DE102011017648B4

DE102011017648B4 - Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung, Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung unter Verwendung der Dünnfilmabscheidungsvorrichtung und durch das Verfahren hergestellte organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102011017648B4
Application number: DE102011017648.9A
Authority: DE
Inventors: Jung-bae Song; Beohm-Rock Choi; Sang-Pil Lee; Young-Rok SONG
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2010-04-28
Filing date: 2011-04-28
Publication date: 2017-05-04
Anticipated expiration: 2031-04-29
Also published as: JP6049774B2; TW201214826A; JP2013214524A; TWI527285B; TW201442318A; DE102011017648A1; TWI540777B; KR20110120213A; CN103474447B; JP2015120982A; KR101801351B1; JP5628972B2; CN103474447A

Abstract

Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung zur Herstellung eines Dünnfilms auf einem Substrat (600), wobei die Vorrichtung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) aufweist, wobei jede der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) aufweist: eine Abscheidungsquelle (110, 710, 1110, 1210), die ein Abscheidungsmaterial (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215) aufweist, wobei die Abscheidungsquelle (110, 710, 1110, 1210) zur Abgabe des Abscheidungsmaterials (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215) ausgebildet ist; eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit (120, 720, 1120, 1220), die auf einer Seite der Abscheidungsquelle (110, 710, 1110, 1210) angeordnet ist, die dem Substrat (600) zugewandt ist, und eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen (121, 721, 1121, 1221) aufweist; eine Strukturierungsschlitzplatte (150, 250, 350, 450, 550, 750, 1150, 1250), die zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit (120, 720, 1120, 1220) und dem Substrat (600) angeordnet ist und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen (151, 751, 1151, 1251) aufweist, die in eine erste Richtung angeordnet sind und welche dazu ausgebildet sind, das auf dem Substrat (600) abgeschiedene Material zu strukturieren, wobei die Strukturierungsschlitzplatte (150, 250, 350, 450, 550, 750, 1150, 1250) kleiner als das Substrat (600) ist; wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung vom Substrat (600) in einem Abstand beabstandet ist, wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung und das Substrat ...

Description

HINTERGRUND
Gebiet
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen eine Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung, ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung unter Verwendung der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung und eine durch das Verfahren hergestellte organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung.
Beschreibung des Standes der Technik
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen weisen einen größeren Blickwinkel, bessere Kontrasteigenschaften und eine schnellere Ansprechgeschwindigkeit als andere Anzeigevorrichtungen auf und rückten daher als Anzeigevorrichtung der nächsten Generation in den Blickpunkt.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen weisen im Allgemeinen eine Stapelstruktur auf, die eine Anode, eine Kathode und eine Emissionsschicht, die zwischen der Anode und der Kathode angeordnet ist, aufweist. Die Vorrichtungen zeigen Bilder in Farbe an, wenn Löcher und Elektronen, die jeweils von der Anode und der Kathode injiziert werden, in der Emissionsschicht miteinander rekombinieren und dadurch Licht emittiert wird. Mit einer solchen Struktur ist der Erhalt einer hohen Lichtemissionseffizienz indes schwierig, so dass optional Zwischenschichten, die eine Elektroneninjektionsschicht, eine Elektronentransportschicht, eine Lochtransportschicht, eine Lochinjektionsschicht oder Ähnliches aufweisen, zusätzlich zwischen der Emissionsschicht und jeder der Elektroden angeordnet werden.
In der Praxis ist es weiterhin sehr schwierig, feine Muster in organischen Dünnfilmen wie der Emissionsschicht und den Zwischenschichten auszubilden, und die Lichtemissionseffizienz von rotem, grünem und blauem Licht variiert je nach den organischen Dünnfilmen. Daher ist die Ausbildung eines organischen Dünnfilmmusters auf einem großen Substrat, wie einem Mutterglas mit einer Größe von 5G oder mehr, mittels einer konventionellen Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nicht einfach. Eine Größe von 5G entspricht 1000×1200 Pixel oder mehr. Mithin ist es schwierig, große organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen herzustellen, die zufriedenstellende Ansteuerspannungs-, Stromdichte-, Helligkeits-, Farbreinheits-, Lichtemissionseffizienz- und Lebensdauereigenschaften aufweisen. In dieser Hinsicht besteht somit Bedarf an einer Verbesserung.
Eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung weist Zwischenschichten auf, die eine Emissionsschicht aufweisen, die zwischen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode angeordnet ist, die einander gegenüberliegend angeordnet sind. Die Elektroden und die Zwischenschichten können durch zahlreiche Verfahren, unter anderem durch ein Abscheidungsverfahren, ausgebildet werden. Wird eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung durch das Abscheidungsverfahren hergestellt, so wird eine feine Metallmaske (FMM), die das gleiche Muster wie ein auszubildender Dünnfilm aufweist, derart angeordnet, dass sie in engem Kontakt mit einem Substrat steht, wobei ein Dünnfilmmaterial über der feinen Metallmaske abgeschieden wird, um den Dünnfilm mit dem gewünschten Muster auszubilden.
Beispielsweise offenbart die Patentanmeldung US 2009/0181163 A1 eine Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung, welche eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit und eine Strukturierungsschlitzplatte aufweist, wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung und das Substrat bezüglich einander bewegbar sind.
Ferner befasst sich die Patentanmeldung US 2005/0072361 A1 mit einem Verdampfer zur Herstellung eines möglichst gleichmäßigen Dünnfilms auf einem Substrat, wobei das Substrat die Form eines langen Streifens hat, welcher durch eine Trägerrolle gefördert wird.
ZUSAMMENFASSUNG
Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung stellen Folgendes bereit: eine Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung, die sich leicht herstellen lässt, leicht zur Herstellung großformatiger Anzeigevorrichtungen in Großserie verwendbar ist und die Herstellungsergiebigkeit und den Auftragswirkungsgrad erhöht, ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, die unter Verwendung der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung hergestellt wird, und eine durch das Verfahren hergestellte organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung zur Herstellung eines Dünnfilms auf einem Substrat bereitgestellt, wobei die Vorrichtung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweist, wobei jede Dünnfilm-Abscheidungsanordnung aufweist: eine Abscheidungsquelle, die ein Abscheidungsmaterial aufweist, wobei die Abscheidungsquelle das Abscheidungsmaterial abgibt, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit, die auf einer Seite der Abscheidungsquelle angeordnet ist und eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen aufweist, die in eine erste Richtung angeordnet sind, eine Strukturierungsschlitzplatte, die der Abscheidungsquellen-Düseneinheit gegenüberliegend angeordnet ist und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen aufweist, die in die erste Richtung angeordnet sind und welche dazu ausgebildet sind, das auf dem Substrat abgeschiedene Material zu strukturieren, wobei die Strukturierungsschlitzplatte kleiner als das Substrat ist, und eine Barriereplattenanordnung, die eine Vielzahl von Barriereplatten aufweist, die in die erste Richtung angeordnet sind, wobei die Barriereplattenanordnung zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit und der Strukturierungsschlitzplatte angeordnet ist, wobei die Barriereplattenanordnung einen Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit und der Strukturierungsschlitzplatte in eine Vielzahl von Abscheidungsteilräumen teilt, wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung in einem Abstand vom Substrat beabstandet ist, wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung und das Substrat bezüglich einander in die erste Richtung bewegbar sind, wobei das Abscheidungsmaterial ein Material zur Herstellung des Dünnfilms aufweist, das aus der Gruppe bestehend aus einer roten (R) Emissionsschicht, einer grünen (G) Emissionsschicht, einer blauen (B) Emissionsschicht und einer Vielzahl von Hilfsschichten ausgewählt ist.
Vorzugsweise ist zumindest eine Abscheidungsquelle, die Material zur Ausbildung der Hilfsschichten aufweist, zwischen zwei Abscheidungsquellen angeordnet, die jeweils eines der Materialien zur Ausbildung der B Emissionsschicht, der G Emissionsschicht und der R Emissionsschicht aufweisen. Die Anzahl der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtungen kann zumindest fünf betragen, wobei Abscheidungsmaterialien, die jeweils in den Abscheidungsquellen der zumindest fünf Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen angeordnet sind, Materialien zur nacheinander erfolgenden Ausbildung der B Emissionsschicht, einer der Hilfsschichten, der G Emissionsschicht, einer weiteren der Hilfsschichten und der R Emissionsschicht aufweisen können. Die Anzahl der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtungen kann zumindest fünf betragen, wobei die Abscheidungsmaterialien, die jeweils in den Abscheidungsquellen der zumindest fünf Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtungen angeordnet sind, Materialien zur nacheinander erfolgenden Ausbildung der B Emissionsschicht, einer der Hilfsschichten, der R Emissionsschicht, einer weiteren der Hilfsschichten und der G Emissionsschicht aufweisen. Die Abscheidungsmaterialien können jeweils in den Abscheidungsquellen der Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen angeordnet sein und können nacheinander auf dem Substrat abgeschieden werden. Vorzugsweise wird zumindest ein Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der Hilfsschicht zwischen zumindest zwei Abscheidungsmaterialien zur Ausbildung der Emissionsschichten abgeschieden. Entweder kann die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bezüglich des Substrats oder das Substrat bezüglich der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung entlang einer Ebene bewegbar sein, die parallel zu einer Oberfläche des Substrats ist, auf dem die Abscheidungsmaterialien abgeschieden werden. Abscheidungstemperaturen der Abscheidungsquellen der Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen können einzeln geregelt werden. Die Barriereplattenanordnung jeder der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen kann einen Strömungsweg für die Abscheidungsmaterialien ausbilden, die von der Abscheidungsquelle abgegeben werden. Jede der Barriereplatten kann sich in eine zweite Richtung erstrecken, die im Wesentlichen senkrecht zur ersten Richtung ist, und kann einen Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit und der Strukturierungsschlitzplatte in die Vielzahl von Abscheidungsteilräumen teilen. Jede der Barriereplattenanordnungen kann eine erste Barriereplattenanordnung, die eine Vielzahl erster Barriereplatten aufweist, und eine zweite Barriereplattenanordnung, die eine Vielzahl zweiter Barriereplatten aufweist, aufweisen. Jede der ersten Barriereplatten und jede der zweiten Barriereplatten kann sich in eine zweite Richtung erstrecken, die im Wesentlichen senkrecht zur ersten Richtung ist, und einen Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit und der Strukturierungsschlitzplatte in eine Vielzahl von Abscheidungsteilräumen teilen.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung zur Herstellung eines Dünnfilms auf einem Substrat bereitgestellt, wobei die Vorrichtung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweist, wobei jede Dünnfilm-Abscheidungsanordnung Folgendes aufweisen kann: eine Abscheidungsquelle, die ein Abscheidungsmaterial aufweist, wobei die Abscheidungsquelle das Abscheidungsmaterial abgibt, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit, die auf einer Seite der Abscheidungsquelle angeordnet ist und eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen aufweist, die in eine erste Richtung angeordnet sind, und eine Strukturierungsschlitzplatte, die der Abscheidungsquellen-Düseneinheit gegenüberliegend angeordnet ist und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen aufweist, die in eine zur ersten Richtung senkrechte zweite Richtung angeordnet sind, wobei die Abscheidung durchgeführt wird, während entweder das Substrat bezüglich der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung oder die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bezüglich des Substrats in die erste Richtung bewegt wird, wobei die Abscheidungsquelle, die Abscheidungsquellen-Düseneinheit und die Strukturierungsschlitzplatte einstückig miteinander angeordnet sind, und wobei das Abscheidungsmaterial ein Material aufweist, das einen Dünnfilm herstellt, der aus der Gruppe bestehend aus einer R Emissionsschicht, einer G Emissionsschicht, einer B Emissionsschicht und einer Vielzahl von Hilfsschichten ausgewählt ist.
Die Abscheidungsquelle, die Abscheidungsquellen-Düseneinheit und die Strukturierungsschlitzplatte können durch ein Verbindungselement einstückig miteinander verbunden sein. Das Verbindungselement kann einen Strömungsweg zur des Abscheidungsmaterials ausbilden. Das Verbindungselement kann einen Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit, die auf der Seite der Abscheidungsquelle angeordnet ist, und der Strukturierungsschlitzplatte abdichten. Die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung kann in einem Abstand vom Substrat beabstandet sein. Das von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung abgegebene Abscheidungsmaterial kann kontinuierlich auf dem Substrat abgeschieden werden, während entweder das Substrat bezüglich der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung oder die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bezüglich des Substrats in die erste Richtung bewegt wird. Die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen kann in einem Winkel geneigt sein. Die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen kann Abscheidungsquellendüsen aufweisen, die in zwei sich in die erste Richtung erstreckenden Reihen angeordnet sind, wobei die Abscheidungsquellendüsen in den zwei Reihen derart geneigt sind, dass sie einander zugewandt sind. Die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen weist Abscheidungsquellendüsen auf, die in zwei in die erste Richtung ausgebildeten Reihen angeordnet sind, wobei die Abscheidungsquellendüsen einer auf einer ersten Seite der Strukturierungsschlitzplatte befindlichen Reihe derart angeordnet sind, dass sie einer zweiten Seite der Strukturierungsschlitzplatte zugewandt sind, und die Abscheidungsquellendüsen der auf der zweiten Seite der Strukturierungsschlitzplatte befindlichen anderen Reihe derart angeordnet sind, dass sie der ersten Seite der Strukturierungsschlitzplatte zugewandt sind.
Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung zur Ausbildung eines Dünnfilms auf einem Substrat bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Anordnen des Substrats derart, dass es in einem Abstand von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung beabstandet ist, und Abscheidung eines von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung abgegebenen Abscheidungsmaterials auf dem Substrat, während entweder die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bezüglich des Substrats oder das Substrat bezüglich der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bewegt wird, wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweist, wobei jede der besagten Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtungen aufweist: eine Abscheidungsquelle, die ein Abscheidungsmaterial aufweist, wobei die Abscheidungsquelle das Abscheidungsmaterial abgibt, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit, die auf einer Seite der Abscheidungsquelle angeordnet ist und eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen aufweist, die in eine erste Richtung angeordnet sind, eine Strukturierungsschlitzplatte, die der Abscheidungsquellen-Düseneinheit gegenüberliegend angeordnet ist und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen aufweist, die in die erste Richtung angeordnet sind, und eine Barriereplattenanordnung, die eine Vielzahl von Barriereplatten aufweist, die in die erste Richtung angeordnet sind, wobei die Barriereplattenanordnung zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit und der Strukturierungsschlitzplatte angeordnet ist, wobei die Barriereplattenanordnung einen Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit und der Strukturierungsschlitzplatte in eine Vielzahl von Abscheidungsteilräumen teilt, wobei das Abscheidungsmaterial ein Material zur Herstellung des Dünnfilms aufweisen kann, der aus der Gruppe bestehend aus einer roten (R) Emissionsschicht, einer grünen (G) Emissionsschicht, einer blauen (B) Emissionsschicht und einer Vielzahl von Hilfsschichten ausgewählt ist.
Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung zur Ausbildung eines Dünnfilms auf einem Substrat bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Anordnen des Substrats derart, dass es in einem Abstand von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung beabstandet ist, und Abscheidung eines von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung abgegebenen Abscheidungsmaterials auf dem Substrat, während entweder die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bezüglich des Substrats oder das Substrat bezüglich der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bewegt wird, wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweist, wobei jeder der besagten Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweist: eine Abscheidungsquelle, die ein Abscheidungsmaterial aufweist, wobei die Abscheidungsquelle das Abscheidungsmaterial abgibt, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit, die auf einer Seite der Abscheidungsquelle angeordnet ist und eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen aufweist, die in eine erste Richtung angeordnet sind, und eine Strukturierungsschlitzplatte, die der Abscheidungsquellen-Düseneinheit gegenüberliegend angeordnet ist, und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen aufweist, die in eine zur ersten Richtung senkrechte zweite Richtung angeordnet sind, wobei das Abscheidungsmaterial ein Material aufweisen kann, das einen Dünnfilm herstellt, der aus der Gruppe bestehend aus einer R Emissionsschicht, einer G Emissionsschicht, einer B Emissionsschicht und einer Vielzahl von Hilfsschichten ausgewählt ist.
Die Abscheidungsmaterialien zur jeweiligen Ausbildung der B Emissionsschicht, einer der Hilfsschichten, der G Emissionsschicht, einer weiteren der Hilfsschichten und der R Emissionsschicht können jeweils von der Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen abgegeben werden und nacheinander auf dem Substrat abgeschieden werden. Die Abscheidungsmaterialien zur jeweiligen Ausbildung der B Emissionsschicht, einer der Hilfsschichten, der R Emissionsschicht, einer weiteren der Hilfsschichten und der G Emissionsschicht können jeweils von der Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen abgegeben werden und können nacheinander auf dem Substrat abgeschieden werden. Die Abscheidungsmaterialien, die jeweils in den Abscheidungsquellen der Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen angeordnet sind, können nacheinander auf dem Substrat abgeschieden werden. Die Abscheidung des Abscheidungsmaterials auf dem Substrat kann weiterhin die separate Regelung von Abscheidungstemperaturen der Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweisen.
Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die unter Verwendung einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung zur Ausbildung eines Dünnfilms auf einem Substrat hergestellt wird, bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Anordnen des Substrats derart, dass es in einem Abstand von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung beabstandet ist, und Abscheidung eines von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung abgegebenen Abscheidungsmaterials auf dem Substrat, während entweder die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bezüglich des Substrats oder das Substrat bezüglich der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bewegt wird, wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweist, wobei jeder der besagten Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweist: eine Abscheidungsquelle, die ein Abscheidungsmaterial aufweist, wobei die Abscheidungsquelle das Abscheidungsmaterial abgibt, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit, die auf einer Seite der Abscheidungsquelle angeordnet ist und eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen aufweist, die in eine erste Richtung angeordnet sind, und eine Strukturierungsschlitzplatte, die der Abscheidungsquellen-Düseneinheit gegenüberliegend angeordnet ist, und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen aufweist, die in eine zur ersten Richtung senkrechte zweite Richtung angeordnet sind, wobei das Abscheidungsmaterial ein Material aufweisen kann, das einen Dünnfilm herstellt, der aus der Gruppe bestehend aus einer R Emissionsschicht, einer G Emissionsschicht, einer B Emissionsschicht und einer Vielzahl von Hilfsschichten ausgewählt ist.
Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die eine Vielzahl von Pixeln aufweist, wobei jeder der Pixel einen G Subpixel, der eine G Emissionsschicht und eine G Hilfsschicht aufweist, einen R Subpixel, der eine R Emissionsschicht und eine R Hilfsschicht aufweist, und einen B Subpixel aufweist, der eine B Emissionsschicht aufweist, wobei die G Hilfsschicht zwischen der B Emissionsschicht und der G Emissionsschicht angeordnet ist und die R Hilfsschicht zwischen der G Emissionsschicht und der R Emissionsschicht angeordnet ist. Ein Endabschnitt der G Hilfsschicht kann einen Endabschnitt der B Emissionsschicht überlappen, und die G Emissionsschicht kann auf der G Hilfsschicht angeordnet sein. Ein Endabschnitt der R Hilfsschicht kann einen Endabschnitt der G Emissionsschicht überlappen, und die R Emissionsschicht kann auf der R Hilfsschicht angeordnet sein. Die B Emissionsschicht und die G Emissionsschicht können in einem ersten Abstand voneinander beabstandet sein, während die G Emissionsschicht und die R Emissionsschicht in einem zweiten Abstand voneinander beabstandet sein können. Die Anzeige kann außerdem ein Substrat sowie eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweisen, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, wobei die B, G und R Emissionsschicht und die G und R Hilfsschicht zwischen der ersten und zweiten Elektrode angeordnet sein können. Die G Hilfsschicht und die R Hilfsschicht können voneinander verschiedene Dicken aufweisen.
Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die eine Vielzahl von Pixeln aufweist, wobei jeder der Pixel einen G Subpixel, der eine G Emissionsschicht und eine G Hilfsschicht aufweist, einen R Subpixel, der eine R Emissionsschicht und eine R Hilfsschicht aufweist, und einen B Subpixel aufweisen kann, der eine B Emissionsschicht aufweist, wobei die R Hilfsschicht zwischen der B Emissionsschicht und der R Emissionsschicht angeordnet sein kann und die G Hilfsschicht zwischen der R Emissionsschicht und der G Emissionsschicht angeordnet sein kann. Ein Endabschnitt der R Hilfsschicht kann einen Endabschnitt der B Emissionsschicht überlappen, und die R Emissionsschicht kann auf der R Hilfsschicht angeordnet sein. Ein Endabschnitt der G Hilfsschicht kann einen Endabschnitt der R Emissionsschicht überlappen, und die G Emissionsschicht kann auf der G Hilfsschicht angeordnet sein. Die B Emissionsschicht und die R Emissionsschicht können in einem ersten Abstand voneinander beabstandet sein, während die R Emissionsschicht und die G Emissionsschicht in einem zweiten Abstand voneinander beabstandet sein können. Die Anzeige kann außerdem ein Substrat sowie eine erste und eine zweite Elektrode aufweisen, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, wobei die B, G und R Emissionsschicht und die G und R Hilfsschicht zwischen der ersten und zweiten Elektrode angeordnet sein können. Die G Hilfsschicht und die R Hilfsschicht können voneinander verschiedene Dicken aufweisen.
KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
Die oben genannten und weitere Merkmale und Aspekte der vorliegenden Erfindung werden anhand der ausführlichen Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren ersichtlich, wobei in den Figuren:
1 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsanordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
2 eine schematische Schnittdarstellung der in 1 dargestellten Dünnfilm-Abscheidungsanordnung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
3 die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung aus 1 in einer schematischen Draufsicht zeigt;
4 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
5A und 5B Schnittdarstellungen eines Pixels einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung zeigen, die unter Verwendung der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung aus 4 hergestellt wurde;
6 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsanordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
7 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsanordnung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
8 eine schematische Seitenansicht der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung aus 7 zeigt;
9 die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung aus 7 in einer schematischen Draufsicht zeigt;
10 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsanordnung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
11 ein Diagramm zeigt, in dem ein Verteilungsmuster eines bei einer nicht geneigten Abscheidungsquellendüse auf einem Substrat ausgebildeten Abscheidungsfilms bei einer Dünnfilm-Abscheidungsanordnung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schematisch dargestellt ist; und
12 ein Diagramm zeigt, in dem ein Verteilungsmuster eines bei einer geneigten Abscheidungsquellendüse auf einem Substrat ausgebildeten Abscheidungsfilms bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schematisch dargestellt ist.
13 zeigt eine schematische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
14 zeigt eine schematische Darstellung eines modifizierten Beispiels der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung aus 13;
15 zeigt eine Querschnittdarstellung eines Beispiels einer elektrostatischen Haltevorrichtung aus 13 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Nachfolgend sollen eine Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung unter Verwendung der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung ausführlich beschrieben werden.
Wendet man sich nun 1 bis 3 zu, so zeigt 1 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß einen ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, während 2 eine schematische Schnittdarstellung der in 1 dargestellten Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 zeigt und 3 die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 aus 1 in einer schematischen Draufsicht zeigt.
Gemäß 1, 2 und 3 weist die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Abscheidungsquelle 110, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120, eine Barriereplattenanordnung 130 und eine Strukturierungsschlitzplatte 150 auf.
Obwohl der einfacheren Erläuterung halber in 1, 2 und 3 keine Kammer dargestellt ist, können alle Bauelemente der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung 100 in einer Kammer angeordnet sein, in der ein geeignetes Vakuum aufrechterhalten wird. In der Kammer wird ein geeignetes Vakuum aufrechterhalten, damit sich ein Abscheidungsmaterial in einer im Wesentlichen geraden Linie durch die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung 100 bewegen kann.
Insbesondere zur Abscheidung eines Abscheidungsmaterials 115, das von der Abscheidungsquelle 110 emittiert wird und durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und die Strukturierungsschlitzplatte 150 in einem gewünschten Muster auf einem Substrat 600 abgegeben wird, ist die Aufrechterhaltung eines Hochvakuumzustands der Kammer, wie bei einem Abscheidungsverfahren, in dem eine feine Metallmaske (FMM) verwendet wird, notwendig. Zudem müssen die Temperatur der Barriereplatten 131 und der Strukturierungsschlitzplatte 150 hinreichend niedriger als die Temperatur der Abscheidungsquelle 110 sein. Diesbezüglich kann die Temperatur der Barriereplatten 131 und der Strukturierungsschlitzlatte 150 etwa 100°C oder weniger betragen, da das Abscheidungsmaterial 115, das gegen die Barriereplatten 131 geprallt ist, nicht erneut verdampft, wenn die Temperatur der Barriereplatten 131 niedrig genug ist. Zudem lässt sich die Wärmeausdehnung der Strukturierungsschlitzplatte 150 reduzieren oder auf ein Minimum beschränken, wenn die Temperatur der Strukturierungsschlitzplatte 150 niedrig genug ist. Die Barriereplattenanordnung 130 ist der Abscheidungsquelle 110 zugewandt, die eine hohe Temperatur aufweist. Zudem kann die Temperatur eines der Abscheidungsquelle 110 nahe gelegenen Abschnitts der Barriereplattenanordnung 130 um höchstens 167°C steigen, weswegen bei Bedarf weiterhin eine Teilkühlungsvorrichtung enthalten sein kann. Zu diesem Zweck kann die Barriereplattenanordnung 130 ein Kühlelement aufweisen.
