JP2000323551A

JP2000323551A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2000323551A
Application number: JP13025099A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Takahashi; 信行高橋; Akio Konishi; 暁夫小西
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1999-05-11
Filing date: 1999-05-11
Publication date: 2000-11-24

Abstract

(57)【要約】【課題】ロードロックチャンバーの排気に要する全体
の時間を短縮することで装置の生産性を向上させる。【解決手段】内部で基板９に対して所定の処理がなさ
れる処理チャンバー１１，１２が積層されて設けられて
いるセパレーションチャンバー３の側板部と対向する側
板部に、複数のロードロックチャンバー２が、垂直方向
の間隔ｄが１００ｍｍ以上となるよう積層されて設けら
れている。各ロードロックチャンバー２は、一枚の基板
９のみを収容可能なものであって、内部を排気する専用
又は兼用の排気系２０１を有しており、基板９の幅及び
奥行きに比べて３０ｍｍ〜５０ｍｍ大きい幅及び奥行き
で高さが３０ｍｍ〜５０ｍｍの内部空間を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願の発明は、ロードロック
チャンバーを経由して大気側と処理チャンバーとの間で
基板の搬送を行う搬送機構を備えた基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】基板の表面に所定の処理を施すことは、
ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子デバイスや液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）等の表示装置の製作の際に盛んに行
われている。例えば、ＬＳＩの製作工程では、各種導電
膜や絶縁膜を表面に作成する成膜処理や表面を所定のパ
ターンに加工するエッチング処理等が行われている。ま
た、ＬＣＤの製作においては、ガラス基板の表面に透明
導電膜を形成する処理等が行われている。このような基
板処理を行う基板処理装置には、大きく分けて、複数の
基板を一括して処理するバッチ式の装置と、基板を一枚
ずつ処理する枚葉式の装置がある。バッチ式装置は、加
熱炉を使用した酸化装置等でよく見られるが、成膜装置
やエッチング装置等では、基板相互の処理の均一性や再
現性を考慮して枚葉式の装置が多い。

【０００３】枚葉式装置の最も単純な構成は、所定の処
理を行う処理チャンバーがあり、この処理チャンバーに
対して基板を一枚ずつ搬入して処理し、一枚ずつ取り出
す構成である。しかしながら、この構成では、基板の出
し入れの際に処理チャンバーの内部が外部の雰囲気に晒
されてしまい、処理の品質を損ねるという問題がある。
特に、成膜装置やエッチング装置等のように、処理チャ
ンバーが真空を利用する真空チャンバーである場合、基
板の出し入れの際に大気に開放されると、処理の度に真
空排気を行わなければならず、生産性が悪いという問題
がある。

【０００４】このような問題のため、通常は、基板の出
し入れの際に基板が一時的に滞留するロードロックチャ
ンバーを設け、このロードロックチャンバーを処理チャ
ンバーに対して気密に接続するようにする。処理チャン
バーとロードロックチャンバーとの間のゲートバルブが
開いている時は、ロードロックチャンバーの大気側のゲ
ートバルブは閉じられ、処理チャンバーは直接大気に晒
されない構成とされる。

【０００５】このようなロードロックチャンバーを備え
た基板処理装置では、通常、複数枚の基板をロードロッ
クチャンバー内に収容可能に構成される。具体的には、
ロードロックチャンバー内には、基板を１０〜２０数枚
程度収容可能なカセットが設けられている。カセット
は、一対の側壁の内側に水平方向に長い突起を設け、こ
の突起に基板の縁を載せて収容する構造を有する。突起
は上下方向に所定間隔をおいて多数設けられており、突
起の数だけ基板を収容することが可能となっている。

【０００６】また、ロードロックチャンバーの外には、
ロードロックチャンバー内のカセット（以下、ロック内
カセット）と同様の構造のカセット（以下、外部カセッ
ト）が設けられている。そして、外部カセットとロック
内カセットとの間で基板の搬送を行う機構としてオート
ローダと呼ばれる機構が設けられている。オートローダ
は、未処理の基板を外部カセットから一枚ずつ取り出し
てロック内カセットに収容するとともに、処理済みの基
板を一枚ずつロック内カセットから取り出して外部カセ
ットに収容するようになっている。オペレータは、所定
数の未処理の基板を収容した外部カセットを装置のロー
ドステーションにセットし、所定数の処理済みの基板が
収容されている外部カセットを回収する作業を行う。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の基板処
理装置において、ロードロックチャンバー内のカセット
の基板収容枚数が多くなる傾向にある。これは、ロード
ロックチャンバーの大気開放回数をなるべく少なくした
いという事情がある。ロードロックチャンバーの大気側
のゲートバルブを開けてロードロックチャンバーを大気
に開放すると、ゲートバルブを締めて再び所定の真空圧
力まで排気するのに時間を要してしまう。この排気動作
の回数が多くなると、装置全体の生産性が低下する恐れ
がある。このため、従来の装置では、ロードロックチャ
ンバー内の基板収容枚数を多くし、一回の大気開放の際
に多数の未処理の基板をロック内カセットに収容した
り、処理済みの基板を多数ロック内カセットから回収す
るようにしている。

