CN102177270A - 有机薄膜蒸镀装置、有机el元件制造装置、及有机薄膜蒸镀方法 - Google Patents

有机薄膜蒸镀装置、有机el元件制造装置、及有机薄膜蒸镀方法 Download PDF

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Abstract

提供小型，处理能力高的有机薄膜蒸镀装置。在真空槽（11）的内部，设置可成为水平姿势与竖立姿势的第一、第二基板配置装置（13a、13b），在成为竖立姿势时，使保持于各个基板配置装置（13a、13b）的基板与第一、第二有机蒸气放出装置（21a、21b）面对。在一方的基板配置装置（13a、13b）为水平姿势时，由直线对准用销（15）与移载用销（16）抬起掩模与基板，与未成膜的基板进行交换并进行对位。在一台的有机薄膜蒸镀装置（10）能够同时处理二枚的基板。

Description

有机薄膜蒸镀装置、有机EL元件制造装置、及有机薄膜蒸镀方法
技术领域
本发明涉及有机EL显示装置的技术领域，特别涉及制造使用于有机EL元件的有机薄膜的有机薄膜蒸镀装置，和具有该有机薄膜蒸镀装置的有机显示装置制造装置。
背景技术
对于制造有机EL元件的装置，已知有集群（cluster）方式与沿线（in line）方式。
图11（a）是集群方式的制造装置200。从搬入室201搬入的基板通过配置在搬送室209内的搬送机器人，被搬入至连接于搬送室209的蒸镀室202~206内，在各蒸镀室202~206依次形成有机薄膜，经由交接室207而移动至下一级的搬送室219。
在下一级的搬送室219也配置有基板搬送机器人，在配置于该搬送室219周围的蒸镀室211~214间依序移动，在各蒸镀室211~214中对有机薄膜、阴极电极进行成膜，从搬出室215被搬出到制造装置200的外部。
在各搬送室209、219连接有掩模贮存室221、222。在蒸镀室202~206、211~214内相对于基板对掩模进行对准并加以成膜，在复数枚数的向基板的成膜中使用、使用次数变多的掩模与配置于掩模贮存室221、222内的掩模进行交换，从而能够连续处理许多的基板。
图11（b）是沿线方式的制造装置300。
在前级的搬送室309与后级的搬送室329的内部配置有基板搬送机器人，被搬入到搬入室301的基板通过前级的搬送室309内的基板搬送机器人，被搬入至连接于搬送室309的预处理室302。
此外，在搬送室309连接有移动室311，在预处理室302内进行了预处理的基板经由移动室311，移动至未连接于搬送室309的对准室312。
在对准室312内配置有掩模，基板与掩模在被对准并将掩模装配于基板之后，经由方向转换室313被搬入至沿线蒸镀室314内。
在沿线蒸镀室314内中，基板与掩模一边移动，一边在基板表面对有机薄膜进行成膜，从沿线蒸镀室314搬出的基板与掩模经由方向转换室315而被搬入至分离室316，分离掩模与基板。
分离室316连接于后级的搬送室329，在分离室316内分离的基板经由后级的搬送室329，搬入至连接于搬送室329的溅射室321、322。
在溅射室321、322内在基板上对阴极电极膜进行成膜，经由搬出室323，取出至有机EL元件制造装置300的外部。
被分离的掩模被回收至回收室332。新的掩模配置于供给室331，供给至对准室312。
专利文献1：日本特开2008-56966号公报；
专利文献2：日本特开2004-241319号公报。
发明内容
发明要解决的课题
在上述的二种有机EL元件制造装置200，300中，在应对大型的基板的情况下、要使单件工时缩短的情况下，产生有以下的问题。
（1） 掩模通过基板搬送机器人进行交换，但伴随着基板的大型化而掩模大型化，但目前不存在能搬送大型掩模的基板搬送机器人。即使已经开发了，也过于大型。
（2） 当要缩短单件工时时，必须增加成膜室的数量，装置成本、底面积增大。此外需要与蒸镀装置相同数量的对准装置、真空槽、和排气系统，因此成本增加，装置变得复杂化。
（3） 在沿线装置的情况下，当真空槽的数量多时，变成大型装置。特别是在制作RGB分涂器件的情况下，沿线的环路最低也变为3个以上，因此装置更大型化。
解决课题的方案
为了解决上述课题，本发明的有机薄膜蒸镀装置，具有：真空槽；第一、第二基板配置装置，配置在所述真空槽内，配置第一、第二基板；第一、第二掩模，分别位于所述第一、第二基板配置装置上，形成有开口；第一旋转轴，进行工作，使得所述第一基板配置装置与所述第一掩模一起成为在上下方向重合的位置变成水平的水平姿势，此外，使得所述第一基板配置装置与所述第一掩模一起成为竖立设置的竖立姿势；第二旋转轴，进行工作，使得所述第二基板配置装置与所述第二掩模一起成为在上下方向重合的位置变成水平的所述水平姿势，此外，使得所述第二基板配置装置与所述第二掩模一起成为竖立设置的所述竖立姿势；以及第一、第二有机蒸气放出装置，设置在所述真空槽，从设置在第一、第二有机蒸气放出面的放出口使有机材料蒸气放出，通过所述第一、第二旋转轴的工作，所述第一、第二基板分别被所述第一、第二基板配置装置、和所述第一、第二掩模夹持并在所述水平姿势与所述竖立姿势之间变更姿势，所述第一、第二有机蒸气放出面分别与成为所述竖立姿势的所述第一、第二掩模面对，从所述第一、第二有机蒸气放出面的所述放出口放出的所述有机材料蒸气，通过所述第一、第二掩模的开口而到达所述成膜面。
此外，在本发明的有机薄膜蒸镀装置中，所述竖立姿势是所述第一、第二成膜对象物从所述水平姿势起旋转移动不足90°的角度，配置有所述第一、第二掩模的面朝上倾斜。
此外，在本发明的有机薄膜蒸镀装置中，在所述第一、第二基板配置装置分别形成有冷却介质液流过的通路。