Das Substrat 600, das ein Abscheidungsziel bildet, auf dem ein Abscheidungsmaterial 115 abgeschieden werden soll, ist in der Kammer angeordnet. Das Substrat 600 kann ein Substrat für flache Tafelanzeigen sein. Als Substrat 600 kann ein großes Substrat, wie ein Mutterglas, zur Herstellung einer Vielzahl von flachen Anzeigetafeln verwendet werden. Auch andere Substrate können verwendet werden.
Gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Abscheidung durchgeführt werden, während entweder das Substrat 600 bezüglich der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 oder die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 bezüglich des Substrats 600 bewegt wird.
Insbesondere muss beim konventionellen Abscheidungsverfahren unter Verwendung einer feinen Metallmaske die Größe der feinen Metallmaske der Größe eines Substrats entsprechen. Daher muss die Größe der feinen Metallmaske gesteigert werden, wenn das Substrat größer wird. Es ist jedoch weder einfach, eine große feine Metallmaske herzustellen noch eine feine Metallmaske derart auszudehnen, dass sie genau mit einem Muster ausgerichtet ist.
Zur Lösung dieses Problems kann bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Abscheidung durchgeführt werden, während entweder die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 oder das Substrat 500 bezüglich einander bewegt werden. Anders ausgedrückt, kann die Abscheidung kontinuierlich durchgeführt werden, während das Substrat 600, das derart angeordnet ist, dass es der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 zugewandt ist, in Richtung einer Y-Achse bewegt wird. Anders ausgedrückt, erfolgt die Abscheidung abtastend, während das Substrat 600 in 1 in Richtung des Bogens A bewegt wird. Obwohl das Substrat 600 in 1 so dargestellt ist, dass es in Richtung der Y-Achse bewegt wird, wenn die Abscheidung durchgeführt wird, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Die Abscheidung kann stattdessen durchgeführt werden, während die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 in Richtung der Y-Achse bewegt wird, während das Substrat 600 ortsfest ist.
Daher kann bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Strukturierungsschlitzplatte 150 deutlich kleiner als eine bei einem konventionellen Abscheidungsverfahren verwendete feine Metallmaske sein. Anders ausgedrückt, wird bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Abscheidung kontinuierlich, d.h., abtastend, durchgeführt, während das Substrat 600 in Richtung der Y-Achse bewegt wird. Dadurch können Längen der Strukturierungsschlitzplatte 150 in Richtung der X-Achse und in Richtung der Y-Achse deutlich kleiner sein als die Längen des Substrats 600 in Richtung der X-Achse und in Richtung der Y-Achse. Da, wie oben beschrieben, die Strukturierungsschlitzplatte 150 derart ausgebildet sein kann, dass sie deutlich kleiner als eine bei einem konventionellen Abscheidungsverfahren verwendete feine Metallmaske sein kann, ist die Herstellung der in Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung verwendeten Strukturierungsschlitzplatte 150 relativ einfach. Anders ausgedrückt, ist, verglichen mit dem konventionellen Abscheidungsverfahren unter Verwendung der größeren feinen Metallmaske, die Verwendung der Strukturierungsschlitzplatte 150, die kleiner als eine bei einem konventionellen Abscheidungsverfahren verwendete feine Metallmaske ist, für alle Verfahren, darunter Ätzen und anschließende weitere Verfahren, wie Verfahren zur präzisen Ausdehnung, zum Schweißen, Bewegen und Reinigen, praktischer. Für eine relativ große Anzeigevorrichtung ist dies zweckmäßiger oder vorteilhafter.
Zur Durchführung der Abscheidung, während entweder die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 oder das Substrat 600 bezüglich einander bewegt werden, wie dies weiter oben beschrieben ist, können die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 und das Substrat 600 voneinander beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet) sein. Dies soll weiter unten ausführlich beschrieben werden.
Die Abscheidungsquelle 110, die das Abscheidungsmaterial 115 enthält und erhitzt, ist auf einer der Kammer gegenüberliegenden Seite vom Substrat 600 angeordnet. Während das in der Abscheidungsquelle 110 enthaltene Abscheidungsmaterial 115 verdampft, wird das Abscheidungsmaterial 115 auf dem Substrat 600 abgeschieden.
Insbesondere weist die Abscheidungsquelle 110 einen Schmelztiegel 111, der mit dem Abscheidungsmaterial 115 gefüllt ist, und eine Heizvorrichtung 112, die den Schmelztiegel erhitzt, um das im Schmelztiegel 111 angeordnete Abscheidungsmaterial 115 zu verdampfen, auf, so dass das verdampfte Abscheidungsmaterial 115 zur Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 bewegt wird.
Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 ist auf einer Seite der Abscheidungsquelle 110 angeordnet, die dem Substrat 600 zugewandt ist. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 weist eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen 121 auf, die in gleichen Abständen in Richtung der X-Achse angeordnet sind. Das Abscheidungsmaterial 115, das von der Abscheidungsquelle 110 verdampft wird, strömt durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 zum Substrat 600.
Die Barriereplattenanordnung 130 ist auf einer Seite der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 angeordnet, die dem Substrat 600 am nächsten liegt. Die Barriereplattenanordnung 130 weist eine Vielzahl von Barriereplatten 131 und einen Barriereplattenrahmen 132 auf, der Seiten der Barriereplatten 131 bedeckt. Die Vielzahl der Barriereplatten 131 kann in gleichen Abständen in Richtung der X-Achse parallel zueinander angeordnet sein. Zudem kann jede der Barriereplatten 131 parallel zu einer YZ-Ebene in 3 angeordnet sein, d.h., senkrecht zur Richtung der X-Achse. Die Vielzahl der Barriereplatten 131, die wie oben beschrieben angeordnet sind, teilt den Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und der Strukturierungsschlitzplatte 150 in eine Vielzahl von Abscheidungsteilräumen S (siehe 3). Bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird der Abscheidungsraum von den Barriereplatten 131 in die Abscheidungsteilräume S unterteilt, die jeweils mit den Abscheidungsquellendüsen 121 korrespondieren, durch die das Abscheidungsmaterial 115 abgegeben wird.
Die Barriereplatten 131 können jeweils zwischen benachbarten Abscheidungsquellendüsen 121 angeordnet sein. Anders ausgedrückt, kann jede der Abscheidungsquellendüsen 121 zwischen zwei benachbarten Barriereplatten 131 angeordnet sein. Die Abscheidungsquellendüsen 121 können jeweils am Mittelpunkt zwischen zwei benachbarten Barriereplatten 131 angeordnet sein. Da die Barriereplatten 131, wie oben beschrieben, den Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und der Strukturierungsschlitzplatte 150 in die Vielzahl von Abscheidungsteilräumen S teilen, vermischt sich das durch jede der Abscheidungsquellendüsen 121 abgegebene Abscheidungsmaterial 115 nicht mit dem durch die anderen Abscheidungsquellendüsens 121 abgegebenen Abscheidungsmaterial 115, und das Abscheidungsmaterial 115 strömt durch die Strukturierungsschlitze 151, so dass es auf dem Substrat 500 abgeschieden wird. Anders ausgedrückt, leiten die Barriereplatten 131 das Abscheidungsmaterial 115, das durch die Abscheidungsquellendüsen 121 abgegeben wird, derart, dass es sich gerade in Richtung der Z-Achse bewegt und nicht in Richtung der X-Achse strömt.
Wie oben beschrieben, wird das Abscheidungsmaterial 115 durch da Anbringen der Barriereplatten 131 dazu gebracht, sich gerade zu bewegen, so dass, verglichen mit einem Fall, in dem keine Barriereplatten vorhanden sind, eine kleinere Schattenzone auf dem Substrat 600 ausgebildet werden kann. Daher können die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 und das Substrat 600 voneinander beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet) sein. Dies soll weiter unten ausführlich beschrieben werden.
Der Barriereplattenrahmen 132, der obere und untere Seiten der Barriereplatten 131 ausbildet, erhält die Positionen der Barriereplatten 131 aufrecht, und leitet das Abscheidungsmaterial 115, das von den Abscheidungsquellendüsen 121 abgegeben wird, derart, dass das Abscheidungsmaterial 115 nicht in Richtung der Y-Achse strömt. Anders ausgedrückt, weist der Barriereplattenrahmen 132 gemäß der Ausführungsform aus 1 zwei einander gegenüberliegende Barriererahmenplatten auf, die entlang der Richtung der Y-Achse voneinander beabstandet sind, wobei die Barriereplatten 131 dazwischen angeordnet sind. Während die Barriererahmenplatte auf der linken Seite in 1 so erscheint, als weise sie eine geringere Höhe als die eine auf der rechten Seite auf, können sie dennoch die gleiche Höhe aufweisen, wie dies in 2 dargestellt ist.
Obwohl die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und die Barriereplattenanordnung 130 gemäß der Darstellung in einem vorbestimmten Abstand voneinander beabstandet sind, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Um zu verhindern, dass die von der Abscheidungsquelle 110 emittierte Wärme nicht zu der Barriereplattenanordnung 130 geleitet wird, können die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und die Barriereplattenanordnung 130 voneinander beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet) sein. Wenn ein Wärmeisolator zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und der Barriereplattenanordnung 130 angeordnet ist, können alternativ die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und die Barriereplattenanordnung 130 miteinander verbunden sein, wobei sich der Wärmeisolator zwischen ihnen befindet.
Zudem kann die Barriereplattenanordnung 130 derart konstruiert sein, dass sie sich von der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 abnehmen lässt. Ein konventionelles Abscheidungsverfahren unter Verwendung einer feinen Metallmaske hat einen niedrigen Auftragswirkungsgrad. Der Auftragswirkungsgrad bezieht sich auf das Verhältnis eines auf einem Substrat abgeschiedenen Abscheidungsmaterials zum von einer Abscheidungsquelle verdampften Abscheidungsmaterial. Das konventionelle Abscheidungsverfahren unter Verwendung einer feinen Metallmaske weist einen Auftragswirkungsgrad von etwa 32% auf. Weiterhin bleiben beim konventionellen Abscheidungsverfahren unter Verwendung einer feinen Metallmaske etwa 68% des organischen Abscheidungsmaterials, das nicht auf dem Substrat abgeschieden wurde, an einer Abscheidungsvorrichtung haften, was eine Wiederverwendung des Abscheidungsmaterials erschwert.
Zur Lösung dieser Probleme ist bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Abscheidungsraum mittels der Barriereplattenanordnung 130 umschlossen, so dass der Teil des Abscheidungsmaterials 115, der nicht auf dem Substrat 600 abgeschieden werden kann, hauptsächlich auf der Barriereplattenanordnung 130 abgeschieden wird. Da die Barriereplattenanordnung 130 derart konstruiert ist, dass sie sich von der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 abnehmen lässt, kann die Barriereplattenanordnung 130 mithin von der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 abgenommen werden und dann in einer separaten Vorrichtung zum Recyceln von Abscheidungsmaterial angeordnet werden, um das Abscheidungsmaterial 115 rückzugewinnen, wenn nach einem langen Abscheidungsverfahren eine große Menge des Abscheidungsmaterials 115 an der Barriereplattenanordnung 130 haftet. Dank der Struktur der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform erhöht sich die Wiederverwendungsquote des Abscheidungsmaterials 115, so dass sich der Auftragswirkungsgrad erhöht und weniger Abfall anfällt, wodurch die Herstellungskosten sinken.
Die Strukturierungsschlitzplatte 150 und ein Rahmen 155, in den die Strukturierungsschlitzplatte 150 geklemmt ist, sind zwischen der Abscheidungsquelle 110 und dem Substrat 600 angeordnet. Der Rahmen 155 kann in einer Gitterform, ähnlich einem Fensterrahmen, ausgebildet sein. Die Strukturierungsschlitzplatte 150 ist in den Rahmen 155 geklemmt. Die Strukturierungsschlitzplatte 150 weist eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 151 auf, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind. Das Abscheidungsmaterial 115, das in der Abscheidungsquelle 110 verdampft, strömt auf dem Weg zum Substrat 600 durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und die Strukturierungsschlitzplatte 150. Die Strukturierungsschlitzplatte 150 kann durch Ätzen hergestellt werden, was dem Verfahren entspricht, das bei einem konventionellen Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallmaske, insbesondere einer gestreiften feinen Metallmaske, zum Einsatz kommt.
Bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Gesamtzahl der Strukturierungsschlitze 151 größer als die Gesamtzahl der Abscheidungsquellendüsen 121 sein. Zudem kann eine größere Zahl von Strukturierungsschlitzen 151 als von Abscheidungsquellendüsen 121 vorliegen. Anders ausgedrückt, kann zumindest eine Abscheidungsquellendüse 121 zwischen jeweils zwei benachbarten Barriereplatten 131 angeordnet sein. Dabei kann eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 151 (z.B. die in 2 gezeigten Schlitze 151a und 151b) jeweils zwischen zwei benachbarten Barriereplatten 131 angeordnet sein. Der Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und der Strukturierungsschlitzplatte 150 wird von den Barriereplatten 131 in Abscheidungsteilräume S geteilt, die jeweils mit den Abscheidungsquellendüsen 121 korrespondieren. Daher strömt das Abscheidungsmaterial 115, das von jeder der Abscheidungsquellendüsen 121 abgegeben wird, durch eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 151, die im mit der Abscheidungsquellendüse 121 korrespondieren Abscheidungsteilraum S angeordnet sind, und wird dann auf dem Substrat 600 abgeschieden.
