CN113193022B - 一种高分辨率amoled显示器件及其制备方法 - Google Patents

一种高分辨率amoled显示器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113193022B
CN113193022B CN202110453502.XA CN202110453502A CN113193022B CN 113193022 B CN113193022 B CN 113193022B CN 202110453502 A CN202110453502 A CN 202110453502A CN 113193022 B CN113193022 B CN 113193022B
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal anode
organic light
resolution
pixel
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110453502.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113193022A (zh
Inventor
茆胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ruixin Zhuhai Investment Development Co ltd
Original Assignee
Ruixin Zhuhai Investment Development Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ruixin Zhuhai Investment Development Co ltd filed Critical Ruixin Zhuhai Investment Development Co ltd
Priority to CN202110453502.XA priority Critical patent/CN113193022B/zh
Publication of CN113193022A publication Critical patent/CN113193022A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113193022B publication Critical patent/CN113193022B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种高分辨率AMLOED显示器件及其制备方法，其中，制备方法，包括以下步骤：在每个像素的子像素区域蒸镀沉积一定厚度的薄膜为金属阳极层；在所述金属阳极层的顶部蒸镀沉积一定厚度的薄膜为有机发光层；所述有机发光层的位置及图形均与之对应的金属阳极层的位置及图形相同；所述蒸镀沉积工艺采用通过高分辨率掩膜版完成的。有益效果是：采用金属阳极层直接图形化，降低了OLED微型显示器件的工艺复杂度，无需再采用光刻或刻蚀工艺引入额外的工艺步骤；保持了金属阳极层表面的高反射状态；同时可以实现OLED微型显示器件在制造过程中，为红、绿、蓝OLED像素定制独立的阳极结构，实现每种颜色的定制化和优化的OLED器件结构，提高发光效。

Description

一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法。
背景技术
在顶发射有机发光二极管（AMOLED）微型显示器件中，金属阳极具有与空穴注入层能级相匹配的功函数，将电荷注入到有机层中实现发光。制造高分辨率OLED微型显示器件，需要具有高反射率的金属阳极图形，而在AMOLED微型显示器件中，该阳极必须在基底上形成所需的像素图案，有两种方法实现金属阳极图形化。
一是使用精细金属掩膜技术（FMM）来实现显示的结构化图形。但是精细金属掩膜技术（FMM）存在工艺形变以及分辨率无法满足需求的问题，不能精确定义小于10微米的特征尺寸，故而难以实现像素尺寸在10微米以下全彩OLED微型显示器件。另外，阳极的在基底上形成所需的像素图案的传统方法是使用光刻或刻蚀工艺来实现。但是光刻或者刻蚀工艺进行图形化会产生新的问题。首先，引入了额外的工艺步骤，这些工艺步骤增加了制造时间以及设备和原材料的成本。其次，在将其进行图形化的过程中，需要接触使用到不同材料，导致高反射的金属阳极表面被腐蚀和氧化，降低了器件的性能。最后，额外的工艺步骤引入颗粒和残留物，导致缺陷的产生，降低生产良率。
二是采用彩色过滤层的白光结构OLED微型显示器件，由于彩色过滤层会吸收超过60%的OLED发射光导致器件亮度大幅降低，从而影响OLED微型显示器件使用条件。
因此，本发明提出了一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法。
发明内容
本发明提供一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法，以解决现有技术中AMOLED分辨率不高的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
