JP7316782B2 - 蒸着装置、電子デバイスの製造装置、および、蒸着方法 - Google Patents
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Description
基板を保持して搬送する搬送キャリアと、前記搬送キャリアが移動する搬送路を構成する搬送モジュールと、を含む搬送機構と、
前記搬送キャリアに保持された前記基板が搬入され、搬入された前記基板にマスクが位置決めされて固定されるアライメント室と、
前記アライメント室から前記搬送キャリアに保持された前記基板が搬入され、搬入された前記基板に蒸着材料が蒸着される蒸着室と、
前記搬送キャリアに前記基板の搬送方向に沿って配列された複数の磁石と、前記搬送モジュールに前記複数の磁石に対向するように配列された複数のコイルとの間に発生する磁力を、前記複数のコイルに電流または電圧を印加することで制御する制御手段と、
を備える蒸着装置であって、
前記制御手段は、前記搬送モジュールと非接触の状態の前記搬送キャリアが前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって発生された前記搬送方向への駆動力により前記搬送方向に移動することにより前記搬送キャリアが前記基板を搬送する第1のモードと、前記搬送モジュールと接触した状態の前記搬送キャリアが前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって発生された前記搬送方向への駆動力により前記搬送方向に移動することにより前記搬送キャリアが前記基板を搬送する第2のモードと、の間で切換え可能とし、
前記アライメント室においては、前記基板を保持した前記搬送キャリアの位置を調整するように、前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力を制御する
ことを特徴とする蒸着装置である。
基板を保持して搬送する搬送キャリアと、前記搬送キャリアが移動する搬送路を構成する搬送モジュールと、を含む搬送機構により前記基板を搬送しながら、前記基板に蒸着を行う蒸着方法であって、
前記搬送キャリアは前記基板の搬送方向に沿って配列された複数の磁石を有し、前記搬送モジュールは前記複数の磁石に対向するように配列された複数のコイルを有し、前記複数の磁石と前記複数のコイルの間に発生する磁力は、前記複数のコイルに電流または電圧が印加されることで制御されるものであり、
前記蒸着方法は、
前記搬送キャリアに保持された前記基板に、マスクを位置決めして固定されるアライメント工程と、
アライメントが行われた前記基板に蒸着材料を蒸着する蒸着工程と、
を有し、
前記搬送機構の搬送モードは、前記搬送モジュールと非接触の状態の前記搬送キャリアが前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって発生された前記搬送方向への駆動力により前記搬送方向に移動することにより前記搬送キャリアが前記基板を搬送する第1のモードと、前記搬送モジュールと接触した状態の前記搬送キャリアが前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって発生された前記搬送方向への駆動力により前記搬送方向に移動することにより前記搬送キャリアが前記基板を前記搬送キャリアと前記搬送モジュールを接触させて搬送する第2のモードと、の間で切換え可能であり、
前記アライメント工程においては、前記基板を保持した前記搬送キャリアの位置を前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって調整するように、前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力を制御する
ことを特徴とする蒸着方法である。
図1は、有機ELパネルの製造ライン100の全体構成を示す概念図である。概略、製造ライン100は、蒸着処理工程搬送路100a、リターン搬送路100b、マスク受渡機構100c、キャリアシフタ100d、マスク受渡機構100e、および、キャリアシフタ100fを備える、循環型搬送路を構成する。循環型搬送路を構成する各構成要素、例えば基板搬入室101、反転室102、アライメント室103、加速室104、蒸着室105、減速室106、マスク分離室107、反転室108、ガラス基板排出室109などには、搬送路を構成するための搬送モジュール301が配置されている。詳しくは後述するが、本図には、製造プロセスの各エ程においてガラス基板G、マスクMおよび静電チャック308(符号C)がどのように搬送路上を搬送されるかが示される。
搬送モジュール301は、搬送キャリア302が通過するための開口を有するメインフレームを備え、搬送キャリア302の搬送方向に沿ってライン状に、搬送方向に対して左右に対になるように、駆動用コイル306とコイルドライバを備える。搬送キャリア302が移動する各搬送路は、複数の搬送モジュール301が、開口同士が合わさるように直列に配列されることによって構成される。また搬送モジュール301は、搬送キャリア302を搬送方向にガイドするガイド機構と、磁力によって搬送キャリア302の駆動および姿勢制御を行う駆動系を備えている。これにより、搬送キャリア302が、複数の搬送