【０００８】しかしながら、基板収容枚数が多くなる
と、必然的にロック内カセットが大型化する。これに伴
い、ロードロックチャンバー自体も大型化する傾向があ
る。ロードロックチャンバーが大型化すると、真空に排
気すべき空間が大きくなるから、所定の到達圧力まで排
気するのに要する時間が長くなってしまう。従って、せ
っかく多数の基板を収容できるようにして排気動作の回
数を少なくしても、一回の排気動作の所要時間が長くな
ってしまい、生産性の向上にあまり貢献できない。本願
の発明は、このような課題を解決するためになされたも
のであり、ロードロックチャンバーの排気に要する全体
の時間を短縮することで装置の生産性を向上させること
を解決課題としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項１記載の発明は、内部で基板に対して
所定の処理がなされる処理チャンバーと、処理チャンバ
ーに対して気密に連続しているロードロックチャンバー
と、ロードロックチャンバーを経由して大気側と処理チ
ャンバーとの間で基板の搬送を行う搬送機構とを備えた
基板処理装置であって、前記ロードロックチャンバーは
一枚の基板のみを収容可能なものであるとともに内部を
排気する兼用又は専用の排気系を有しており、さらに、
各ロードロックチャンバーの内部空間の幅及び奥行き
は、基板の幅及び奥行きに比べて３０ｍｍ〜５０ｍｍ大
きくなっており、各ロードロックチャンバーの内部空間
の高さは３０ｍｍ〜５０ｍｍであるという構成を有す
る。また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発
明は、中央に設けられたセパレーションチャンバーと、
セパレーションチャンバーの周囲に設けられているとと
もにセパレーションチャンバーに対して気密に接続され
ているロードロックチャンバー及び複数の処理チャンバ
ーと、大気側からロードロックチャンバーを経由して基
板を所定の順序で各処理チャンバーに搬送した後にロー
ドロックチャンバーを経由して大気側に戻す搬送機構と
を備えた基板処理装置であって、前記ロードロックチャ
ンバーは、一枚の基板のみを収容可能なものであるとと
もに内部を排気する兼用又は専用の排気系を有してお
り、さらに、各ロードロックチャンバーの幅及び奥行き
は、基板の幅及び奥行きに比べて３０ｍｍ〜５０ｍｍ大
きくなっており、各ロードロックチャンバーの内部空間
の高さは３０ｍｍ〜５０ｍｍであるという構成を有す
る。また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発
明は、上記請求項１又は２の構成において、前記ロード
ロックチャンバーは、基板に面接触して基板を保持する
基板保持ステージを内部に有しており、この基板保持ス
テージは、基板を加熱するか又は強制的に冷却して基板
の温度を調節する基板温度調節機構を内蔵しているとい
う構成を有する。また、上記課題を解決するため、請求
項４記載の発明は、上記請求項１、２又は３の構成にお
いて、前記ロードロックチャンバーは複数設けられてお
り、少なくとも一カ所で垂直方向に積層されているとい
う構成を有する。また、上記課題を解決するため、請求
項５記載の発明は、上記請求項４の構成において、前記
複数のロードロックチャンバーのうち、下側に位置する
ロードロックチャンバーはその上板部が開けられる構造
を有しており、さらに、このロードロックチャンバー
と、その上側のロードロックチャンバーとの間隔は１０
０ｍｍ以上であるという構成を有する。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて説明する。まず、図１及び図２を用いて本願発明の
第一の実施形態について説明する。図１は、本願発明の
第一の実施形態の基板処理装置の構成を示す平面概略図
であり、図２は、図１の装置のＸ−Ｘでの断面概略図で
ある。図１に示す装置は、内部で基板９に対して所定の
処理がなされる処理チャンバー１１，１２と、処理チャ
ンバー１１，１２に対して気密に連続しているロードロ
ックチャンバー２と、ロードロックチャンバー２を経由
して大気側と処理チャンバー１１，１２との間で基板９
の搬送を行う搬送機構とを備えている。

【００１１】本実施形態の装置では、真ん中にセパレー
ションチャンバー３が設けられている。そして、セパレ
ーションチャンバー３の一方の側に処理チャンバー１
１，１２が気密に接続されており、他方のロードロック
チャンバー２が気密に接続されている。尚、「処理チャ
ンバーに対して気密に連続しているロードロックチャン
バー」とは、処理チャンバー１１，１２に対してロード
ロックチャンバー２が直接接続されている場合も含む概
念である。

【００１２】各チャンバー１１，１２，２，３は専用の
排気系１１１，１２１，２０１，３０１を備えた気密な
真空容器である。また、各ロードロックチャンバー２と
セパレーションチャンバー３との境界部分、及び、各処
理チャンバーとセパレーションチャンバー３との境界部
分にはそれぞれゲートバルブ５が設けられている。搬送
機構としては、本実施形態では、二つの機構が設けられ
ている。一つは、大気側と各ロードロックチャンバー２
内との間で基板９を搬送するオートローダ４１である。
他の一つは、セパレーションチャンバー３内に設けられ
た搬送ロボット４２である。搬送ロボット４２は、セパ
レーションチャンバー３を経由し、各ロードロックチャ
ンバー２と各処理チャンバー１１，１２との間、又は、
二つの処理チャンバー１１，１２の間で基板９の搬送を
行うよう構成されている。

【００１３】次に、本実施形態の装置の大きな特徴点を
成すロードロックチャンバー２の構成について詳説す
る。まず、前述したように従来は大気開放回数を少なく
するためにロードロックチャンバー２内の基板収容枚数
が増加する傾向があったが、本実施形態では、この傾向
から１８０度転換し、ロードロックチャンバー２は、一
枚の基板９のみを収容可能なものとされた。このため、
ロードロックチャンバー２を極限までに小型化すること
が可能となった。具体的には、本実施形態におけるロー
ドロックチャンバー２は直方体状であり、内寸で幅３５
０ｍｍ×奥行き３５０ｍｍ×高さ５０ｍｍという非常に
小さな直方体状のものである。基板９としては、直径３
００ｍｍの半導体ウエーハが想定されており、本実施形
態では、ロードロックチャンバー２の内部空間は、基板
９の大きさよりも５０ｍｍほど幅及び奥行きが長いのみ
となっている。

【００１４】このように内部空間の小さいロードロック
チャンバー２であるため、各ロードロックチャンバー２
内を排気系２０１によって排気する際の所要時間（以
下、排気時間）は、従来に比べて格段に短くなってい
る。各ロードロックチャンバー２の排気系２０１は、２
０リットル／分程度の低い排気速度のドライポンプを使
用しているが、この程度の排気速度の真空ポンプであっ
ても、従来と同程度の１×１０^-1〜５×１０^-2Ｔｏｒｒ
程度まで排気するのに要する時間は、１８０〜２４０秒
程度であり、従来に比べて１／１０〜１／１６程度に短
縮化される。尚、このような小型の真空ポンプとして
は、直結型油回転ポンプなどが使用でき、これにはアネ
ルバ社製のＭ２０６２２ＢＢ等がある。このように小型
の真空ポンプを使用することは、ロードロックチャンバ
ー２と同様に、装置全体の占有スペースを低減させる効
果がある。