Zudem können die Barriereplattenanordnung 130 und die Strukturierungsschlitzplatte 150 derart ausgebildet sein, dass sie voneinander beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet) sind. Alternativ können die Barriereplattenanordnung 130 und die Strukturierungsschlitzplatte 150 durch ein Verbindungselement 135 miteinander verbunden sein. Die Temperatur der Barriereplattenanordnung 130 kann aufgrund der Abscheidungsquelle 110, deren Temperatur hoch ist, auf 100°C oder höher steigen. Um zu verhindern, dass die Wärme der Barriereplattenanordnung 130 zur Strukturierungsschlitzplatte 150 geleitet wird, sind die Barriereplattenanordnung 130 und die Strukturierungsschlitzplatte 150 daher voneinander beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet).
Wie oben beschrieben, führt die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Abscheidung durch, während sie bezüglich des Substrats 600 bewegt wird. Um die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 bezüglich des Substrats 600 zu bewegen, ist die Strukturierungsschlitzplatte 150 vom Substrat 600 beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet). Um die Ausbildung einer relativ großen Schattenzone auf dem Substrat 600 zu verhindern, wenn die Strukturierungsschlitzplatte 150 und das Substrat 600 voneinander beabstandet sind, sind zudem die Barriereplatten 131 zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und der Strukturierungsschlitzplatte 150 angeordnet, so dass das Abscheidungsmaterial 115 dazu gebracht wird, sich in eine gerade Richtung zu bewegen. Dadurch verringert sich die Größe der eventuell auf dem Substrat 600 ausgebildeten Schattenzone erheblich.
Insbesondere erfolgt bei einem konventionellen Abscheidungsverfahren unter Verwendung einer feinen Metallmaske die Abscheidung, indem die feine Metallmaske in engem Kontakt mit einem Substrat steht, um die Ausbildung einer Schattenzone auf dem Substrat zu verhindern. Wird die feine Metallmaske in engem Kontakt mit dem Substrat stehend verwendet, kann der Kontakt indes Schäden verursachen. Zudem muss beim konventionellen Abscheidungsverfahren die Größe der Maske der Größe des Substrats entsprechen, da die Maske nicht bezüglich des Substrats bewegt werden kann. Daher muss die Größe der Maske erhöht werden, wenn Anzeigevorrichtungen größer werden. Die Herstellung einer solchen großen Maske ist jedoch nicht einfach.
Zur Lösung dieses Problems wird die Strukturierungsschlitzplatte 150 bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung derart angeordnet, dass sie vom Substrat 600 beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet) ist. Dies kann dadurch erleichtert werden, dass die Barriereplatten 131 zur Verringerung der Größe der auf dem Substrat 600 ausgebildeten Schattenzone angebracht werden.
Wie oben beschrieben, wird gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung eine Maske derart ausgebildet, dass sie kleiner als ein Substrat ist, und wird die Abscheidung durchgeführt, während die Maske bezüglich des Substrats bewegt wird. Daher lässt sich die Maske leicht herstellen. Zudem lassen sich Schäden, die aufgrund des Kontakts zwischen einem Substrat und einer feinen Metallmaske entstehen, wie dies beim konventionellen Abscheidungsverfahren der Fall ist, verhindern. Da es nicht notwendig ist, während eines Abscheidungsverfahrens die feine Metallmaske in engem Kontakt mit dem Substrat stehend anzuordnen, lässt sich weiterhin die Herstellungszeit reduzieren. Wie oben beschrieben, lässt sich die auf dem Substrat 600 ausgebildete Schattenzone durch Anbringen der Barriereplatten 131 verringern. Dadurch kann die Strukturierungsschlitzplatte 150 vom Substrat 600 beabstandet sein.
Wendet man sich nun 4 zu, so zeigt 4 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß 4 weist die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen auf, von denen jede die in 1 bis 3 dargestellte Struktur der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 aufweist. Anders ausgedrückt, kann die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Mehrfach-Abscheidungsquelle aufweisen, die nacheinander Abscheidungsmaterialien zur Ausbildung einer blauen (B) Emissionsschicht, einer grünen (G’) Hilfsschicht, einer grünen (G) Emissionsschicht, einer roten (R’) Hilfsschicht und einer roten (R) Emissionsschicht abgibt.
Insbesondere weist die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine erste Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100, eine zweite Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 200, eine dritte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 300, eine vierte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 400 und eine fünfte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 500 auf. Sowohl die erste Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 als auch die zweite Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 200 als auch die dritte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 300 als auch die vierte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 400 als auch die fünfte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 500 weisen die gleiche Struktur wie die unter Bezugnahme auf 1 bis 3 beschriebene Dünnfilm-Abscheidungsanordnung auf, weshalb sie hier nicht noch einmal ausführlich beschrieben werden sollen.
Die Abscheidungsquellen 110 der ersten Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100, der zweiten Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 200, der dritten Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 300, der vierten Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 400 und der fünften Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 500 können jeweils verschiedene Abscheidungsmaterialien enthalten.
Zum Beispiel kann die erste Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 ein Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer B Emissionsschicht aufweisen, während die zweite Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 200 ein Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer G’ Hilfsschicht enthalten kann, die dritte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 300 ein Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer G Emissionsschicht enthalten kann, die vierte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 400 ein Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer R’ Hilfsschicht enthalten kann und die fünfte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 500 ein Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer R Emissionsschicht enthalten kann.
Alternativ (in 4 nicht gezeigt) kann die erste Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 stattdessen das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer B Emissionsschicht enthalten, während die zweite Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 200 stattdessen das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer R’ Hilfsschicht enthalten kann, die dritte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 300 stattdessen das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer R Emissionsschicht enthalten kann, die vierte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 400 stattdessen das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer G’ Hilfsschicht enthalten kann und die fünfte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 500 stattdessen das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung einer G Emissionsschicht enthalten kann.
Gemäß der oben genannten Struktur ist die G’ Hilfsschicht (siehe 62G’ in 5A) zwischen der B Emissionsschicht (siehe 62B in 5A) und der G Emissionsschicht (siehe 62G in 5A) angeordnet, während die R’ Hilfsschicht (siehe 62R’ in 5A) zwischen der G Emissionsschicht (siehe 62G in 5A) und der R Emissionsschicht (siehe 62R in 5A) angeordnet ist. Alternativ kann die R’ Hilfsschicht zwischen der B Emissionsschicht und der R Emissionsschicht angeordnet sein, während die G’ Hilfsschicht zwischen der G Emissionsschicht und der R Emissionsschicht angeordnet sein kann, wie in 5B gezeigt. Da eine Zwischenschicht zwischen den zwei benachbarten Emissionsschichten angeordnet ist, stehen die benachbarten Emissionsschichten also nicht miteinander in Kontakt. Dies soll weiter unten unter Bezugnahme auf 5A ausführlich beschrieben werden.
Dabei können die Abscheidungsmaterialien zur Ausbildung der R’ und G’ Hilfsschicht, das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der R Emissionsschicht, das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der G Emissionsschicht und das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der B Emissionsschicht bei voneinander verschiedenen Temperaturen verdampfen. Daher können die Temperaturen der Abscheidungsquellen 110, 210, 310, 410 und 510 jeweils der ersten, zweiten, dritten, vierten und fünften Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100, 200, 300, 400 und 500 so eingestellt werden, dass sie sich voneinander unterscheiden.
Obwohl die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung fünf Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweist, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Anders ausgedrückt, kann eine Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweisen, von denen jede ein anderes Abscheidungsmaterial enthält.
Wie oben beschrieben, kann eine Vielzahl von Dünnfilmen gleichzeitig mittels einer Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen ausgebildet werden, was die Herstellungsergiebigkeit und den Auftragswirkungsgrad erhöht. Zudem wird das gesamte Herstellungsverfahren vereinfacht und die Herstellungskosten gesenkt.
Organische Schichten (siehe die organische Schicht 62 in 5A), die die Emissionsschicht einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aufweisen, können mit einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung ausgebildet werden, die die oben beschriebene Struktur aufweist. Ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann Folgendes aufweisen: Anordnen des Substrats 600 derart, dass es von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet) ist; und Abscheidung eines von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung abgegebenen Abscheidungsmaterials, während entweder die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung oder das Substrat bezüglich einander bewegt werden. Dies soll weiter unten ausführlich beschrieben werden.
Zuerst wird das Substrat 600 derart angeordnet, dass es von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet) ist. Wie oben beschrieben, kann die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung Strukturierungsschlitzplatten 150, 250, 350, 450 und 550 aufweisen, von denen jede kleiner als das Substrat 600 ist, und lässt sich daher relativ leicht herstellen. Daher kann die Abscheidung durchgeführt werden, während entweder die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung oder das Substrat 600 oder aber beide bezüglich einander bewegt werden. Anders ausgedrückt, kann die Abscheidung kontinuierlich durchgeführt werden, während das Substrat 600, das der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gegenüberliegend angeordnet ist, in Richtung der Y-Achse bewegt wird. Anders ausgedrückt, erfolgt die Abscheidung abtastend, während das Substrat 600 in 4 in Richtung eines Bogens A bewegt wird. Zudem müssen die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung und das Substrat 600 voneinander beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet) sein, damit die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung oder das Substrat 600 bezüglich einander bewegt werden. Aus diesem Grund wird das Substrat 600 in einer (nicht gezeigten) Kammer angeordnet und von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet).
Dann wird ein von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung abgegebenes Abscheidungsmaterial auf dem Substrat 600 abgeschieden, während die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung oder das Substrat 600 bezüglich einander bewegt werden. Wie oben beschrieben, kann die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Strukturierungsschlitzplatten 150, 250, 350, 450 und 550 aufweisen, von denen jede kleiner als das Substrat 600 ist, und ist daher relativ leicht herzustellen. Daher wird die Abscheidung durchgeführt, während die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung oder das Substrat 600 bezüglich des jeweils anderen bewegt wird. Obwohl in 1 und 4 dargestellt ist, dass das Substrat 600 in Richtung der Y-Achse bewegt wird, während die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung ortsfest ist, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann stattdessen das Substrat 600 ortsfest sein und die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bezüglich des Substrats 600 bewegt werden.
Die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Mehrfach-Abscheidungsquelle aufweisen, die nacheinander Abscheidungsmaterialien zur Ausbildung der B Emissionsschicht, der G’ Hilfsschicht, der G Emissionsschicht, der R’ Hilfsschicht und der R Emissionsschicht abgibt. Daher kann eine Vielzahl organischer Schichten gleichzeitig ausgebildet werden. Das heißt, dass die zur Durchführung des Verfahrens verwendete Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen aufweisen kann, so dass die B Emissionsschicht (siehe 62B in 5A), die G’ Hilfsschicht (siehe 62G’ in 5A), die G Emissionsschicht (siehe 62G in 5A), die R’ Hilfsschicht (siehe 62R’ in 5A) und die R Emissionsschicht (siehe 62R in 5A) zeitgleich mit einer einzigen Mehrfach-Abscheidungsquelle ausgebildet werden können. Daher verkürzt sich die zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung benötigte Zeit erheblich, und auch die Kosten der Komponenten sinken deutlich, da weniger Kammern benötigt werden.
Organische Schichten 62 der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, die weiter unten beschrieben werden sollen, können mittels der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung hergestellt werden. Zudem ist die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform zur Ausbildung organischer Schichten oder anorganischer Schichten in einem organischen Dünnfilmtransistor sowie zur Ausbildung verschiedener Filme durch verschiedene Materialien verwendbar.
Anschließend soll eine unter Verwendung der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung in 4 hergestellte organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ausführlich beschrieben werden.
Wendet man sich nun 5A und 5B zu, so zeigen 5A und 5B Querschnittdarstellungen eines Pixels der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, die unter Verwendung der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung in 4 hergestellt wird. Der Pixel in 5B ähnelt im Wesentlichen dem Pixel in 5A, abgesehen davon, dass die Positionen der roten und grünen Subpixel vertauscht sind. Daher soll die unten stehende Beschreibung in erster Linie unter Bezugnahme auf 5A erfolgen. Gemäß 5A wird eine Pufferschicht 51 auf einem aus Glas oder Kunststoff bestehenden Substrat 50 ausgebildet. Auf der Pufferschicht 51 werden ein Dünnfilmtransistor (TFT) und eine organische lichtemittierende Diode (OLED) ausgebildet.