モジュール301で構成される搬送路上を、連続的に、かつ軌道から外れることなく走行可能となる。また搬送キャリア302は送路上に複数個同時に走行させることができる。
ここで、図7を参照してリニアモータの推進制御について説明する。本図は、製造ラインが複数備える搬送モジュール301の一つと、その制御手段のうち、リニアモータ制御に関連する部分を示した概略構成図である。なお、本図はムービングマグネットのリニアモータの推進制御の原理を説明するためのものであり、以下の説明における各部材の配置関係や数(例えば、コイルと磁石の上下関係、キャリア搬送方向、制御ブロックの構成)などはあくまでも例示である。図7において、X軸は搬送キャリア302が移動する進行方向、Y軸は水平面においてX軸と交差する方向、Z軸はコイルユニット1501から見て鉛直方向と定義する。
備えている制御偏差算出器1532、1542、1552と接続されている。コントローラ制御器1570は、位置情報セレクタ1565と、モータコントローラ1530、1540、1550に接続されている(図示せず)。コントローラ制御器1570は、光学式エンコーダ1561~1564が検出した搬送キャリア302をモータコントローラ1530、1540、1550のいずれかへ割り当て、その割り当てに関する情報である位置情報選択信号を位置情報セレクタ1565へと送信する。位置情報セレクタ1565は、コントローラ制御器1570から送信される位置情報選択信号によって、モータコントローラ1530、1540、1550のいずれかと、光学式エンコーダ1561~1564のいずれかを通信可能に組合せる。コントローラ制御器1570は、各モータコントローラ1530、1540、1550から、搬送キャリア302を制御中なのか、制御をしていない休止状態なのかを示す制御状態情報を受信する。コントローラ制御器1570は、休止状態のモータコントローラに対して光学式エンコーダが検出した搬送キャリア302の位置を送信可能となるように、図示しないメモリ等に制御状態情報を記憶する。
図3(a)は固定部としての搬送モジュール301、可動部としての搬送キャリア302からなる搬送ユニット300を図1の矢印Aで示す搬送方向から見た正面図である。図3(b)は図3(a)における枠Sで囲む要部の拡大図、図3(c)は搬送キャリア302を側面図、図4は搬送キャリアの分解斜視図である。搬送モジュール301は、製造ライン100の全域にわたって複数個配列されて搬送路を構成する。各搬送モジュール301の駆動用コイルに供給する電流を制御することにより、複数の搬送モジュール全体を1つの搬送路として制御し、搬送キャリア302を連続して移動させることができる。
幅303Wは、搬送モジュール側の各ローラベアリング304a,304bの直径304Rよりも、クリアランスCLだけ広く形成されている(303W=304R+CL)。この構成により、ガイド溝内において、ローラベアリング304a,304bが所定のクリアランスCLの範囲内で浮上できる。
このような構成により、上述したムービングマグネット型のリニアモータ制御を実施できる。すなわち、駆動系を構成する駆動用コイル306a,306bを構成する複数のコイルそれぞれに供給する電流を制御することにより、搬送キャリア302の進行方向における推進力を発生させたり、搬送モジュール301に対する磁気浮上力を発生させたりすることができる。なお、搬送機構が備える搬送モジュールと搬送キャリアの一方にコイルを、他方に磁石を配置する構成であればよく、ムービングコイル方式であっても搬送キャリアの浮上アライメントを行うことができる。
搬送キャリア302を移動させる際には、磁気浮上搬送モード(第1のモード)とローラ搬送モード(第2のモード)の何れかを選択可能である。ローラ搬送モードは、搬送キャリア302のガイド溝と搬送モジュール301側のローラベアリング304a,304bの当接によって搬送キャリア302を支持した状態で、マグネットとコイルとの間に発生する電磁力により進行方向の駆動力を発生させて、搬送キャリア302を搬送するモードである。磁気浮上搬送モードは、搬送キャリアを磁気浮上させ、ガイド溝303a,303bとローラベアリング304a,304bが非接触の状態で、電磁力により進行方向の駆動力を発生させて搬送キャリア302を搬送するモードである。磁気浮上搬送モードでは、機械的な接触部分がないため、塵や摩擦による粉体等の発生が抑制される。そのため、特に真空蒸着処理を行う際の蒸着品質劣化の防止に好適である。一方、塵や摩擦による粉体が比較的問題とならない蒸着室外などでは、ローラ搬送モードを用いることができる。
とコイルを用いた位置姿勢制御は、搬送キャリア302に保持されたガラス基板Gに対するマスクMのアライメント動作にも使用できる。