【００１５】排気時間の短縮化には、上述の通りロード
ロックチャンバー２を小さくすることが有効であるが、
あまり小さくなると、ロードロックチャンバー２の内壁
と基板９とが接近しすぎる問題がある。内壁との衝突の
恐れを充分無くして基板９の出し入れを行うためには、
ロードロックチャンバー２の内部空間の幅及び奥行きが
基板９の幅及び奥行きに比べて３０ｍｍ以上大きくする
ことが好ましい。これよりロードロックチャンバー２の
内部空間の幅又は奥行きが小さくなると、基板９が変位
して搬送されてきたりした場合などに基板９がロードロ
ックチャンバー２の内壁に衝突する確率が高くなり、信
頼性の点で問題が生ずる。

【００１６】また、ロードロックチャンバー２の内部空
間の高さについても、あまり高さが低くなると、オート
ローダ４１や搬送ロボット４２のアームの進入スペース
が無くなってしまったり、基板搬送に非常に高い精度が
必要になってしまったりする問題がある。このような問
題の無いようにするには、ロードロックチャンバー２の
内部空間の高さは３０ｍｍ以上とすることが好ましい。

【００１７】尚、ロードロックチャンバー２の内部空間
の幅及び奥行きが基板９の幅及び奥行きに比べて５０ｍ
ｍを越えて大きくなったり、高さが５０ｍｍを越えたり
すると、上述した排気時間を短縮化する効果が充分に得
られなくなってしまう。従って、ロードロックチャンバ
ー２の内部空間の幅及び奥行きは基板９の幅及び奥行き
に比べて５０ｍｍ大きい大きさ以下であり、高さは５０
ｍｍ以下であることが好ましい。

【００１８】また、本実施形態では、このようなロード
ロックチャンバー２が二つ設けられており、この二つの
ロードロックチャンバー２は積層されている。図１及び
図２から分かるように、セパレーションチャンバー３は
四角筒状のものであり、その一つの側面に二つのロード
ロックチャンバー２が接続されている。このように二つ
のロードロックチャンバー２を設けることは生産性向上
を考慮してのことであるが、それを積層することで、占
有面積の低減を図っている。尚、本明細書で、「積層」
とは、二つの部材が上下に重なって設けられていること
をいうが、完全に重なっている必要はなく、平面視で半
分以上が重なっているものをいうものとする。

【００１９】二つのロードロックチャンバー２の間の間
隔ｄは、１００ｍｍ以上であることが好ましい。これ
は、下側のロードロックチャンバー２のメンテナンス等
の際の作業性のためである。本実施形態におけるロード
ロックチャンバー２は、上板部を開けることができるよ
うになっている。具体的には、上板部が蝶番を介して一
つの側板部に固定された構造や、上板部に設けた開口を
塞ぐ蓋板をネジ止めした構造、又は、上板部自体を四つ
の側板部の上縁にネジ止めした構造等が採用されてい
る。例えば、万が一基板９がロードロックチャンバー２
内で所定位置に保持されずに搬送エラーになった際、上
板部を開けてマニュアル操作にて基板９を所定位置に位
置させる作業を行う。この場合、距離ｄが１００ｍｍよ
り狭いと、下側のロードロックチャンバー２に対する作
業が困難となる問題がある。従って、距離ｄは１００ｍ
ｍ以上であることが好ましい。

【００２０】また、各ロードロックチャンバー２内に
は、一枚のみの基板９を面接触して保持する基板保持ス
テージ２１が設けられている。基板保持ステージ２１
は、上面に基板９を載置して保持する台状の部材であ
る。基板保持ステージ２１の上面は、基板９より少し大
きい。基板保持ステージ２１には、基板９の受け渡しの
際に昇降する昇降ピン２２が設けられている。昇降ピン
２２は、正三角形の頂点の位置関係になるように三つ設
けられている。各昇降ピン２２は、ロードロックチャン
バー２の底壁を気密に貫通し、基板保持ステージ２１に
設けられた貫通穴に挿通されている。各昇降ピン２２の
ロードロックチャンバー２の外に位置する下端には、直
線駆動源２３が設けられている。直線駆動機構２３は、
一つの昇降ピン２２についてのみ示されているが、他の
昇降ピン２２についても同様に設けられている。直線駆
動源２３は、小型のソレノイド又はエアシリンダ等から
構成されている。各昇降ピン２２は、この直線駆動源２
３によって所定の短い距離だけ昇降するようになってい
る。また、昇降ピン２２及び直線駆動源２３の別の構成
としては、三つの昇降ピンを設けた駆動板を一つの直線
駆動源２３によって昇降させるようにしてもよい。

【００２１】さらに、基板保持ステージ２１内には、基
板温度調節機構２４が設けられている。本実施形態で
は、基板９を加熱して所定の温度に調節するヒータが基
板温度調節機構２４として設けられている。基板保持ス
テージ２１には、基板９の温度を検出する熱電対等の不
図示の温度センサが設けられており、この温度センサの
検出信号が基板温度調節機構２４にフィードバックさ
れ、基板９の温度が負帰還制御されるようになってい
る。

【００２２】基板温度調節機構２４としては、基板９を
所定の温度まで冷却するものが採用される場合がある。
この場合は、所定の温度に冷却された冷媒を基板保持ス
テージ２１内に流通させ、基板保持ステージ２１を介し
て基板９を冷却するよう構成される。加熱、冷却いずれ
の場合も、基板保持ステージ２１には銅等の熱伝導性の
良い材料が使用される。また、基板９を加熱する際に
は、基板９が酸化されないよう、排気系によってロード
ロックチャンバー２内が所定の真空圧力まで排気された
後に加熱を行うようにする。

【００２３】次に、ロードロックチャンバー２以外の構
成について説明する。まず、ロードロックチャンバー２
の外の大気側には、外部カセット６０を配置するロード
ステーション６が設けられている。ロードステーション
６は、所定数の基板９を収容した外部カセット６０を所
定位置に保持するためのものである。そして、オートロ
ーダ４１は、外部カセット６０から基板９を一枚取り出
して一つのロードロックチャンバー２のロック内カセッ
トに搬送することが可能となっている。このオートロー
ダ４１には、アームの先端に基板９を載せて搬送する多
関節ロボットが採用されている。オートローダ４１は、
アームを水平面内で移動させることが可能であるととも
にアームを上下動させることが可能となっている。尚、
ロードステーション６とオートローダ４１が一体となっ
たものを使用することもある。

