KR101914771B1 - 막 증착 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 챔버의 내부에서 회전 및 각도 조절이 가능한 복수의 지지부 중 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정, 상기 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 상기 더미 부재를 대향 배치시키는 과정, 상기 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정, 상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 상기 더미 부재를 보관하는 과정을 포함하고, 타겟의 예비처리를 위하여 소모되는 시간을 줄일 수 있는 막 증착 방법이 제시된다.

Description

막 증착 방법{Film Deposition Method}
본 발명은 막 증착 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 타겟의 예비처리를 위하여 소모되는 시간을 줄일 수 있는 막 증착 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이와 같은 평판 디스플레이는 제조 중 기판에 배선용 금속막을 성막 처리하는 공정을 수행한다. 성막 처리 공정은 클러스터 타입의 스퍼터 장치에서 수행된다. 클러스터 타입의 스퍼터 장치는, 내부에 반송 로봇이 구비된 반송실, 반송실의 주위에서 반송실에 각각 접속된 복수의 처리실 및 기판을 수평 상태로 받아 수직 상태로 지지 가능하도록 각 처리실마다 설치되는 플라텐 등으로 구성되고, 각 처리실마다 하나 이상의 타겟이 장착된다. 각 처리실은 내부에 성막 처리를 위한 최적의 환경이 조성되고, 각 처리실에서 기판의 성막 처리가 수행된다.
한편, 처리실의 진공이 파괴된 후, 일정기간 사용하지 않은 타겟을 이용하여 기판에 대한 성막 처리를 하기 전, 타겟을 교환한 후, 규정된 처리 매수의 기판에 대한 성막 처리를 수행한 후, 등의 다양한 시점에서, 타겟의 청정성을 확보하기 위하여 예비처리 예컨대 프리스퍼터 처리를 수행한다. 이전에는 기판을 여러 장 준비한 후 순서대로 처리실에 반입하면서 기판을 이용하여 예비처리를 수행하였으나, 현재는 더미를 처리실에 반입한 후 더미를 이용하여 예비처리를 수행한다.
통상적으로 더미는 대기 중에 준비되고, 더미를 이용한 예비처리 시, 예비처리를 위해 처리실의 내부로 반입되었다가, 예비처리가 종료되면 처리실의 외부로 반출되어 대기 중에 보관된다. 즉, 한 번의 예비처리가 종료되면 더미는 처리실의 외부로 반출되어 제거되었다가, 다음 번 예비처리 시 처리실의 내부로 반입된다.
이런 방식에서는 더미를 처리실에 반입하는 중에 대기 중의 수분이나 이물이 더미에 부착되어 처리실로 유입되는 문제가 있다. 또한, 더미가 처리실의 내외부로 출입하기 위해서는 반송실을 거쳐야 하므로 더미가 출입하는 동안 반송실로 기판을 반입하여 처리실에 반송할 수 없고, 예비처리 전후 더미가 출입하는 소정 시간동안 기판의 반송 및 생산이 중단되어 장치의 가동율이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 배경이 되는 기술은 하기의 특허문헌들에 개시되어 있다.
KR 10-2003-0035942 A KR 10-0670620 B1 JP 11-050252 A
본 발명은 타겟의 예비처리를 위하여 소모되는 시간 및 비용을 줄일 수 있는 막 증착 방법을 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 막 증착 방법은, 챔버의 내부에서 회전 및 각도 조절이 가능한 복수의 지지부 중 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정; 상기 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 상기 더미 부재를 대향 배치시키는 과정; 상기 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정; 및 상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 상기 더미 부재를 보관하는 과정;을 포함한다.
타 지지부에 기판을 반입하는 과정;을 포함하고, 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정은, 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이후에 수행될 수 있다.
타 지지부에 기판을 반입하는 과정;을 포함하고, 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정은, 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이전에 수행될 수 있다.
타 지지부에 기판을 반입하는 과정;을 포함하고, 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정은, 상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 이후에 수행될 수 있다.
상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정; 상기 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 상기 처리 위치의 타겟에 상기 기판을 대향 배치시키는 과정; 및 상기 기판을 처리하는 과정;을 포함하고, 상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정은, 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정 이후 수행되거나, 상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 이후 수행될 수 있다.
상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정; 상기 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 상기 처리 위치의 타겟에 상기 기판을 대향 배치시키는 과정; 및 상기 기판을 처리하는 과정;을 포함하고, 상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정은, 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정과 함께 수행되거나, 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이전에 수행되거나, 상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 이후 수행될 수 있다.
상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정이, 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정과 함께 수행되는 경우, 상기 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 상기 처리 위치의 타겟에 상기 기판을 대향 배치시키는 과정은, 상기 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 상기 더미 부재를 대향 배치시키는 과정과 함께 수행되고, 상기 기판을 처리하는 과정은, 상기 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정과 함께 수행될 수 있다.
상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정; 상기 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 상기 처리 위치의 타겟에 상기 기판을 대향 배치시키는 과정; 및 상기 기판을 처리하는 과정;을 포함하고, 상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정은 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정 이후에 수행될 수 있다.
상기 일 지지부의 이면에 마련된 냉각 부재를 이용하여 상기 더미 부재를 냉각하는 과정;을 포함할 수 있다.
