JP7191229B2 - アライメント機構、アライメント方法、成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

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Description

本発明は、アライメント機構、アライメント方法、成膜装置及び成膜方法に関するものである。
有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）は、スマートフォン、テレビ、自動車用ディスプレイだけでなく、ＶＲ ＨＭＤ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ）などにその応用分野が広がっており、特に、ＶＲ ＨＭＤに用いられるディスプレイは、ユーザーのめまいを低減するために画素パターンを高精度で形成することが求められる。
有機ＥＬ表示装置の製造においては、有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ）を形成する際に、成膜装置の成膜源から放出された成膜材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に成膜することで、有機物層や金属層を形成する。
このような成膜装置においては、成膜精度を高めるために、成膜工程の前に、基板とマスクの相対位置を測定し、相対位置がずれている場合には、基板および／またはマスクを相対的に移動させて位置を調整（アライメント）する工程が必要になる。
このため、従来の成膜装置は、基板支持ユニットとマスク台にそれぞれ連結されたアライメントステージ機構を含む。また、成膜装置は基板及びマスクに形成されたアライメントマークを撮影するアライメント用カメラを備える。また、成膜装置は基板及びマスクを搬出入する搬送機構を備える。成膜装置は搬送機構により基板またはマスクの受け渡しを行う。アライメント機構はアライメントカメラによって得られる基板及びマスクの相対位置情報を元にアライメントを行う。また、高精度なアライメントを行うためには高解像度のアライメントカメラを必要とする。しかし、高解像度のアライメントカメラは視野が相対的に狭く、搬送機構の受け渡し精度では基板及びマスクに形成されたアライメントマークをアライメントカメラの視野内に受け渡すことは困難であった。また、搬送機構の受け渡し精度を高めることは機構上困難である。そのため、成膜装置に、低解像度であるが、相対的に広い視野を持つラフアライメントカメラと、相対的に狭い視野しか持たないが、高解像度であるファインアライメントカメラを備え、ファインアライメント用カメラの視野内に基板及びマスクに形成されたアライメントマークを移動させることを目的としたラフアライメントと、成膜精度を高めるために基板とマスクのアライメントマークを高精度にアライメントするファインアライメント、に工程を分けている。また、アライメント機構はカメラによって撮影されたアライメントマークの位置合わせを行うための複数のアクチュエータ（例えば、２つのＸ方向のモータ及び１つのＹ方向のモータ）を含む。
従来の成膜装置では、ラフアライメント工程における基板及びマスクのアライメント動作を、基板及びマスクに個別のアライメント機構で行っていた。そのため、ラフアライメント機構の配置スペースが余剰に必要になり、装置サイズの大型化及びコスト上昇につながっていた。
本発明は、ラフアライメント機能を維持しつつ、装置サイズやコストの低減を行うアライメント機構の構成を提供することを目的とする。
本発明のアライメント方法は、基板を吸着して保持するための基板吸着手段と、マスクを支持するマスク支持手段と、前記マスク支持手段に備えられ、前記基板及び前記マスクを一時的に支持する仮受け手段と、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を搭載し、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で移動させる水平粗動ステージ機構と、前記水平粗動ステージ機構を昇降させる垂直粗動ステージ機構とを含むアライメント機構を用いて、基板とマスクを位置調整するためのアライメント方法であって、搬入された基板を、前記仮受け手段によって支持する基板仮受け工程と、前記水平粗動ステージ機構を駆動して、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で移動させることで、前記仮受け手段により支持された基板の前記基板吸着手段に対する位置を調整する基板位置調整工程と、前記基板位置調整工程で位置が調整された前記基板を前記基板吸着手段に吸着させる基板吸着工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の他の実施形態によるアライメント方法は、基板を吸着して保持するための基板吸着手段と、マスクを支持するマスク支持手段と、前記マスク支持手段に備えられ、前記基板及び前記マスクを一時的に支持する仮受け手段と、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を搭載し、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で移動させる水平粗動ステージ機構と、前記水平粗動ステージ機構を昇降させる垂直粗動ステージ機構とを含むアライメント機構を用いて、基板とマスクを位置調整するためのアライメント方法であって、搬入されたマスクを、前記仮受け手段によって支持するマスク仮受け工程と、前記水平粗動ステージ機構を駆動して、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で移動させることで、前記仮受け手段により支持されたマスクの位置を調整するマスク位置調整工程と、前記マスク位置調整工程で位置が調整された前記マスクを前記マスク支持手段に載置するマスク載置工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、基板及びマスクにそれぞれのラフアライメント機構を設ける必要なく、ラフアライメント動作を行うことが可能となり、装置のサイズ及びコストを低減することができる。