一种高分辨率AMOLED显示器件，包括：若干个像素单元，每个所述像素单元包括至少一个子像素，所述子像素包括至少一层金属阳极层、以及至少一层有机发光层，所述有机发光层通过高分辨率掩膜版沉积在所述金属阳极层的顶部，且所述有机发光层和金属阳极层的图形相同。
在一些实施例中，所述高分辨率掩膜版由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板。
在一些实施例中，所述金属阳极层的厚度为50~500A，所述有机发光层的厚度为1000~3000A。
在一些实施例中，所述金属阳极层包括钛（Ti），钼（Mo），银（Ag），铂（Pt），铝（Al），铬（Cr）及其氮化物和氧化物的一种和几种材料，所述有机发光层包括TPD、NPB、TCTA、CBP、mCP、DCB、Bphen、TBPi的一种或几种材料。
在一些实施例中，相邻两个所述子像素的金属阳极层之间具有一定的间距，所述间距不低于2um。
本发明提出了一种高分辨率AMOLED显示器件的制备方法，包括以下步骤：
在每个像素的子像素蒸镀沉积一定厚度的薄膜为金属阳极层；
在所述金属阳极层的顶部蒸镀沉积一定厚度的薄膜为有机发光层；
所述有机发光层的位置及图形均与之对应的金属阳极层的位置及图形相同；
所述蒸镀沉积工艺采用通过高分辨率掩膜版完成的。
在一些实施例中，所述高分辨率掩膜版由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板。
在一些实施例中，每个所述像素的子像素至少为三个，包括红像素、绿像素、蓝像素，相邻两个所述子像素的金属阳极层之间具有一定的间距，并形成独立的阳极结构。
在一些实施例中，每个所述子像素的金属阳极层采用相同或不同的薄膜材料完成蒸镀沉积。
在一些实施例中，每个所述子像素的有机发光层采用相同或不同的薄膜材料完成蒸镀沉积。
在一些实施例中，在蒸镀沉积所述有机发光层工艺前，还包括：调整所述高分辨率掩膜版并使得所述高分辨率掩膜版的开口与所述子像素一一对应。
在一些实施例中，在蒸镀沉积工艺过程中，所述高分辨率掩膜版与基底的间距不大于50微米。
在一些实施例中，在所述高分辨率掩膜版的下方设有导向板，蒸发分子经过所述导向板的阻隔过滤后穿过所述高分辨率掩膜版，并沉积到OLED基底上。在使用过程中，蒸发源中蒸发的分子，除了具有垂直或者接近垂直于基底方向的分子可以通过导向板，其他较大角度的蒸发分子被导向板阻挡，从而实现了高分辨率的沉积。
本发明具有的有益效果是：采用金属阳极层直接图形化，降低了OLED微型显示器件的工艺复杂度，无需再采用光刻或刻蚀工艺引入额外的工艺步骤；金属阳极层在真空下图形化，减少了金属阳极层在光刻或刻蚀工艺中与空气或者化学试剂的接触，保持了金属阳极层表面的高反射状态；同时可以实现OLED微型显示器件在制造过程中，为红、绿、蓝OLED像素定制独立的阳极结构，实现每种颜色的定制化和优化的OLED器件结构，提高发光效。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方案或现有技术中的技术方案，下面将对实施方案或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方案，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明：一种高分辨率AMOLED显示器件的结构示意图；
图2为本发明：一种高分辨率AMOLED显示器件的制备方法的流程示意图；
图3为本发明制备方法的蒸镀工艺设备的结构示意图；
图4为本发明制备方法的蒸镀工艺设备的蒸发源基台的结构示意图；
其中：
100-像素单元、110-子像素、111-金属阳极层、112-有机发光层、200-高分辨率掩膜板、201-掩膜板夹具、202-导向板夹具、203-基底夹具、210-导向板、99-基底、910-第一子像素、911-第一厚度薄膜、912-第四厚度薄膜、920-第二子像素、930-第三子像素、400-蒸发源基台、401-蒸发分子、402-蒸发源。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
实施例1
参照图1所述，一种高分辨率AMOLED显示器件，包括：若干个像素单元100，每个所述像素单元100包括至少一个子像素110，所述子像素110包括至少一层金属阳极层111、以及至少一层有机发光层112，所述有机发光层112通过高分辨率掩膜版沉积在所述金属阳极层111的顶部，且所述有机发光层112和金属阳极层111的图形相同。
本发明中的所述金属阳极层111的厚度为50~500A，所述有机发光层112的厚度为1000~3000A，所述金属阳极层111包括钛（Ti），钼（Mo），银（Ag），铂（Pt），铝（Al），铬（Cr）及其氮化物和氧化物的一种和几种材料，所述有机发光层112包括TPD、NPB、TCTA、CBP、mCP、DCB、Bphen、TBPi的一种或几种材料。其中，相邻两个所述子像素的金属阳极层111之间具有一定的间距，所述间距不低于2um。
本发明中的所述高分辨率掩膜版由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板，其具有较高的形态保持特性，能够完成高分辨率的蒸镀过程。