상기 더미 부재는 알루미늄(Al), 서스(SUS) 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있다.
상기 보관 각도는 45° 내지 70° 이고, 상기 처리 각도는 80° 내지 90°일 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따르면, 더미를 챔버에 반입해둔 상태로 기판에 대한 처리를 원활하게 수행할 수 있다. 이에, 더미를 챔버에 최초 한번 반입하여 장착한 후, 복수의 기판에 대한 처리를 순서대로 수행하는 중에 더미를 이용한 예비처리를 수행하고자 하는 시점마다 챔버에 보관 중인 더미를 이용하여 예비처리를 신속하게 준비 및 수행할 수 있다. 이때, 챔버의 분위기, 진공 및 청정 상태를 유지할 수 있다. 또한, 예비처리가 완료되면 더미를 챔버에 보관하므로, 반송 챔버로 더미를 반송할 필요가 없고, 따라서, 예비처리 이후 기판에 대한 처리를 신속하게 수행할 수 있다. 즉, 타겟의 예비처리를 위하여 소모되는 시간 및 이에 해당하는 비용을 종래보다 현저하게 줄일 수 있고, 장치의 가동율을 높일 수 있다.
예컨대 대면적의 평판 디스플레이용 기판을 제조하는 공정이나 산화물 반도체를 제작하는 공정 중 클러스터 타입의 스퍼터 장치를 이용하여 기판에 배선용 금속막을 성막 처리하는 공정에 적용될 수 있다.
이 경우, 챔버 내부의 처리실에는 회전 및 각도 조절이 가능한 복수의 지지부(예컨대 플라텐)가 준비되는데, 그중 하나의 지지부에 더미를 장착하여 수납 및 보관한다. 이후, 더미를 이용한 예비처리 예컨대 프리스퍼터 시 챔버의 내부에 상시 보관 중인 더미를 사용한다. 이후, 예비처리가 완료되면 반송 챔버로 더미를 반송하는 것이 아니고, 더미를 챔버 내부에 반입해둔 상태에서 기판에 대한 처리 예컨대 기판에 막을 증착하기 위한 스퍼터 처리를 수행한다.
즉, 더미를 챔버 내부에 보관해 둔 상태로 모든 공정을 원활히 수행할 수 있고, 이로부터, 예비처리 전후 더미가 대기에 노출되어 오염되는 것을 방지할 수 있고, 챔버의 분위기, 진공 및 청정 상태를 유지할 수 있다. 또한, 기판 처리를 위한 장치의 가동율을 높일 수 있고, 안정된 플라즈마 시스템을 구축할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치의 개략도 이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치의 부분도 이다.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법의 순서도 이다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법의 공정도 이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다. 단지 본 발명의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 도면은 과장될 수 있고, 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명은 타겟의 예비처리를 위하여 소모되는 시간을 줄일 수 있는 막 증착 방법에 관한 것이다. 이하에서는, 클러스터 타입의 스퍼터 장치를 이용하여 산화물 반도체를 제작 중인 기판에 배선용 금속막을 성막 처리하는 공정을 기준으로 실시 예를 설명한다. 물론, 본 발명은 대면적 평판 디스플레이나 반도체 소자를 제조 중인 각종 기판에 각종 막을 증착 처리하는 공정 등에 다양하게 활용될 수 있다. 한편, 본 발명의 이해가 명확하도록 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치를 먼저 설명한 후 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 방법을 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치의 개략도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치의 부분도이다. 여기서, 도 2는 막 증착 장치의 반송 챔버를 개략적으로 도시한 부분도이고, 도 3은 챔버 예컨대 공정 챔버를 개략적으로 도시한 부분도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치를 설명한다. 막 증착 장치는 로드락 챔버(10), 반송 챔버(20), 챔버(30), 타겟 홀더(40), 반송 로봇(50), 작동부(60) 및 제어부(미도시)를 포함한다.
로드락 챔버(10)는 진공 및 대기압 분위기로 전환 가능한 감압실을 내부에 가진다. 로드락 챔버(10)는 복수개 예컨대 두 개로 마련되어 반송 챔버(20)에 각각 접속된다. 로드락 챔버(10)는 서로 마주보는 일측면 및 타측면에 게이트 밸브(미도시)가 구비되고, 그중 하나가 반송 챔버(20)에 접속된다. 로드락 챔버(10)는 기판(S)을 반입받아 반송 챔버(20)에 반송하고, 반송 챔버(20)에서 반송되는 기판(S)을 외부에 반출한다.
기판(S)은 전자 소자가 제조되는 공정이 진행 중이거나 종료된 각종 판일 수 있는데, 예컨대 산화물 반도체가 제조되는 공정이 진행 중인 기판일 수 있다. 물론, 기판은 디스플레이 장치가 제조되는 공정이 진행 중인 기판, 반도체 소자가 제조되는 공정이 진행 중인 기판 등 다양할 수 있다.
