind, um Dämpfe der jeweiligen organischen Substanz in der Reihenfolge von den ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen 21a, 21b abzuführen, kann eine organische EL-Schicht, in der eine Dünnschicht der jeweiligen organischen Substanz in einer unterschiedlichen Position in Bezug auf R, G und B laminiert ist, auf den Oberflächen der Substrate 14a–14c erhalten werden.
  • In 9(a) ist ein organisches EL-Element 50 dargestellt, das mit organischen EL-Schichten 51R, 51G und 51B, die in verschiedenen Positionen gebildet sind, mit einer Laminierungsschicht in der Reihenfolge von der Seite des Glassubstrats 52 aus einer Loch-Injektionsschicht 551, einer Loch-Transportschicht 552, Licht-Emissionsschichten 56R, 56G und 56B von R, G oder B, einer Elektronen-Transportschicht 571, einer Elektronen-Injektion 572 und einer Kathoden-Elektrodenschicht 573 (eine Anoden-Elektrode ist weggelassen) hergestellt ist.
  • Ein Bezugszeichen 100 in 10 ist eine ein organisches EL-Element herstellende Herstellungsvorrichtung zur Bildung eines organischen EL-Elements 50, und die Mehrzahl von Transportkammern 105a–105d, die durch die Abgabekammern 104a–104d verbunden sind. Eine Einführkammer 102 und eine Vorprozess- bzw. Vorverarbeitungskammer 103 sind mit der Transportkammer 105a in der ersten Stufe verbunden, und eine Mehrzahl (bei dieser Ausführungsform zwei) von organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtungen 10R, 10G und 10B, in denen eine lochinjizierende organische Substanz, eine lochtransportierende organische Substanz, eine lichtemittierende organische Substanz von R (rot), G (grün) oder B (blau) und eine Elektronen transportierende organische Substanz angeordnet sind, sind mit den Transportkammern 105b bis 105d in den mittleren Stufen verbunden.
  • Eine oder eine Mehrzahl von Zerstäubungskammern (in bzw. bei dieser Ausführungsform zwei) 106 und eine Ausführkammer 107 sind mit einer Transportkammer 105e in der letzten Stufe verbunden.
  • Substrat-Transportroboter 30a bis 30e sind in jeder der Transportkammern 105a bis 105e angeordnet, und die Hand 35 an der Spitze des Armes 34 sind bzw. ist so ausgelegt, dass sie in jede mit den Transportkammern 105a bis 105e verbundene Kammer eingeführt und aus dieser herausgezogen werden kann.
  • Eine Lagerkammer 108, in der Masken gelagert sind, die in jeder der organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtungen 10R, 10G und 10B und in der Zerstäubungsvorrichtung 106 zu ersetzen sind, ist mit den organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtungen 10R, 10G und 10B und der Zerstäubungsvorrichtung 106 verbunden.
  • 9(b) zeigt ein organisches EL-Element 60 nach Bildung einer lochinjizierenden Schicht 661 und einer lochtransportierenden Schicht 662 auf einem Glassubstrat 62 durch eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung bezüglich Löcher, wenn jeweilige Lichtemissionsschichten 66R, 66G und 66B in unterschiedlichen Positionen durch eine rote organische Niederschlagsvorrichtung, eine grüne organische Niederschlagsvorrichtung und eine blaue organische Niederschlagsvorrichtung gebildet sind, in denen unterschiedliche Masken angeordnet sind, sodann sind eine Elektronentransportschicht 671 und eine Elektroneninjektion 672 durch eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung bezüglich Elektronen gebildet, und eine Kathoden-Elektrode 673 ist durch eine Zerstäubungsvorrichtung gebildet. In dem organischen EL-Element 60 kann weißes Licht emittiert werden, indem Strom gemeinsam in jeder der Lichtemissionsschichten 66R, 66G und 66B fließt.
  • Obwohl in der obigen organischen EL-Herstellungsvorrichtung 100, die in 10 gezeigt ist, ein organisches Material so angeordnet ist, dass innerhalb einer der organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtungen 10R, 10G oder 10B eine organische Lichtemissionsschicht in einer Farbe gebildet wird, kann ein organisches EL-Element in weiß auch dadurch gebildet werden, dass organische Materialien in einer Mehrzahl von Farben in einer organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung 10 angeordnet werden und ein organischer Materialdampf hergestellt wird, der pro jeweiliger Farbe abgeführt wird, um jede Farbschicht zu laminieren.
  • Obwohl bei der oben erörterten Ausführungsform die ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen 22a, 22b und die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b vorgesehen sind, um unter einem Winkel von zumindest 80° und höchstens 88° in Bezug auf die horizontale Ebene geneigt zu stehen, ist dies als ein Beispiel gezeigt, ist es auch möglich vorzusehen, um unter einem Winkel von zumindest 70° und höchstens 90° in Bezug auf die horizontale Ebene geneigt zu stehen.