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。 図２は、本発明の一実施形態によるアライメント機構を有する成膜装置の模式図である。 図３ａは、本発明の一実施形態による微動ステージ機構の模式図である。 図３ｂは、本発明の一実施形態による微動ステージ機構の模式図である。 図３ｃは、本発明の一実施形態による微動ステージ機構の模式図である。 図３ｄは、本発明の一実施形態による微動ステージ機構の模式図である。 図４ａは、本発明の一実施形態による磁気浮上リニアモータの構造を示す模式図である。 図４ｂは、本発明の一実施形態による磁気浮上リニアモータの構造を示す模式図である。 図５は、本発明の一実施形態による自重補償手段の構造を示す模式図である。 図６ａは、本発明の一実施形態によるラフアライメントの一連の動作を説明する図である。 図６ｂは、本発明の一実施形態によるラフアライメントの一連の動作を説明する図である。 図６ｃは、本発明の一実施形態によるラフアライメントの一連の動作を説明する図である。 図６ｄは、本発明の一実施形態によるラフアライメントの一連の動作を説明する図である。 図６ｅは、本発明の一実施形態によるラフアライメントの一連の動作を説明する図である。 図７は、本発明の一実施形態によるマスク固定機構が備えられたラフアライメント機構を示す図である。 図８ａは、アライメントマークがカメラの視野から大きく外れている場合における本発明の一実施形態によるラフアライメント機構を用いたアライメント処理手順を概念的に説明した図である。 図８ｂは、アライメントマークがカメラの視野から大きく外れている場合における本発明の一実施形態によるラフアライメント機構を用いたアライメント処理手順を概念的に説明した図である。 図８ｃは、アライメントマークがカメラの視野から大きく外れている場合における本発明の一実施形態によるラフアライメント機構を用いたアライメント処理手順を概念的に説明した図である。 図８ｄは、アライメントマークがカメラの視野から大きく外れている場合における本発明の一実施形態によるラフアライメント機構を用いたアライメント処理手順を概念的に説明した図である。 図８ｅは、アライメントマークがカメラの視野から大きく外れている場合における本発明の一実施形態によるラフアライメント機構を用いたアライメント処理手順を概念的に説明した図である。 図８ｆは、アライメントマークがカメラの視野から大きく外れている場合における本発明の一実施形態によるラフアライメント機構を用いたアライメント処理手順を概念的に説明した図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の好ましい実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は、本発明の好ましい構成を例示的に表すものであり、本発明の範囲は、これらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に限定的な記載がない限り、本発明の範囲をこれらのみに限定する趣旨のものではない。
本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に好適に適用することができる。
基板の材料としては、半導体（例えば、シリコン）、ガラス、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選ぶことができ、基板は、例えば、シリコンウエハ、又はガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。また、成膜材料としても、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選ぶことができる。
なお、本発明は、加熱蒸発による真空蒸着装置の以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を含む成膜装置にも、適用することができる。本発明の技術は、具体的には、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造装置に適用可能である。電子デバイスの具体例としては、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどが挙げられる。
本発明は、中でも、ＯＬＥＤなどの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造装置に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置）や照明装置（例えば有機ＥＬ照明装置）、光電変換素子を備えたセンサ（例えば有機ＣＭＯＳイメージセンサ）も含むものである。
＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
図１の製造装置は、例えば、ＶＲ ＨＭＤ用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。ＶＲ ＨＭＤ用の表示パネルの場合、例えば、所定のサイズ（例えば３００ｍｍ）のシリコンウエハに有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、素子形成領域の間の領域（スクライブ領域）に沿って該シリコンウエハを切り出して、複数の小さなサイズのパネルに製作する。
本実施形態に係る電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、クラスタ装置の間を繋ぐ中継装置とを含む。
クラスタ装置１は、基板Ｗに対する処理（例えば、成膜）を行う成膜装置１１と、使用前後のマスクを収納するマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を具備する。搬送室１３は、図１に示したように、成膜装置１１およびマスクストック装置１２のそれぞれと接続される。
搬送室１３内には、基板Ｗおよびマスクを搬送する搬送ロボット１４が配置される。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板Ｗ又はマスクを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。
成膜装置１１では、成膜源から放出された成膜材料がマスクを介して基板Ｗ上に成膜される。搬送ロボット１４との基板Ｗ／マスクの受け渡し、基板Ｗとマスクの相対的位置の調整（アライメント）、マスク上への基板Ｗの固定、成膜などの一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。