반송 챔버(20)는 진공의 반송실을 내부에 가진다. 반송 챔버(20)는 챔버(30)를 접하는 면에 각각 게이트 밸브(미도시)가 구비되고, 이들을 통해 챔버(30)에 접속된다. 반송 챔버(20)는 내부에 반송 로봇(50)이 설치된다. 반송 로봇(50)은 회전축, 로봇 암 및 핸드 등으로 구성되나, 이 외에도 구성은 다양할 수 있다. 이 반송 로봇(50)이 로드락 챔버(10)에 반입된 기판(S)을 챔버(30)로 반송하고, 챔버(30)에서 반송되는 기판(S)을 다른 챔버(30)나 로드락 챔버(10)에 반송한다.
챔버(30)는 내부에 진공의 처리실이 구비되는 공정 챔버를 포함한다. 처리실은 가스 공급기(미도시) 및 진공 펌프(미도시)에 접속되어 내부의 분위기가 제어된다. 처리실은 내부에 성막 처리를 위한 최적의 환경이 조성되고, 각 처리실에서 기판의 성막 처리가 수행된다. 여기서, 성막 처리는 기판에 산화물 박막이나 이 외의 각종 박막을 증착하기 위한 스퍼터 처리를 포함한다. 챔버(30)는 복수개 예컨대 두 개 마련되어 반송 챔버(20)의 측면에 각각 접속된다.
챔버(30)는 예컨대 육면체 형상일 수 있으나, 다양하게 변경 가능하다. 챔버(30)는 반송 챔버(20)에 접하는 측면을 제외한 나머지 측면들 중 적어도 하나의 측면에 타겟 홀더(40)가 장착된다. 예컨대 챔버(30)는 반송 챔버(20)에 접하는 측면을 제외한 세 측면에 각각 타겟 홀더(40)가 장착된다. 즉, 하나의 챔버(30)에 세 개의 타겟 홀더(40)가 장착된다. 타겟 홀더(40)에 접한 챔버(30)의 세 측면이 개구되어 타겟(T)이 챔버(30) 내에 노출된다. 타겟 홀더(40)에는 예컨대 백플레이트(미도시)가 구비되고, 타겟(T)은 백플레이트에 장착된다. 백플레이트에는 플라즈마 생성을 위한 전원이 인가된다.
타겟(T)은 판 형상의 타겟이고, 산화물 막 증착에 사용되는 타겟일 수 있다. 물론, 타겟(T)은 각종 막 증착용의 타겟일 수 있다. 타겟(T)은 정해진 횟수의 성막 처리가 완료되면 예비처리 예컨대 프리스퍼터에 의해 표면의 산화된 부분이 제거되면서 상태가 회복된다.
작동부(60)는 챔버(30)들의 내부에 각각 설치된다. 작동부(60)는 챔버(30)의 내부에 보관 중인 더미 부재(D)를 경사진 상태로 지지하면서 챔버(30)의 내부로 반입되는 기판(S)을 수평 상태로 받아 수직 또는 경사진 상태로 지지 가능한 것을 만족하는 다양한 구성 및 방식으로 형성될 수 있다.
작동부(60)는 작동부 베이스(61), 회전축(62), 승강핀(63), 지지부(64, 65) 및 냉각 부재(66)를 포함한다. 작동부 베이스(61)는 예컨대 블록 형상으로 형성되고, 기판(S)의 형상과 크기에 대응하는 상부면을 가진다. 작동부 베이스(61)는 상부면이 수평면에 평행할 수 있다. 회전축(62)은 작동부 베이스(61)의 하면에 장착되고, 연직선에 나란하게 연장된다. 회전축(62)을 중심으로, 작동부 베이스(61)가 예컨대 360°로 축회전(θ3)이 가능하다. 작동부 베이스(61)의 축회전(θ3)에 의해 지지부(64, 65)가 원하는 위치까지 자유롭게 회전 가능하다.
승강핀(63)은 작동부 베이스(61)의 상부면을 연직방향(Z) 예컨대 상하방향으로 관통하여 승강 가능하게 장착된다. 승강핀(63)은 기판(S)의 반입 및 반출 시에, 후술하는 타 지지부(65)에 연직방향으로 형성된 복수의 홀(미도시)에 삽입되어 상측으로 돌출되면서 기판(S)을 지지 가능하다.
지지부(64, 65) 예컨대 플라텐(platen)은 기판(S)의 형상에 대응하는 사각판 형상이고, 복수개 예컨대 두 개 마련되어 작동부 베이스(61)의 상부면에 일방향(X) 예컨대 길이방향으로 서로 대향 배치된다. 복수의 지지부(64, 65)는 일 지지부(64) 및 타 지지부(65)를 포함한다.
일방향(X)으로 서로 이격되어 작동부 베이스(61)를 타방향(Y) 예컨대 폭방향으로 관통하는 각도 조절축(1, 2) 중 일 각도 조절축(1)을 중심으로 일 지지부(64)가 회전하고, 타 각도 조절축(2)을 중심으로 타 지지부(65)가 회전하면서, 작동부 베이스(61)의 상부면에 대한 각각의 각도가 조절된다. 일 지지부(64)의 상부면에는 더미 부재(D)가 예컨대 볼팅 방식으로 장착되고, 타 지지부(65)는 예컨대 클램프(미도시)를 이용하여 상부면에 기판(S)을 지지 가능하다. 이때, 일 지지부(64) 및 타 지지부(65)의 장착, 지지 가능한 수단은 볼팅, 클램프 외에 다양할 수 있고, 이를 특별히 한정하지 않는다.