此外，在本发明的有机薄膜蒸镀装置中，构成为在所述第一、第二有机蒸气放出装置分别连接有蒸气产生源，在所述蒸气产生源生成的所述有机材料蒸气能够从所述第一、第二有机蒸气放出面的所述放出口放出。
此外，在本发明的有机薄膜蒸镀装置中，具有：第一、第二吸付磁铁，设置在所述第一、第二基板配置装置，将所述第一、第二掩模向所述第一、第二基板配置装置磁吸附。
此外，在本发明的有机薄膜蒸镀装置中，具有：掩模移动装置，在所述水平姿势的所述第一、第二基板配置装置上，分别使所述第一、第二掩模在上下方向移动。
此外，本发明的有机EL元件制造装置，具有：搬送室，配置有基板搬送机器人，在所述搬送室连接有上述任一种有机薄膜蒸镀装置。
此外，本发明是有机薄膜蒸镀方法，分别竖立设置好有机薄膜蒸镀装置的第一、第二有机蒸气放出面，所述有机薄膜蒸镀装置具有：第一、第二基板配置装置，配置在同一真空槽内，能够配置基板；以及第一、第二有机蒸气放出装置，设置在所述真空槽，在所述第一、第二有机蒸气放出面形成有放出口，进行以下工序：第一配置工序，将第一基板搬入所述真空槽内，将所述第一基板配置在处于水平的水平姿势的所述第一基板配置装置；第一竖立工序，使所述第一基板保持在所述第一基板配置装置并成为竖立的竖立姿势，使其面对所述第一有机蒸气放出面；第一成膜开始工序，从所述第一有机蒸气放出装置的所述放出孔使有机材料蒸气的放出开始；第二配置工序，在所述第一基板配置装置处于所述竖立姿势的期间，将第二基板搬入所述真空槽内，配置在成为所述水平姿势的所述第二基板配置装置；第二竖立工序，使所述第二基板保持在所述第二基板配置装置并成为所述竖立姿势，使其面对所述第二有机蒸气放出面；第二成膜开始工序，从所述第二有机蒸气放出装置的所述放出孔使有机材料蒸气的放出开始；以及第一搬出工序，在所述第二基板配置装置为竖立的期间，使所述第一基板配置装置为所述水平姿势，将所述第一基板搬出至所述真空槽外，通过以上工序，在所述第二基板成膜中，将成膜了的所述第一基板搬出。
此外，在本发明的有机薄膜蒸镀方法中，在所述第一、第二竖立工序中，在所述第一、第二基板上分别配置有第一、第二掩模的状态下，使其从所述水平姿势变为所述竖立姿势，在所述第一搬出工序中，在使所述掩模从所述基板分离之后，将所述第一基板搬出至所述真空槽外。
此外，在本发明的有机薄膜蒸镀方法中，在所述第一、第二配置工序中，在处于所述水平姿势的所述第一、第二基板配置装置上，分别预先分离并配置好所述第一、第二掩模，将搬入至所述真空槽内的所述第一、第二基板插入到所述第一、第二掩模与所述第一、第二基板配置装置之间，接着，进行对位工序，对所述第一、第二基板与所述第一、第二掩模进行对位。
此外，在本发明的有机薄膜蒸镀方法中，所述第一、第二有机蒸气放出面从铅直倾斜，在所述第一、第二竖立工序中，使所述第一、第二有机蒸气放出装置从所述水平姿势起旋转不足90°的角度，使其成为与所述第一、第二有机蒸气放出面相同角度倾斜的所述竖立姿势。
发明的效果
能够以一台有机薄膜蒸镀装置同时对二枚基板进行蒸镀。
在对一方的基板进行成膜的期间，能够进行另一方的基板与掩模之间的对准处理，因此对准装置的运转率提高。
附图说明
图1是本发明的有机薄膜蒸镀装置。
图2是为了说明其基板配置部的图。
图3是为了说明本发明的有机薄膜蒸镀装置的工作的图（1）。
图4是为了说明本发明的有机薄膜蒸镀装置的工作的图（2）。
图5是为了说明本发明的有机薄膜蒸镀装置的工作的图（3）。
图6是为了说明本发明的有机薄膜蒸镀装置的工作的图（4）。
图7是为了说明本发明的有机薄膜蒸镀装置的工作的图（5）。
图8是为了说明本发明的有机薄膜蒸镀装置的工作的图（6）。
图9（a）是为了说明彩色发光的有机EL元件的图。
图9（b）是为了说明白色发光的有机EL元件的图。
图10是本发明的有机EL元件制造装置的一例。
图11（a）是集群方式的现有技术的有机EL元件制造装置。
图11（b）是沿线方式的有机EL元件制造装置。
附图标记说明
8 基板移动装置；
9 掩模移动装置；
11 真空槽；
13a 第一基板配置装置；
13b 第二的基板配置装置；
14a~14c 基板；
15 直线对准用销；
16 移载用销；
21a 第一有机蒸气放出装置；
21b 第二有机蒸气放出装置。
具体实施方式
图1表示本发明的一例的有机薄膜蒸镀装置10。
该有机薄膜蒸镀装置10具有：真空槽11；第一、第二基板配置装置13a、13b；和第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b。
第一、第二基板配置装置13a、13b配置于真空槽11的内部。此外，在真空槽11的内部水平地配置有第一、第二旋转轴19a、19b，第一、第二基板配置装置13a、13b通过安装构件18a、18b分别安装在第一、第二旋转轴19a、19b。第一、第二基板配置装置构成为13a、13b通过第一、第二旋转轴19a、19b的旋转而旋转，能够成为表面是作为水平的水平姿势，和以从铅直起倾斜了后述的倾斜角度θ的角度竖立的竖立姿势任一种。
第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b分别配置在真空槽11的相面对的侧壁面28a、28b。
第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b分别具有形成了许多放出口41a、41b的第一、第二有机蒸气放出面22a、22b，该第一、第二有机蒸气放出面22a、22b倾斜数度的倾斜角度θ（θ=2~20°），以80°~88°的角度倾斜地竖立设置，以朝向下方的方式配置。