Eine aktive Schicht 52, die ein vorbestimmtes Muster aufweist, wird auf der Pufferschicht 51 ausgebildet. Eine Gate-Isolierschicht 52 wird auf der aktiven Schicht 52 ausgebildet, und eine Gate-Elektrode 54 wird in einer vorbestimmten Region der Gate-Isolierschicht 53 ausgebildet. Die Gate-Elektrode 54 wird mit einer (nicht gezeigten) Gate-Leitung verbunden, die ein TFT ON/OFF-Signal anlegt. Eine Zwischenschicht-Isolierschicht 55 wird auf der Gate-Elektrode 54 ausgebildet. Eine Source-Elektrode 56 und eine Drain-Elektrode 57 werden derart ausgebildet, dass sie über Kontaktlöcher jeweils mit einer Source-Region 52a und einer Drain-Region 52c der aktiven Schicht 52 in Kontakt stehen. Eine Passivierungsschicht 58, die aus SiO₂, SiN_x oder Ähnlichem besteht, wird auf der Source-Elektrode 56 und der Drain-Elektrode 57 ausgebildet. Eine Planarisierungsschicht 59, die aus einem organischen Material, wie Acryl, Poyimid, Benzocyclobuten (BCB) oder Ähnlichem, besteht, wird auf der Passivierungsschicht 58 ausgebildet. Eine erste Elektrode 61, die als Anode der OLED fungiert, wird auf der Planarisierungsschicht 59 ausgebildet, und eine Pixeldefinitionsschicht 60, die aus einem organischen Material besteht, wird auf der ersten Elektrode 61 ausgebildet. Eine Öffnung wird in der Pixeldefinitionsschicht 60 ausgebildet, und eine organische Schicht 62 wird auf einer Oberfläche der Pixeldefinitionsschicht 60 und auf einer Oberfläche der ersten Elektrode 61, die durch die Öffnung freigelegt werden, ausgebildet. Die organische Schicht 62 weist eine Emissionsschicht auf. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebene Struktur der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung beschränkt, so dass verschiedene Strukturen organischer lichtemittierender Anzeigevorrichtungen auf die beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung anwendbar sind.
Die OLED zeigt eine vorbestimmte Bildinformation durch die Emission von rotem, grünem und blauem Licht an, wenn Strom fließt. Die OLED weist die erste Elektrode 61, die mit der Drain-Elektrode 57 des Dünnfilmtransistors verbunden ist und an die eine positive Spannung angelegt wird, eine zweite Elektrode 63, die derart ausgebildet ist, dass sie den gesamten Subpixel bedeckt, und an die eine negative Spannung angelegt wird, und die organische Schicht 62, die zur Emission von Licht zwischen der ersten Elektrode 61 und der zweiten Elektrode 63 angeordnet ist, auf. Die erste Elektrode 61 und die zweite Elektrode 63 sind durch die organische Schicht 62 voneinander isoliert und legen jeweils Spannungen entgegengesetzter Polaritäten an die organische Schicht 62 an, so dass sie eine Lichtemission in der organischen Schicht 62 induzieren.
Die organische Schicht 62 kann eine niedermolekulare organische Schicht oder ein hochmolekulares organisches Material aufweisen. Wird eine niedermolekulare organische Schicht verwendet, kann die organische Schicht 62 eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur aufweisen, die zumindest eine Schicht aufweist, die aus der Gruppe bestehend aus einer Lochinjektionsschicht (HIL), einer Lochtransportschicht (HTL), einer Emissionsschicht (EML), einer Elektronentransportschicht (ETL) und einer Elektroneninjektionsschicht (EIL) ausgewählt ist. Beispiele nutzbarer organischer Materialien können Kupfer-Phthalocyanin (CuPc), N,N’-di(naphthalin-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidin (NPB), Tris-8-Hydroxyquinolin-Aluminium (Alq3) und Ähnliches aufweisen. Die niedermolekulare organische Schicht kann durch Vakuumabscheidung ausgebildet werden. Wenn die organische Schicht 62 eine hochmolekulare organische Schicht aufweist, kann sie hauptsächlich eine Struktur aufweisen, die eine Lochtransportschicht (HTL) und eine Emissionsschicht (EML) aufweist. Dabei kann die Lochtransportschicht (HTL) aus Poly(ethylendioxythiophen) (PEDOT) ausgebildet sein, und die Emissionsschicht (EML) kann aus Polyphenylvinylenen (PPVs) oder Polyfluorenen ausgebildet sein. Die Lochtransportschicht (HTL) und die Emissionsschicht (EML) können durch Siebdruck, Tintenstrahldruck oder Ähnliches ausgebildet werden. Die organische Schicht 62 ist nicht auf die oben beschriebenen organischen Schichten beschränkt, sondern kann auf verschiedenerlei Weise ausgeführt werden und immer noch im Schutzbereich der vorliegenden Erfindung eingeschlossen sein.
Die erste Elektrode 61 kann als Anode fungieren, während die zweite Elektrode 63 als Kathode fungieren kann. Alternativ kann die erste Elektrode 61 als Kathode und die zweite Elektrode 63 als Anode fungieren.
Die erste Elektrode 61 kann eine transparente Elektrode oder eine reflektierende Elektrode sein. Eine derartige transparente Elektrode kann aus Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Zinkoxid (ZnO) oder Indiumoxid (In₂O₃) ausgebildet werden. Eine derartige reflektierende Elektrode kann durch die Ausbildung einer reflektierenden Schicht aus Silber (Ag), Magnesium (Mg), Aluminium (Al), Platin (Pt), Palladium (Pd), Gold (Au), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Iridium (Ir), Chrom (Cr) oder einer Verbindung derselben und die Ausbildung einer Schicht aus ITO, IZO, ZnO oder In₂O₃ auf der reflektierenden Schicht ausgebildet werden.
Die zweite Elektrode 63 kann als transparente Elektrode oder reflektierende Elektrode ausgebildet werden. Wird die zweite Elektrode 63 als transparente Elektrode ausgebildet, fungiert die zweite Elektrode 63 als Kathode. Dazu kann eine derartige transparente Elektrode durch Abscheidung eines Metalls, das eine niedrige Austrittsarbeit aufweist, wie Lithium (Li), Calcium (Ca), Lithiumfluorid/Calcium (LiF/Ca), Lithiumfluorid/Aluminium (LiF/Al), Aluminium (Al), Silber (Ag), Magnesium (Mg) oder eine Verbindung derselben, auf einer Oberfläche der organischen Schicht 62 und durch die Ausbildung einer zusätzlichen Elektrodenschicht oder einer Bus-Elektrodenleitung darauf aus einem Material zur Ausbildung einer transparenten Elektrode, wie ITO, IZO, ZnO, In₂O₃ oder Ähnliches, ausgebildet werden. Wird die zweite Elektrode 63 als reflektierende Elektrode ausgebildet, kann die reflektierende Schicht durch Abscheidung von Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg oder einer Verbindung derselben auf der gesamten Oberfläche der organischen Schicht 62 ausgebildet werden.
Bei der oben beschriebenen organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung kann die die Emissionsschicht aufweisende organische Schicht 62 durch Verwendung einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung 100 (vgl. 1), die weiter unten beschrieben werden soll, ausgebildet werden. Genauer, kann die organische Schicht 62 Emissionsschichten 62R, 62G und 62B und Hilfsschichten 62R’ und 62G’ aufweisen. Je nach den verwendeten Abscheidungsmaterialien können die Emissionsschichten 62R, 62G und 62B jeweils rotes (R), grünes (G) und blaues (B) Farblicht aufweisen. Die Hilfsschichten 62R’ und 62G’ werden dagegen aus dem gleichen Material, aus dem die Lochtransportschicht hergestellt wird, ausgebildet; eine Zwischenschicht, die die Hilfsschichten 62R’ und 62G’ aufweist, kann derart ausgebildet werden, dass sie in R, G und B Subpixeln verschieden sein kann, die jeweils rotes, grünes und blaues Licht emittieren. Dies soll weiter unten ausführlich beschrieben werden.
Eine der ersten und zweiten Elektrode 61 und 63 ist eine reflektierende Elektrode, während die andere eine halbtransparente Elektrode oder eine transparente Elektrode ist. Wenn die OLED angesteuert wird, kann es daher zum Schwingen zwischen der ersten und zweiten Elektrode 61 und 63 kommen. Wenn die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung angesteuert wird, schwingt das von den Emissionsschichten 62R, 62G und 62B zwischen der ersten und zweiten Elektrode 61 und 63 emittierte Licht zwischen der ersten und zweiten Elektrode 61 und 63 und wird aus der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung emittiert. Dadurch können sich die Leuchtdichte und die Lichtemissionseffizienz verbessern. Um die schwingende Struktur auszubilden, kann bei der unter Verwendung der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung hergestellten organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß dieser Ausführung die Zwischenschicht, die die Hilfsschichten 62R’ und 62G’ aufweist, in R, G und B Subpixeln, die jeweils rotes, grünes und blaues Licht emittieren, verschiedene Dicken aufweisen. Da die Hilfsschichten 62R’ und 62G’ in der organischen Schicht 62, die zwischen der ersten und zweiten Elektrode 61 und 63 angeordnet ist, Dicken aufweisen können, die der emittierten Farbe der Emissionsschicht entsprechend optimiert (oder geeignet) sind, lassen sich hervorragende Ansteuerspannungs-, Stromdichte-, Emissionsleuchtdichte-, Farbreinheits-, Lichtemissionseffizienz- und Lebensdauereigenschaften erzielen.
Bei einer typischen organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung werden die Hilfsschichten 62R’ und 62G’ im Allgemeinen auf der ersten Elektrode 61 ausgebildet und werden dann nacheinander die R Emissionsschicht 62R und die G Emissionsschicht 62G auf den Hilfsschichten ausgebildet. Wenn das Substrat und die Strukturierungsschlitzplatte voneinander beabstandet sind, wie dies bei der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung zur Ausbildung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß dieser Ausführungsform der Fall ist, besteht allerdings eine, wenn auch geringe, Wahrscheinlichkeit, dass eine Schattenzone auf dem Substrat entsteht. Entsteht eine Schattenzone und werden die benachbarten Emissionsschichten vermischt, so verringert sich die Lichtemissionseffizienz und steigt die Ansteuerspannung.

Wie in der nachfolgenden Tabelle 1 gezeigt, heißt das, dass eine externe Quantenausbeute (EQE) der B Emissionsschicht 62B in einem Normalzustand, das heißt, wenn es keine überlappende Region gibt, 6,29% beträgt. Die externe Quantenausbeute der B Emissionsschicht verringert sich jedoch deutlich auf 1,53% oder 2,76%, wenn nur 1% der R Emissionsschicht 62R oder der G Emissionsschicht 62G die blaue (B) Emissionsschicht 62B überlappt. Tabelle 1

	Blau wird von 1% von R überlappt	Blau(normal)	Blau wird von 1% von G überlappt	Grün(normal)	Grün wird von 1% von R überlappt
EQE (%)	1,53	6,29	2,76	12,29
Effizienz (cd/A)	0,9	3,7	5,3	50,5	26,4
Cx	0,159	0,144	0,170	0,223	0,233
Cy	0,068	0,057	0,222	0,711
Spitzenwellenlänge (nm)	456	456	455	529	529

Um das oben beschriebene Problem anzugehen, werden bei der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß dieser Ausführungsform Subpixel in einem Pixel in einer Reihenfolge von B, G und R Subpixeln angeordnet, wobei ein Endabschnitt der G’ Hilfsschicht 62G’ und ein Endabschnitt der G Emissionsschicht 62G einen Endabschnitt der B Emissionsschicht 62B überlappen und ein Endabschnitt der R’ Hilfsschicht 62R’ sowie ein Endabschnitt der R Emissionsschicht 62R den anderen Endabschnitt der G Emissionsschicht 62G überlappen.
Wie oben beschrieben, enthält die erste Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 (vgl. 4) das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der B Emissionsschicht 62B, während die zweite Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 200 (vgl. 4) das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der G’ Hilfsschicht 62G’ enthält, die dritte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 300 (vgl. 4) das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der G Emissionsschicht 62G enthält, die vierte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 400 (vgl. 4) das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der R’ Hilfsschicht 62R’ enthält und die fünfte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 500 (vgl. 4) das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der R Emissionsschicht 62R enthält.
In diesem Fall wird zuerst die B Emissionsschicht 62B ausgebildet und dann die G’ Hilfsschicht 62G’ ausgebildet. Dabei überlappen sich ein rechtes Ende der B Emissionsschicht 62B und ein linkes Ende der G’ Hilfsschicht 62G’ zu einem bestimmten Grad, d.h., das linke Ende der G’ Hilfsschicht 62G’ wird auf dem rechten Ende der B Emissionsschicht 62B abgeschieden. Dann wird die G Emissionsschicht 62G auf der G’ Hilfsschicht 62G’ ausgebildet. Da die G’ Hilfsschicht 62G’ zwischen der B Emissionsschicht 62B und der G Emissionsschicht 62G angeordnet wird, stehen also die benachbarte B Emissionsschicht 62B und G Emissionsschicht 62G nicht unmittelbar miteinander in Kontakt.