일 지지부(64)는 수평 방향에 대해 경사진 상부면을 가지고, 이 상부면에 더미 부재(D)가 장착된다. 일 지지부(64)는 일방향(X) 예컨대 길이방향의 일측 가장자리의 각도 조절축(1)을 중심으로 해서 일방향(X)의 타측 가장자리가 상하로 움직이며 작동부 베이스(61)의 상부면(또는 수평면)에 대해 각도 조절(θ1)이 가능하도록 작동부 베이스(61)의 일방향(X)의 일측 가장자리에 경사지게 장착된다. 일 지지부(64)의 각도 조절(θ1)의 범위는 수평면이나 작동부 베이스(61)의 상부면을 기준으로 45° 내지 90°의 각도 범위이다. 이는 타 지지부(65)가 일 지지부(64)에 간섭되지 않고 자유롭게 각도가 조절될 수 있는 일 지지부(64)의 각도 조절(θ1) 범위이다. 일 지지부(64)는 더미 부재(D)의 보관 시 각도가 45° 내지 70°로 조절되고, 예비처리 시 각도가 80° 내지 90°로 조절된다. 여기서, 더미 부재(D)의 보관 시 일 지지부(64)의 각도를 보관 각도라 하고, 예비처리 시 일 지지부(64)의 각도를 처리 각도라 한다. 한편, 작동부 베이스(61)의 회전 시, 일 지지부(64)는 보관 각도로 조절되어 회전이 정지할 때까지 각도를 유지한다.
일 지지부(64)의 하면(이면이나 배면이라고도 함)에는 냉각 부재(66)가 장착되고, 냉각 부재(66)를 이용하여 예비처리 시 더미 부재(D)의 온도를 원활하게 제어할 수 있다.
타 지지부(65)는 일 지지부(64)에서 일방향(X)으로 이격되어 대향 배치된다. 타 지지부(65)는 일방향(X)의 타측 가장자리의 각도 조절축(2)을 중심으로 해서 일방향(X)의 일측 가장자리가 상하로 움직이면서 작동부 베이스(61)의 상부면에 대해 각도 조절(θ2)이 가능하도록, 작동부 베이스(61)의 일방향(X)의 타측 가장자리에 장착된다. 타 지지부(65)의 각도 조절(θ2)의 범위는 수평면이나 작동부 베이스(61)의 상부면을 기준으로, 0° 내지 90°의 각도 범위이다. 타 지지부(65)는 기판(S)의 반입 시 각도가 0°로 조절되고, 기판(S) 처리 시 각도가 80° 내지 90°로 조절된다. 이때, 기판(S)의 반입 시 타 지지부(65)의 각도를 반입 각도라 하고, 기판(S)의 처리 시 타 지지부(65)의 각도를 처리 각도라 한다. 즉, 처리 각도는 예비처리 시의 일 지지부(64)의 각도와 처리 시의 타 지지부(65)의 각도를 모두 의미한다. 한편, 작동부 베이스(61)의 회전 시 타 지지부(65)는 반입 각도로 조절되어 회전이 정지할 때 까지 이를 유지한다.
더미 부재(D)(또는, 더미 라고도 함)는 예컨대 알루미늄 용사 처리된 소정의 금속판이며, 일체형 금속판의 형태로 마련되거나 다분할 예컨대 삼분할된 복수개의 판 조각이 나란히 부착되어 마련된다. 더미 부재(D)는 기판(S)과 같은 크기 및 형상으로 마련되나, 다양하게 변경 가능하다. 예컨대 더미 부재(D)가 원판 형상일 수도 있다. 더미 부재(D)는 알루미늄(Al), 서스(SUS) 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나의 재질을 포함하는데, 이 외에 각종 메탈 재질을 더 포함할 수도 있다. 더미 부재(D)는 예비처리 시 착막 면적을 넓게 하고, 막 박리를 최소화하며, 열에 의한 변형을 억제 또는 방지하기 위해 그 표면이 각종 방식으로 처리된다. 더미 부재(D)의 표면처리 방식으로, 예컨대 엠보싱 가공, 알루미늄 용사 및 표면 코팅 등을 포함하여 각종 박리방지 처리(Anti Exfoliation Treatment, AET) 방식이 적용될 수 있다. 더미 부재(D)는 챔버(30)의 내부에서 예비처리에 사용된 후, 기판 처리가 수행되는 동안 보관 각도로 수납되어 보관될 수 있다.