本发明的像素单元100的红、绿、蓝OLED像素都是定制独立的阳极结构，实现每种颜色的定制化和优化的OLED器件结构，提高发光效。
实施例2
参照图2-4所示，本发明提出了一种高分辨率AMOLED显示器件的制备方法，包括以下步骤：
在每个像素的子像素蒸镀沉积一定厚度的薄膜为金属阳极层；
在所述金属阳极层的顶部蒸镀沉积一定厚度的薄膜为有机发光层；
所述有机发光层的位置及图形均与之对应的金属阳极层的位置及图形相同；
所述蒸镀沉积工艺采用通过高分辨率掩膜版完成的。
具体的，每个所述像素的子像素至少为三个，包括红像素、绿像素、蓝像素，相邻两个所述子像素的金属阳极层之间具有一定的间距，并形成独立的阳极结构。每个所述子像素的金属阳极层采用相同或不同的薄膜材料完成蒸镀沉积。同时，每个所述子像素的有机发光层采用相同或不同的薄膜材料完成蒸镀沉积。
在本发明中，在蒸镀沉积所述有机发光层工艺前，还包括：调整所述高分辨率掩膜版并使得所述高分辨率掩膜版的开口与所述子像素一一对应。
本发明中的所述高分辨率掩膜版由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板。在蒸镀沉积工艺过程中，所述高分辨率掩膜版与基底的间距不大于50微米。在所述高分辨率掩膜版的下方设有导向板，蒸发分子经过所述导向板的阻隔过滤后穿过所述高分辨率掩膜版，并沉积到OLED基底上。在使用过程中，蒸发源中蒸发的分子，除了具有垂直或者接近垂直于基底方向的分子可以通过导向板，其他较大角度的蒸发分子被导向板阻挡，从而实现了高分辨率的沉积。
如图3-4所示，下面以具体的实例阐述本发明的制备过程：
首先，在单一设备沉积室中，将高分辨率掩膜板200装载在掩膜板夹具201上，将导向板210装载在导向板夹具202上，将基底99装载在基底夹具203上，并其将高分辨率掩膜板200对准基底99上AMOLED显示像素的第一子像素910的第一位置，将第一材料沉积于第一位置，形成第一厚度薄膜911；将高分辨率掩膜板200对准基底99上AMOLED显示像素的第二子像素920的第二位置，将第二材料沉积于第二位置，形成第二厚度薄膜；以及将高分辨率掩膜板200对准基底99上AMOLED显示像素的第三子像素930的第三位置，将第三材料沉积于第三位置，形成第三厚度薄膜。在完成金属阳极层的蒸镀后，将高分辨率掩膜板200重新对准第一位置，将第四材料沉积于第一厚度薄膜911顶部，形成第四厚度薄膜912；将高分辨率掩膜板200重新对准第二位置，将第五材料沉积于第二厚度薄膜顶部，形成第五厚度薄膜；将高分辨率掩膜板200重新对准第三位置，将第六材料沉积于第三厚度薄膜顶部，形成第六厚度薄膜；每种随后沉积薄膜的位置与图形都具有与之前的沉积薄膜相同的位置与相同的图形。
本发明中的高分辨率掩膜板200通常是由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板，单一设备则通常具有至少一个真空沉积室，真空沉积室具有一个蒸发源402或多个蒸发源402的蒸发源基台400。本实例中的蒸发源基台400上具有多个蒸发源402，其均匀分布在蒸发源基台400上，处于非工作状态的蒸发源402会被其上方的挡板（图中未示出）挡住，从而避免与工作状态的蒸发源402产生沉积污染。在真空沉积室中，基底99与高分辨率掩膜板200靠近（＜50微米），并通过高精度光学对位系统进行对位，蒸发分子401从蒸发源402通过导向板210后，通过高分辨率掩膜板200的开口，沉积在基底99上形成所需图形。重复该过程，使相同或不同的材料用于OLED微型显示器件基底99的不同区域（即每个颜色通道），相同或不同的材料可依据图形化设计形成相同或不同的沉积特征的膜层。
本发明中的导向板210的作用是：蒸发源402中蒸发的分子，除了具有垂直或者接近垂直于基底99方向的分子可以通过，其他较大角度的蒸发分子均会被导向板210阻挡。通过导向板210的分子会以基本垂直或者接近垂直于基底99的方向再通过高分辨率掩膜板200的图形化开口，沉积到基底99上。
本发明具有的有益效果是：采用金属阳极层直接图形化，降低了OLED微型显示器件的工艺复杂度，无需再采用光刻或刻蚀工艺引入额外的工艺步骤；金属阳极层在真空下图形化，减少了金属阳极层在光刻或刻蚀工艺中与空气或者化学试剂的接触，保持了金属阳极层表面的高反射状态；同时可以实现OLED微型显示器件在制造过程中，为红、绿、蓝OLED像素定制独立的阳极结构，实现每种颜色的定制化和优化的OLED器件结构，提高发光效。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (11)

1.一种高分辨率AMLOED 显示器件，其特征在于，包括：若干个像素单元，每个所述像素单元包括至少一个子像素，所述子像素包括至少一层金属阳极层、以及至少一层有机发光层，所述有机发光层通过高分辨率掩膜版沉积在所述金属阳极层的顶部，且所述有机发光层和金属阳极层的图形相同；
在所述高分辨率掩膜版的下方设有导向板，蒸发分子经过所述导向板的阻隔过滤后以基本垂直或者接近垂直的方向穿过所述高分辨率掩膜版，并沉积到OLED 基底上；
所述金属阳极层的厚度为50~500A，所述有机发光层的厚度为1000~3000A。