Dann wird die R’ Hilfsschicht 62R’ ausgebildet. Dabei überlappen sich das rechte Ende der G Emissionsschicht 62G und das linke Ende der R’ Hilfsschicht 62R’ zu einem bestimmten Grad, d.h., das linke Ende der R’ Hilfsschicht 62R’ wird auf dem rechten Ende der G Emissionsschicht 62G abgeschieden. Anschließend wird die R Emissionsschicht 62R auf der R’ Hilfsschicht 62R’ ausgebildet. Da die R’ Hilfsschicht 62R’ zwischen der G Emissionsschicht 62G und der R Emissionsschicht 62R angeordnet wird, stehen also die G Emissionsschicht 62G und die R Emissionsschicht 62R, die zueinander benachbart sind, nicht unmittelbar miteinander in Kontakt.
Wie in Tabelle 2 gezeigt, befindet sich eine externe Quantenausbeute der B Emissionsschicht 62B in einem Normalzustand, d.h., beträgt 6,29%, wenn es keine überlappende Region gibt. Zudem beträgt eine externe Quantenausbeute etwa 5,87%, wenn die R’ Hilfsschicht und die R Emissionsschicht 62R die B Emissionsschicht 62B um etwa 1% überlappen, während eine externe Quantenausbeute etwa 5,42% beträgt, wenn die G’ Hilfsschicht und die G Emissionsschicht 62G die B Emissionsschicht 62B um etwa 1% überlappen. Das heißt, dass sich die Lichtemissionseffizienz der Lichtemissionsschicht im Vergleich zu Tabelle 1, in der die Hilfszwischenschichten nicht zwischen den benachbarten Emissionsschichten angeordnet sind, erheblich erhöht, dass es nicht zu einer Farbmischung kommt und dass sich die Wiedergabe von Farbkoordinaten verbessert. Tabelle 2
Obwohl dies nicht in den Figuren gezeigt ist, kann die erste Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der B Emissionsschicht enthalten, während die zweite Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 200 das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der R’ Hilfsschicht enthalten kann, die dritte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 300 das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der R Emissionsschicht enthalten kann, die vierte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 400 das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der G’ Hilfsschicht enthalten kann und die fünfte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 500 das Abscheidungsmaterial zur Ausbildung der G Emissionsschicht enthalten kann.
In diesem Fall wird zuerst die B Emissionsschicht ausgebildet und dann die R’ Emissionsschicht ausgebildet. Dabei überlappen sich ein rechte Ende der B Emissionsschicht und ein linkes Ende der R’ Hilfsschicht zu einem bestimmten Grad, d.h., das linke Ende der R’ Hilfsschicht wird auf dem rechten Ende der B Emissionsschicht abgeschieden. Anschließend wird die R Emissionsschicht auf der R’ Hilfsschicht ausgebildet wird. Das heißt, dass die R’ Hilfsschicht zwischen der B Emissionsschicht und der R Emissionsschicht angeordnet wird und dadurch die benachbarte B Emissionsschicht und R Emissionsschicht nicht unmittelbar miteinander in Kontakt stehen.
Dann wird die G’ Hilfsschicht ausgebildet. Dabei überlappen sich ein rechtes Ende der R Emissionsschicht und ein linkes Ende der G’ Hilfsschicht zu einem bestimmten Grad, d.h., das linke Ende der G’ Hilfsschicht wird auf dem rechten Ende der R Emissionsschicht abgeschieden. Anschließend wird eine G Emissionsschicht auf der G’ Hilfsschicht ausgebildet. Da die G’ Hilfsschicht zwischen der R Emissionsschicht und der G Emissionsschicht angeordnet wird, stehen also die benachbarte R Emissionsschicht und G Emissionsschicht nicht unmittelbar miteinander in Kontakt.
Gemäß dieser Ausführungsform lassen sich die Verschlechterung der Lichtemissionseffizienz und die Farbmischung aufgrund der Überlappung benachbarter Emissionsschichten verringern.
Wendet man sich nun 6 zu, so zeigt 6 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 700 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß 6 weist die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 700 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Abscheidungsquelle 710, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720, eine erste Barriereplattenanordnung 730, eine zweite Barriereplattenanordnung 740 und eine Strukturierungsschlitzplatte 750 auf, um ein Abscheidungsmaterial auf einem Substrat 600 abzuscheiden.
Obwohl in 6 der einfacheren Erläuterung halber keine Kammer dargestellt ist, können alle Bauelemente der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 700 in einer Kammer angeordnet sein, in der ein geeignetes Vakuum aufrechterhalten wird. In der Kammer wird ein geeignetes Vakuum aufrechterhalten, damit sich ein Abscheidungsmaterial in einer im Wesentlichen geraden Linie durch die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 700 bewegen kann.
Das Substrat 600, das ein Abscheidungsziel bildet, auf dem ein Abscheidungsmaterial 115 abgeschieden werden soll, ist in der Kammer angeordnet. Die Abscheidungsquelle 710, die das Abscheidungsmaterial 715 enthält und erhitzt, ist auf einer Seite der Kammer angeordnet, die einer Seite, auf der das Substrat 600 angeordnet ist, gegenüberliegt. Die Abscheidungsquelle 710 kann einen Schmelztiegel 711 und eine Heizvorrichtung 712 aufweisen.
Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 ist auf einer Seite der Abscheidungsquelle 710 angeordnet, die dem Substrat 600 zugewandt ist. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 weist eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen 721 auf, die in gleichen Abständen in Richtung der X-Achse angeordnet sind.
Die erste Barriereplattenanordnung 730 ist auf einer Seite der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 angeordnet, die dem Substrat 600 zugewandt ist. Die erste Barriereplattenanordnung 730 weist eine Vielzahl erster Barriereplatten 731 und einen ersten Barriereplattenrahmen 732 auf, der Seiten der ersten Barriereplatten 731 bedeckt. Der erste Barriereplattenrahmen 732 gemäß der Ausführungsform in 6 weist zwei einander gegenüberliegende erste Barriererahmenplatten auf, die entlang der Richtung der Y-Achse voneinander beabstandet sind, wobei die ersten Barriereplatten 731 dazwischen angeordnet ist. Während die Barriererahmenplatte auf der linken Seite in 6 so erscheint, als weise sie eine geringere Höhe als die eine auf der rechten Seite auf, können sie dennoch die gleiche Höhe aufweisen.
Die zweite Barriereplattenanordnung 740 ist auf einer Seite der ersten Barriereplattenanordnung 730 angeordnet, die dem Substrat 600 zugewandt ist. Die zweite Barriereplattenanordnung 740 weist eine Vielzahl zweiter Barriereplatten 741 und einen zweiten Barriereplattenrahmen 742 auf, der Seiten der zweiten Barriereplatten 741 bedeckt.
Die Strukturierungsschlitzplatte 750 und ein Rahmen 755, in den die Strukturierungsschlitzplatte 755 geklemmt ist, sind zwischen der Abscheidungsquelle 110 und dem Substrat 600 angeordnet. Der Rahmen 155 kann in einer Gitterform, ähnlich einem Fensterrahmen, ausgebildet sein. Die Strukturierungsschlitzplatte 750 weist eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 751 auf, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind, wobei sich die Strukturierungsschlitze 751 in Richtung der Y-Achse erstrecken.
Die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 700 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist zwei separate Barriereplattenanordnungen, d.h., die erste Barriereplattenanordnung 730 und die zweite Barriereplattenanordnung 740, auf.
Die Vielzahl erster Barriereplatten 731 kann in gleichen Abständen in Richtung der X-Achse parallel zueinander angeordnet sein. Zudem kann jede der ersten Barriereplatten 731 derart ausgebildet sein, dass sie sich entlang einer YZ-Ebene erstreckt, d.h., senkrecht zur Richtung der X-Achse.
Die Vielzahl zweiter Barriereplatten 741 kann in gleichen Abständen in Richtung der X-Achse parallel zueinander angeordnet sein. Zudem kann jede der zweiten Barriereplatten 741 derart ausgebildet sein, dass sie sich parallel zur YZ-Ebene erstreckt, d.h., senkrecht zur Richtung der X-Achse.
Die Vielzahl der wie oben beschrieben angeordneten ersten Barriereplatten 731 und zweiten Barriereplatten 741 teilen den Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 und der Strukturierungsschlitzplatte 750. Bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 700 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird der Abscheidungsraum von den ersten Barriereplatten 731 und den zweiten Barriereplatten 741 in Abscheidungsteilräume unterteilt, die jeweils mit den Abscheidungsquellendüsen 721 korrespondieren, durch die das Abscheidungsmaterial 715 abgegeben wird.
Die zweiten Barriereplatten 741 können derart angeordnet sein, dass sie jeweils mit den ersten Barriereplatten 731 korrespondieren. Anders ausgedrückt, können die zweiten Barriereplatten 741 jeweils derart angeordnet sein, dass sie parallel zu und auf derselben Ebene wie die ersten Barriereplatten 731 sind. Jedes Paar der korrespondierenden ersten und zweiten Barriereplatten 731 und 741 kann auf derselben Ebene angeordnet sein. Da, wie oben beschrieben, der Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 und der Strukturierungsschlitzplatte 750, der weiter unten beschrieben werden soll, von der Kombination der ersten Barriereplatten 741 und der zweiten Barriereplatten 741, die parallel zueinander angeordnet sind, geteilt wird, vermischt sich das durch eine der Abscheidungsquellendüsen 721 abgegebene Abscheidungsmaterial 715 nicht mit dem durch die anderen Abscheidungsquellendüsen 721 abgegebenen Abscheidungsmaterial 715 und wird durch die Strukturierungsschlitze 751 auf dem Substrat 600 abgeschieden. Anders ausgedrückt, leiten die ersten Barriereplatten 731 und die zweiten Barriereplatten 741 das Abscheidungsmaterial 715, das durch die Abscheidungsquellendüsen 721 abgegeben wird, derart, dass es nicht in Richtung der X-Achse strömt.
Obwohl die ersten Barriereplatten 731 und die zweiten Barriereplatten 741 in 6 jeweils derart dargestellt sind, dass sie in Richtung der X-Achse die gleiche Dicke aufweisen, sind Aspekte der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. Anders ausgedrückt, können die zweiten Barriereplatten 741, die exakt mit der Strukturierungsschlitzplatte 750 ausgerichtet sein müssen, derart ausgebildet sein, dass sie relativ dünn sind, wohingegen die ersten Barriereplatten 731, die nicht exakt mit der Strukturierungsschlitzplatte 750 ausgerichtet sein müssen, derart ausgebildet sein können, dass sie relativ dick sind. Dies erleichtert die Herstellung der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung.
Obwohl dies nicht dargestellt ist, kann eine Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen wie in 4 aufweisen, von denen jede die in 6 dargestellte Struktur aufweist. Anders ausgedrückt, kann die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Mehrfach-Abscheidungsquelle aufweisen, die nacheinander Abscheidungsmaterialien zur Ausbildung einer blauen (B) Emissionsschicht, einer grünen (G’) Hilfsschicht, einer grünen (G) Emissionsschicht, einer roten (R’) Hilfsschicht und einer roten (R) Emissionsschicht abgibt. Die Abscheidung erfolgt abtastend, während das Substrat 600 in eine Richtung eines Bogens C in 6 bewegt wird. Da die Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen im Hinblick auf die erste Ausführungsform ausführlich beschrieben wurden, sollen sie hier nicht ausführlich beschrieben werden.
Wendet man sich nun 7 bis 9 zu, so zeigt 7 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1100 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, während 8 eine schematische Querschnittdarstellung der in 7 dargestellten Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1100 zeigt und 9 die in 7 dargestellte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1100 in einer schematischen Draufsicht zeigt. Gemäß 7, 8 und 9 weist die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1100 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Abscheidungsquelle 1100, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120 und eine Strukturierungsschlitzplatte 1150 auf.
Obwohl der einfacheren Erläuterung halber in 7, 8, und 9 keine Kammer dargestellt ist, können alle Bauelemente der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1100 in einer Kammer angeordnet sein, in der ein geeignetes Vakuum aufrechterhalten wird. In der Kammer wird ein geeignetes Vakuum aufrechterhalten, damit sich ein Abscheidungsmaterial in einer im Wesentlichen geraden Linie durch die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1100 bewegen kann.
Das Substrat 600, das ein Abscheidungsziel bildet, auf dem ein Abscheidungsmaterial 1115 abgeschieden werden soll, ist in der Kammer angeordnet. Die Abscheidungsquelle 1110, die einen Schmelztiegel 1111 und eine Heizvorrichtung 1112 enthält und das Abscheidungsmaterial 1115 erhitzt, ist auf einer Seite der Kammer angeordnet, die einer Seite, auf der das Substrat 600 angeordnet ist, gegenüberliegt.
Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120 ist auf einer Seite der Abscheidungsquelle 1110, insbesondere auf der Seite der Abscheidungsquelle 1110, die dem Substrat 600 zugewandt ist, angeordnet. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120 weist eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen 1121 auf, die in gleichen Abständen in Richtung der Y-Achse, d.h., in einer Abtastrichtung des Substrats 600, angeordnet sind. Das in der Abscheidungsquelle 1110 verdampfte Abscheidungsmaterial 1115 strömt durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120 zum Substrat 600. Wenn, wie oben beschrieben, die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120 die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen 1121, die in Richtung der Y-Achse, d.h., in Abtastrichtung des Substrats 600, angeordnet sind, aufweist, wird die Größe eines Musters, das vom Abscheidungsmaterial ausgebildet wird, das durch die Strukturierungsschlitze 1150 der Strukturierungsschlitzplatte 1151 abgegeben wird, durch die Größe einer der Abscheidungsquellendüsen 1121 beeinflusst (da nur eine Linie von Abscheidungsquellen in Richtung der Y-Achse existiert), weswegen keine Schattenzone auf dem Substrat 600 ausgebildet werden kann. Da die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen 1121 in Abtastrichtung des Substrats 600 ausgebildet ist, lässt sich zudem, auch wenn hinsichtlich der Strömung ein Unterschied zwischen den Abscheidungsquellendüsen 1121 besteht, dieser Unterschied kompensieren und eine gleichmäßige Abscheidung konstant aufrechterhalten.
Die Strukturierungsschlitzplatte 1150 und ein Rahmen 1155, in den die Strukturierungsschlitzplatte 1155 geklemmt ist, sind zwischen der Abscheidungsquelle 1110 und dem Substrat 600 angeordnet. Der Rahmen 1155 kann in einer Gitterform, ähnlich einem Fensterrahmen, ausgebildet sein. Die Strukturierungsschlitzplatte 1150 ist in den Rahmen 1155 geklemmt. Die Strukturierungsschlitzplatte 1150 weist eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 1151 auf, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind, wobei jeder Schlitz Öffnungen aufweist, die sich in Richtung der Y-Achse erstrecken. Das Abscheidungsmaterial 1115, das in der Abscheidungsquelle 1110 verdampft ist, strömt durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120 und die Strukturierungsschlitze 1150 zum Substrat 600. Die Strukturierungsschlitzplatte 1150 lässt sich durch Ätzen herstellen, was dem Verfahren entspricht, das auch bei einem konventionellen Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallmaske, insbesondere einer gestreiften feinen Metallmaske, zum Einsatz kommt.
Zudem können die Abscheidungsquelle 1110 und die an die Abscheidungsquelle 1110 angekoppelte Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120 derart angeordnet sein, dass sie von der Strukturierungsschlitzplatte 1150 beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand voneinander beabstandet) sind. Alternativ können die Abscheidungsquelle 1110 und die an die Abscheidungsquelle 1110 angekoppelte Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120, durch ein Verbindungselement 1135 mit der Strukturierungsschlitzplatte 1150 verbunden sein. Das heißt, die Abscheidungsquelle 1110, die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120 und die Strukturierungsschlitzplatte 1150 können einstückig miteinander ausgebildet sein, indem sie durch das Verbindungselement 1135 miteinander verbunden sind. Das Verbindungselement 1135 leitet das Abscheidungsmaterial 1115, das durch die Abscheidungsquellendüsen 1121 abgegeben wird, derart, dass es sich gerade in Richtung der Z-Achse bewegt und nicht abweichend in Richtung der X-Achse strömt. In 7 sind die Verbindungselemente 1135 auf der linken und rechten Seite der Abscheidungsquelle 1110 ausgebildet. Das Verbindungselement 1135, die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1120 und die Strukturierungsschlitzplatte 1150 leiten das Abscheidungsmaterial 1115, um zu verhindern, dass das Abscheidungsmaterial 1115 in Richtung der X-Achse strömt, Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht darauf beschränkt. Das heißt, das Verbindungselement 1135 kann als abgedichtete Kiste derart ausgebildet sein, dass es den Strom des Abscheidungsmaterials 1115 sowohl in Richtung der X-Achse als auch der Y-Achse einschränkt.
Wie oben beschrieben, führt die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1100 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Abscheidung durch, während sie bezüglich des Substrats 600 bewegt wird. Um die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1100 bezüglich des Substrats 600 zu bewegen, muss die Strukturierungsschlitzplatte 1150 vom Substrat 600 beabstandet (z.B. in einem vorbestimmten Abstand beabstandet) sein.
Wie oben beschrieben, wird gemäß den beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung eine Maske derart ausgebildet, dass sie kleiner als ein Substrat ist, und wird die Abscheidung durchgeführt, während die Maske bezüglich des Substrats bewegt wird. Auf diese Weise lässt sich die Maske leicht herstellen. Zudem lassen sich Schäden, die beim konventionellen Abscheidungsverfahren aufgrund eines Kontakts zwischen einem Substrat und einer feinen Metallmaske auftreten, verhindern. Da es nicht notwendig ist, während eines Abscheidungsverfahrens die feine Metallmaske in engem Kontakt mit dem Substrat stehend zu verwenden, lässt sich weiterhin die Herstellungsdauer verkürzen.
Obwohl dies nicht dargestellt ist, kann eine Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen wie in 4 aufweisen, von denen jede die in 7 bis 9 dargestellte Struktur aufweist. Anders ausgedrückt, kann die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Mehrfach-Abscheidungsquelle aufweisen, die nacheinander Abscheidungsmaterialien zur Ausbildung einer blauen (B) Emissionsschicht, einer grünen (G’) Hilfsschicht, einer grünen (G) Emissionsschicht, einer roten (R’) Hilfsschicht und einer roten (R) Emissionsschicht abgibt. Die Abscheidung erfolgt abtastend, während das Substrat 600 in eine Richtung eines Bogens A in 7 bewegt wird. Da die Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen im Hinblick auf die erste Ausführungsform ausführlich beschrieben wurden, sollen sie hier nicht ausführlich beschrieben werden.
Wendet man sich nun 10 zu, so zeigt 10 eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1200 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß 10 weist die Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1200 gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Abscheidungsquelle 1210, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1220 und eine Strukturierungsschlitzplatte 1250 auf. Insbesondere weist die Abscheidungsquelle 1210 einen Schmelztiegel 1211, der mit dem Abscheidungsmaterial 1215 gefüllt ist, und eine Heizvorrichtung 1212 auf, die den Schmelztiegel 1211 erhitzt, um das Abscheidungsmaterial 1215 zu verdampfen, das im Schmelztiegel 1211 enthalten ist, so dass das verdampfte Abscheidungsmaterial 1215 zur Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1220 bewegt wird. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1220, die eine ebene Form aufweist, ist auf einer Seite der Abscheidungsquelle 1210, die dem Substrat 600 am nächsten liegt, angeordnet. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1220 weist eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen 1221 auf, die in Richtung der Y-Achse angeordnet sind. Die Strukturierungsschlitzplatte 1250 und ein Rahmen 1255 sind weiterhin zwischen der Abscheidungsquelle 1210 und dem Substrat 600 angeordnet. Die Strukturierungsschlitzplatte 1250 weist eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 1251 auf, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind, wobei sich jeder Schlitz entlang der Richtung der Y-Achse erstreckt. Zudem können die Abscheidungsquelle 1210 und die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1220 durch das Verbindungsmitglied 1235 mit der Strukturierungsschlitzplatte 1250 verbunden sein.
Gemäß der vierten Ausführungsform ist, anders als gemäß der dritten Ausführungsform laut 7, 8 und 9, eine Vielzahl von in der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1220 ausgebildeten Abscheidungsquellendüsen 1221, geneigt (z.B. in einem vorbestimmten Winkel geneigt). Insbesondere können die Abscheidungsquellendüsen 1221 Abscheidungsquellendüsen 1221a und 1221b aufweisen, die jeweils in Reihen angeordnet sind. Die Abscheidungsquellendüsen 1221a und 1221b können derart jeweils in Reihen angeordnet sein, das sie in einem Zickzackmuster alternieren. Die Abscheidungsquellendüsen 1221a und 1221b können in einem vorbestimmten Winkel bezüglich der Z-Richtung geneigt sein.
Die Abscheidungsquellendüsen 1221a einer ersten Reihe und die Abscheidungsquellendüsen 1221b einer zweiten Reihe können derart geneigt sein, dass sie einander zugewandt sind. Das heißt, dass die Abscheidungsquellendüsen 1221a der ersten Reihe in einem linken Teil der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1220 derart geneigt sein können, das sie einem rechten Seitenabschnitt der Strukturierungsschlitzplatte 1250 zugewandt sind, und die Abscheidungsquellen-Düsen 1221b der zweiten Reihe in einem rechten Teil der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 1220 derart geneigt sein können, dass sie einem linken Seitenabschnitt der Strukturierungsschlitzplatte 1250 zugewandt sind.
Wendet man sich nun 11 und 12 zu, so zeigt 11 ein Diagramm, das eine Verteilung eines bei nicht geneigten Abscheidungsquellendüsen 1221a und 1221b auf einem Substrat 600 ausgebildeten Abscheidungsfilms bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1200 gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, während 12 ein Diagramm zeigt, das eine Verteilung eines bei geneigten Abscheidungsquellendüsen 1221a und 1221b auf dem Substrat 600 ausgebildeten Abscheidungsfilms bei der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1200 darstellt. Vergleicht man die Diagramme von 11 und 12 miteinander, so ist die Dicke des auf einander gegenüberliegenden Endabschnitten des Substrats 600 bei geneigten Abscheidungsquellendüsen 1221a und 1221b ausgebildeten Abscheidungsfilms relativ gesehen größer als die Dicke des bei nicht geneigten Abscheidungsquellendüsen 1221a und 1221b auf dem Substrat 600 ausgebildeten Abscheidungsfilms, wodurch sich die Gleichmäßigkeit des Abscheidungsfilms verbessert.
Aufgrund der Struktur der Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 1200 gemäß der vierten Ausführungsform lässt sich die Abscheidung des Abscheidungsmaterials 1215 derart regulieren, dass sich eine Abweichung in der Dicke zwischen der Mitte und den Endabschnitten des Substrats 600 verringert und sich die Gleichmäßigkeit der Dicke des Abscheidungsfilms verbessert. Darüber hinaus lässt sich auch die Wirksamkeit der Verwendung des Abscheidungsmaterials 1215 erhöhen.
Wie oben beschrieben, ist bei einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, einem Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Verwendung der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung und einer unter mittels des Verfahrens hergestellten organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung leicht zur Herstellung großformatiger Anzeigevorrichtungen in Großserie verwendbar. Zudem sind die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung und die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung leicht herstellbar und können die Herstellungsergiebigkeit und den Auftragswirkungsgrad erhöhen.