제어부(미도시)는 더미 부재(D)를 이용한 예비처리 및 기판(S)에 대한 처리 시에 막 증착 장치의 작동을 제어한다. 이하에서 설명되는 막 증착 방법의 세부 과정은 제어부가 내장된 공정제어 프로그램을 이용하여, 로드락 챔버(10), 반송 챔버(20), 챔버(30), 타겟 홀더(40), 반송 로봇(50) 및 작동부(60)를 포함한 막 증착 장치의 각 구성부들의 작동을 제어함에 의해 수행된다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치는, 복수의 지지부(64, 65)를 운용하는데, 이들의 용도를 구분하여, 하나를 타겟의 표면 오염부 및 이물 제거를 위한 예비처리용으로 운용하면서 다른 하나를 기판에 대한 성막용으로 운용한다. 따라서, 성막 처리의 중지, 기판의 회수 및 더미의 투입 등 예비처리를 위한 준비 과정 및 이에 들이는 시간을 줄여 공정의 생산량을 증대할 수 있다. 특히, 프리스퍼터가 빈번하게 수행되는 이그조(IGZO) 성막 공정 등 특정 공정의 경우 생산량 증대의 효과가 크다.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법의 순서도이고, 도 5의 (a) 내지 (e)는 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법의 공정도이다.
도 1 내지 도 5을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 방법을 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 방법은, 챔버의 내부에서 회전 및 각도 조절이 가능한 복수의 지지부 중 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정,을 포함한다.
챔버(30)의 내부에서 회전 및 각도 조절이 가능한 복수의 지지부 중 더미 부재(D)가 수납되어 보관 각도(θ4)로 준비 중인 일 지지부(64)를 예비처리 위치로 회전시키는 과정(S100)을 수행한다. 여기서, 예비처리 위치는 복수의 타겟 중 예비처리를 하고자 하는 타겟을 마주보는 위치를 의미하고, 작동부 베이스(61)를 회전시켜 예비처리를 하고자 하는 타겟을 마주보는 위치까지 일 지지부(64)를 회전시킨다. 이후, 일 지지부(64)를 처리 각도(θ5)로 상승시켜 예비처리 위치의 타겟(T)에 더미 부재(D)를 대향 배치시키는 과정(S200)을 수행한다.
더미 부재(D)를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정(S300)을 수행한다. 즉, 타겟(T)에 더미 부재(D)를 대향 배치시킨 상태로 프리스퍼터를 수행한다. 이후, 일 지지부(64)를 보관 각도(θ4)로 하강시켜 더미 부재(D)를 보관하는 과정(S400)을 수행한다.
본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 방법은, 기판(S)을 반입하여 처리하는 일련의 과정을 더 포함하는데, 이 일련의 과정은 예컨대 기판반입 위치와 예비처리 위치의 상대적인 위치 관계에 따라, 수행되는 시점이 각각 다양할 수 있다. 이를 하기에서 각각의 실시 예로 구분하여 설명한다. 한편, 기판반입 위치는 기판이 챔버 내부로 반입되는 위치로서, 챔버에 접속된 게이트 밸브를 마주보는 위치거나, 반송 챔버에 접한 챔버의 측면을 마주보는 위치일 수 있다.
본 발명의 제1실시 예에서는, 예비처리 위치가 기판반입 위치를 마주보는 위치이고, 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이후에, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정을 수행한다. 이때, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정은, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정과 함께 수행되거나, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정과 함께 수행되거나, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정과 함께 수행될 수 있다.
또한, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정은, 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정과 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정 사이에 수행될 수도 있고, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정과 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정 사이에 수행될 수도 있고, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정과 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 사이에 수행될 수도 있고, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 이후에 수행될 수도 있다.
이하에서 타 지지부에 기판을 반입하는 과정이 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정과 함께 수행되는 것을 기준으로 제1실시 예를 설명한다.
이하, 본 발명의 제1실시 예를 설명한다. 본 발명의 제1실시 예에 따른 막 증착 방법은, 챔버의 내부에서 회전 및 각도 조절이 가능한 복수의 지지부 중 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정, 예비처리를 수행하면서 타 지지부에 기판을 반입하는 과정, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정, 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판을 대향 배치시키는 과정, 기판을 처리하는 과정을 포함할 수 있다.
우선, 챔버(30)의 내부에서 회전 및 각도 조절이 가능한 복수의 지지부 중 더미 부재(D)가 수납되어 보관 각도(θ4)로 준비 중인 일 지지부(64)를 예비처리 위치로 회전시키는 과정(S100)을 수행(도 5의 (a) 참조)한다.
한편, 예비처리 위치가 기판반입 위치를 마주보는 위치이므로, 일 지지부(64)가 예비처리 위치로 회전하는 동안, 반입 각도로 준비 중인 타 지지부(65)가 기판반입 위치로 회전되어 기판반입 위치에 준비될 수 있다.
이후, 일 지지부(64)를 처리 각도(θ5)로 상승시켜 예비처리 위치의 타겟(T)에 더미 부재(D)를 대향 배치시키는 과정(S200)을 수행하고, 더미 부재(D)를 이용하여 예비처리를 수행(S300)한다. 예컨대 타겟(T)에 더미 부재(D)를 대향 배치시킨 상태로 프리스퍼터를 수행한다. 이때, 더미 부재(D)를 이용하여 예비처리(프리스퍼터)를 수행하면서, 타 지지부(65)에 기판(S)을 반입(도 5의 (b) 참조)한다. 예비처리가 완료되면 일 지지부(64)를 보관 각도(θ4)로 하강시켜 더미 부재(D)를 보관하는 과정(S400)을 수행한다.