  • Es sollte angemerkt werden, dass durch Bereitstellen in einer stehenden Weise, geneigt unter einem Winkel von weniger als 90° eine Auslenkung der ersten und zweiten Masken 12a, 12b verhindert werden kann; und durch Bereitstellen in einer stehenden Weise, geneigt unter einem Winkel von größer als 70° kann ein Herabfallen von Staub auf die Oberflächen der Substrate 14a–14c während der Film- bzw. Schichtbildung oder vor und nach der Film- bzw. Schichtbildung verhindert werden.
  • Ferner können, obwohl bei der oben erörterten Ausführungsform die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b bei Differenzen in Höhen stoppen oder sich stillsetzen, wenn sie in die horizontale Lage als Beispiel umgeschaltet wird, die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b auch in die horizontale Lage an einer gleichen bzw. selben horizontalen und vertikalen Position platziert werden, solange die beiden ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b so gesteuert werden, dass nicht ein Zustand der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b hervorgerufen wird, in der sie zugleich in der horizontalen Lage sind, wenn Verhaltensweisen der ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b durch die Steuervorrichtung gesteuert werden.
  • Obwohl eine Positionseinstellung zwischen der ersten oder zweiten Maske 12a, 12b mit dem Substrat 14a oder 14b in der Unterdruckkammer 11 ausgeführt wird, in der die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen 13a, 13b bei dem oben erörterten Ausführungsbeispiel angeordnet sind, ist es möglich, eine Positionseinstellkammer mit der Unterdruckkammer 11 zu verbinden und eine Positionseinstellung zwischen der ersten oder zweiten Maske 12a, 12b und dem Substrat 14a oder 14b in der Positionseinstellkammer auszuführen, und bei beibehaltenem in der Position eingestellten Zustand werden die erste oder zweite Maske 12a, 12b und das Substrat 14a oder 14b in die Unterdruckkammer 11 eingeführt und an der ersten oder zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung 13a, 13b angeordnet, um sie für eine Film- bzw. Schichtbildung in die stehende Lage umzuschalten.
  • Nach einer Film- bzw. Schichtbildung in der stehenden Lage werden die erste oder zweite Maske 12a, 12b und das Substrat 14a oder 14b in die horizontale Lage umgeschaltet, um gemeinsam zur Außenseite der Unterdruckkammer 11 geführt bzw. transportiert zu werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
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    • JP 2004-241319 A [0013]

Claims (11)

  1. Eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, umfassend: eine Vakuum- bzw. Unterdruckkammer; erste und zweite Substrat-Anordnungsvorrichtungen, die in der Unterdruckkammer angeordnet sind und in denen erste und zweite Substrate angeordnet sind; erste und zweite Masken, die sich in bzw. an den ersten und zweiten Substrat Anordnungsvorrichtungen befinden und die darin gebildeten Öffnungen aufweisen; eine erste Drehwelle für einen solchen Betrieb, um die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der ersten Maske in eine horizontale Lage zu schalten, um horizontal in einer vertikal überlappenden Position zu sein, und um die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der ersten Maske in eine stehende Lage umzuschalten, um in einer stehenden Weise angeordnet zu sein; eine zweite Drehwelle für einen Betrieb, um die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der zweiten Maske in die horizontale Lage zu bringen bzw. zu platzieren, um horizontal in einer vertikal überlappenden Position zu sein, und um die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der zweiten Maske in die stehende Lage umzuschalten, um in einer stehenden Weise angeordnet zu sein; und erste und zweite organische Dampfabführvorrichtungen, die in der Unterdruckkammer vorgesehen sind, und zum Abführen eines organischen Materialdampfes aus Abführöffnungen, die in ersten und zweiten Dampfabführebenen vorgesehen sind, worin bzw. wobei die ersten und zweiten Substrate konfiguriert bzw. gestaltet sind, um ihre Lage zwischen der horizontalen Lage und der stehenden Lage in einem Zustand, in welchem sie durch die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen und die ersten und zweiten Masken eingeschichtet sind, infolge eines Betriebs der ersten und zweiten Drehwellen zu andern, und worin bzw. wobei die ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen konfiguriert sind, um den ersten bzw. zweiten Masken zugewandt zu sein bzw. gegenüberzustehen, die in die stehende Lage umgeschaltet sind, und um den organischen Materialdampf, der aus den Abführöffnungen der ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen abgeführt wird, durch die Öffnungen der ersten und zweiten Masken hindurchtreten zu lassen, um die Film- bzw. Schichtbildungsebene zu erreichen.
  2. Die organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung nach Anspruch 1, worin die stehende Lage dadurch hergestellt wird, dass die ersten und zweiten Filmbildungsobjekte drehmässig unter einem Winkel von weniger als 90° aus der horizontalen Lage bewegt werden, mit Oberflächen, auf denen die ersten und zweiten Masken nach oben weisend angeordnet sind.
  3. Die organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 oder 2, worin ein Durchgang zum Strömen bzw. Fließen einer Kühlmittelflüssigkeit jeweils in den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen gebildet ist.
  4. Die organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, worin Dampferzeugungsquellen jeweils mit den ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen verbunden sind; Und worin der durch die Dampferzeugungsquelle erzeugte organische Materialdampf so gestaltet bzw. konfiguriert ist, dass der Dampf aus den Abführöffnungen der ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen abgeführt werden kann.