2.根据权利要求1 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件，其特征在于，包括：所述高分辨率掩膜版由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板。
3.根据权利要求1 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件，其特征在于，包括：所述金属阳极层包括钛（Ti），钼（Mo），银（Ag），铂（Pt），铝（Al），铬（Cr）及其氮化物和氧化物的一种和几种材料，所述有机发光层包括TPD、NPB、TCTA、CBP、mCP、DCB、Bphen、TBPi 的一种或几种材料。
4.根据权利要求1 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件，其特征在于，包括：相邻两个所述子像素的金属阳极层之间具有一定的间距，所述间距不低于2um。
5.一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在每个像素的子像素蒸镀沉积一定厚度的薄膜为金属阳极层；
在所述金属阳极层的顶部蒸镀沉积一定厚度的薄膜为有机发光层；
所述有机发光层的位置及图形均与之对应的金属阳极层的位置及图形相同；
所述蒸镀沉积工艺采用通过高分辨率掩膜版完成的；
在所述高分辨率掩膜版的下方设有导向板，蒸发分子经过所述导向板的阻隔过滤后以基本垂直或者接近垂直的方向穿过所述高分辨率掩膜版，并沉积到OLED 基底上；
所述金属阳极层的厚度为50~500A，所述有机发光层的厚度为1000~3000A。
6.根据权利要求5 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，所述高分辨率掩膜版由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板。
7.根据权利要求5 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，每个所述像素的子像素至少为三个，包括红像素、绿像素、蓝像素，相邻两个所述子像素的金属阳极层之间具有一定的间距，并形成独立的阳极结构。
8.根据权利要求7 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，每个所述子像素的金属阳极层采用相同或不同的薄膜材料完成蒸镀沉积。
9.根据权利要求7 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，每个所述子像素的有机发光层采用相同或不同的薄膜材料完成蒸镀沉积。
10.根据权利要求5 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，在蒸镀沉积所述有机发光层工艺前，还包括：
调整所述高分辨率掩膜版并使得所述高分辨率掩膜版的开口与所述子像素一一对应。
11.根据权利要求5 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，在蒸镀沉积工艺过程中，所述高分辨率掩膜版与基底的间距不大于50 微米。
CN202110453502.XA 2021-04-26 2021-04-26 一种高分辨率amoled显示器件及其制备方法 Active CN113193022B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110453502.XA CN113193022B (zh) 2021-04-26 2021-04-26 一种高分辨率amoled显示器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110453502.XA CN113193022B (zh) 2021-04-26 2021-04-26 一种高分辨率amoled显示器件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113193022A CN113193022A (zh) 2021-07-30
CN113193022B true CN113193022B (zh) 2022-09-09

Family

ID=76978975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110453502.XA Active CN113193022B (zh) 2021-04-26 2021-04-26 一种高分辨率amoled显示器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113193022B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115261784B (zh) * 2022-07-29 2023-10-27 固安翌光科技有限公司 一种掩膜版结构及oled器件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019218637A1 (zh) * 2018-05-14 2019-11-21 云谷（固安）科技有限公司 显示面板母板、显示面板及其制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4462775B2 (ja) * 2001-03-02 2010-05-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 パターン形成方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法