이후, 타 지지부(65)를 처리 위치로 회전(도 5의 (c) 참조)시키고, 타 지지부(65)를 처리 각도(θ5)로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판을 대향 배치시키고, 기판(S)을 처리(도 5의 (d) 참조)한다. 이때, 처리 위치는 기판(S)에 증착하고자 하는 막의 성분을 가진 타켓을 마주보는 위치(즉, 기판(S)의 처리에 사용할 타겟을 마주보는 위치)를 의미하는데, 처리 위치는 예비처리 위치와 같을 수 있고, 다른 위치여도 무방하다. 기판(S)의 처리가 완료되면 타 지지부(65)를 반입 각도로 하강시킨 후 기판반입 위치로 회전시키고, 처리가 완료된 기판(S)을 타 지지부(65)에서 반송 챔버로 반출(도 5의 (e) 참조)한다. 상술한 제1실시 예에서는 예비처리를 수행하면서 기판반입을 함께 수행할 수 있어서 공정 효율이 좋다.
한편, 제1실시 예의 변형 예에서는, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정이, 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이후, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정 이전에 수행되면, 기판을 먼저 처리한 후, 예비처리를 수행할 수도 있다. 예컨대 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정, 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판을 대향 배치시키는 과정, 기판을 처리하는 과정, 타 지지부를 반입 각도로 하강시킨 후, 기판반입 위치로 회전시키면서 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정의 순서로 각 과정을 수행할 수도 있다.
본 발명의 제2실시 예에서는, 예비처리 위치가 기판반입 위치를 마주보지 않는 위치인 기판반입 위치의 좌측 또는 우측의 타겟 위치이면서, 처리 위치가 예비처리 위치와 서로 대향하는 위치이고, 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이전에, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정을 수행한다.
이하, 본 발명의 제2실시 예를 설명한다. 본 발명의 제2실시 예에 따른 막 증착 방법은, 반입 각도로 준비 중인 타 지지부를 기판반입 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정, 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정을 포함할 수 있다.
이때, 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정과 함께 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정을 수행할 수 있고, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정과 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판을 대향 배치시키는 과정을 함께 수행할 수 있다.
또한, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정과 함께 기판을 처리하는 과정을 수행할 수 있고, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정과 함께 타 지지부를 반입 각도로 하강시키는 과정을 수행할 수 있다.
우선, 반입 각도로 준비 중인 타 지지부(65)를 기판반입 위치로 회전시킨 후, 타 지지부(65)에 기판(S)을 반입하여 지지한다. 기판(S)은 반송 로봇(50)에 의해 수평 상태로 반송되어 챔버(30)의 내부로 반입되고, 반입 각도로 수평하게 준비 중인 타 지지부(65)에 지지된다.
이후, 더미 부재(D)가 수납되어 보관 각도(θ4)로 준비 중인 일 지지부(64)를 예비처리 위치로 회전시키는 과정(S100)을 수행하면서, 기판(S)이 지지된 타 지지부(65)를 처리 위치로 회전시킨다. 이후, 일 지지부(64)를 처리 각도(θ5)로 상승시켜 예비처리 위치의 타겟(T)에 더미 부재(D)를 대향 배치시키는 과정(S200)을 수행하면서, 타 지지부(65)를 처리 각도(θ5)로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판(S)을 대향 배치시킨다. 이때, 일 지지부(64)의 상승 및 타 지지부(65)의 상승은 임의의 순서로 순차 수행될 수도 있다.
이후, 더미 부재(D)를 이용하여 타겟(T)에 더미 부재(D)를 대향 배치시킨 상태로 예비처리(프리스퍼터)를 수행(S300)하며, 처리 위치에서 기판(S)을 성막 처리한다. 이때, 예비처리 및 기판(S)의 성막 처리는 함께 수행되거나 임의의 순서대로 순차 수행될 수 있다. 이후, 일 지지부(64)를 보관 각도(θ4)로 하강시켜 더미 부재(D)를 보관하는 과정(S400)을 수행함과 함께 타 지지부(65)를 반입 각도로 하강시킨다. 이때, 일 지지부(64)의 하강 및 타 지지부(65)의 하강은 임의의 순서로 순차 수행될 수도 있다.
이후, 타 지지부(65)를 기판반입 위치로 회전시키고, 반송 로봇(50)을 이용하여 처리가 완료된 기판(S)을 타 지지부(65)로부터 반출한다. 상술한 제2실시 예에서는 예비처리를 수행하면서 기판을 함께 처리할 수 있어서 공정 효율이 좋다.
한편, 본 발명의 제2실시 예의 변형 예에서는, 예비처리 위치가 기판반입 위치의 좌측 또는 우측의 타겟 위치이고, 처리 위치가 예비처리 위치를 마주보지 않는 위치일 수 있다.
본 발명의 제2실시 예의 변형 예에 따른 막 증착 방법은, 반입 각도로 준비 중인 타 지지부를 기판반입 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정, 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판을 대향 배치시키는 과정, 기판을 처리하는 과정, 타 지지부를 반입 각도로 하강시키는 과정, 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정의 순서로 각 과정을 수행할 수 있다. 즉, 기판의 성막 처리를 예비처리 전에 수행할 수 있다.