  5. Die organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, ferner umfassend erste und zweite Anzugsmagneten, die in den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen vorgesehen sind zum magnetischen Anziehen der ersten und zweiten Masken zu den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen.
  6. Die organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 5, ferner umfassend eine Masken-Bewegungsvorrichtung zum Bewegen der jeweiligen ersten und zweiten Masken vertikal in bzw. an den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen in der horizontalen Lage.
  7. Eine ein organisches EL-Element herstellende Herstellungsvorrichtung, umfassend: eine Transportkammer mit einem darin angeordneten Substrat-Transportroboter; und eine organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, die mit der Transportkammer verbunden ist.
  8. Ein eine organische Dünnschicht niederschlagendes Niederschlagsverfahren, umfassend: einen ersten Anordnungsschritt, in welchem ein erstes Substrat in eine Unterdruckkammer eingeführt wird, um das erste Substrat in einer ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung in einer horizontalen Lage anzuordnen, die horizontal ist, während jeweilige erste und zweite organische Dampfabführebenen einer organischen Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung in einer stehenden Weise angeordnet sind, wobei die organische Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung aufweist: erste und zweite Substrat-Anordnungsvorrichtungen, die in derselben Unterdruckkammer angeordnet sind und die imstande sind, Substrate anzuordnen; und erste und zweite einen organischen Dampf abführende Dampfabführvorrichtungen, die in der Unterdruckkammer vorgesehen sind, mit Abführöffnungen, die in den ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen gebildet sind, einen ersten Aufstellschritt, in welchem das erste Substrat durch die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung gehalten wird, um in einer stehenden Lage zu sein, die stehend ist, und das erste Substrat dazu gebracht wird bzw. ist, um sich der ersten organischen Dampfabführebene zuzuwenden bzw. dieser gegenüberzustehen, einen ersten Film- bzw. Schichtbildungs-Startschritt, in welchem ein Abführen eines organischen Materialdampfes aus den Abführöffnungen der ersten organischen Dampfabführvorrichtung begonnen wird, einen zweiten Anordnungsschritt, in welchem ein zweites Substrat in die Unterdruckkammer eingeführt wird, während die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung sich in der stehenden Lage befindet, um das zweite Substrat in der zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung anzuordnen, welches in die horizontale Lage geschaltet ist, einen zweiten Aufstellschritt, in welchem das zweite Substrat durch die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung gehalten wird, um in die stehende Lage umgeschaltet zu werden, und das zweite Substrat dazu gebracht wird bzw. ist, um sich der zweiten organischen Dampfabführebene zuzuwenden bzw. dieser gegenüberzustehen, einen zweiten Film- bzw. Schichtbildungs-Startschritt, in welchem eine Abgabe eines organischen Materialdampfes aus den Abgabeöffnungen der zweiten organischen Dampfabführvorrichtung begonnen wird, und einen ersten Herausführungsschritt, in welchem die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung in die horizontale Lage umgeschaltet wird, während die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung steht, und das erste Substrat aus der Unterdruckkammer herausgeführt wird, worin bzw. wobei das erste mit einem Film bzw. einer Schicht gebildete Substrat während der Film- bzw. Schichtbildung des zweiten Substrats herausgeführt wird.
  9. Das eine organische Dünnschicht niederschlagende Niederschlagsverfahren nach Anspruch 8, worin bzw. wobei bei den ersten und zweiten Aufstellschritten die stehende Lage aus der horizontalen Lage in einem Zustand der ersten und zweiten Masken umgeschaltet wird, die an bzw. auf den ersten bzw. zweiten Substraten angeordnet sind, und worin bzw. wobei bei dem ersten Herausführungsschritt das erste Substrat aus der Unterdruckkammer herausgeführt wird, nachdem die Masken von den Substraten getrennt sind.
  10. Das eine organische Dünnschicht niederschlagende Niederschlagsverfahren nach Anspruch 9, worin bzw. wobei bei den ersten und zweiten Anordnungsschritten die ersten und zweiten Masken an den ersten bzw. zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen in der horizontalen Lage in einem Schritt angeordnet worden sind, in welchem sie voneinander getrennt sind, und die ersten und zweiten Substrate, die in die Unterdruckkammer eingeführt werden bzw. sind, zwischen die ersten und zweiten Masken und die ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen eingeführt werden, und anschließend ein Positionseinstellschritt ausgeführt wird, der Positionen der ersten und zweiten Substrate und der ersten und zweiten Masken einstellt.
  11. Das eine organische Dünnschicht niederschlagende Niederschlagsverfahren nach irgendeinem der Ansprüche 8 bis 10, worin bzw. wobei die ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen von der senkrechten Stellung aus geneigt werden und worin bzw. wobei bei den ersten und zweiten Aufstellschrittten die ersten und zweiten organischen Dampfabführvorrichtungen unter einem Winkel von weniger als 90° von der horizontalen Lage aus gedreht werden, um die Vorrichtungen in die stehende Lage zu platzieren bzw. bringen, die unter demselben Winkel wie die ersten und zweiten organischen Dampfabführebenen geneigt ist.
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