KR101801351B1 (ko) * 2010-04-28 2017-11-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치
CN103972169B (zh) * 2014-05-12 2016-08-24 四川虹视显示技术有限公司 一种ltps工艺
CN110429204A (zh) * 2019-07-30 2019-11-08 昆山梦显电子科技有限公司 硅基微显示屏及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019218637A1 (zh) * 2018-05-14 2019-11-21 云谷（固安）科技有限公司 显示面板母板、显示面板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113193022A (zh) 2021-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109860241B (zh) 高分辨率Micro-OLED显示模组及其制备方法
KR100837475B1 (ko) 증착장치 및 유기발광소자의 제조방법
WO2016145965A1 (zh) 像素界定层及其制作方法以及相应的发光显示器
US10644239B2 (en) High precision, high resolution collimating shadow mask and method for fabricating a micro-display
JP4971723B2 (ja) 有機発光表示装置の製造方法
US10811476B2 (en) Pixel definition layer, manufacturing method thereof, display substrate and display device
KR101586673B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100696472B1 (ko) 증착 마스크, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조방법
WO2006027830A1 (ja) 有機電界発光装置およびその製造方法
WO2020042806A1 (zh) 显示基板、显示装置及显示基板的制造方法
WO2018045799A1 (zh) 显示基板及其制作方法、以及显示装置
US20210408126A1 (en) Color filter cover plate, preparation method thereof, and display panel
WO2011111134A1 (ja) 蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法
KR20130030773A (ko) 증착 마스크 및 이것을 사용한 유기ｅｌ 소자의 제조 방법과 제조 장치
WO2020224010A1 (zh) Oled 显示面板及其制备方法
US7253533B2 (en) Divided shadow mask for fabricating organic light emitting diode displays
JP2019179716A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびナノインプリント用モールド
WO2022262367A1 (zh) 显示面板及其制作方法
JP7232882B2 (ja) Ｏｌｅｄ表示装置の製造方法、マスク及びマスクの設計方法
CN105789479A (zh) Oled及其制备方法、以及oled显示装置
CN113193022B (zh) 一种高分辨率amoled显示器件及其制备方法
US5896006A (en) Organic thin film light-emitting device having second electrodes layer covering periphery of first electrodes layer
TW201906149A (zh) 畫素陣列及其製造方法
CN113611730A (zh) 一种硅基微显示器及其制备方法
US20230157080A1 (en) Display panel, manufacturing method thereof, and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant