CN107425141A - 用于图案组成的喷嘴出口轮廓以及使用所述轮廓的装置和方法 - Google Patents

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G·科塔斯
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Abstract

本申请案涉及用于图案组成的喷嘴出口轮廓以及使用所述轮廓的装置和方法。提供一种沉积喷嘴，其包含偏移的沉积孔口，所述偏移的沉积孔口安置于所述沉积孔口的任一侧上的排气孔口之间。所述所提供的喷嘴布置允许利用适合用于例如OLED等装置中的沉积型面来沉积材料。

Description

用于图案组成的喷嘴出口轮廓以及使用所述轮廓的装置和 方法
相关申请案的交叉参考
本申请案是2016年4月11日申请的第62/320,981号和2016年10月18日申请的第62/409,404号美国专利申请案的非临时申请案且要求所述美国专利申请案的优先权权益，以上美国专利申请案中的每一者的整个内容以引用的方式并入本文中。
共同研究协议的各方
所主张的本发明代表和/或联合以下一或多方依据联合大学企业研究协议提出：密歇根大学董事会(Regents of the University of Michigan)、普林斯顿大学(Princeton University)、南加州大学(University of Southern California)以及环宇显示公司(Universal Display Corporation)。所述协议在作出所要求的本发明的日期当天和之前就生效，并且所要求的本发明是因在所述协议的范围内进行的活动而作出。
技术领域
本发明涉及用于例如经由一或多个喷嘴沉积材料的布置，以及包含所述布置的例如有机发光二极管等装置和其它装置。
背景技术
利用有机材料的光电装置由于许多原因变得日益合乎需要。用于制造这些装置的许多材料相对便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于具体应用，例如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光装置(OLED)、有机光电晶体、有机光伏打电池和有机光检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。举例来说，有机发射层发光所处的波长通常可以用适当的掺杂剂容易地调节。
当在装置上施加电压时，OLED利用发光的有机薄膜。OLED正成为用于例如平板显示器、照明和背光的应用的日益受关注的技术。若干OLED材料和配置描述于美国专利第5,844,363号、第6,303,238号以及第5,707,745号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。
磷光发射分子的一种应用是全色显示器。针对所述显示器的行业标准需要适合于发射特定色彩(称为“饱和”色彩)的像素。具体地说，这些标准需要饱和的红色、绿色和蓝色像素。色彩可以使用本领域中熟知的CIE坐标来测量。
绿色发射分子的一个实例是三(2-苯基吡啶)铱、表示为Ir(ppy)3，其具有以下结构：
在这个图和下文的图中，我们以直线形式描绘了氮与金属(此处是Ir)的配位键。
如本文所用，术语“有机”包括可以用于制造有机光电装置的聚合材料以及小分子有机材料。“小分子”是指不是聚合物的任何有机材料，并且“小分子”可能实际上相当大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。举例来说，使用长链烷基作为取代基并不会将某一分子从“小分子”类别中去除。小分子还可以并入聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧接基团或作为主链的一部分。小分子还可以充当树枝状聚合物的核心部分，所述树枝状聚合物由一系列构建在核心部分上的化学壳组成。树状体的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树状体可以是“小分子”，并且人们相信目前用于OLED领域中的所有树状体都是小分子。
如本文所用，“顶部”意指距离衬底最远，而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“置于”第二层“上方”时，第一层是置于离衬底较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，阴极可以被描述为“置于”阳极“上方”，尽管在两者之间存在各种有机层。
如本文所用，“溶液可处理的”意指以溶液或悬浮液形式都能够在液体介质中溶解、分散或输送和/或从液体介质沉积。
当据信配体直接促成发射材料的光敏性质时，配体可以称为“光敏性的”。当人们相信配体不有助于发射材料的光敏性质时，配体可以被称为“辅助性的”，但辅助性配体可以改变光敏性配体的性质。
如本文中所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一“最高占用分子轨域(HOMO)”或“最低未占用分子轨域(LUMO)”能量水平更接近真空能量水平，那么第一能量水平“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能量水平。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量，因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(负得较少的IP)。类似地，较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和力(EA)(较不负的EA)。在顶部是真空能级的常规能级图上，材料的LUMO能级高于同一材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近这个图的顶部。
如本文所使用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一功函数具有较高绝对值，那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为功函数通常经测量相对于真空能级是负数，因此这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上，将“较高”功函数说明为在向下方向上离真空能级更远。因此，HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的惯例。
关于OLED的更多细节和上述定义可以见于美国专利第7,279,704号中，其以全文引用的方式并入本文中。
如本文所使用，“相对移动的方向”或更一般化地“平行”于一个方向指代在正沉积的材料或正制造的装置所需的公差内，当设备用以在衬底上沉积材料且衬底和设备相对于彼此移动的同时近似平行于衬底和沉积设备的相对移动方向的方向。因此，沉积装置的孔口或其它特征可描述为当所述特征的长轴、最长边缘等平行于在所需公差内的相对移动方向时布置成或平行于相对移动的方向，即使所述两个方向可能不是确切平行。举例来说，当沉积用于在OLED中使用的发射材料的条纹时，可能需要衬底的表面上方的条纹放置或沉积准确性的不超过5pm的偏差，在此情况下沉积孔口可被布置成以足够准确性平行于相对移动方向以实现所需的偏差或更小，即，平行于相对移动方向。类似地，特征可当其在制造公差允许时接近于完全平行或垂直时和/或在用于系统的任何所需设计或制造公差内平行或垂直于一方向或其它特征。
发明内容