【００２４】また、セパレーションチャンバー３内に設
けられた搬送ロボット４２には、オートローダ４１と同
様に、アームの先端に基板９を載せて搬送する多関節ロ
ボットが採用されている。この多関節ロボットも、水平
面内でのアームの移動が可能であるとともにアームを上
下動させることが可能となっている。但し、セパレーシ
ョンチャンバー３内は真空雰囲気なので、真空中で動作
するものが採用されている。また、搬送ロボット４２
は、オートローダ４１とは異なり、同時に二枚の基板９
を搬送できるよう二つのアームを備えている。二つのア
ームは、独立又は連動して移動することが可能となって
いる。

【００２５】次に、図１に示すように、本実施形態では
二つの処理チャンバー１１，１２が設けられている。図
１及び図２から分かるように、二つの処理チャンバー１
１，１２は、ロードロックチャンバー２と同様に積層さ
れている。二つの処理チャンバー１１，１２は、セパレ
ーションチャンバー３のロードロックチャンバー２が積
層されている側の側板部と対向する側板部に接続されて
いる。

【００２６】各処理チャンバー１１，１２に備えられた
排気系１１１，１２１は、ターボ分子ポンプとドライポ
ンプとを有した多段の構成であり、各処理チャンバー１
１，１２内を５×１０^-7Ｔｏｒｒ程度の到達圧力まで排
気できるようになっている。尚、セパレーションチャン
バー３内を排気する排気系３０１も、これと同様の構成
である。二つの処理チャンバー１１，１２の構成は、基
板処理の種類によって異なる。例えば、スパッタによっ
て成膜処理を行う場合、一方の処理チャンバー（例えば
下側の処理チャンバー）１１は予備加熱を行う構成とさ
れ、他方の処理チャンバー（例えば上側の処理チャンバ
ー）１２はスパッタ成膜を行う構成とされる。

【００２７】下側の処理チャンバー（以下、予備加熱チ
ャンバー）１１内には、加熱機構を内蔵したヒートステ
ージ１１２が設けられている。ヒートステージ１１２
は、ロードロックチャンバー２内の基板保持ステージ２
１と同様に基板９を上面に載置する台状の部材である。
加熱機構には、通電によりジュール熱を発生させるカー
トリッジヒータ又は輻射加熱を行う赤外線ランプ等が採
用される。予備加熱を行う目的は、主に基板９の脱ガス
等である。スパッタ放電により形成されるプラズマから
の熱等により基板９の温度が急激に上昇する。予備加熱
を行わずにスパッタリングを行うと、この温度上昇の
際、基板９内の吸蔵ガスが急激に放出される。この結
果、堆積する薄膜中に気泡等の形状欠陥が生じ易くな
る。このような問題を防止するため、予備加熱チャンバ
ー１１で基板９の予備加熱を行う。予備加熱は、基板９
を２００〜２５０℃程度に加熱し、この温度を１２０〜
１８０秒保持することにより行う。

【００２８】上側の処理チャンバー（以下、スパッタチ
ャンバー）１２内には、カソード１２２や基板ホルダー
１２３等が設けられている。カソード１２２は、前側の
被スパッタ面がスパッタチャンバー１２内に露出するよ
うに設けられたターゲットと、ターゲットの背後に設け
られたマグネット等とをモジュール化したものである。
ターゲットは、成膜する材料より成る板状のものであ
り、不図示のスパッタ電源により負の高電圧又は高周波
電圧が印加されるようになっている。

【００２９】尚、スパッタチャンバー１２内に所定のガ
スを導入する不図示のガス導入系が設けられている。ガ
ス導入系は、アルゴン等のスパッタ率の高いガスを導入
するようになっている。ガス導入系は、所定のガスを溜
めたボンベと、ボンベとスパッタチャンバー１２内とを
繋ぐ配管上に設けたバルブや流量調整器等から構成され
ている。

【００３０】また、基板ホルダー１２３は、ロードロッ
クチャンバー２内の基板保持ステージ２１と同様に基板
９を上面に載置して保持する台状の部材である。基板ホ
ルダー１２３内には必要に応じて加熱機構が設けられ、
成膜時に基板９を所定温度まで加熱するよう構成され
る。尚、成膜時に基板ホルダー１２３に高周波電圧を印
加してスパッタ放電によるプラズマと高周波との相互作
用により基板９の表面に自己バイアス電圧を与えるよう
構成される場合がある。自己バイアス電圧は負の直流分
の電圧であり、プラズマ中から正イオンを引き出して基
板９に入射させるよう働く。

【００３１】次に、図１及び図２に示す第一の実施形態
の装置の動作について説明する。まず、一方のロードロ
ックチャンバー２の大気側のゲートバルブ５が開き、オ
ートローダ４１が外部カセット６０から一枚の基板９を
取り出して一方のロードロックチャンバー２に搬送す
る。一方のロードロックチャンバー２内では、予め昇降
ピン２２が上昇して所定の上昇位置に位置しており、搬
入された基板９はこの昇降ピン２２上に載せられる。そ
して、直線駆動源２３が動作して昇降ピン２２が所定距
離下降する。この結果、基板９が基板ステージ２１の上
面に載置される。その後、ゲートバルブ５は閉じられ、
ロードロックチャンバー２内は排気される。

【００３２】また、他方のロードロックチャンバー２の
大気側のゲートバルブ５が開き、オートローダ４１が次
の基板９を外部カセット６０から取り出し、他方のロー
ドロックチャンバー２に搬送する。基板９が上昇位置の
昇降ピン２２の上に載せられる。そして、同様にして昇
降ピン２２の下降により基板９が基板保持ステージ２１
に載置される。その後、ゲートバルブ５は閉じられ、ロ
ードロックチャンバー２内は排気される。

【００３３】次に、一方のロードロックチャンバー２の
セパレーションチャンバー３側のゲートバルブ５が開
き、搬送ロボット４２によって基板９が一方のロードロ
ックチャンバー２から予備加熱チャンバー１１に搬送さ
れる。この際、セパレーションチャンバー３と予備加熱
チャンバー１１との間のゲートバルブ５が開閉される。
搬送された基板９は、ヒートステージ１１２の上に載置
される。ヒートステージ１１２は加熱機構によって予め
所定温度に加熱されており、ヒートステージ１１２に載
置されることで基板９は所定温度まで予備加熱される。

【００３４】所定時間予備加熱を行った後、ゲートバル
ブ５が開閉され、搬送ロボット４２が基板９を予備加熱
チャンバー１１から取り出す。そして、セパレーション
チャンバー３とスパッタチャンバー１２との間のゲート
バルブ５が開閉され、基板９は搬送ロボット４２によっ
てスパッタチャンバー１２に搬送される。また、これと
並行して、搬送ロボット４２は他方のロードロックチャ
ンバー２内の基板９を予備加熱チャンバー１１に搬送す
る。

【００３５】スパッタチャンバー１２に搬送された基板
９は、基板ホルダー１２３上に載置され、必要に応じて
基板ホルダー１２３内の加熱機構によって加熱される。
この状態で、不図示のガス導入系が動作して所定のガス
がスパッタチャンバー１２内に導入され、不図示のスパ
ッタ電源が動作してスパッタリングが行われる。この結
果、基板９の表面に所定の薄膜が作成される。また、予
備加熱チャンバー１１では、同様に次の基板９の予備加
熱が行われる。

【００３６】スパッタチャンバー１２内で基板９に作成
されている薄膜が必要な厚さに達すると、スパッタ電源
及びガス導入系が停止し、排気系１２１がスパッタチャ
ンバー１２内を再度排気する。そして、ゲートバルブ５
が開閉し、搬送ロボット４２が基板９をスパッタチャン
バー１２から取り出す。そして、セパレーションチャン
バー３と一方のロードロックチャンバー２との間のゲー
トバルブ５が開閉し、基板９は一方のロードロックチャ
ンバー２に搬送される。基板９は、昇降ピン２２の動作
によって基板ステージ２１に載置される。

【００３７】並行して、予備加熱チャンバー１１とセパ
レーションチャンバー３との間のゲートバルブ５が開閉
し、搬送ロボット４２が予備加熱チャンバー１１内の次
の基板９を予備加熱チャンバー１１から取り出す。そし
て、スパッタチャンバー１２とセパレーションチャンバ
ー３との間のゲートバルブ５が開閉し、次の基板９をス
パッタチャンバー１２内に搬送する。

【００３８】そして、スパッタチャンバー１２内では、
次の基板９に対して同様に成膜処理が行われる。この
間、一方のロードロックチャンバー２の大気側のゲート
バルブ５が開閉し、オートローダ４１が処理済みの基板
９を一方のロードロックチャンバー２から取り出して外
部カセット６０内の元の位置に戻す。そして、さらに次
の未処理の基板９を一方のロードロックチャンバー２に
搬送する。この基板９は、搬送ロボット４２により、同
様に予備加熱チャンバー１１に搬送され、予備加熱され
る。

【００３９】さらに、スパッタチャンバー１２での成膜
処理が終了すると、搬送ロボット４２はこの基板９を他
方のロードロックチャンバー２に搬送する。そして、他
方のロードロックチャンバー２の大気側のゲートバルブ
５が開閉し、オートローダ４１がこの処理済みの基板９
を外部カセット６０に戻すとともに、さらに次の未処理
の基板９を他方のロードロックチャンバー２に搬送す
る。このようにして、二つのロードロックチャンバー２
に基板９の搬入及び搬出を順次行いながら、予備加熱と
成膜処理とを各基板９に施すようにする。外部カセット
６０に当初収容されていた最後の基板９が処理されて元
の位置に戻ると、外部カセット６０に当初収容されてい
たすべての基板９に対する処理が終了したことになる。

【００４０】上述した本実施形態の装置の動作におい
て、各ロードロックチャンバー２が一枚の基板９を収容
するのみであり、各ロードロックチャンバー２が充分に
小型化されているので、従来に比べて大気から所定の真
空圧力までの排気する回数は増えるものの、一回の排気
に要する時間が格段に短くなっている。この結果、ロー
ドロックチャンバー２の排気に要する全体の時間が短く
なる。このため、装置の生産性が向上する。

【００４１】次に、本願発明の第二の実施形態について
説明する。図３は、本願発明の第二の実施形態の基板処
理装置の構成を示す平面概略図であり、図４は図３の装
置のＹ−Ｙでの側断面概略図である。図３及び図４に示
す第二の実施形態の基板処理装置は、中央に設けられた
セパレーションチャンバー３と、セパレーションチャン
バー３の周囲に設けられた複数の処理チャンバー１０
１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０
７，１０８及び複数のロードロックチャンバー２とから
なるチャンバー配置になっている。セパレーションチャ
ンバー３は八角形の筒状であり、その各辺に処理チャン
バー１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０
６，１０７，１０８又はロードロックチャンバー２が接
続されている。尚、セパレーションチャンバー３と各処
理チャンバー１０１，１０２，１０３，１０４，１０
５，１０６，１０７，１０８及びロードロックチャンバ
ー２は、ゲートバルブ５を介在させて気密に接続されて
いる。

【００４２】この第二の実施形態においても、各ロード
ロックチャンバー２は、一枚のみの基板９を収容する構
成であり、同様に幅３５０ｍｍ×奥行き３５０ｍｍ×高
さ５０ｍｍの非常に小さな内部空間を有するものであ
る。各ロードロックチャンバー２は専用の排気系２０１
を有しており、その排気系２０１は前述と同様に小型の
ドライポンプにより排気する構成となっている。また各
ロードロックチャンバー２は、昇降ピン２２によって基
板９の受け渡しを行い、基板保持ステージ２１に基板９
を面接触させて保持する構成となっている。また、第二
の実施形態の基板保持ステージ２１には、第一の実施形
態と同様に不図示の基板温度調節機構が設けられてい
る。

【００４３】また、図３及び図４から分かるように、こ
の第二の実施形態では、四つのロードロックチャンバー
２が設けられている。この実施形態においても、各ロー
ドロックチャンバー２は積層されている。即ち、セパレ
ーションチャンバー３の隣り合う側面にそれぞれ二つの
ロードロックチャンバー２が積層して設けられている。