なお、詳しくは後述するが、駆動用マグネット305a,305bと駆動用コイル306a,306bを用いた位置姿勢制御は、搬送キャリア302に保持されたガラス基板Gに対するマスクMのアライメント動作にも使用できる。
次に、搬送キャリア302にガラス基板Gを保持する機構と、ガラス基板上にマスクMを保持する機構について説明する。本発明によれば、ガラス基板は静電吸着手段である静電チャック308によって、マスクは磁気吸着手段としての磁気吸着チャック307によってそれぞれ搬送キャリアに重ねて保持されるように構成されている。
この制御ボックス312を動作させてチャックフレーム309内の静電チャック308を帯電させることにより、ガラス基板Gを吸着して保持することができる。
る係合位置と、位置決め片307dから離れる退避位置間を移動可能となっており、退避位置において、位置決め片307dが下方に移動可能となり、下端ストッパ307eに当接して下降位置が規制される。この下降限は、マスクMを磁気吸着する位置であるが、チャック本体307xと静電チャック308との間には若干隙間を設けている。これによって、磁気吸着チャック307の重量が静電チャック308に作用するのを回避している。
上端ロック片307fは、図4に示すように、キャリア本体302Aに設けられた台座307jの上面に、所定間隔離間した一対の直線ガイド307kを介してスライド自在に支持されている。直線ガイド307kの間の台座307j上面には、下端ストッパ307eが突設されており、位置決め片307dは直線ガイド307kの間を通過可能な幅に構成されており、上端ロック片307fが退避位置に移動すると、下方への移動が可能となり、下端ストッパ307eに当接する。
静電チャック308はセラミック等の板状部材で、内部電極に電圧を印加し、ガラス基板Gとの間に働く静電力によってガラス基板Gを吸着するもので、チャックフレーム309の下側縁に上下に移動不能に固定されている。静電チャック308は、図4に示すように、複数のチャック板308aに分割されており(図では6枚)、各チャック板308aの辺同士が複数のリブ309bによって固定されている。リブ309bは、磁気吸着チャック307の支持枠が干渉しないように複数に分かれている。
MFの上面に当接する位置に配され、下側のチャック片311cは、回転軸311fによって矢印311g方向に回転駆動可能となっている。すなわち、下側のチャック片311cは、上側チャック片311bとともにマスクフレームMFを挟持する図示の挟持位置と、マスクフレームMFから離間し、マスクフレームの上下動を妨げない311hで示す退避位置に移動可能である。これらの移動は、外部に配置されるアクチュエータ311m(図3(A)参照)からチャンバ内部に延びる駆動側の連結端部311jに、連結部311iが連結されることによって回転軸311fを回転駆動することによって行われる。
すなわち、搬送キャリア302へのガラス基板Gの保持には静電チャック308が用いられ、マスクMの保持には磁気吸着チャック307が用いられ、両チャックともチャックフレーム309内に組み込まれている。磁気吸着チャック307によるマスクMの保持は、チャックフレーム309内における磁気吸着チャック307の昇降動作によって動作される。なお、図3では、上端ロック片を水平移動させているが、図5では、回転駆動させる構成としている。ロック、アンロックができればよく、水平移動でもよいし、回転移動でもよい。磁気吸着チャック307が完了した後は、機械式のマスクチャック311により、マスクフレームMFがキャリア本体302Aに保持される。マスクチャック311には与圧用スプリング等の付勢部材311kが組み込まれており弾性的に保持される。これら、静電チャック308、磁気吸着チャック307及びマスクチャック311の3種のチャックが搬送キャリア302にコンパクトに組み込まれている。
図14を参照して、静電チャックの制御ボックスの構成と機能を説明する。静電チャックを利用するためには、静電チャックに対して電力を供給するとともに、制御信号を送信する必要がある。しかし、給電や通信に有線ケーブルを用いる場合、搬送キャリアの移動自由度が低下するおそれがある。そこで搬送キャリア302は、静電チャックに対して非接触で給電及び制御信号送信を行うための制御ボックスを備える。
次に実際にガラス基板GにマスクMを固定し、蒸着室において有機EL発光材料を真空蒸着して排出するプロセスについて説明する。
P1:搬送キャリア上にガラス基板Gを保持するガラス基板搬入位置
P2:搬送キャリア上のガラス基板GにマスクMを装着するマスク装着位置
P3:蒸着処理後のガラス基板GからマスクMを分離するマスク分離位置
P4:蒸着処理後のガラス基板Gを搬送キャリア302から分離して排出する基板排出位置
P5:ガラス基板Gを排出した空の搬送キャリア302をリターン搬送路へと受け渡すキャリア受渡位置
P6:蒸着処理後に分離したマスクMをリターン搬送路上の搬送キャリア302に装着するマスク受渡位置
P7:リターン搬送路上を搬送中の搬送キャリア302からマスクMを分離して、マスク装着位置P2へと搬送するマスク復帰位置
P8:マスクMを分離した搬送キャリア302をリターン搬送路から蒸着処理用搬送路上のガラス基板搬入位置P1へとシフトさせるキャリア復帰位置(リターン搬送路終点)
ガラス基板搬入位置P1において、外部のストッカより、蒸着処理工程搬送路100a上の基板搬入室101にガラス基板Gが搬入され、搬送キャリア302上の所定の保持位置において、静電チャックによって保持される。ガラス基板搬入位置P1においては、搬送キャリア302とこれを支持する搬送モジュール301は、搬送モジュール301が下側となるように配置されている。このとき、搬送キャリア302のガラス基板保持面(チ
ャック面)が上を向いた姿勢である。ガラス基板Gは、ガラス基板搬入位置P1に鉛直方向で上方より搬入され、当該チャック面に載置される。このとき、ガラス基板Gは、被成膜面が鉛直方向で上方を向いている。
反転室102において、反転手段としての回転支持機構が、ガラス基板を保持した搬送キャリア302を支持した搬送モジュール301を、進行方向に対して180度回転させる。これにより搬送キャリア302および搬送モジュール301の上下関係が反転し、ガラス基板Gが下面側となる。また、ガラス基板Gの被成膜面が鉛直方向で下方を向く。回転支持機構は、搬送モジュール301を搬送キャリア302ごと進行方向に180度単位で回転できる。回転動作中に搬送キャリア302と搬送モジュール301の位置ずれを起こさないように、重心位置に回転軸が位置するように構成することが好ましい。図中では、搬送キャリア302と搬送モジュール301の進行方向での反転を、矢印Rで示す。なお、搬送モジュール301と搬送キャリア302を機械的にロックするロック機構を使用することも好ましい。
図6(a)~(c)はアライメント室103内で行われるマスクチャック動作を行うマスク昇降装置、およびその動作を説明するための図である。
上述した、アライメントマークを撮像してアライメントする方法について詳説する。図13(a)はガラス基板Gの概略図、図13(b)はガラス基板GとマスクMの隅部に設けられたアライメントマークの拡大図である。図13(a)に示すガラス基板Gの四隅には、アライメントカメラ視野範囲1301が設定されている。図13(b)は一つのアライメントカメラ視野範囲1301においてガラス基板GとマスクMを重ねて撮像した様子を示し、ガラス基板側アライメントマークと1304と、ガラスを透過して撮像されるマスク側アライメントマーク1305が表示されている。
ここで、磁力によるアライメント動作を可能にするための構成を説明する。図8に、搬送キャリア302の上面に配置された駆動用マグネット305a、305bの詳細を示す。駆動用マグネット305a、305bは、搬送方向に対して左右に対になるように配置されている。駆動用マグネット305a、305bは、基本的にはN極のマグネットとS極のマグネットが交互にライン状に配置された磁石列をなす構成である。また図示例では、左右で対となっている駆動用マグネット305a、305bは、それぞれ、2列のマグネットの列を含んで設けられている。この2列のマグネット列のそれぞれにおいては、基本的にはN極とS極が交互にライン状に配置されており、図中のX方向(搬送方向)の制御に用いられる。またマグネット列の一部には、N極とS極の両方が搬送モジュール301との対向面に露出するように配置されており、X方向だけでなく図中のY方向(搬送方向と交差する方向)の制御に用いられる。
図9のフローチャートと、図10~図12を参照して、アライメント室103におけるアライメント動作の詳細を説明する。図10(a)~図12(d)はそれぞれ、図9のステップS1~S5,S7~S12に対応する。
すなわち、S7において、図11(b)のように、マスクMを上昇させてガラス基板Gに近接させる。マスクMの上昇時には、昇降装置202によってマスクトレイ205を上昇させることにより、マスク支持部206によって支持されているマスクMが上昇する。マスクM自体は、模式的に示すように撓んでおり、マスク支持部206に支持されたマスクフレームMFが上昇し、ガラス基板Gと所定の隙間まで近接する。このときのマスクMとガラス基板GのクリアランスをCLS71とすると、例えばCLS71=0.5mmである。また、搬送キャリア302が磁気浮上していることから、キャリアスタンド部302A1の下端とマスクトレイ205の間にはクリアランスCLS72が存在する。
すなわち、外部の駆動装置の駆動によって、回転軸311fが回転駆動され、チャック片311cがマスクフレームMFに係合してチャックされる。図示例では、上側のチャック片311bを省略している。この時点で、マスクフレームMFが固定される。この状態は静電チャック308、磁気吸着チャック307を解除しても維持される。
図1に戻り、説明を続ける。アライメント動作を完了し、アライメント室103より排出された搬送キャリアは、上述したように加速室104で加速され、蒸着室105へと搬入される。搬送キャリアを蒸着室105に搬入する前に加速することにより、アライメント室103における高精度アライメント処理に要した時間の遅れを補償し、タクトタイムの低下を抑えることができる。
蒸着処理を終え蒸着室105より排出された搬送キャリアは、減速室106で減速され、マスク分離位置P3にあるマスク分離室107へと搬送されて所定位置で停止する。ここでマスクチャック311によるマスクMのロック状態が解除され、マスクMがガラス基板より分離される。
置と同様の機構によってマスクMを搬送キャリア下面へと上昇させ、磁気チャックに保持させる。このようにマスクMを保持した搬送キャリア302は、供給側へとリターン搬送される。
搬送キャリア302は、リターン搬送路上をローラ搬送モードで移動する。反転室111において、回転支持機構が、搬送キャリア302を搬送モジュールごと進行方向に180度回転する。これにより搬送キャリア302は、静電チャック308のマスク装着面が下面側となった状態でマスク受取位置P6に搬入される。続いて搬送キャリア302は、マスク受渡機構100cからマスクMを受け取って磁気吸着チャック307で吸着し、マスクチャック311で保持する。続いて搬送キャリア302は、マスクMをマスクチャック311で保持しながら、引き続きローラ搬送モードで矢印C方向へと移動する。
面に設けられ、搬送モジュール301に上に駆動用マグネット305a、305bに対向するように配置された駆動用コイル306a、306bによって上部から吸引される構成となっている。しかしながら磁石ユニットとコイルユニットの配置はこれに限られず、搬送キャリア302の側面に駆動用マグネットを配置し、駆動用マグネットに対向する搬送モジュール301上の位置に複数のコイルを配置し、搬送キャリア302の側面から磁気浮上により保持することも可能である。
Claims (12)
- 基板を保持して搬送する搬送キャリアと、前記搬送キャリアが移動する搬送路を構成する搬送モジュールと、を含む搬送機構と、
前記搬送キャリアに保持された前記基板が搬入され、搬入された前記基板にマスクが位置決めされて固定されるアライメント室と、
前記アライメント室から前記搬送キャリアに保持された前記基板が搬入され、搬入された前記基板に蒸着材料が蒸着される蒸着室と、
前記搬送キャリアに前記基板の搬送方向に沿って配列された複数の磁石と、前記搬送モジュールに前記複数の磁石に対向するように配列された複数のコイルとの間に発生する磁力を、前記複数のコイルに電流または電圧を印加することで制御する制御手段と、
を備える蒸着装置であって、
前記制御手段は、前記搬送モジュールと非接触の状態の前記搬送キャリアが前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって発生された前記搬送方向への駆動力により前記搬送方向に移動することにより前記搬送キャリアが前記基板を搬送する第1のモードと、前記搬送モジュールと接触した状態の前記搬送キャリアが前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって発生された前記搬送方向への駆動力により前記搬送方向に移動することにより前記搬送キャリアが前記基板を搬送する第2のモードと、の間で前記搬送機構の搬送モードを切換え可能とし、
前記アライメント室においては、前記基板を保持した前記搬送キャリアの位置を調整するように、前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力を制御する
ことを特徴とする蒸着装置。 - 前記制御手段は、前記蒸着室において、前記搬送機構を前記第1のモードで制御する
ことを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。 - 前記基板を保持した状態の前記搬送キャリアの上下を反転させる反転手段を含む反転室をさらに備え、
前記アライメント室には、前記反転室から前記搬送機構により前記基板が搬入されるものであり、
前記搬送機構は、前記搬送キャリアを反転する前は前記第2のモードで搬送を行い、前記搬送キャリアを反転した後は前記第1のモードで搬送を行う
ことを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着装置。 - 前記反転手段は、前記搬送モジュールが前記搬送キャリアを支持しているときに、前記搬送モジュールごと前記搬送キャリアの上下を反転させる
ことを特徴とする請求項3に記載の蒸着装置。 - 前記反転手段は、被成膜面が上方を向いた状態の前記基板を保持した状態の前記搬送キャリアの上下を反転して、前記被成膜面が下方を向いた状態とする
ことを特徴とする請求項4に記載の蒸着装置。 - 前記基板が搬入されて前記搬送キャリアにより保持されたのち、前記反転室に搬出される基板搬入室をさらに備え、
前記基板搬入室、前記反転室、前記アライメント室および前記蒸着室を含む蒸着処理工程搬送路は、直線状に配置される