Anstatt eine einzelne feine Metallmaske (FMM) zur Herstellung des Abscheidungsmusters zu verwenden, wird eine kleinere Strukturierungsschlitzplatte verwendet und während der Abscheidung bezüglich des Substrats bewegt. Bei einer großen Anzeige ist die Verwendung einer sehr großen feinen Metallmaske somit nicht mehr notwendig. Mehrere Abscheidungsschichten können in einem einzigen Abscheidungsschritt abgeschieden werden, indem sich viele Abscheidungsquellen zusammen bewegen. Weiterhin können Hilfsschichten enthalten sein, um zu verhindern, dass eine Farbemissionsschicht mit einer anderen Farbemissionsschicht in unmittelbarem Kontakt steht. Weiterhin können Barriereplatten zwischen der Strukturierungsschlitzplatte und der Abscheidungsquelle enthalten sein, die das verdampfte Abscheidungsmaterial leiten, während sie die Rückgewinnung des Abscheidungsmaterials, das nicht abgeschieden werden kann, ermöglichen. Die Düsen können parallel oder senkrecht zu den Schlitzen der Strukturierungsschlitzplatte verlaufen. Die Düsen können weiterhin in zwei Reihen ausgebildet sein, wobei jede Reihe die Düsen aufweist, die zur anderen Reihe hin geneigt sind, so dass ein gleichmäßigerer Abscheidungsfilm hergestellt wird. Anschließend soll eine Zusammensetzung eines Gesamtsystems einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung, die eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen gemäß 4 aufweist, ausführlich beschrieben werden. 13 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 14 stellt ein modifiziertes Beispiel der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung aus 13 dar. 15 zeigt eine Ansicht eines Beispiels einer elektrostatischen Haltevorrichtung 800 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß 13 weist die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung eine Beladeeinheit 910, eine Abscheidungseinheit 930, eine Entladeeinheit 920, eine erste Fördereinheit 810 und eine zweite Fördereinheit 820 auf. Die Beladeeinheit 910 kann ein erstes Gestell 912, einen Transportroboter 914, eine Transportkammer 916 und eine erste Umdrehkammer 918 aufweisen. Eine Vielzahl von Substraten 600, auf die kein Abscheidungsmaterial aufgebracht wird, sind auf dem ersten Gestell 912 aufgestapelt. Der Transportroboter 914 nimmt eines der Substrate 600 vom ersten Gestell 912 auf, ordnet das Substrat 600 auf der elektrostatischen Haltevorrichtung 800 an, die von der zweiten Fördereinheit 820 übermittelt wurde, und bewegt die elektrostatische Haltevorrichtung 800, auf der das Substrat 600 angeordnet ist, in die Transportkammer 916. Die erste Umdrehkammer 918 ist benachbart zur Transportkammer 916 angeordnet. Die erste Umdrehkammer 918 weist einen ersten Umdrehroboter 919 auf, der die elektrostatische Haltevorrichtung 800 umdreht und dann die erste Fördereinheit 810 der Abscheidungseinheit 930 damit belädt. Gemäß 15 kann die elektrostatische Haltevorrichtung 800 eine Elektrode 802 aufweisen, die in einen aus Keramik ausgebildeten Hauptkörper 801 eingebettet ist, wobei die Elektrode 802 mit Energie versorgt wird. Das Substrat 600 kann an einer Oberfläche des Hauptkörpers 801 der elektrostatischen Haltevorrichtung 800 befestigt werden, wenn eine hohe Spannung an die Elektrode 802 angelegt wird. Gemäß 13 platziert der Transportroboter 914 eines der Substrate 600 auf der Oberfläche der elektrostatischen Haltevorrichtung 800, und die elektrostatische Haltevorrichtung 800, auf der das Substrat 600 angeordnet ist, wird in die Transportkammer 916 bewegt. Der erste Umdrehroboter 919 dreht die elektrostatische Haltevorrichtung 800 um, so dass das Substrat 600 in der Abscheidungseinheit 930 umgedreht wird. Die Entladeeinheit 920 ist derart beschaffen, dass sie auf eine der oben beschriebenen Beladeeinheit 910 entgegengesetzte Weise arbeitet. Genauer, dreht ein zweiter Umdrehroboter 929 in einer zweiten Umdrehkammer 928 die elektrostatische Haltevorrichtung 800 um, die die Abscheidungseinheit 930 durchlaufen hat, während das Substrat 600 auf der elektrostatischen Haltevorrichtung 800 angeordnet ist, und bewegt dann die elektrostatische Haltevorrichtung 800, auf der das Substrat 600 angeordnet ist, in eine Auswurfkammer 926. Dann entfernt ein Auswurfroboter 924 die elektrostatische Haltevorrichtung 800, auf der das Substrat 600 angeordnet ist, aus der Auswurfkammer 926, trennt das Substrat 600 von der elektrostatischen Haltevorrichtung 800 und belädt dann das zweite Gestell 922 mit dem Substrat 600. Die vom Substrat 600 getrennte elektrostatische Haltevorrichtung 800 wird über die zweite Fördereinheit 920 in die Beladeeinheit 910 zurückgebracht. Aspekte der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht auf die obige Beschreibung beschränkt. Wenn das Substrat 600 auf der elektrostatischen Halterung 800 angeordnet wird, kann das Substrat 600 zum Beispiel auf einer Unterseite der elektrostatischen Haltevorrichtung 800 befestigt werden und dann in die Abscheidungseinheit 930 bewegt werden. In diesem Fall sind zum Beispiel die erste Umdrehkammer 918 und der erste Umdrehroboter 919 sowie die zweite Umdrehkammer 928 und der zweite Umdrehroboter 929 nicht erforderlich. Die Abscheidungseinheit 930 kann zumindest eine Abscheidungskammer aufweisen. Wie in 13 dargestellt, kann die Abscheidungseinheit 930 eine erste Kammer 931 aufweisen. Dabei können die erste bis vierte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100, 200, 300 und 400 in der ersten Kammer 931 angeordnet sein. Obwohl gemäß der Darstellung in 13 insgesamt vier Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen, d.h., die erste bis vierte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 bis 400, in der ersten Kammer 931 angeordnet sind, kann die Gesamtzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen, die in der ersten Kammer 931 angebracht sein können, einem Abscheidungsmaterial und Abscheidungsbedingungen entsprechend variieren. In der ersten Kammer 931 wird während eines Abscheidungsverfahrens ein Vakuum aufrechterhalten. Gemäß der in 14 dargestellten Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung kann eine Abscheidungseinheit 930 eine erste Kammer 931 und eine zweite Kammer 932 aufweisen, die miteinander verbunden sind. Dabei können die erste und zweite Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 100 und 200 in der ersten Kammer 931 angeordnet sein, während die dritte und vierte Dünnfilm-Abscheidungsanordnung 300 und 400 in der zweiten Kammer 932 angeordnet sein können. In dieser Hinsicht können zusätzliche Kammern hinzugefügt werden. Gemäß der in 13 dargestellten Ausführungsform kann die elektrostatische Haltevorrichtung 800, auf der das Substrat 600 angeordnet ist, zumindest zur Abscheidungseinheit 930 bewegt werden oder sie kann von der ersten Fördereinheit 810 nacheinander zur Beladeeinheit 910, zur Abscheidungseinheit 930 und zur Entladeeinheit 920 bewegt werden. Die elektrostatische Haltevorrichtung 800, die vom Substrat 600 in der Entladeeinheit 920 getrennt ist, wird von der zweiten Fördereinheit 920 zur Beladeeinheit 910 zurück bewegt.

Claims

Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung zur Herstellung eines Dünnfilms auf einem Substrat (600), wobei die Vorrichtung eine Vielzahl von Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) aufweist, wobei jede der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) aufweist: eine Abscheidungsquelle (110, 710, 1110, 1210), die ein Abscheidungsmaterial (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215) aufweist, wobei die Abscheidungsquelle (110, 710, 1110, 1210) zur Abgabe des Abscheidungsmaterials (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215) ausgebildet ist; eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit (120, 720, 1120, 1220), die auf einer Seite der Abscheidungsquelle (110, 710, 1110, 1210) angeordnet ist, die dem Substrat (600) zugewandt ist, und eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen (121, 721, 1121, 1221) aufweist; eine Strukturierungsschlitzplatte (150, 250, 350, 450, 550, 750, 1150, 1250), die zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit (120, 720, 1120, 1220) und dem Substrat (600) angeordnet ist und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen (151, 751, 1151, 1251) aufweist, die in eine erste Richtung angeordnet sind und welche dazu ausgebildet sind, das auf dem Substrat (600) abgeschiedene Material zu strukturieren, wobei die Strukturierungsschlitzplatte (150, 250, 350, 450, 550, 750, 1150, 1250) kleiner als das Substrat (600) ist; wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung vom Substrat (600) in einem Abstand beabstandet ist, wobei die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung und das Substrat (600) bezüglich einander in die erste Richtung bewegbar sind, und wobei das Abscheidungsmaterial (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215) ein Material zur Herstellung eines Dünnfilms aufweist, das aus der Gruppe bestehend aus einer roten (R) Emissionsschicht, einer grünen (G) Emissionsschicht, einer blauen (B) Emissionsschicht und einer Vielzahl von Hilfsschichten ausgewählt ist.
Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nach Anspruch 1, weiterhin aufweisend: eine Barriereplattenanordnung (130, 730), die eine Vielzahl von Barriereplatten (131, 731) aufweist, die in die erste Richtung angeordnet sind und sich in eine zweite Richtung erstrecken, die senkrecht zur ersten Richtung ist, wobei die Barriereplattenanordnung (131, 731) zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit (120, 720) und der Strukturierungsschlitzplatte (150, 750) angeordnet ist, und wobei die Barriereplattenanordnung (130, 730) ausgebildet ist, einen Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit (120, 720) und der Strukturierungsschlitzplatte (150, 750) in eine Vielzahl von Abscheidungsteilräumen (S) zu teilen; wobei die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen (121, 721) entlang der ersten Richtung angeordnet ist.
Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nach Anspruch 2, weiterhin aufweisend: eine zweite Barriereplattenanordnung (740), die eine Vielzahl zweiter Barriereplatten (741) aufweist, wobei sich die zweiten Barriereplatten (741) in eine zur ersten Richtung senkrechte zweite Richtung erstrecken und entlang der ersten Richtung angeordnet sind, und wobei die ersten Barriereplatten (731) und die zweiten Barriereplatten (741) einen Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit (720) und der Strukturierungsschlitzplatte (750) in eine Vielzahl von Abscheidungsteilräumen (S) teilen.
Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen (1121, 1221) entlang einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung angeordnet ist; und wobei die Abscheidungsquelle (1110, 1210), die Abscheidungsquellen-Düseneinheit (1120, 1220) und die Strukturierungsschlitzplatte (1150, 1250) durch ein Verbindungselement (1135, 1235) einstückig miteinander verbunden sind.
Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Vielzahl der Abscheidungsquellen (1121) Abscheidungsquellendüsen (1121a, 1121b) aufweist, die in zwei Reihen angeordnet sind, die sich in die erste Richtung erstrecken, und wobei die Abscheidungsquellendüsen (1121a, 1121b) in den zwei Reihen in einem Winkel bezüglich einer Richtung, die senkrecht zur Oberfläche der Abscheidungsquellen-Düseneinheit (1220) ist, geneigt sind, wobei die Abscheidungsquellendüsen (1121a, 1121b) in den zwei Reihen derart geneigt sind, dass sie einander zugewandt sind.
Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest eine Abscheidungsquelle (110, 710, 1110, 1210), die Material zur Ausbildung der Hilfsschichten aufweist, zwischen zwei Abscheidungsquellen (110, 710, 1110, 1210) angeordnet ist, von denen jede eines der Materialien zur Ausbildung der B-Emissionsschicht, der G-Emissionsschicht und der R-Emissionsschicht aufweist.
Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Anzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) zumindest fünf beträgt, und wobei Abscheidungsmaterialien (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215), die jeweils in den Abscheidungsquellen (110, 710, 1110, 1210) der zumindest fünf Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200), die nacheinander entlang einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung angeordnet sind, Materialien zur nacheinander erfolgenden Ausbildung der B-Emissionsschicht, einer der Hilfsschichten, der G-Emissionsschicht, einer weiteren der Hilfsschichten und der R-Emissionsschicht aufweisen.
Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Anzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) zumindest fünf beträgt, und wobei die Abscheidungsmaterialien (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215), die jeweils in den Abscheidungsquellen (110, 710, 1110, 1210) der zumindest fünf Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200), die nacheinander entlang einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung angeordnet sind, Materialien zur nacheinander erfolgenden Ausbildung der B-Emissionsschicht, einer der Hilfsschichten, der R-Emissionsschicht, einer weiteren der Hilfsschichten und der G-Emissionsschicht aufweisen.
Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest ein Abscheidungsmaterial (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215) zur Ausbildung der Hilfsschicht zwischen zumindest zwei Abscheidungsmaterialien (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215) zur Ausbildung der Emissionsschichten angeordnet ist.
Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Ausbildung eines Dünnfilms auf einem Substrat (600), wobei das Verfahren aufweist: Anordnen des Substrats (600) derart, dass es von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung in einem Abstand beabstandet ist; und Abscheidung eines Abscheidungsmaterials (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215), das von der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung abgegeben wurde, auf dem Substrat, während entweder die Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bezüglich des Substrats (600) oder das Substrat (600) bezüglich der Dünnfilm-Abscheidungsvorrichtung bewegt wird.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Abscheidungsmaterialien (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215), die jeweils in den Abscheidungsquellen (110, 710, 1110, 1210) der Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) angeordnet sind, nacheinander auf dem Substrat (600) abgeschieden werden.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Abscheidungsmaterialien (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215) zur Ausbildung jeweils der B-Emissionsschicht, einer der Hilfsschichten (G’), der G-Emissionsschicht, einer weiteren der Hilfsschichten (R’) und der R-Emissionsschicht jeweils von der Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) abgegeben werden und nacheinander auf dem Substrat (600) abgeschieden werden.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Abscheidungsmaterialien (115, 215, 315, 415, 515, 715, 1115, 1215) zur Ausbildung jeweils der B-Emissionsschicht, einer der Hilfsschichten (R’) der R-Emissionsschicht, einer weiteren der Hilfsschichten (G’) und der G-Emissionsschicht jeweils von der Vielzahl der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) abgegeben werden und nacheinander auf dem Substrat (600) abgeschieden werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei die Abscheidung des Abscheidungsmaterials auf dem Substrat (600) weiterhin die separate Regelung von Abscheidungstemperaturen der Vielzahl der der Dünnfilm-Abscheidungsanordnungen (100, 200, 300, 400, 500, 700, 1100, 1200) aufweist.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die gemäß einem Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14 hergestellt wird.