第一、第二基板配置装置13a、13b从水平姿势起，旋转从铅直的角度起少了该倾斜角度θ的角度（不足90°的角度：90°-θ）并静止。将在该角度静止的状态称为竖立姿势，此时在竖立姿势下，与第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b分别面对。
第一、第二基板配置装置13a、13b的双方在水平姿势时是上下方向不同的高度，能够在水平方向静止于相同的位置。即，在第一、第二基板配置装置13a、13b中，一方在另一方的正上方位置静止，在这里，第一基板配置装置13a位于正下方。
在第一、第二基板配置装置13a、13b上，分别配置有第一、第二掩模12a、12b，第一、第二掩模12a、12b以铁、镍、钴等的被磁铁吸引的磁性材料构成。
如图2所示，在第一、第二基板配置装置13a、13b设置有磁铁27a、27b，在水平姿势的第一、第二基板配置装置13a、13b上，将成膜对象的基板14a、14b以使基板的成膜面朝向上方的方式放置，当在基板14a、14b上放置第一或第二掩模12a、12b时，第一、第二掩模12a、12b通过第一、第二基板配置装置13a、13b内的磁铁27a、27b被磁性吸引，将基板14a、14b按压于第一、第二基板配置装置13a、13b。
因此，基板14a、14b被第一掩模12a与第一基板配置装置13a，或第二掩模12b与第二基板配置装置13b夹持，被保持在第一或第二基板配置装置13a、13b。当第一、第二基板配置装置13a、13b从水平姿势成为竖立姿势时，第一、第二掩模12a、12b与基板和第一、第二基板配置装置13a、13b一起成为竖立姿势。在竖立姿势中，第一、第二掩模12a、12b、基板、和第一、第二基板配置装置13a、13b一起从铅直起倾斜倾斜角度θ，因此成膜面分别以倾斜角度θ朝上，成为与第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b面对。
图3是第一、第二基板配置装置13a、13b分别夹持基板14a、14b而成为竖立姿势的状态。
该基板14a、14b是在成膜面形成有电极的玻璃基板，在该形成有电极的成膜面的表面，形成有机薄膜。
在第一、第二基板配置装置13a、13b上，基板14a、14b将成膜面朝向第一或第二掩模12a、12b。在第一、第二掩模12a、12b中，在与成膜面内的形成薄膜的位置对应部分中形成有开口部42a、42b。
在真空槽11的外部，配置有生成作为有机化合物的蒸气的有机材料蒸气的有机蒸气产生源20，第一，第二有机蒸气放出装置21a、21b连接于该有机蒸气产生源20，供给在有机蒸气产生源20内生成的有机材料蒸气。
与第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b的第一、第二有机蒸气放出面22a、22b平行地，分别配置有第一、第二抵接构件31a、31b。
第一、第二抵接构件31a、31b的形状是能够与竖立姿势的第一、第二基板配置装置13a、13b的外围部分抵接的环状形状，第一、第二抵接构件31a、31b在真空槽11中，在配置有第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b的容器状的部分的开口位置配置。
竖立姿势的第一、第二基板配置装置13a、13b的外围部分的全部或一部分与第一、第二抵接构件31a、31b分别抵接，配置有第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b的容器状的部分通过第一、第二基板配置装置13a、13b、基板14a、14b、第一、第二掩模12a、12b被盖住，在第一基板配置装置13a与第一有机蒸气放出装置21a之间形成第一蒸镀空间32a，在第二的基板配置装置13b与第二有机蒸气放出装置21b之间形成第二蒸镀空间32b。
真空槽11内的竖立姿势的第一、第二基板配置装置13a、13b之间的部分的移动空间33，是用于在第一、第二基板配置装置13a、13b移动时在水平姿势与竖立姿势之间进行移动的空间，在竖立姿势的第一、第二基板配置装置13a、13b分别抵接于第一、第二抵接构件31a、31b的状态下，第一、第二蒸镀空间32a、32b从用于该移动的移动空间33各自分离。
第一蒸镀空间32a与第二蒸镀空间32b构成为分别连接于真空排气装置29a、29b，进行真空排气。在第一、第二抵接构件31a、31b不使第一、第二蒸镀空间32a、32b密封，第一、第二蒸镀空间32a、32b连接于移动空间33，第一、第二基板配置装置13a、13b是竖立姿势的状态下，移动空间33通过真空排气装置29a、29b经由第一、第二蒸镀空间32a、32b而被真空排气。
第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b具有容器状的主体部分，主体部分在单面通过具有第一、第二有机蒸气放出面22a，22b的板状的构件加以封塞，在第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b的内部设置有空洞23a、23b。供给至第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b的有机材料蒸气充满该空洞23a、23b内。
放出口41a、41b与该空洞23a、23b连通，充满空洞23a、23b的有机材料蒸气从各放出口41a、41b均等地放出至处于真空状态的第一或第二蒸镀空间32a、32b内，通过第一、第二掩模12a、12b的开口42a、42b到达基板的成膜面，在成膜面形成按照开口42a、42b的平面形状的平面形状的有机薄膜。再有，也可将有机蒸气产生源20配置在空洞23a、23b内而放出有机材料蒸气，也可以将有机化合物配置在空洞23a、23b内，直接放出蒸气。
图3表示从第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b放出有机材料蒸气，薄膜在被第一、第二基板配置装置13a、13b保持的基板14a、14b的表面生长的状态，这时，第一、第二基板配置装置13a、13b的任一方与另一方相比成膜开始时刻变早，在以竖立姿势进行成膜的被第一、第二基板配置装置13a、13b保持的基板14a、14b中，停止向成膜结束一方的向第一或第二有机蒸气放出装置21a、21b的来自有机蒸气产生源20的有机材料蒸气的供给。
在此，当假设第一基板配置装置13a保持的基板14a的有机薄膜形成结束时，停止向第一有机蒸气放出装置21a的有机材料蒸气的供给，之后如图4所示，第一基板配置装置13a从竖立姿势旋转移动到水平姿势。此时，第二基板配置装置13b保持的基板14b正在进行有机薄膜形成，第二基板配置装置13b维持竖立姿势。
在第一、第二基板配置装置13a、13b的任一方成为水平姿势的情况下，在成为水平姿势的第一、第二基板配置装置13a、13b的下方位置，配置有掩模移动装置9与基板移动装置8。
掩模移动装置9具有设为铅直的直线对准用销15，和在上下方向与水平方向使直线对准用销15移动的直线对准机构24。
第一、第二掩模12a、12b的外围的一部分或全周从基板14a、14b的边缘露出。
在第一、第二基板配置装置13a、13b中，在一方处于水平姿势而另一方处于竖立姿势时，当通过直线对准机构24使直线对准用销15上升时，直线对准用销15以通过水平姿势的第一或第二基板配置装置13a、13b上的基板14a或14b的外周的外侧，直线对准用销15的上端与第一或第二掩模12a、12b中的从基板14a或14b露出的部分抵接的方式配置。
在此，在直线对准用销15的前端设置有钩，钩与第一或第二掩模12a、12b抵接。
直线对准用销15沿着配置有第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b的侧壁面28a，28b排列成二列，在通过直线对准机构24而上升时，在四边形的第一、第二掩模12a、12b的背面中，在与平行的二边接近的位置抵接。
在抵接后，当以比第一、第二掩模12a，12b和第一、第二基板配置装置13a、13b内的磁铁27a、27b之间的磁吸附力大的力，使直线对准用销15进一步上升时，解除掩模向第一或第二基板配置装置13a、13b的磁吸附力导致的按压，第一、第二掩模12a、12b通过直线对准用销15而被抬起。
此外，基板移动装置8具有基板移载机构26与移载用销16。在第一、第二基板配置装置13a、13b分别设置有贯通孔43a、43b，在抬起处于水平姿势的第一或第二掩模12a、12b之后，当基板移载机构26使移载用销16上升，在处于水平状态的第一或第二基板配置装置l3a，13b的贯通孔43a、43b中插入移载用销16时，移载用销16的上端与位于贯通孔43a、43b上的基板的背面部分抵接。当移载用销16进一步上升时，基板被移载用销16的上端抬起，基板14a、14b从第一、第二基板配置装置13a、13b移载到移载用销16上。
像这样，在保持基板14a、14b的第一、第二基板配置装置13a、13b中，在一方处于水平姿势而另一方处于竖立姿势时，能够分别抬起处于水平姿势的第一或第二基板配置装置13a、13b上的第一或第二掩模12a、12b与基板14a、14b。
在这里，因为第一基板配置装置13a处于水平姿势，第二基板配置装置13b处于竖立姿势，所以如图5所示，第一基板配置装置13a上的第一掩模12a与基板14a被抬起。此时，处于竖立姿势的第二基板配置装置13b上的基板14b是成膜结束也可，是成膜中也可。
在该有机薄膜蒸镀装置10的真空槽11的一个壁面，连接有后述的图10所示的搬送室105b~105d，在该搬送室105b~105d的内部配置有基板搬送机器人30b~30d。
搬送室105b~105d不与配置有第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b的侧壁面28a、28b连接，而与其它的侧壁面连接。
基板搬送机器人30b~30d构成为具有连接于旋转轴36的臂34，和设置于臂34的前端的手35，在手35上能装载基板14a、14b。
在真空槽11与搬送室105b~105d连接的侧壁面侧没有设置直线对准用销15，手35的宽度以比一方的侧壁面的直线对准用销15与另一方的侧壁面的直线对准用销15之间的距离小的方式形成。
此外，手35形成为能够插入到抬起基板14a、14b的移载用销16之间的形状，因此，当第一或第二掩模12a、12b通过直线对准用销15被抬起，此外，基板14a、14b被移载用销16抬起时，将手35插入到二列的直线对准用销15之间和移载用销16之间，能够静止在第一或第二基板配置装置13a、13b与基板14a、14b之间。
图5表示手35插入到基板14a的正下方位置，静止于第一基板配置装置13a与基板14a之间的状态。当在该状态下使移载用销16下降时，基板14a也同时下降，如图6所示，移载用销16上的基板14a移载到手35上。
接着，缩短基板搬送机器人30b~30d的臂34，使装载有基板14a的手35返回至搬送装置105b~105d内，使臂34旋转并延伸，将基板l4a与手35一起搬入其它装置的真空槽，当将基板14a配置于该真空槽内时，手35上变空，能够在手35上装载其它的基板。
移载用销16维持下降的状态，将在搬出入室（例示的话，后述的图10的以符号102所示的室）内、交接室104a~104d内配置的基板装载到手35上，将该状态的手35插入到直线对准用销15上的第一、第二掩模12a、12b与水平姿势的第一、第二基板配置装置13a、13b之间，使其静止。
接着，当使移载用销16上升时，手35上的基板移载至移载用销16的前端上。
接着，在将手35从直线对准用销15间及移载用销16间抽出而使其退避后，当使移载用销16下降到比第一、第二基板配置装置13a、13b表面为下方的位置时，基板从移载用销16上移载到水平姿势的第一或第二基板配置装置13a、13b上。在此，第二基板配置装置13b处于竖立姿势，如图7所示，基板装载到水平姿势的第一基板配置装置13a上。图7的符号14c表示装载的基板。
在处于水平姿势的第一、第二基板配置装置13a、13b的下方位置，配置有摄影机17。在第一、第二掩模12a、12b与基板14a~14c分别设置有对准标记，通过摄影机17能够观察基板14a~14c的对准标记，经由透明的基板14a~14c，能够观察第一或第二掩模12a、l2b的对准标记。
摄影机17连接于控制装置，控制装置通过摄影机17，一边观察基板的对准标记与位于直线对准用销15上的水平姿势的第一或第二掩模12a、12b的对准标记，一边通过掩模移动装置9使直线对准用销15在水平方向移动，使直线对准用销15上的第一或第二掩模12a、12b在水平方向移动，对基板14a~14c与第一或第二掩模12a、12b进行对位（对准）。
接着，当使直线对准用销15铅直地下降时，第一或第二掩模12a、12b在与基板密接或接近的状态下被第一或第二基板配置装置13a、13b内的磁铁27a、27b磁吸附。当第一或第二掩模12a、12b被磁吸附时，基板l4a~14c与第一或第二掩模12a、12b在直线对准于第一或第二基板配置装置13a、13b上的状态下被固定。
将第一掩模12a与基板14c进行对位，第一掩模12a与基板14c一起以磁吸附被固定于第一基板配置装置13a上，在第一掩模12a与基板被保持在第一基板配置装置13a的状态下，使其为竖立姿势，开始对基板14c的成膜。
在向保持于第一基板配置装置13a的基板14c的薄膜形成中，当向保持于第二基板配置装置13b的基板14b的薄膜形成结束时，第二基板配置装置13b，和保持于第二基板配置装置13b的基板14b与第二掩模12b如图8所示，从竖立姿势成为水平姿势，与第一基板配置装置上的基板14a、14c的交换同样地，第二基板配置装置13b上的薄膜形成结束了的基板14b也交换成未成膜的基板，接着，成为竖立姿势继续进行成膜作业。
图2的符号25a、25b是设置于第一、第二基板配置装置13a、13b内的冷却介质的介质通路，对处于竖立姿势的第一、第二基板配置装置13a、13b也使冷却了的冷却介质流过介质通路13a、13b内，使成膜中的基板14a~14c的温度下降，以便对形成的有机薄膜没有热损伤，且能够缩小第一、第二掩模12a、12b的热膨胀。
本发明的有机蒸气产生源20具有多个容器201~203，在不同的容器201~203分别配置不同种类的有机材料，个别地使蒸气产生。例如，能够将空穴注入性的有机物质、空穴输送性的有机物质、R（红）、G（绿）或B（蓝）的发光性的有机物质、以及电子输送性的有机物质配置在各自不同的容器201~203而使蒸气产生。
当使第一、第二基板配置装置13a、13b为竖立姿势并使各有机物质的蒸气从第一、第二有机蒸气放出装置21a、21b依次放出时，能够获得在基板14a~14c的表面在按照R、G、B的每一个而不同的位置层叠了各有机物质的薄膜的有机EL层。
在图9（a）表示从玻璃基板52侧起依次在不同的位置分别形成有由空穴注入层551、空穴输送层552、R、G或B的发光层56R、56G、56B、电子输送层571、电子注入572、阴极电极层573的层叠膜（阳极电极省略）构成的有机EL层51R，51G、51B的有机EL元件50。
图10的符号100是形成该有机EL元件50的有机EL元件制造装置，多个搬送室105a~105e以交接室104a~104d连接。在初级的搬送室105a连接有搬入室102与预处理室103，在中级的搬送室105b~105d连接有多台（在此是二台）有机薄膜蒸镀装置10R、10G，10B，在该有机薄膜蒸镀装置10R、10G，10B中配置有空穴注入性的有机物质、空穴输送性的有机物质、R（红）、G（绿）或B（蓝）的发光性的有机物质、以及电子输送性的有机物质。
在后级的搬送室105e连接有一台或二台以上的溅射室（在此是二台）106，和搬出室107。
在各搬送室105a~105e配置有基板搬送机器人30a~30e，臂34的前端的手35能够对连接于搬送室105a~105e的各室内插入、抽出。
再有，在有机薄膜蒸镀装置10R，10G，10B与溅射装置106连接有贮存室108，该贮存室108对在各装置10R、10G、10B、106内交换的掩模进行贮存。
此外，在图9（b）中表示以如下方式形成的有机EL元件60，即，在玻璃基板62上，在通过与空穴相关的有机薄膜蒸镀装置形成空穴注入层661、空穴输送层662之后，通过配置有不同掩模的红的有机蒸镀装置与绿的有机蒸镀装置与蓝的有机蒸镀装置，在不同的位置形成R、G、B各自的发光层66R、66G、66B，接着，通过与电子相关的有机薄膜蒸镀装置，形成电子输送层671、电子注入672，通过溅射装置形成了阴极电极673。在该其有机EL元件60中，能够对各发光层66R、66G、66B一起使电流流过而进行白色发光。
此外，在图10所示的上述有机EL制造装置100中，以在一台的有机薄膜蒸镀装置10R、10G、10B的内部对一个颜色的有机发光层进行成膜的方式配置有机材料，但在一台的有机薄膜蒸镀装置10配置多个颜色的有机材料，按照各色的每一个使有机材料蒸气放出，形成层叠了各色层的白色的有机EL元件也可。
再有，在上述实施例中，示出了将第一、第二有机蒸气放出面22a、22b，和第一、第二基板配置装置13a、13b以相对于水平面是80°以上88°以下的角度倾斜地竖立设置的例子，但也能够以相对于水平面是70°以上90°以下的竖立设置。
但是，通过以不足90°的角度倾斜地竖立设置，能够防止第一、第二掩模12a、12b的弯曲，此外，通过以比70°大的角度竖立设置，能够防止在成膜中或成膜前后粉尘掉落于基板14a~14c的表面。
进而，在上述实施例中，示出了在使第一、第二基板配置装置13a、13b为水平姿势时在不同高度静止的例子，但在通过控制装置控制第一、第二基板配置装置13a、13b的工作的情况下，如果以不发生第一、第二基板配置装置13a、13b的双方同时成为水平姿势的状态进行控制的话，第一、第二基板配置装置13a、13b在水平方向和上下方向是相同位置成为水平姿势也可。
此外，在上述实施例中，在配置有第一、第二基板配置装置13a、13b的真空槽11内进行第一、第二掩模12a、12b与基板14a、14b的对位，但也能够在真空槽连接对位室，在对位室内进行第一、第二掩模12a、12b与基板14a、14b的对位，维持对位了的状态并第一、第二掩模12a、12b与基板14a、14b搬入至真空槽11内，配置在第一、第二基板配置装置13a、13b上，使其为竖立姿势而进行成膜。
在使其为竖立姿势并成膜之后，使第一、第二掩模12a，12b与基板14a、14b为水平姿势，一起搬出至真空槽11的外部。

Claims (11)

1. 一种有机薄膜蒸镀装置，其中，构成为具有：
真空槽；
第一、第二基板配置装置，配置在所述真空槽内，配置第一、第二基板；
第一、第二掩模，分别位于所述第一、第二基板配置装置上，形成有开口；
第一旋转轴，进行工作，使得所述第一基板配置装置与所述第一掩模一起成为在上下方向重合的位置变成水平的水平姿势，此外，使得所述第一基板配置装置与所述第一掩模一起成为竖立设置的竖立姿势；
第二旋转轴，进行工作，使得所述第二基板配置装置与所述第二掩模一起成为在上下方向重合的位置变成水平的所述水平姿势，此外，使得所述第二基板配置装置与所述第二掩模一起成为竖立设置的所述竖立姿势；以及
第一、第二有机蒸气放出装置，设置在所述真空槽，从设置在第一、第二有机蒸气放出面的放出口使有机材料蒸气放出，
通过所述第一、第二旋转轴的工作，所述第一、第二基板分别被所述第一、第二基板配置装置、和所述第一、第二掩模夹持并在所述水平姿势与所述竖立姿势之间变更姿势，
所述第一、第二有机蒸气放出面分别与成为所述竖立姿势的所述第一、第二掩模面对，从所述第一、第二有机蒸气放出面的所述放出口放出的所述有机材料蒸气，通过所述第一、第二掩模的开口而到达所述成膜面。
2. 根据权利要求1所述的有机薄膜蒸镀装置，其中，所述竖立姿势是所述第一、第二成膜对象物从所述水平姿势起旋转移动不足90°的角度，配置有所述第一、第二掩模的面朝上倾斜。
3. 根据权利要求1或2的任一项所述的有机薄膜蒸镀装置，其中，在所述第一、第二基板配置装置分别形成有冷却介质液流过的通路。
4. 根据权利要求1至3的任一项所述的有机薄膜蒸镀装置，其中，
构成为在所述第一、第二有机蒸气放出装置分别连接有蒸气产生源，
在所述蒸气产生源生成的所述有机材料蒸气能够从所述第一、第二有机蒸气放出面的所述放出口放出。
5. 根据权利要求1至4的任一项所述的有机薄膜蒸镀装置，其中，具有：第一、第二吸付磁铁，设置在所述第一、第二基板配置装置，将所述第一、第二掩模向所述第一、第二基板配置装置磁吸附。
6. 根据权利要求1至5的任一项所述的有机薄膜蒸镀装置，其中，具有：掩模移动装置，在所述水平姿势的所述第一、第二基板配置装置上，使所述第一、第二掩模在上下方向分别移动。
7. 一种有机EL元件制造装置，其中，
具有：搬送室，配置有基板搬送机器人，
在所述搬送室连接有权利要求1至6的任一项所述的有机薄膜蒸镀装置。
8. 一种有机薄膜蒸镀方法，其中，
分别竖立设置好有机薄膜蒸镀装置的第一、第二有机蒸气放出面，所述有机薄膜蒸镀装置具有：第一、第二基板配置装置，配置在同一真空槽内，能够配置基板；以及第一、第二有机蒸气放出装置，设置在所述真空槽，在所述第一、第二有机蒸气放出面形成有放出口，
进行以下工序：
第一配置工序，将第一基板搬入所述真空槽内，将所述第一基板配置在处于水平的水平姿势的所述第一基板配置装置；
第一竖立工序，使所述第一基板保持在所述第一基板配置装置并成为竖立的竖立姿势，使其面对所述第一有机蒸气放出面；
第一成膜开始工序，从所述第一有机蒸气放出装置的所述放出孔使有机材料蒸气的放出开始；
第二配置工序，在所述第一基板配置装置处于所述竖立姿势的期间，将第二基板搬入所述真空槽内，配置在成为所述水平姿势的所述第二基板配置装置；
第二竖立工序，使所述第二基板保持在所述第二基板配置装置并成为所述竖立姿势，使其面对所述第二有机蒸气放出面；
第二成膜开始工序，从所述第二有机蒸气放出装置的所述放出孔使有机材料蒸气的放出开始；以及
第一搬出工序，在所述第二基板配置装置为竖立的期间，使所述第一基板配置装置为所述水平姿势，将所述第一基板搬出至所述真空槽外，
通过以上工序，在所述第二基板成膜中，将成膜了的所述第一基板搬出。
9. 根据权利要求8所述的有机薄膜蒸镀方法，其中，
在所述第一、第二竖立工序中，在所述第一、第二基板上分别配置有第一、第二掩模的状态下，使其从所述水平姿势变为所述竖立姿势，
在所述第一搬出工序中，在使所述掩模从所述基板分离之后，将所述第一基板搬出至所述真空槽外。
10. 根据权利要求9所述的有机薄膜蒸镀方法，其中，
在所述第一、第二配置工序中，在处于所述水平姿势的所述第一、第二基板配置装置上，分别分离并配置好所述第一、第二掩模，将搬入至所述真空槽内的所述第一、第二基板插入到所述第一、第二掩模与所述第一、第二基板配置装置之间，
接着，进行对位工序，对所述第一、第二基板与所述第一、第二掩模进行对位。
11. 根据权利要求8至10的任一项所述的有机薄膜蒸镀方法，其中，
所述第一、第二有机蒸气放出面从铅直倾斜，
在所述第一、第二竖立工序中，使所述第一、第二有机蒸气放出装置从所述水平姿势起旋转不足90°的角度，使其成为与所述第一、第二有机蒸气放出面相同角度倾斜的所述竖立姿势。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104993070A (zh) * 2015-07-02 2015-10-21 深圳市华星光电技术有限公司 一种制作柔性oled显示器件的方法
CN105154820A (zh) * 2015-07-23 2015-12-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法
CN111321375A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 佳能特机株式会社 蒸镀装置、电子器件的制造装置以及蒸镀方法
CN111850463A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 佳能株式会社 基板处理设备和基板处理方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8039052B2 (en) * 2007-09-06 2011-10-18 Intermolecular, Inc. Multi-region processing system and heads
US8749053B2 (en) 2009-06-23 2014-06-10 Intevac, Inc. Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
JP5492027B2 (ja) * 2010-08-31 2014-05-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 有機ｅｌデバイス製造装置及び製造方法
US9324598B2 (en) * 2011-11-08 2016-04-26 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
US10679883B2 (en) * 2012-04-19 2020-06-09 Intevac, Inc. Wafer plate and mask arrangement for substrate fabrication
US8898928B2 (en) * 2012-10-11 2014-12-02 Lam Research Corporation Delamination drying apparatus and method
TW201421607A (zh) * 2012-11-29 2014-06-01 Ind Tech Res Inst 基板與遮罩貼合夾持裝置
TWI570745B (zh) 2012-12-19 2017-02-11 因特瓦克公司 用於電漿離子植入之柵極
KR101914771B1 (ko) * 2016-11-24 2018-11-02 한국알박(주) 막 증착 방법
US11251019B2 (en) * 2016-12-15 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Plasma device
JP6620228B2 (ja) * 2017-03-17 2019-12-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 真空処理システムを動作させる方法
JP6863199B2 (ja) 2017-09-25 2021-04-21 トヨタ自動車株式会社 プラズマ処理装置
CN110462095B (zh) * 2017-11-01 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 在基板上沉积沉积材料的蒸镀板、蒸镀设备、以及在基板上沉积沉积材料的方法
WO2019228611A1 (en) * 2018-05-29 2019-12-05 Applied Materials, Inc. Methods of handling masks in a vacuum system, and vacuum system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6036426A (en) * 1996-01-26 2000-03-14 Creative Design Corporation Wafer handling method and apparatus
US6251191B1 (en) * 1997-11-14 2001-06-26 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing system
US20030172874A1 (en) * 1998-12-22 2003-09-18 Masao Kawaguchi Mechanism and method for supporting substrate to be coated with film
CN101068949A (zh) * 2005-06-15 2007-11-07 株式会社爱发科 成膜装置、薄膜的制造装置及成膜方法
US20080145521A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Guo G X System and process for fabricating photovoltaic cell

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8503163A (nl) * 1984-11-16 1986-06-16 Sony Corp Inrichting en werkwijze voor dampneerslag.
DE19527246A1 (de) * 1994-07-28 1996-02-01 Leybold Ag Heizbarer Schwenktisch
JP3239779B2 (ja) * 1996-10-29 2001-12-17 日新電機株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2004241319A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Sony Corp 成膜装置
JP4685404B2 (ja) * 2003-10-15 2011-05-18 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光素子の垂直蒸着方法，その装置，及び有機電界発光素子の垂直蒸着装置に使用される蒸着源
DE10348281B4 (de) * 2003-10-17 2007-06-06 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Vakuum-Behandlungsanlage für ebene rechteckige oder quadratische Substrate
EP1741802B1 (en) * 2004-03-29 2013-08-21 Tadahiro Ohmi Film-forming apparatus and film-forming method
JP2008056966A (ja) 2006-08-30 2008-03-13 Kyocera Corp 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6036426A (en) * 1996-01-26 2000-03-14 Creative Design Corporation Wafer handling method and apparatus
US6251191B1 (en) * 1997-11-14 2001-06-26 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing system
US20030172874A1 (en) * 1998-12-22 2003-09-18 Masao Kawaguchi Mechanism and method for supporting substrate to be coated with film
CN101068949A (zh) * 2005-06-15 2007-11-07 株式会社爱发科 成膜装置、薄膜的制造装置及成膜方法
US20080145521A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Guo G X System and process for fabricating photovoltaic cell

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104993070A (zh) * 2015-07-02 2015-10-21 深圳市华星光电技术有限公司 一种制作柔性oled显示器件的方法
CN105154820A (zh) * 2015-07-23 2015-12-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法
CN105154820B (zh) * 2015-07-23 2017-11-21 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法
CN111321375A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 佳能特机株式会社 蒸镀装置、电子器件的制造装置以及蒸镀方法
CN111321375B (zh) * 2018-12-14 2023-03-14 佳能特机株式会社 蒸镀装置、电子器件的制造装置以及蒸镀方法
CN111850463A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 佳能株式会社 基板处理设备和基板处理方法
CN111850463B (zh) * 2019-04-24 2023-08-22 佳能株式会社 基板处理设备和基板处理方法

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