【００４４】そして、図３に示すように、この第二の実
施形態では、二つのオートローダ４１が設けられてい
る。これに対応して、ロードステーション６には、二つ
の外部カセット６０が配置されるようになっている。図
３において左側のオートローダ４１は、左側に配置され
た外部カセット６０と、左側に積層された二つのロード
ロックチャンバー２との間で基板９の搬送を行い、右側
のオートローダ４１は、右側に配置された外部カセット
６０と、右側に積層された二つのロードロックチャンバ
ー２との間で基板９の搬送を行うようになっている。

【００４５】セパレーションチャンバー３内には、チャ
ンバー間で基板９の搬送を行う搬送ロボット４２が設け
られている。この搬送ロボット４２も、第一の実施形態
と同様、基板９を載せるアームを備えた多関節ロボット
であり、稼働範囲内で水平面上の任意の位置と垂直方向
の任意の位置に基板９を搬送することが可能となってい
る。このような搬送ロボット４２としては、例えばロー
ツェ株式会社製ＲＲ４６８等が採用される。尚、セパレ
ーションチャンバー３を排気する排気系３０１及び各処
理チャンバー１０１，１０２，１０３，１０４，１０
５，１０６，１０７，１０８を排気する排気系１００
は、第一の実施形態における排気系１１１，１２１，３
０１と同様であり、ターボ分子ポンプとドライポンプの
組み合わせが採用できる。

【００４６】また、この第二の実施形態では、八角筒状
のセパレーションチャンバー３の六つの面に処理チャン
バー１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０
６，１０７，１０８が接続されているが、図３及び図４
から分かるように、このうち二つの面で積層されてい
る。従って、本実施形態では、八つの処理チャンバー１
０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０
７，１０８が設けられている。八つの処理チャンバー１
０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０
７，１０８を、便宜上、第１処理チャンバー１０１、第
２処理チャンバー１０２、……第８処理チャンバー１０
８とすると、第１第２処理チャンバー１０１，１０２及
び第５第６処理チャンバー１０５，１０６が積層されて
いる。

【００４７】各処理チャンバー１０１，１０２，１０
３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８の構成は
基板処理の種類によって異なるが、本実施形態の装置が
コンタクト配線プロセスを行うものである場合を例にし
て説明する。コンタクト配線プロセスは、ＦＥＴ（電界
効果トランジスタ）のチャンネル部の配線等の技術であ
り、絶縁膜に孔を開けて設けたコンタクトホール内に配
線材料を埋め込んで下地チャンネルと配線層との導通を
図るプロセスである。配線材料の埋め込みは、アルミ等
の金属材料のスパッタリングにより行われる。この際、
基板９を加熱し、堆積した又は堆積しつつある薄膜をリ
フローさせ、コンタクトホール内に流し込んで埋め込む
高温リフロースパッタリングが行われる。

【００４８】図３及び図４に示す装置がコンタクト配線
プロセスを行う装置である場合、第１第２処理チャンバ
ー１０１，１０２は、基板９の予備加熱を行うよう構成
される。また、第３処理チャンバー１０３は基板９の前
処理エッチングを行うよう構成され、第４処理チャンバ
ー１０４は下地膜の作成を行うよう構成される。そし
て、第５第６処理チャンバー１０５，１０６は、高温リ
フロースパッタリングを行うよう構成され、第７処理チ
ャンバー１０７は基板９の冷却を行うよう構成される。
さらに、第８処理チャンバー１０８は表面膜を作成する
よう構成される。

【００４９】予備加熱を行う第１第２処理チャンバー１
０１，１０２は、前述した第一の実施形態における予備
加熱チャンバー１１とほぼ同様の構成である。この場
合、例えば第１処理チャンバー１０１及び第２処理チャ
ンバー１０２で４５０〜５００℃程度まで基板９を加熱
するよう構成され、基板９は第１第２処理チャンバー１
０１，１０２の双方又はいずれかで予備加熱される。

【００５０】また、前処理エッチングを行う第３処理チ
ャンバー１０３は、基板９を載置して保持する不図示の
基板ステージと、内部に所定のプロセスガスを供給する
不図示のガス供給系と、基板ステージに高周波電圧を印
加する不図示の高周波電源等から構成される。前処理エ
ッチングは、基板９の表面の自然酸化膜又は不純物を除
去する処理である。基板９は表面が自然酸化して酸化膜
が形成されていたり、不純物が付着している場合が多
い。このような自然酸化膜が形成されていたり不純物が
付着したままスパッタリングを行うと、作成された薄膜
の電気特性を悪くする問題がある。そこで、基板９を前
処理エッチングし、表面の自然酸化膜又は不純物を取り
除くようにする。

【００５１】具体的には、ガス供給系により窒素等のガ
スをプロセスガスとして供給し、基板ステージを介して
高周波電界を形成する。この結果、プロセスガスに高周
波放電が生じ、プラズマが形成される。基板ステージの
表面は誘電体となっており、プラズマと高周波との相互
作用により基板９の表面に自己バイアス電圧が生じる。
この自己バイアス電圧は、前述したように負の直流電圧
であり、この電圧によりプラズマ中の正イオンが基板９
に入射し、この入射正イオンにより基板９の表面がスパ
ッタエッチングされる。これにより、基板９の表面の自
然酸化膜又は不純物が除去される。

【００５２】また、第４処理チャンバー１０４で作成さ
れる下地膜は、コンタクト配線の材料と下地チャンネル
の材料との相互拡散を防止するためのバリア膜として作
成されるものである。下地膜は本実施形態ではチタン薄
膜であり、スパッタリングにより作成されるものとなっ
ている。第４処理チャンバー１０４は、第一の実施形態
におけるスパッタチャンバー１２とほぼ同様の構成であ
る。但し、カソード１２２を構成するターゲットは、チ
タン製である。

【００５３】また、高温リフロースパッタリングを行う
第５第６処理チャンバー１０５，１０６は、第一の実施
形態におけるスパッタチャンバー１２とほぼ同様の構成
である。但し、カソード１２２を構成するターゲットに
はアルミ等が使用される。また、基板ホルダー１２３内
には加熱機構が設けられており、基板９を３５０〜５０
０℃程度の高温に加熱できるようになっている。基板９
はいずれかの処理チャンバー１０５，１０６で高温リフ
ロースパッタリングが行われるようになっている。

【００５４】さらに、冷却を行う第７処理チャンバー１
０７は、基板９の自然冷却を行うよう構成される場合も
あるが、通常は冷却ステージの上に基板９を載置して基
板９を強制冷却するよう構成される。冷却ステージは、
基板保持ステージ２１等と同様の台状の部材であり、内
部に所定の低温である冷媒が流通する構成とされる。こ
の冷却ステージに載置される結果、基板９が室温〜１０
０℃程度に冷却されるようになっている。

【００５５】また、第８処理チャンバー１０８で作成さ
れる表面膜には色々な種類があり、またその作成手法も
色々あるが、本実施形態では、反射防止膜としての窒化
チタン薄膜をスパッタリングにより作成される構成とさ
れている。本実施形態の装置によりコンタクト配線が施
された基板９は、後の工程でフォトリソグラフィ即ち回
路パターンの露光が行われる。この際、基板９の高精度
位置合わせ（アライメント）を行うときに基板９の表面
の反射光が強いと、位置合わせがしづらくなる問題があ
る。このため、前工程で予め基板９の表面に反射防止膜
を作成しておく。

【００５６】第８処理チャンバー１０８の構成は、第一
の実施形態のスパッタチャンバー１２の構成とほぼ同様
である。但し、カソード１２２を構成するターゲットに
はチタン製のものが採用される。また、ガス導入系は、
プロセスガスとして窒素を導入するよう構成される。窒
素を導入しながらスパッタリングを行うと、チタンと窒
素との反応を補助的に利用しながら成膜が行われ、基板
９の表面に窒化チタン薄膜が作成される。この窒化チタ
ン薄膜が反射防止膜として機能する。尚、この成膜の際
の基板９の温度は、高温リフロースパッタリングの際の
温度に比べてかなり低く例えば１００℃程度である。従
って、第７処理チャンバー１０７における基板９の強制
冷却は、必須の構成である。尚、表面膜としては、この
他、次の工程まで基板を保護する保護膜、素子部分を最
終的に保護する保護膜、又は、表面の特性を安定化させ
る不動態膜（パシベーション膜）等が作成されることが
ある。

【００５７】以下、この第二の実施形態について説明す
る。まず、左右のオートローダ４１が動作して、それぞ
れの外部カセット６０から未処理の基板９をロードロッ
クチャンバー２に搬送する。左側のオートローダ４１
は、左側に積層された二つのロードロックチャンバー２
内に基板９を一枚ずつ搬送し、右側のオートローダ４１
は、右側に積層された二つのロードロックチャンバー２
内に基板９を一枚ずつ搬送する。各ロードロックチャン
バー２内では、昇降ピン２２が動作して基板９を基板保
持ステージ２１の上に載置する。

【００５８】セパレーションチャンバー３内の搬送ロボ
ット４２は、四つのロードロックチャンバー２から所定
の順序で基板９を取り出し、各処理チャンバー１０１，
１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１
０８に送る。例えば、左上のロードロックチャンバー
２，右下のロードロックチャンバー２の順である。各々
の基板９は、各々のロードロックチャンバー２にて１５
０℃程度の温度まで初期加熱される。そして、最初の基
板９は、第１処理チャンバー１０１に送られて所定温度
まで加熱された後、第２処理チャンバー１０２に送られ
てさらに高い所定温度まで加熱される。最初の基板９が
第２処理チャンバー１０２に送られた際には、次の基板
９が第１処理チャンバー１０１に送られている。

【００５９】最初の基板９はその後第３処理チャンバー
１０３に送られて前処理エッチングが行われ、次の基板
９は第２処理チャンバー１０２に送られて、さらなる加
熱処理が行われる。そして、さらに次の基板９が第１処
理チャンバー１０１に送られる。その後、最初の基板９
が第４処理チャンバー１０４に送られて下地膜が作成さ
れると、四つのロードロックチャンバー２にあった基板
９はすべて処理に回された状態となる。左右のオートロ
ーダ４１が再び動作し、空になっているロードロックチ
ャンバー２に未処理の基板９を搬送し、四つのロードロ
ックチャンバー２すべてに一枚ずつ基板９を収容させ
る。

【００６０】最初の基板９は第４処理チャンバー１０４
から第５第６処理チャンバー１０５，１０６に送られ
て、高温リフロースパッタリングが行われる。そして、
この基板９は第７処理チャンバー１０７で冷却された
後、第８処理チャンバー１０８で下地膜の作成が行われ
る。この際、次の基板９は常にその手前の処理チャンバ
ー１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，
１０７でその手前の処理が行われている。

【００６１】第８処理チャンバー１０８で最初の基板９
の処理が行われているときは、第１から第８処理チャン
バー１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０
６，１０７，１０８のすべてに一枚ずつ基板９が搬入さ
れて処理されている状態であり、四つのロードロックチ
ャンバー２を経由して２回分の基板９の搬入を行った状
態である。このように、ロードロックチャンバーの数
で、処理チャンバーの数を割り切れるようにしておく
と、各部の制御が整然と行えるので好ましい。その後、
第８処理チャンバー１０８から最初の基板９が搬送ロボ
ット４２によって元の左上のロードロックチャンバー２
に戻される。そして、この基板９はオートローダ４１に
よってロードロックチャンバー２から大気側の外部カセ
ット６０の元の位置に戻る。オートローダ４１がすぐに
動作し、次の基板９をその左上のロードロックチャンバ
ー２に搬送する。

【００６２】このようにして、四つのロードロックチャ
ンバー２のいずれかを経由しながら基板９を一枚ずつ各
処理チャンバー１０１，１０２，１０３，１０４，１０
５，１０６，１０７，１０８に送って処理を行い、元の
ロードロックチャンバー２を経由して外部カセット６０
に戻す。このような処理を繰り返して二つの外部カセッ
ト６０にあった全ての基板９について、順次処理を行
い、外部カセット６０の元の位置に戻す。

【００６３】本実施形態の装置においても、各ロードロ
ックチャンバー２が一枚の基板９を収容するのみであ
り、各ロードロックチャンバー２が充分に小型化されて
いるので、従来に比べて大気から所定の真空圧力までの
排気する回数は増えるものの、一回の排気に要する時間
が格段に短くなっている。この結果、ロードロックチャ
ンバー２の排気に要する全体の時間が短くなる。このた
め、装置の生産性が向上する。

【００６４】上述した各実施形態では、基板９に面接触
して基板９を保持する基板保持ステージ２１を各ロード
ロックチャンバー２が内部に有したが、この構成は請求
項１又は２の発明の実施においては必須の事項ではな
い。例えば、Ｌ字状の部材を基板９の周縁に沿って均等
に三個程度設け、昇降ピン２２の昇降に伴い基板９の縁
がこの部材に載るような構成でも良い。また、このよう
なＬ字状の部材を使用した場合の基板温度調節機構とし
ては、輻射加熱方式のランプが採用される。

【００６５】また、各実施形態ではロードロックチャン
バー２が複数設けられたが、ロードロックチャンバー２
が一つだけであっても実施可能である。また、ロードロ
ックチャンバー２が６個以上である場合、３カ所以上で
積層するようにしても良い。さらに、各チャンバーを排
気する排気系は専用のものであったが、これを兼用する
ことも可能である。例えば、第二の実施形態において、
各処理チャンバー１０１，１０２，１０３，１０４，１
０５，１０６，１０７，１０８を排気する排気系１００
のうち、前段に設けられたターボ分子ポンプを各処理チ
ャンバー１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１
０６，１０７，１０８に対して一個ずつ設けて専用と
し、後段に設けたドライポンプを兼用する構成を採用す
ることができる。

【００６６】尚、基板処理の例としては、前述したスパ
ッタリングによる成膜の他、反応性ガスを導入して気相
反応により成膜を行う化学蒸着（ＣＶＤ）や、ドライエ
ッチング等の処理の例が挙げられる。

【００６７】

【発明の効果】以上説明した通り、本願の各請求項の発
明によれば、各ロードロックチャンバーが一枚の基板を
収容するのみであり、各ロードロックチャンバーが充分
に小型化されているので、従来に比べて大気から所定の
真空圧力までの排気する回数は増えるものの、一回の排
気に要する時間が格段に短くなっている。この結果、ロ
ードロックチャンバーの排気に要する全体の時間が短く
なる。このため、装置の生産性が向上する。また、ロー
ドロックチャンバーが積層されているので、ロードロッ
クチャンバーの数が増えたとしても装置全体の占有面積
の増大が抑制される。さらに、小型ポンプを使用できる
結果、この点でもさらに装置全体の占有面積の減少に貢
献できる。また、請求項３の発明によれば、上記効果に
加え、基板を加熱したり冷却したりすることが予備的に
行えるので、生産性の向上等に寄与できる。また、請求
項４の発明によれば、上記効果に加え、下側のロードロ
ックチャンバーに対するメンテナンス等の作業が容易に
行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の第一の実施形態の基板処理装置の構
成を示す平面概略図である。

【図２】図１の装置のＸ−Ｘでの断面概略図である。

【図３】本願発明の第二の実施形態の基板処理装置の構
成を示す平面概略図である。

【図４】図３の装置のＹ−Ｙでの側断面概略図である。

【符号の説明】

１１処理チャンバー１１１排気系１２処理チャンバー１２１排気系２ロードロックチャンバー２０１排気系２１基板保持ステージ２２昇降ピン２３直線駆動源３セパレーションチャンバー４１オートローダ４２搬送ロボット５ゲートバルブ６ロードステーション６０外部カセット１０１処理チャンバー１０２処理チャンバー１０３処理チャンバー１０４処理チャンバー１０５処理チャンバー１０６処理チャンバー１０７処理チャンバー１０８処理チャンバー１００排気系９基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5F031 CA02 CA05 FA07 FA11 FA12 FA15 GA43 GA44 GA49 GA50 HA37 HA38 MA02 MA04 MA28 MA29 MA32 NA04 NA05 NA08 NA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部で基板に対して所定の処理がなされ
る処理チャンバーと、処理チャンバーに対して気密に連
続しているロードロックチャンバーと、ロードロックチ
ャンバーを経由して大気側と処理チャンバーとの間で基
板の搬送を行う搬送機構とを備えた基板処理装置であっ
て、前記ロードロックチャンバーは一枚の基板のみを収容可
能なものであるとともに内部を排気する兼用又は専用の
排気系を有しており、さらに、各ロードロックチャンバ
ーの内部空間の幅及び奥行きは、基板の幅及び奥行きに
比べて３０ｍｍ〜５０ｍｍ大きくなっており、各ロード
ロックチャンバーの内部空間の高さは３０ｍｍ〜５０ｍ
ｍであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】中央に設けられたセパレーションチャン
バーと、セパレーションチャンバーの周囲に設けられて
いるとともにセパレーションチャンバーに対して気密に
接続されているロードロックチャンバー及び複数の処理
チャンバーと、大気側からロードロックチャンバーを経
由して基板を所定の順序で各処理チャンバーに搬送した
後にロードロックチャンバーを経由して大気側に戻す搬
送機構とを備えた基板処理装置であって、前記ロードロックチャンバーは、一枚の基板のみを収容
可能なものであるとともに内部を排気する兼用又は専用
の排気系を有しており、さらに、各ロードロックチャン
バーの幅及び奥行きは、基板の幅及び奥行きに比べて３
０ｍｍ〜５０ｍｍ大きくなっており、各ロードロックチ
ャンバーの内部空間の高さは３０ｍｍ〜５０ｍｍである
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】前記ロードロックチャンバーは、基板に
面接触して基板を保持する基板保持ステージを内部に有
しており、この基板保持ステージは、基板を加熱するか
又は強制的に冷却して基板の温度を調節する基板温度調
節機構を内蔵していることを特徴とする請求項１又は２
記載の基板処理装置。
【請求項４】前記ロードロックチャンバーは複数設け
られており、少なくとも一カ所で垂直方向に積層されて
いることを特徴とする請求項１、２又は３記載の基板処
理装置。
【請求項５】前記複数のロードロックチャンバーのう
ち、下側に位置するロードロックチャンバーはその上板
部が開けられる構造を有しており、さらに、このロード
ロックチャンバーと、その上側のロードロックチャンバ
ーとの間隔は１００ｍｍ以上であることを特徴とする請
求項４記載の基板処理装置。