根据一实施例，提供一种用于将材料沉积到衬底上的装置，例如印刷头或包含印刷头的沉积件，所述装置包含沉积喷嘴，所述沉积喷嘴具有：第一排气孔口；第二排气孔口；第一沉积孔口，其安置于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间且相比于所述第二孔口更接近所述第一排气孔口；以及第二沉积孔口，其安置于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间且相比于所述第一排气孔口更接近所述第二排气孔口，其中所述第二沉积孔口沿着所述喷嘴的轴从所述第一沉积孔口偏移。
所述第一沉积孔口和所述第二沉积孔口可具有相同尺寸，且每一者可经布置使得当所述装置正在操作中时，每一沉积孔口的最长边缘沿着所述装置和所述衬底的相对移动的方向。所述孔口可为矩形或任何其它合适的形状。排气孔口可为连续的和/或矩形，且可经布置使得当所述装置正在操作中时，每一者的最长边缘沿着所述装置和所述衬底的相对移动的方向。所述孔口可布置在各种相对位置中。举例来说，其可经布置使得对于在所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间且垂直于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口绘制的任何线，所述线与所述第一沉积孔口或所述第二沉积孔口中的不超过一者交叉。作为替代或另外，当所述装置正在操作中时，所述排气孔口可在所述装置和所述衬底的所述相对移动方向上在所述第一沉积孔口和所述第二沉积孔口中的每一者前方和后方延伸。所述装置可包含待沉积于所述衬底上的材料的源，所述材料源与所述第一沉积孔口和所述第二沉积孔口成流体连通。所述装置可包含与所述排气孔口中的一或多者成流体连通的外部真空源。所述装置可包含与所述排气孔口中的一或多者成流体连通的约束气体源。所述排气孔口可各自具有沿着所述衬底和所述装置的相对运动方向的恒定宽度。
在一实施例中，提供一种包含OLED的装置。所述OLED可包含：第一电极，其安置于衬底上方；第一发射层，其安置于所述第一电极上方；以及第二电极，其安置于所述发射层上方。可使用包括喷嘴的沉积装置的不超过一个遍次制造所述第一发射层，在所述衬底的所印刷表面上的每个点上的沉积的起始和结束之间不超过1.0s内，所述喷嘴与待沉积在所述衬底上方的材料源成流体连通。所述装置可为(例如)：平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光印刷机、电话、手机、平板计算机、平板手机、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、数码相机、摄录像机、取景器、微型显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、3-D显示器、交通工具、大面积墙壁、剧院或体育馆屏幕、指示牌，或其组合。
在一实施例中，提供一种制造沉积装置的方法，所述方法包含：切割晶片对从而形成包括沿着每一晶片的边缘的多个沉积孔口的微喷嘴阵列通道，每一孔口由通道和切割线的交叉界定；以及结合所述晶片对从而形成沉积喷嘴。所述沉积喷嘴可包含：第一排气孔口；第二排气孔口；第一沉积孔口，其安置于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间且相比于所述第二孔口更接近所述第一排气孔口；以及第二沉积孔口，其安置于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间，且相比于所述第一排气孔口更接近所述第二排气孔口，其中所述第二沉积孔口沿着所述喷嘴的轴从所述第一沉积孔口偏移。
附图说明
图1展示例如可根据本文所揭示的技术和装置制造的有机发光装置。
图2展示例如可根据本文所揭示的技术和装置制造的不具有单独电子传输层的倒置式有机发光装置。
图3展示根据本文所揭示的实施例可实现的一般沉积型面。
图4展示如本文所揭示的沉积型面和相关联分布类型的实例。
图5展示根据本文所揭示的实施例具有高均一性的中央宽度的沉积图案的实例。
图6展示由三个沉积形成的沉积型面的实例。
图7展示根据本文所揭示的实施例的实例喷嘴孔口布置。
图8A、8B和8C展示根据本文所揭示的实施例的实例喷嘴孔口布置。
图9和10展示从本文所揭示的喷嘴孔口布置的不同区段产生的实例沉积型面。
图11A、11B和11C分别展示在从如图8A、8B和8C中所示的布置产生的沉积的不同y区段处在x方向上的部分贡献。
图12A、12B和12C分别展示从如图8A、8B和8C中所示的布置产生的沉积的型面的加权总和。
图13展示在根据本文所揭示的实施例的OVJP过程和微喷嘴阵列中使用的实例沉积器。
图14展示根据本文所揭示的实施例的由如图13中所示的沉积器产生的过程气体流的流线。
图15A展示根据本文所揭示的实施例在一个遍次中以单个递送孔口由沉积器印刷的薄膜特征的厚度的横截面型面。
图15B展示根据本文所揭示的实施例在两个遍次中以单个递送孔口由沉积器印刷的薄膜特征的厚度的横截面型面。
图16A展示根据本文所揭示的实施例的具有分裂和偏移递送孔口的沉积器以及针对各种排气流速率和孔口偏移由沉积器的上半部印刷的特征的厚度型面。
图16B展示根据本文所揭示的实施例的由DE间隔件的不对称性产生的沉积型面。
图17A和图17B展示根据本文所揭示的实施例的以分别用于9sccm和18sccm的排气流速率的分裂递送孔口以及孔口偏移由沉积器印刷的特征的横截面厚度型面。
图18展示根据本文所揭示的实施例的从分裂沉积器到衬底的有机蒸气通量的轮廓绘图，其中沉积器孔口被上覆，如同分离过程气体流的各种区的停滞平面的轮廓。
具体实施方式
一般来说，OLED包含至少一个有机层，其安置在阳极与阴极之间并且与阳极和阴极电连接。当施加电流时，阳极注入空穴并且阴极注入电子到这一(这些)有机层中。所注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一分子上时，形成“激子”，其为具有激发能态的定域电子-空穴对。当激子经由光电发射机制弛豫时，发射光。在一些情况下，激子可以定位在准分子或激发复合物上。还可能发生例如热弛豫的非辐射机制，但通常认为其是不合需要的。
最初的OLED使用从其单重态发光(“荧光”)的发光分子，如例如在美国专利第4,769,292号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。荧光发射通常在小于10纳秒的时帧内发生。
最近，已经展示了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。巴尔多(Baldo)等人,“来自有机电致发光装置的高度有效磷光发射(Highly EfficientPhosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices)”,自然(Nature),第395卷,151-154,1998(“巴尔多-I”)；和巴尔多等人,“基于电致磷光的极高功效绿色有机发光装置(Very high-efficiency green organic light-emitting devicesbased on electrophosphorescence)”,应用物理快报(Appl.Phys.Lett.),第75卷,第3期,4-6(1999)(“巴尔多-II”)，所述文献以全文引用的方式并入。在美国专利第7,279,704号第5到6列中更详细地描述磷光，所述专利以引用的方式并入。
图1展示了有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴输送层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子输送层145、电子注入层150、保护层155、阴极160以及屏障层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过按顺序沉积所述层制造。这些各种层的性质和功能以及实例材料更详细地描述于US 7,279,704第6到10列中，所述专利以引用的方式并入。
这些层中的每一者有更多实例。举例来说，以全文引用的方式并入的美国专利第5,844,363号中公开柔性并且透明的衬底-阳极组合。经p掺杂的空穴输送层的实例是以50:1的摩尔比率掺杂有F4-TCNQ的m-MTDATA，如以全文引用的方式并入的美国专利申请公开案第2003/0230980号中所公开。在以全文引用的方式并入的颁予汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中公开发射材料和主体材料的实例。n掺杂的电子输送层的实例是以1:1的摩尔比掺杂有Li的BPhen，如以全文引用的方式并入的美国专利申请公开案第2003/0230980号中所公开。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，其包括具有例如Mg:Ag等金属薄层与上覆的透明、导电、经溅镀沉积的ITO层的复合阴极。阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开案第2003/0230980号中，这些均以全文引用的方式并入。以全文引用的方式并入的美国专利申请公布第2004/0174116号中提供注入层的实例。保护层的描述可以在以全文引用的方式并入的美国专利申请公开案第2004/0174116号中找到。
图2示出倒置式OLED 200。所述装置包括衬底210、阴极215、发射层220、空穴输送层225以及阳极230。装置200可以通过依序沉积所描述的层来制造。因为最常见OLED配置具有安置在阳极上的阴极，并且装置200具有安置在阳极230下的阴极215，所以装置200可以称为“倒置式”OLED。与关于装置100所描述的材料类似的材料用于装置200的对应层中。图2提供了可以如何从装置100的结构省略一些层的一个实例。
图1和2中所说明的简单分层结构借助于非限制性实例提供，并且应理解本发明的实施例可以与各种其它结构联合使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的，并且可以使用其它材料和结构。可以基于设计、性能和成本因素，通过以不同方式组合所描述的各种层来实现功能性OLED，或可以完全省略若干层。也可以包括未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文所提供的实例中的多数将各种层描述为包含单一材料，但应理解，可以使用材料的组合(例如主体与掺杂剂的混合物)，或更一般来说，混合物。同样，层可以具有各种子层。本文中给予各个层的名称不意欲具有严格限制性。举例来说，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且注入空穴到发射层220中，并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，OLED可以被描述为具有“有机层”置于阴极与阳极之间。此有机层可以包含单个层，或可以进一步包含如例如关于图1和2所描述的不同有机材料的多个层。
还可以使用未具体描述的结构和材料，例如包含聚合材料的OLED(PLED)，例如以全文引用的方式并入的颁予弗兰德(Friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开。进一步举例来说，可以使用具有单一有机层的OLED。OLED可以堆叠，例如如在以全文引用的方式并入的颁予福利斯特(Forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所描述。OLED结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说，衬底可以包括有角的反射表面来改进出耦合，例如如佛利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的凸台结构；和/或如布尔维克(Bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹陷结构，所述专利以全文引用的方式并入本文中。
除非另外规定，否则可以通过任何合适的方法来沉积各种实施例的层中的任一者。对于有机层，优选方法包括热蒸发、喷墨(例如以全文引用的方式并入的美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述)、有机气相沉积(OVPD)(例如以全文引用的方式并入的颁予福利斯特等人的美国专利第6,337,102号中所述)和通过有机蒸气喷射印刷(OVJP)的沉积(例如以全文引用的方式并入的美国专利第7,431,968号中所述)。其它合适沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的图案化方法包括通过掩模的沉积、冷焊(例如以全文引用的方式并入的美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述)和与例如喷墨和OVJD的沉积方法中的一些方法相关联的图案化。还可以使用其它方法。可以修改待沉积的材料，以使其与具体沉积方法相容。举例来说，可以在小分子中使用支链或非支链并且优选含有至少3个碳的例如烷基和芳基的取代基来增强所述小分子经受溶液处理的能力。可以使用具有20个或20个以上碳的取代基，并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料可以比具有对称结构的材料具有更好的溶液可处理性，因为不对称材料可能具有更低的再结晶倾向性。可以使用树状体取代基来增强小分子经历溶液处理的能力。
根据本发明实施例制造的装置可以进一步任选地包含屏障层。屏障层的一个用途是保护电极和有机层免于因暴露于环境中的有害物质(包括水分、蒸气和/或气体等)而受损。屏障层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包括边缘)上。屏障层可以包含单个层或多个层。屏障层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包括具有单一相的组合物以及具有多个相的组合物。任何适合的材料或材料组合都可以用于屏障层。屏障层可以并有无机化合物或有机化合物或两者。优选的屏障层包含聚合材料与非聚合材料的混合物，如以全文引用的方式并入本文中的美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述。为了被视为“混合物”，构成屏障层的前述聚合材料和非聚合材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合材料与非聚合材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合材料和非聚合材料可以由同一前体材料产生。在一个实例中，聚合材料与非聚合材料的混合物基本上由聚合硅与无机硅组成。
根据本发明的实施例制造的装置可以并入到多种多样的可以并入到多种电子产品或中间组件中的电子组件模块(或单元)中。此类电子产品或中间组件的实例包括可以为终端用户产品制造商所利用的显示屏、照明装置(例如离散光源装置或照明面板)等。所述电子组件模块可以任选地包括驱动电子装置和/或电源。根据本发明的实施例制造的装置可以并入到多种多样的消费型产品中，所述消费型产品具有一或多个电子组件模块(或单元)并入于其中。此类消费型产品将包括含一或多个光源和/或某种类型的视觉显示器中的一或多者的任何种类的产品。此类消费型产品的一些实例包括平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光印刷机、电话、手机、平板计算机、平板手机、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、数码相机、摄录像机、取景器、微型显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、3-D显示器、交通工具、大面积墙壁、剧院或体育馆屏幕，或指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本发明而制造的装置，包括无源矩阵和有源矩阵。打算将所述装置中的许多装置用于对人类来说舒适的温度范围中，例如18C到30C，并且更优选在室温下(20-25C)，但可以在此温度范围外(例如-40C到+80C)使用。
如先前描述，OVJP印刷技术通常使用具有蒸发分子的块状载体气体的蒸气流，其通过喷嘴喷洒在衬底上。当气体混合物击中表面时所述分子在衬底上升华。通常从圆形或具有宽度(x方向)和长度(y方向)的矩形喷嘴沉积。通过在y方向上相对于衬底移动喷嘴而喷洒线。通过OVJP印刷的薄膜特征的高斯厚度型面对于OLED印刷应用可能不是理想的，因为OLED通常需要其作用区域上的均匀厚度。当前通过在多个偏移遍次中印刷特征而获得厚度均一性。本发明描述具有分裂递送孔口的沉积器，其提供更合意的沉积型面且允许具有更均匀厚度的印刷特征。此沉积器几何形状预期减少TAKT时间，因为其允许在较少遍次中印刷OLED阵列。此外预期减少污染物暴露且改善印刷的OLED的使用寿命，因为其最小化阵列中的每一OLED的EML沉积的起始与完成之间的周期。此沉积器几何形状可容易使用已经用以制作DEC(递送-排气-约束)OVJP微喷嘴阵列的技术来制作，例如第9,583,707号美国专利中描述的那些，所述美国专利的公开内容以全文引用的方式并入本文中。
举例来说，在许多应用中可优选的是产生梯形形状的沉积型面，例如如图3中所示具有均匀顶侧和陡的偏斜斜面。然而，使用常规OVJP布置这样做的技术是受限的。由特定喷嘴的使用产生的沉积型面可通过统计分布类型和参数来描述，其中分布的峰度描述所得形状。在从圆形或矩形喷嘴形状的x方向上的沉积型面大体上将具有典型的高斯形分布，其随着从喷嘴到衬底的距离增加而扩大。图4中展示这些沉积型面和相关联分布类型的实例。高峰度或尖峰分布给出侧面的强偏度以及中心的高峰。负峰度给出低偏度且可导致在中心展现平线区的扁平状型面。
为了在某一宽度上沉积接近于具有90％均一性的梯形形状的图案，有可能在50％或FWHM(半幅值全宽)层级处拼接个别高斯图案。总宽度则是喷洒均一性宽度以及斜面或尾部两者的总和。在其中OVJP用以沉积子像素线的一些应用中，例如显示器的制造中，可能需要喷洒均一性宽度至少为子像素作用区域的宽度。此外，大体上优选或必要的是沉积线的总宽度小于两个相邻子像素线之间的距离，以防止发射材料的不同颜色在制造期间混合。在许多情况下，中央平线区中的图案的均匀部分是主要沉积目的，其中型面的侧面优选地充分受限以便避免相邻区域的污染。优选地，最终沉积的侧面是垂直或近似垂直的，或具有尽可能陡的侧角度。
图5展示此图案的实例，其具有高均一性的中央宽度。总所得沉积图案540可通过两个或更多个经移位高斯型面510、520、530的沉积而实现，以上型面例如从两个或更多个喷嘴遍次或者两个或更多个顺序经移位喷嘴产生。更一般化地，可使用任何数目的喷嘴和/或一或多个喷嘴的遍次来制造或近似所需的沉积型面。
当来自具有相同移位的两个喷嘴的两个相邻沉积图案的x方向上的移位小于沉积型面的FWHM时，组合图案将为宽于且高于个别图案的高斯型面。图6展示由三个沉积610、620、630形成的此型面640的实例。
当两个沉积的移位大于个别沉积型面的FWHM时，组合型面将导致扁峰型面或(在较大移位情况下)导致具有两个相邻峰的型面。仅稍微大于近似FWHM的移位导致具有中间区段的沉积型面，所述中间区段具有满足90％均一性需求的宽度。此平线区的宽度比单个型面中的窄平线区宽所述移位的量。例如通过以一或多个喷嘴进行额外遍次而添加更多型面，每一型面以相同方式相对于相邻型面移位，这将类似地加宽具有90％均一性的区域。
为了满足常规所需梯形形状，基底的宽度不应当太宽，以免其覆盖相邻子像素作用区域。然而，基底宽度与从经移位图案添加的宽度成比例而增加。限制基底宽度同时实现具有90％均一性的所需宽度的一个方法是添加具有较高峰度型面的更多沉积，即添加较窄的更多型面。这可导致具有90％均一性的相同区域但具有到型面的更陡侧壁的组合型面，从而导致组合型面的较窄基底。这些技术需要更多且更窄型面的组合，且具有若干缺陷。举例来说，较窄型面需要喷嘴与衬底之间的较短距离和/或较窄喷嘴以实现所需型面形状。作为另一实例，组合较窄型面需要一个型面相对于另一型面的较准确定位，从而需要沉积设备的控制中的较大精度。更一般化地，组合来自单个喷嘴的更多图案需要增加的处理时间，而从更多喷嘴产生组合型面增加了在任何一个时间在操作中的喷嘴的数目，且因此增加沉积系统的复杂性和成本。
因此，实现所需沉积型面的优选解决方案是在单个遍次中沉积所需复合型面的全部组成部分的单个喷嘴布置，而不需要多个窄的喷嘴孔口。本文提供此布置的实施例，其包含一系列沉积喷嘴形状，所述沉积喷嘴形状当它们在y方向上移动时产生大体梯形形状的累积沉积型面。
图7展示根据本文所揭示的实施例的实例喷嘴孔口布置。展示从沉积设备上方或下方查看的形状，例如在远离将沉积材料的表面的方向上从衬底朝向沉积设备查看。在这些实施例中，单喷嘴孔口的形状具有贡献于来自基本上离散区段中的喷嘴的总体沉积图案的区域。在每一实例中，中心区域I导致在下方沉积曲线图中指示的中央型面I。类似地，其它喷嘴孔口区域II和III导致从中心型面I移位的较小沉积型面，如下方所示的对应沉积型面中所示。如先前描述，在每一实例中，y轴指示其上将沉积材料的衬底和沉积系统的相对移动方向。
喷嘴形状是以每一中心区段I提供具有低峰度的宽高斯形状的方式设计。即，如果喷嘴孔口仅包含中心区段I，那么所得沉积型面将为具有低峰度的高斯型面。在外部侧，沉积型面是由相对较窄喷嘴区段产生，以沉积具有较高峰度的型面部分。如上文所论述，这些贡献的叠加可提供梯形或近似梯形的形状。具体地说，所得形状可包含处于中间的相对平坦台面区，以及处于任一侧的相对尖锐垂直壁。
可使用图7中所示的喷嘴孔口形状上的其它变化。举例来说，图8A到8C展示图7中所示的第三布置上的变化。在一些布置中，例如图8A和8B，沉积喷嘴可包含具有不同区的单个连续孔口。在其它布置中，沉积喷嘴可包含例如图8C中所示的多个相异区。无论是否存在一个或几个孔口，区域1、2和3中的每一者都可全部贡献于如先前所揭示的组合沉积型面。
在一些实施例中，沉积喷嘴的任一侧上可提供排气通道或孔口。举例来说，图8A到8C中所示的布置包含布置于沉积孔口的任一侧(沿着x轴)上的排气通道810。在所示的实例中，排气通道提供为组合沉积孔口的任一侧上的单个矩形孔口，但更一般化地也可使用一或多个排气通道的任何布置。每一排气通道可与低压区、真空源或类似物成流体连通，以便从衬底与沉积设备之间的一或多个区移除未沉积的材料。所述排气通道也可提供沉积喷嘴的任一侧上的不同压力或作用中约束流动的区，以进一步约束和/或成形本文所揭示的所得沉积型面。排气和约束通道的各种布置和实例在2015年3月10日申请的第14/643,887号、2015年6月4日申请的第14/730,768号以及2016年10月11日申请的第15/290,101号美国申请案中描述，以上美国申请案中的每一者的公开内容以全文引用的方式并入。大体上如那些申请案中所公开，利用由排气孔口包围的沉积孔口和气体约束流的组合来约束线宽和过喷的微喷嘴阵列技术使用沉积、排气和约束的概念，且因此可被称为DEC过程或装置。图9展示加总以形成所需型面的图8C的顶部和底部沉积器所印刷的单独特征型面。图9展示由区段1产生的左偏斜沉积型面，且图10展示由区段3产生的右偏斜型面。
图11A、11B和11C分别展示由图8A、8B和8C描绘的孔口集合在衬底上产生的有机蒸气通量。每一线指示随x而变在y中在给定横截面处产生的通量型面。在区段1 1101和区段31102下方在衬底区段上的沉积偏斜到一侧，如图9中所示。区段2产生在x维度中对称的高通量的区1103。此类型的特征是由图8A和B而不是图8C的配置产生的。将有机通量的横截面求和以产生图12中标绘的沉积型面。随x而变在垂直轴上标绘集成通量。分别对应于图8A和8B中的孔口配置的图12A和B由于每一配置的中心处的开放沉积孔口而在中心具有最大值。图12C的最大值对称且偏离中心，从而产生更台面状的沉积型面，具有较宽顶部和较少峰度。在此情况下图8C中描绘的喷嘴设计因此是优选实施例。
气体约束的使用偏离了常规OVJP概念，因为其使用50到300托的腔室压力而不是高真空。通过使用约束气体流以防止有机材料扩散输送远离所需沉积区而减少或消除过喷。从图13中的衬底的角度展示示意性沉积器设计。此布置使用类似于先前关于图8展示且描述的那些的矩形递送孔口1301和排气孔口1302，其可容易地制造。通过递送孔口的流含有夹带于惰性递送气体中的有机蒸气。排气孔口以超出递送流的质量流率从沉积器下方的区撤出气体。它们移除递送流和夹带于其内的任何过剩的有机蒸气，以及从沉积器周围的环境吸取的平衡量的约束气体。DEC设计的沉积器大体上经布置使得其孔口的长轴平行于印刷的方向1303，即，如先前描述的y轴。沉积器1304通常线性地布置于微喷嘴阵列1305上，以使得每一沉积器在至少一个其侧边界1306上接界于另一沉积器。沉积器1307的顶部和底部边缘可由如所示包含多个微喷嘴布置的线性微喷嘴阵列的边缘界定。置于沉积器之间的分布通道1308可沿着每一沉积器的侧面提供约束气体的源。如果这些通道省略，那么约束气体从微喷嘴阵列的边缘向内流动。阵列通常经设计以最小化沉积器之间的串扰，因此印刷特征在阵列的整个宽度上是均匀的。额外排气孔口可置于阵列的末端，以例如最小化边缘效应。在此微喷嘴阵列下方的流场因此具有周期对称性。
印刷膜的平均厚度t通过t＝jτ/ρ给出，其中j是到衬底上的有机蒸气的质量通量，τ是衬底上的给定点在孔口下方的时间周期，且ρ是冷凝有机材料的密度。因为τ＝l/v，其中l是孔口的长度且v是衬底的相对速度，所以较长递送孔口准许衬底表面上的给定点在给定印刷速度下保持在孔口下方达较长时间。这准许较快的印刷，因此较长孔口在许多应用中可为优选的。举例来说，本文所揭示的实施例可允许在不超过1.0s、0.1s或0.01s内制造例如用于OLED的发射层。然而，递送孔口尺寸可能经受用以产生沉积装置的制造工艺的限制。举例来说，如果使用深反应离子刻蚀制造，那么它们的长度可为它们的宽度的约20到30倍。较小喷嘴印刷较高分辨率特征，但制造和操作问题通常限定了实际最小大小。作为特定实例，用于印刷120μm宽特征的最佳递送孔口大体上将具有15-20μm的宽度。取决于所需特征尺寸可使用其它尺寸。
图14在垂直于印刷方向的横截面中展示沉积和排气通道的布置以及递送1401和约束流1402的流线。递送流从递送通道1403传递穿过递送孔口1301，在递送排气装置(DE)间隔件1404下方穿过排气孔口1402，且最后经由排气通道1405离开沉积区。约束气流来自远场源1406且在沉积器的表面下方行进，随后经由排气孔口退出。递送流由沿着衬底的表面流入排气孔口的约束气体约束于排放通道之间的区。两个流相遇的表面被界定为停滞表面1407，其中正交于衬底法线和行式印刷的方向两者的x方向中的速度vx＝0。由停滞表面围封的区的宽度较好地对应于被印刷特征的宽度，如此停滞平面的位置控制沉积区1408的形状。
图15A和15B展示根据本文中所揭示的一实施例由具有单一递送孔口的沉积器分别在一个或两个遍次期间印刷的薄膜特征的厚度的横截面型面。由个别DEC沉积器印刷的特征的横截面厚度型面1501近似为高斯(Gaussian)，如图15A中所展示。垂直轴1502为任意单位的膜厚度，且水平轴1503为x方向中距递送孔口中心线的位移(以微米计)存在针对所沉积特征的形状-宽度和厚度均一性的所关注的两个基本准则。宽度包含总体特征和围绕其的任何过喷两者，因为过喷可污染邻近特征且限制清晰度。达最大值的5％的全宽(FW5M)为处于最大特征厚度1505的5％的特征横截面的相对侧上的两个点之间的宽度1504。对于平均高分辨率显示器应用，所印刷特征的可容许的总宽度通常约160μm，包含被过喷污染的区。均一性指代跨越特征的中心的宽度1507(通常50μm)上的最大与最小1506厚度之间的差，除以所述宽度上的平均厚度。此宽度对应于OLED显示器的典型子像素上的电极。通常需要所印刷OLED具有其有效宽度上均一或接近均一的厚度以便恰当地操作。
如本文所揭示，可通过在两个遍次1508和1509期间印刷每一特征来实现适当均一性，其中偏移略小于印刷遍次1510之间的像素宽度。两个偏移特征叠加以产生具有较类似于台面的型面的复合特征1511。作为一特定实例，当40μm的偏移对于印刷均一性为合乎需要时(例如对于高分辨率全色显示器可能是常见的)，由每一遍次印刷的行的宽度应不超过120μm。然而，双层印刷与单遍次印刷相比增加了节拍时间(TAKT time)，且因此在许多应用中可能需要避免。
此外，多个遍次中的印刷产生间隔，在此期间OLED的发射层(EML)被部分印刷，且因此与完成的特征相比较易受环境污染的影响。举例来说，在H.Yamamoto、C.Adachi、M.S.Weaver和J.J.BrownAppl，物理学快报，100，183306(2012)中已经展示，磷光OLED在EML生长的起始和完成之间暴露于微量水汽的情况下，其使用寿命显著缩短。一旦EML完成，其对污染的敏感度就小得多。对于由OVJP印刷的子像素，厚的EML的开始和完成之间的时间约为0.1s或更短。如果仅需要单一印刷遍次，那么此极大地缩短EML可能在期间被污染的间隔。相比而言，真空热蒸发(VTE)通常需要一或几分钟来沉积EML，这表明单一印刷遍次OVJP可能够比VTE沉积更高纯度的膜。
根据本文中所揭示的实施例，两个遍次印刷的效应可在单一遍次中使用具有递送孔口的沉积器实现，所述递送孔口分裂成两个区段，所述两个区段偏移近似由具有单一递送孔口的沉积器进行的两个印刷遍次之间的距离。图16A展示分裂喷嘴设计，且图16B展示所得沉积型面。递送孔口沿着其中线1603分裂成上部1601和下部孔口1602。然而，排气孔口可保持直线且连续。上部和下部递送孔口可为不连续的，且每一孔口的中心分隔开可针对所要特征大小和均一性优化的偏移距离1604。40μm偏移对于显示器印刷应用较好地工作。孔口的每一侧上的DE间隔件1605不对称，宽度相差所述偏移。沉积器的前部和后部组件近似独立地运作，如此所印刷特征的厚度型面的改变很大程度上是几何效应。
在此类配置中，排气孔口在较窄DE间隔件的侧部上较强力地撤回有机蒸气。此导致界定聚集体特征的外边缘的陡峭的侧壁1608。沉积于较宽DE间隔件1609的侧部上的材料并不界定为陡边缘，因为其厚度较逐步地逐渐变窄。宽间隔件的侧部上的排气装置移除较少有机蒸气，如此材料利用效率随着偏移宽度变大而改进。特征型面随着偏移变大而变得更宽且更加不对称。
此外，位于两个排气通道或排气通道的两个区之间的偏离中心处的单一沉积孔口通常将产生不对称沉积型面。举例来说，图9和10展示在图8C中展示的实例布置中分别从孔口区段1和3产生的实例沉积型面。这些偏斜型面具有所得沉积型面的一侧上的相对陡的侧壁。此些不对称沉积型面的偏斜度的差(图9和10中展示为正和负)可通过使用如图8C中所展示的沉积喷嘴以提供具有有限基底宽度的梯形沉积型面而组合。具体地说，如所示的偏斜型面的组合可产生具有合乎需要的尺寸的扁平状型面，条件是正确地选择了型面之间的距离。因此，在一些实施例中，如图8C中所展示的沉积喷嘴的布置提供优选的几何形状以沉积不对称型面的最强偏斜差。
如前文所述，图8A-8B中的实例喷嘴布置可包含从如图8C中所展示的布置省略的沉积孔口区段2。此孔口区段通常将在组合型面的中部沉积高斯型面，具有更宽更对称的沉积图案。此沉积型面可用于填充由沉积穿过孔口区域1和3产生的两个偏斜不对称型面之间的凹陷。
在一些实施例中，如图8C和16A中所展示的布置中的沉积孔口区域1和3可在Y方向中几乎接触。也就是说，两个区域可经布置使得两个区域的最接近的点之间存在相对较短距离或零距离，使得其操作为沉积装置内的两个单独孔口。归因于孔口区域的近程，存在离开孔口区域的沉积流在其间交互的区域。此交互(可被称为“裁弯取直(short-cutting)”)可致使喷嘴布置的中心区中增加的沉积，类似于安置于孔口1和3之间的实际沉积孔口2的效应。实际上，朝向定位在最外侧的排气装置的沉积流的移除可部分或完全被其它沉积孔口区域阻挡。此可产生具有增加的效率的局部区域，以及因此较高局部沉积型面。模拟还指示，对于一些喷嘴尺寸，物理孔口2的不存在可仍产生由两个沉积孔口1和3产生的型面中的两个凹陷之间的额外“填充”效应，如先前所揭示。
随着孔口区域1和3的尺寸沿着y轴(即沿着印刷方向)增加，此填充效应可不太明显。在特定长度之后，物理沉积孔口区域2的添加对于填充来自区域1和3的型面之间的所得凹陷可为合意的或必需的。
图11-12分别展示图8A-8C中说明的喷嘴和排气通道布置的模拟结果。图11A-11C分别展示在不同y区段处在x方向中的部分贡献。图12A-12C分别展示型面的加权和，即预期沉积型面(具有顶部处的衬底表面)。值得注意的是，结果指示，归因于两个单独喷嘴区段的交叉平面处的串扰，图8C中展示的布置也递送中心处的小对称高斯分布。
图16B展示由图16A中展示的沉积器布置的上半部产生的沉积型面。仅源自顶部递送孔口的有机材料呈现在此分布中。来自下部递送孔口的材料被省略。所述分布类似于图10中标绘的型面。对于9sccm(1606)和18sccm(1607)排气流，顶部递送孔口的中心从底部递送孔口的中心偏移1604了20、30、40和50μm。此符合图11-12中展示的模拟结果。排气孔口之间的递送孔口放置的不对称性产生相对于对称沉积器的沉积型面不平衡的沉积型面。最大沉积朝向递送和排气孔口闭合的一侧偏斜，且沉积型面在较远离排气装置的一侧上具有较长拖尾。
由图16A中描绘的整个沉积器产生的特征的厚度型面在图17A(9sccm排气流)和17B(18sccm排气流)中展示。针对多种偏移，来自图16B中展示的顶部递送孔口的沉积求和为由底部递送孔口产生的类似分布。由具有20μm(1701)、30μm(1702)、40μm(1703)和50μm(1704)偏移的分裂沉积器产生的厚度型面具备比单一孔口沉积器(1705)更扁平的顶部，同时展示类似程度的侧壁陡峭度。表I中展示这些设计的FW5M、均一性和沉积速率。印刷清晰度通常随着排气流增加而改进，但此以沉积速率减小为代价，因为较多有机蒸气经由排气装置离开。归因于来自长DE间隔件的增加的材料利用效率，沉积速率随着偏移宽度而改进。正如期望，宽度随着偏移线性地增加。均一性也增加，因为型面的顶部变得较扁平，其组件极大值之间具有较大偏移。下部排气流也改进均一性，但此以宽度的增加为代价。这些效应在表I中概括。
表I
图18展示针对9sccm排气、50μm偏移和侧部馈送约束1802的情况，在衬底的平面中，停滞表面1801的横截面，即其中在x方向中气体的速度为零且流的方向颠倒的区。较轻微闭合的轮廓表示衬底上的有机蒸气沉积的强度，其中最内轮廓1803接收最多材料。超出最外轮廓1804，沉积变得可忽略。由递送和排气孔口覆盖的区加阴影，且轴以微米裁定。沉积区的宽度较好地对应于外部停滞表面轮廓1805的宽度。
停滞表面和排气孔口的内边缘之间的流来自递送孔口。值得注意的是，停滞表面当邻近于窄递送-排气DE间隔件时趋向于朝向排气孔口1806的外边缘，且当邻近于宽DE间隔件时趋向于朝向孔口1807的内边缘。这是因为较接近的排气孔口从每一递送孔口汲取较大分数的流。停滞表面的中间区段在两个递送孔口下方延伸。虽然外部区段表示沉积区的边缘，但内部区段交叉穿过分裂递送孔口的每一组件下方的最快沉积区。停滞平面穿过递送流的中心，其中流被垂直向下引导。约束气体应从沉积器的侧部(相对于端部)馈送以确保最多可能的约束流进入排气装置中。如果停滞表面的外部区沿着沉积器的全长保持平行于排气孔口，那么因此可实现良好约束的且均一的有机蒸气沉积。
含有分裂孔口沉积器的微喷嘴阵列可通过多种技术容易地制造。举例来说，本文所揭示的阵列可通过将SI晶片对与由深反应离子刻蚀形成的其表面上的沟槽的阵列结合来制造。结合晶片对产生闭合的通道。晶片对经切割从而形成具有沿着其边缘的沉积器的个别微喷嘴阵列。沉积器的孔口由通道和切割线的交叉界定。此过程在2015年3月10日申请的第14/464,3887号美国申请案(美国公开案号2015/0376787)中更详细地描述。围绕结合线对称的连续孔口(例如排气孔口)由在切割线处彼此叠加的镜像沟槽形成。相反，仅在结合线的一侧上存在的孔口是由彼此并不叠加的沟槽产生。分裂递送孔口对的每一孔口沿着结合线由未经蚀刻晶片表面界定，且在其周长的其余部分周围由相对晶片的经蚀刻表面中的经蚀刻沟槽界定。沟槽中心线彼此分离所要孔口偏移距离。
在一实施例中，经优化分裂沉积器具有两个15x200μm孔口。在如图16A中所展示的相同基本布置中，所述孔口端到端布置，中心线分隔开40μm的偏移。递送孔口由一对30x500μm排气孔口包围。排气装置与递送孔口之间的间隔件在窄侧上为15μm且在宽侧上为55μm。约束气体从沉积器的侧部馈送穿过布置于线性阵列中的沉积器之间的分布通道。
如上文所揭示，本文中所揭示的实施例可缩短工艺时间，因为所要沉积型面可每行待沉积材料仅需要单一遍次，从而允许与使用常规技术原本可实现的距离相比，每喷嘴同时覆盖较大距离。此外，根据本文中所揭示的实施例的喷嘴定位所必需的准确性并不需要与常规技术一样准确的可重复性，常规技术中，使用两个或更多个遍次且相应地需要相对高的叠加准确性。本文中所揭示的实施例还可实现更高效的材料使用。因为可使用布置在喷嘴的一侧上的沉积通道和排气通道之间的较大距离，所以喷嘴的总体沉积效率(即退出喷嘴的沉积流中存在的最终沉积于衬底上的有机材料的量)将比常规布置中高，因为材料在经由排气装置移除之前具有较大机率与衬底交互。此外，所揭示的方法减小衬底的每一区段的发射层沉积的起始和完成之间的间隔，因为可在较少遍次中执行均一沉积。此可改进装置寿命。
实验
依据COMSOL多重物理5.2(COMSOL MultiPhysics 5.2)中的计算流体动力学(CFD)来模拟沉积器。将6sccm的氦的层流馈送到递送孔口或孔口簇。排气装置边界条件还指定为层流速率。微喷嘴阵列加热到250℃，且衬底处于20℃。微喷嘴阵列表面和衬底分隔开50μm的飞行高度，且模拟包围沉积器的毫米正方形区。包围模拟体积的氦或氩环境的压力是200托。使用COMSOL的集中物质运送模型模拟气体混合，以用于不同物质的递送和约束气体。有机蒸气经由模拟区的运送通过稳定状态对流-扩散等式解决。依据气体动力学理论以及Fairbanks和Wilke(1950)的模型计算气体混合物的扩散率。模拟几何形状为段落81中描述的优选实施例的几何形状，只是较大DE间隔件的宽度在案例之间改变以改变沉积器的顶部和底部递送孔口之间的偏移。
应理解，本文所描述的各种实施例仅借助于实例，并且无意限制本发明的范围。举例来说，可以在不背离本发明的精神的情况下用其它材料和结构取代本文所描述的许多材料和结构。如所属领域的技术人员将明白的，如所主张的本发明因此可以包含本文所描述的特定实例和优选实施例的变化。应理解，各种关于本发明为何起作用的理论并不希望是限制性的。

Claims (18)

1.一种用于将材料沉积到衬底上的装置，所述装置包括：
沉积喷嘴，其包括：
第一排气孔口；
第二排气孔口；
第一沉积孔口，其安置于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间且相比于所述第二孔口更接近所述第一排气孔口；以及
第二沉积孔口，其安置于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间且相比于所述第一排气孔口更接近所述第二排气孔口，其中所述第二沉积孔口沿着所述喷嘴的轴从所述第一沉积孔口偏移。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一沉积孔口和所述第二沉积孔口具有相同尺寸。
3.根据权利要求2所述的装置，其中当所述装置正在操作中时，每一沉积孔口的最长边缘沿着所述装置和所述衬底的相对移动的方向布置。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一沉积孔口和所述第二沉积孔口中的每一者为矩形。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一排气孔口和所述第二排气孔口为连续的。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一排气孔口和所述第二排气孔口为矩形，且当所述装置正在操作中时，所述第一排气孔口和所述第二排气孔口中的每一者的最长边缘沿着所述装置和所述衬底的相对移动的方向布置。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，对于在所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间且垂直于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口绘制的任何线，所述线与所述第一沉积孔口或所述第二沉积孔口中的不超过一者交叉。
8.根据权利要求1所述的装置，其中当所述装置正在操作中时，所述第一排气孔口和所述第二排气孔口在所述装置和所述衬底的所述相对移动方向上在所述第一沉积孔口和所述第二沉积孔口中的每一者前方和后方延伸。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，对于在所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间且垂直于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口绘制的任何线，所述线与所述第一沉积孔口或所述第二沉积孔口中的不超过一者交叉。
10.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括待沉积于所述衬底上的材料的源，所述材料源与所述第一沉积孔口和所述第二沉积孔口成流体连通。
11.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括与所述第一排气孔口和所述第二排气孔口成流体连通的外部真空源。
12.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括与所述第一排气孔口和所述第二排气孔口成流体连通的约束气体源。
13.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一排气孔口和所述第二排气孔口各自具有沿着所述衬底和所述装置的相对运动方向的恒定宽度。
14.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置包括印刷头。
15.一种沉积系统，其包括根据权利要求14所述的印刷头。
16.一种包括OLED的装置，其中所述OLED包括：
第一电极，其安置于衬底上方；
第一发射层，其安置于所述第一电极上方；以及
第二电极，其安置于所述发射层上方，
其中所述第一发射层是使用包括喷嘴的沉积装置的不超过一个遍次制造，在所述衬底的所述所印刷表面上的每个点上的沉积的起始和结束之间不超过1.0s内，所述喷嘴与待沉积在所述衬底上方的材料源成流体连通。
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述装置包括选自由以下组成的群组中的至少一者：平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光印刷机、电话、蜂窝电话、平板计算机、平板手机、个人数字助理PDA、膝上型计算机、数码相机、摄录像机、取景器、微型显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、3-D显示器、交通工具、大面积墙壁、剧院或体育馆屏幕，和指示牌。
18.一种制造沉积装置的方法，所述方法包括：
切割晶片对从而形成包括沿着每一晶片的边缘的多个沉积孔口的微喷嘴阵列通道，每一孔口由通道和切割线的交叉界定；以及
结合所述晶片对从而形成沉积喷嘴，所述沉积喷嘴包括：
第一排气孔口；
第二排气孔口；
第一沉积孔口，其安置于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间且相比于所述第二孔口更接近所述第一排气孔口；以及
第二沉积孔口，其安置于所述第一排气孔口和所述第二排气孔口之间，且相比于所述第一排气孔口更接近所述第二排气孔口，其中所述第二沉积孔口沿着所述喷嘴的轴从所述第一沉积孔口偏移。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110620190A (zh) * 2018-06-18 2019-12-27 环球展览公司 用于沉积渐变厚度的非发射层的沉积器和印刷头
CN115593107A (zh) * 2019-01-18 2023-01-13 环球展览公司（Us） 具有多个气体分配孔口板的有机蒸气喷射微打印头

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11588140B2 (en) 2018-01-12 2023-02-21 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head for depositing thin film features with high thickness uniformity
US11121320B2 (en) * 2018-06-18 2021-09-14 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head with redundant groups of depositors
US11683973B2 (en) 2019-01-31 2023-06-20 Universal Display Corporation Use of thin film metal with stable native oxide for solder wetting control

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080152806A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Stephen Forrest Organic vapor jet deposition using an exhaust
US20090130858A1 (en) * 2007-01-08 2009-05-21 Levy David H Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US20110059259A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-10 Universal Display Corporation Method and System for High-Throughput Deposition of Patterned Organic Thin Films
US20140057390A1 (en) * 2012-08-27 2014-02-27 Universal Display Corporation Multi-nozzle organic vapor jet printing
WO2014197396A1 (en) * 2013-06-03 2014-12-11 Ultratech, Inc. Gas deposition head for spatial ald
CN105316623A (zh) * 2014-06-25 2016-02-10 环球展览公司 在有机材料的蒸气喷射沉积期间调节流动的系统和方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5367326A (en) * 1992-10-02 1994-11-22 Xerox Corporation Ink jet printer with selective nozzle priming and cleaning
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
JP3832075B2 (ja) * 1997-03-25 2006-10-11 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録ヘッド、その製造方法および圧電体素子
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US7071615B2 (en) 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
CN1980795B (zh) 2004-04-30 2011-08-17 富士胶片戴麦提克斯公司 液滴喷射装置
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
JP4745920B2 (ja) * 2006-08-28 2011-08-10 三菱重工業株式会社 放電電極、薄膜製造装置、及び太陽電池の製造方法
US20080260963A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Hyungsuk Alexander Yoon Apparatus and method for pre and post treatment of atomic layer deposition
US7968146B2 (en) 2006-11-01 2011-06-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US20080102223A1 (en) 2006-11-01 2008-05-01 Sigurd Wagner Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
EP2274458B1 (en) 2008-05-07 2020-03-25 The Trustees of Princeton University Method for protecting electronic devices by means of hybrid layers
US20130143415A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Applied Materials, Inc. Multi-Component Film Deposition
WO2013182393A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Oce-Technologies B.V. Droplet ejection device
KR102203098B1 (ko) 2013-07-25 2021-01-15 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
US11267012B2 (en) 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
US9583707B2 (en) 2014-09-19 2017-02-28 Universal Display Corporation Micro-nozzle and micro-nozzle array for OVJP and method of manufacturing the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080152806A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Stephen Forrest Organic vapor jet deposition using an exhaust
US20090130858A1 (en) * 2007-01-08 2009-05-21 Levy David H Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US20110059259A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-10 Universal Display Corporation Method and System for High-Throughput Deposition of Patterned Organic Thin Films
US20140057390A1 (en) * 2012-08-27 2014-02-27 Universal Display Corporation Multi-nozzle organic vapor jet printing
CN103633258A (zh) * 2012-08-27 2014-03-12 环球展览公司 用于将材料薄膜沉积在衬底上的设备和方法
WO2014197396A1 (en) * 2013-06-03 2014-12-11 Ultratech, Inc. Gas deposition head for spatial ald
CN105316623A (zh) * 2014-06-25 2016-02-10 环球展览公司 在有机材料的蒸气喷射沉积期间调节流动的系统和方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110620190A (zh) * 2018-06-18 2019-12-27 环球展览公司 用于沉积渐变厚度的非发射层的沉积器和印刷头
CN115593107A (zh) * 2019-01-18 2023-01-13 环球展览公司（Us） 具有多个气体分配孔口板的有机蒸气喷射微打印头

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