ことを特徴とする請求項3~5のいずれか1項に記載の蒸着装置。 - 前記搬送キャリアは、前記基板を保持して前記蒸着処理工程搬送路を移動し、蒸着がなされた前記基板を排出した後、前記蒸着処理工程搬送路とともに循環型搬送路を構成するリターン搬送路によって前記基板搬入室に復帰する
ことを特徴とする請求項6に記載の蒸着装置。 - 前記搬送モジュールには前記搬送方向に沿ってローラが配置され、前記搬送キャリアには前記搬送方向に沿ってガイド溝が形成され、前記第2のモードにおいて、前記搬送キャリアは、前記搬送モジュールの前記ローラが前記搬送キャリアの前記ガイド溝に挿入されて支持されながら搬送される
ことを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の蒸着装置。 - 前記搬送キャリアの前記ガイド溝は、前記搬送キャリアの搬送方向に対して左右に対になるように形成され、
前記複数の磁石は、前記搬送キャリアの搬送方向に対して左右に対になる複数の磁石列を形成するように配列される
ことを特徴とする請求項8に記載の蒸着装置。 - 前記搬送キャリアの前記ガイド溝に沿って前記複数の磁石が配列される
ことを特徴とする請求項8または9に記載の蒸着装置。 - 請求項1~10のいずれか1項に記載の蒸着装置を用いて前記基板に成膜することにより電子デバイスを製造する
ことを特徴とする電子デバイスの製造装置。 - 基板を保持して搬送する搬送キャリアと、前記搬送キャリアが移動する搬送路を構成する搬送モジュールと、を含む搬送機構により前記基板を搬送しながら、前記基板に蒸着を行う蒸着方法であって、
前記搬送キャリアは前記基板の搬送方向に沿って配列された複数の磁石を有し、前記搬送モジュールは前記複数の磁石に対向するように配列された複数のコイルを有し、前記複数の磁石と前記複数のコイルの間に発生する磁力は、前記複数のコイルに電流または電圧が印加されることで制御されるものであり、
前記蒸着方法は、
前記搬送キャリアに保持された前記基板に、マスクを位置決めして固定されるアライメント工程と、
アライメントが行われた前記基板に蒸着材料を蒸着する蒸着工程と、
を有し、
前記搬送機構の搬送モードは、前記搬送モジュールと非接触の状態の前記搬送キャリアが前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって発生された前記搬送方向への駆動力により前記搬送方向に移動することにより前記搬送キャリアが前記基板を搬送する第1のモードと、前記搬送モジュールと接触した状態の前記搬送キャリアが前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって発生された前記搬送方向への駆動力により前記搬送方向に移動することにより前記搬送キャリアが前記基板を搬送する第2のモードと、の間で切換え可能であり、
前記アライメント工程においては、前記基板を保持した前記搬送キャリアの位置を前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力によって調整するように、前記複数の磁石と前記複数のコイルとの間に発生する磁力を制御する
ことを特徴とする蒸着方法。
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JP2021175824A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-11-04 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法 |
KR102407507B1 (ko) * | 2020-07-30 | 2022-06-13 | 주식회사 선익시스템 | 증착 시스템 |
JP2022073043A (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-17 | キヤノン株式会社 | 搬送システム及び搬送システムの制御方法 |
JPWO2022153151A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | ||
JP7216752B2 (ja) * | 2021-02-08 | 2023-02-01 | キヤノントッキ株式会社 | 計測装置、インライン型蒸着装置および調整方法 |
CN113913792B (zh) * | 2021-10-09 | 2024-03-15 | 上海骐碳复合材料科技有限公司 | 一种横向连续递进式气相沉积炉及其工作方法 |
KR20230052107A (ko) | 2021-10-12 | 2023-04-19 | 세메스 주식회사 | 기판 이송 장치 및 방법 |
JP2023063977A (ja) * | 2021-10-25 | 2023-05-10 | 吉林Oled日本研究所株式会社 | 蒸着装置 |
JP2023108195A (ja) | 2022-01-25 | 2023-08-04 | キヤノントッキ株式会社 | 搬送装置及び成膜装置 |
JP2023157719A (ja) * | 2022-04-15 | 2023-10-26 | キヤノントッキ株式会社 | 基板搬送装置、成膜装置及び計測方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166348A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Olympus Corp | 基板搬送装置 |
JP2014118611A (ja) | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Canon Tokki Corp | 成膜装置 |
JP2015001024A (ja) | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0762252B2 (ja) * | 1988-06-13 | 1995-07-05 | 旭硝子株式会社 | 真空処理装置 |
EP0648698B1 (en) * | 1992-07-07 | 1998-01-07 | Ebara Corporation | Magnetically levitated carrying apparatus |
WO2010055876A1 (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | 株式会社アルバック | 有機薄膜蒸着装置、有機el素子製造装置、及び有機薄膜蒸着方法 |
KR20130004830A (ko) * | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102015872B1 (ko) * | 2012-06-22 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR102120895B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102204234B1 (ko) * | 2016-01-18 | 2021-01-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 진공 챔버에서 기판 캐리어를 운송하기 위한 장치, 기판을 진공 프로세싱하기 위한 시스템, 및 진공 챔버에서 기판 캐리어를 운송하기 위한 방법 |
CN107858650B (zh) * | 2017-11-22 | 2020-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀设备和蒸镀方法 |
CN107919311A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-04-17 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 太阳能电池共蒸镀生产线 |
JP7224165B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2023-02-17 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント装置、蒸着装置、および、電子デバイスの製造装置 |
-
2018
- 2018-12-14 JP JP2018234923A patent/JP7316782B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-04 KR KR1020190159884A patent/KR20200074006A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-12-12 US US16/711,572 patent/US20200189054A1/en active Pending
- 2019-12-13 CN CN201911280341.8A patent/CN111321375B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166348A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Olympus Corp | 基板搬送装置 |
JP2014118611A (ja) | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Canon Tokki Corp | 成膜装置 |
JP2015001024A (ja) | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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