이때, 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이전에, 타 지지부를 기판반입 위치로 회전시킨 후 처리된 기판(S)을 반송하는 과정이 수행되거나, 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시켜서 예비처리를 수행하고 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 일련의 과정 이후, 타 지지부를 기판반입 위치로 회전시킨 후 처리된 기판(S)을 반송하는 과정이 수행될 수 있다.
한편, 본 발명의 제2실시 예의 변형 예에 따른 막 증착 방법은, 그 순서가 상기의 순서 외에 다양할 수 있고, 예컨대 반입 각도로 준비 중인 타 지지부를 기판반입 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정, 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정, 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판을 대향 배치시키는 과정, 기판을 처리하는 과정, 타 지지부를 반입 각도로 하강시키는 과정, 타 지지부를 기판반입 위치로 회전시킨 후 처리된 기판을 반송하는 과정의 순서로 각 과정을 수행할 수 있다. 즉, 기판의 성막 처리를 예비처리 후에 수행할 수 있다.
본 발명의 상술한 제1실시 예 및 제2실시 예는 예비처리 중이나 전에 기판을 반입하는 방식이다. 이하에서 본 발명의 제3실시 예를 설명하는데, 제3실시 예는 기판의 반입 없이 예비처리를 수행한 이후 기판을 반입하여 처리하는 방식이고, 이 방식은 예비처리 위치가 기판반입 위치를 마주보는 위치인 경우 및 예비처리 위치가 기판반입 위치의 좌측 또는 우측의 타겟 위치인 경우 모두에 적용될 수 있다.
본 발명의 제3실시 예에서는, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 이후에, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정을 수행한다. 이하에서, 본 발명의 제3실시 예에 따른 막 증착 방법을 설명한다.
본 발명의 제3실시 예에 따른 막 증착 방법은, 더미 부재가 수납되어 보관 각도로 준비 중인 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정, 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 더미 부재를 대향 배치시키는 과정, 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정, 반입 각도로 준비 중인 타 지지부를 기판반입 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정, 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정, 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판을 대향 배치시키는 과정, 기판을 처리하는 과정, 타 지지부를 반입 각도로 하강시키는 과정, 타 지지부를 기판반입 위치로 회전시킨 후 처리된 기판을 반송하는 과정,을 포함할 수 있다.
우선, 일 지지부(64)를 예비처리 위치로 회전시킨 후 타겟에 더미 부재(D)를 배치시키고, 예비처리를 수행한다. 이 일련의 과정은 위에서 충분히 설명하였으므로 이하에서 구체적인 설명을 생략한다.
이후, 예비처리 위치에서 더미 부재(D)를 이용한 타겟(T)의 예비처리가 완료된 후, 일 지지부(64)가 보관 각도(θ4)로 하강하여 더미 부재(D)를 보관한다. 이후, 그 동안 반입 각도로 준비 중인 타 지지부(65)를 기판반입 위치로 회전시킨 후, 기판(S)을 수평 상태로 반입받는다.
이때, 예비처리 위치가 기판반입 위치를 마주보는 위치인 경우에 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정에 의하여 반입 각도로 준비 중인 타 지지부도 기판반입 위치로 회전될 수 있고, 따라서, 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 이후, 타 지지부에 기판을 반입하는 과정을 신속하게 수행할 수 있다.
이후, 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는데, 처리 위치는 자유롭게 선택될 수 있다. 예컨대 처리 위치가 예비처리된 타겟의 위치일 수 있고, 다른 위치여도 무방하다.
이후, 타 지지부(65)를 처리 각도(θ5)로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판을 대향 배치시키고, 플라즈마를 이용하여 처리 위치의 타겟을 스퍼터하며 기판(S)을 성막 처리한다. 기판(S)의 처리가 완료되어 기판(S)에 원하는 막이 증착되면 타 지지부(65)를 반입 각도로 하강시킨 후 기판반입 위치로 회전시키고, 처리된 기판(S)을 타 지지부(65)에서 반송 챔버(20)로 수평하게 반송하여 챔버(30)의 외부로 반출한다.
본 발명의 상술한 제3실시 예는 기판의 반입 없이 하나의 타겟을 예비처리하고 나서 기판을 반입하여 처리하는 경우, 또는, 기판의 반입 없이 복수의 타겟을 소정의 순서대로 예비처리하고 나서 기판을 반입하여 처리하는 경우 등, 기판의 반입 전에 예비처리를 수행하는 각종 경우에 다양하게 적용될 수 있는 실시 예이다.
본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법은, 더미 부재(D)를 이용한 예비처리의 완료 후 더미 부재(D)를 보관하는 과정과, 처리가 완료된 기판(S)을 타 지지부(65)로부터 반송하여 챔버(30)의 외부로 반출하는 과정이 각각 완료되면, 새로운 기판(S)을 반입하여 처리하는 일련의 과정을 반복 수행하는데, 예컨대 기판반입 위치에 있는 타 지지부(65)에 기판(S)을 반입하고, 타 지지부(65)를 처리 위치로 회전시킨 후 타 지지부(65)를 처리 각도로 상승시켜 처리 위치의 타겟에 기판(S)을 대향 배치시킨다. 이후, 기판(S)을 처리한다.
상기의 과정을 반복하는 중, 타겟의 예비처리가 필요한 시점을 제어부로 감지하면, 현재 처리 중인 기판(S)의 남은 처리 과정을 순차 수행한 후, 더미 부재(D)가 수납되어 보관 중인 일 지지부(64)를 예비처리 위치로 회전시키는 과정을 수행하고, 그 이후 상기의 실시 예들에서 설명된 각 과정들을 적절히 선택하여 순차적으로 수행하면서 타겟의 예비처리를 신속히 수행할 수 있다.
한편, 본 발명의 상술한 실시 예들에서는, 일 지지부(64)의 이면에 마련된 냉각 부재(66)를 이용하여 더미 부재를 냉각하는 과정을 수행하는데, 이 과정이 수행되는 시점은 특별히 한정하지 않는다.
상기와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법은 더미 부재를 챔버 내부에 보관해 둔 상태로 모든 공정을 원활히 수행할 수 있고, 이로부터, 예비처리 전후 더미가 대기에 노출되어 오염되는 것을 방지할 수 있고, 챔버의 분위기, 진공 및 청정 상태를 유지할 수 있다. 또한, 기판 처리를 위한 장치의 가동율을 높일 수 있고, 안정된 플라즈마 시스템을 구축할 수 있다.
본 발명의 상기 실시 예는 본 발명의 설명을 위한 것이고, 본 발명의 제한을 위한 것이 아니다. 본 발명의 상기 실시 예에 제시된 구성과 방식들은 서로 결합하거나 교차 적용되어 다양한 형태로 변형될 것이고, 이의 변형 예들을 본 발명의 범주로 볼 수 있음을 주지해야 한다. 결국, 본 발명은 청구범위 및 이와 균등한 기술적 사상의 범위 내에서 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 본 발명이 해당하는 기술 분야의 업자는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
10: 로드락 챔버 20: 반송 챔버
30: 챔버 40: 타겟 홀더
50: 반송 로봇 60: 작동부
64: 일 지지부 65: 타 지지부
S: 기판 D: 더미 부재
T: 타겟

Claims (11)

  1. 더미 부재를 챔버의 내부에서 회전 및 각도 조절이 가능한 복수의 지지부 중 일 지지부에 수납하고 보관 각도로 경사지게 지지하는 과정;
    상기 더미 부재를 상기 보관 각도로 경사지게 지지하는 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정;
    상기 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 상기 더미 부재를 대향 배치시키는 과정;
    상기 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정;
    상기 일 지지부의 이면에 마련된 냉각 부재를 이용하여 상기 더미 부재를 냉각하는 과정; 및
    상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 상기 더미 부재를 경사진 상태로 보관하는 과정;을 포함하고,
    상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이전, 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이후, 또는 상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 이후에, 타 지지부에 기판을 수평한 반입 각도로 반입하는 과정;을 포함하며,
    상기 일 지지부의 처리 각도는 상기 보관 각도보다 크고,
    상기 타 지지부는 상기 반입 각도 내지 처리 각도로 자유롭게 각도가 조절될 수 있고,
    상기 보관 각도는 상기 타 지지부의 각도 조절 시 상기 타 지지부가 상기 일 지지부에 간섭되지 않도록 하는 45° 이상의 경사 각도인 막 증착 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정;
    상기 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 상기 처리 위치의 타겟에 상기 기판을 대향 배치시키는 과정; 및
    상기 기판을 처리하는 과정;을 포함하고,
    상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이후 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정을 수행할 때, 상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정은, 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정 이후 수행되거나, 상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 이후 수행되는 막 증착 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정;
    상기 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 상기 처리 위치의 타겟에 상기 기판을 대향 배치시키는 과정; 및
    상기 기판을 처리하는 과정;을 포함하고,
    상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 전에 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정을 수행할 때, 상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정은, 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정과 함께 수행되거나, 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정 이전에 수행되거나, 상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 이후 수행되는 막 증착 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정이, 상기 일 지지부를 예비처리 위치로 회전시키는 과정과 함께 수행되는 경우,
    상기 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 상기 처리 위치의 타겟에 상기 기판을 대향 배치시키는 과정은, 상기 일 지지부를 처리 각도로 상승시켜 타겟에 상기 더미 부재를 대향 배치시키는 과정과 함께 수행되고,
    상기 기판을 처리하는 과정은, 상기 더미 부재를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정과 함께 수행되는 막 증착 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정;
    상기 타 지지부를 처리 각도로 상승시켜 상기 처리 위치의 타겟에 상기 기판을 대향 배치시키는 과정; 및
    상기 기판을 처리하는 과정;을 포함하고,
    상기 일 지지부를 보관 각도로 하강시켜 더미 부재를 보관하는 과정 후 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정을 수행할 때, 상기 타 지지부를 처리 위치로 회전시키는 과정은 상기 타 지지부에 기판을 반입하는 과정 이후에 수행되는 막 증착 방법.
  9. 삭제
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 더미 부재는 알루미늄(Al), 서스(SUS) 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나의 재질을 포함하는 막 증착 방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 보관 각도는 45° 내지 70° 이고, 상기 처리 각도는 80° 내지 90° 인 막 증착 방법.
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