有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置において、成膜装置１１は、成膜される材料の種類によって、有機膜の成膜装置と金属性膜の成膜装置に分けることができ、有機膜の成膜装置は、有機物の成膜材料を蒸着又はスパッタリングによって基板Ｗに成膜し、金属性膜の成膜装置は、金属性の成膜材料を蒸着またはスパッタリングにより基板Ｗに成膜する。
有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置において、どの成膜装置をどの位置に配置するかは、製造される有機ＥＬ素子の積層構造によって異なり、有機ＥＬ素子の積層構造に応じてこれを成膜するための複数の成膜装置が配置される。
有機ＥＬ素子の場合、通常、アノードが形成されている基板Ｗ上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、カソードがこの順に積層される構造を有し、これらの層を順次成膜できるように基板の流れ方向に沿って適切な成膜装置が配置される。
例えば、図１において、成膜装置１１ａは、正孔注入層ＨＩＬおよび／または正孔輸送層ＨＴＬを成膜し、成膜装置１１ｂ、１１ｆは、青色の発光層を、成膜装置１１ｃは、赤色の発光層を、成膜装置１１ｄ、１１ｅは、緑色の発光層を、成膜装置１１ｇは、電子輸送層ＥＴＬおよび／または電子注入層ＥＩＬを、成膜装置１１ｈは、カソード金属膜を成膜するように配置される。図１に示した実施例では、素材の特性上、青色の発光層と緑色の発光層の成膜速度が赤色の発光層の成膜速度より遅いので、処理速度のバランスを取るために青色の発光層と緑色の発光層とをそれぞれ２つの成膜装置で成膜するようにしているが、本発明はこれに限定されず、他の配置構造を有しても良い。
マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、複数のカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクストック装置１２の他のカセットに収納されている新しいマスクを成膜装置１１に搬送する。
複数のクラスタ装置１の間を連結する中継装置は、クラスタ装置１の間で基板Ｗを搬送するパス室１５を含む。
搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｗを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｗを複数の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ｅ）から受け取って、下流側に連結されたパス室１５に搬送する。
中継装置は、パス室１５の他に、上下流側のクラスタ装置１での基板Ｗの処理速度の差を吸収するためのバッファ室（不図示）、及び基板Ｗの方向を変えるための旋回室（不図示）をさらに含むことができる。例えば、バッファ室は、複数の基板Ｗを一時的に収納する基板積載部を含み、旋回室は、基板Ｗを１８０度回転させるための基板回転機構（例えば、回転ステージまたは搬送ロボット）を含む。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Ｗの向きが同じくなり、基板処理が容易になる。
本発明の一実施形態によるパス室１５は、複数の基板Ｗを一時的に収納するための基板積載部（不図示）や基板回転機構を含んでもよい。つまり、パス室１５が、バッファ室や旋回室の機能を兼ねても良い。
クラスタ装置１を構成する成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３などは、有機発光素子の製造過程で、高真空状態に維持される。中継装置のパス室１５は、通常、低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもいい。
有機ＥＬ素子を構成する複数の層の成膜が完了した基板Ｗは、有機ＥＬ素子を封止するための封止装置（不図示）や基板を所定のパネルサイズに切断するための切断装置（不図示）などに搬送される。
本実施例では、図１を参照し電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバを有してもよく、これらの装置やチャンバ間の配置が変わってもいい。
例えば、本発明の一実施形態による電子デバイス製造装置は、図１に示したクラスタタイプではなく、インラインタイプであってもいい。つまり、基板Ｗとマスクをキャリアに搭載して、一列に並んだ複数の成膜装置内を搬送させながら成膜を行う構成を有してもよい。また、クラスタタイプとインラインタイプを組み合わせたタイプの構造を有しても良い。例えば、有機層の成膜まではクラスタタイプの製造装置で行い、電極層（カソード層）の成膜工程から封止工程及び切断工程などは、インラインタイプの製造装置で行ってよい。
以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。
＜成膜装置＞
図２は、本発明の一実施形態による成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とし、水平面をＸＹ平面とするＸＹＺ直交座標系を用いる。また、Ｘ軸まわりの回転角をθX、Ｙ軸まわりの回転角をθY、Ｚ軸まわりの回転角をθZで表す。
図２は、成膜材料を加熱することによって蒸発または昇華させ、マスクＭを介して基板Ｗに成膜する成膜装置１１の一例を示している。
成膜装置１１は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１と、真空容器２１内に設けられ、基板Ｗの位置を少なくともＸ方向、Ｙ方向、及びθZ方向に調整するための微動ステージ機構２２と、真空容器２１内に設けられ、マスクＭを支持するマスク台２３と、真空容器２１内に設けられ、基板Ｗを吸着して保持する基板吸着手段２４と、真空容器２１内に設けられ、基板Ｗ及びマスクＭを仮受けする受け爪２８と、受け爪２８からマスク台２３へマスクを受け渡す際にマスクを受け取るマスク受けピン２８１と、マスク台２３と受け爪２８を装備し、基板Ｗ及びマスクＭの位置をＸ方向、Ｙ方向、θZ方向に調整するための粗動ステージ２３２と、真空容器２１内に設けられ、成膜材料を収納し、成膜時にこれを粒子化して放出する成膜源２５とを含む。
本発明の一実施形態による成膜装置１１は、磁気力によってマスクＭを基板Ｗ側に密着させるための磁力印加手段２６をさらに含むことができる。
本発明の一実施形態による成膜装置１１の真空容器２１は、微動ステージ機構２２が配置される第１真空容器部２１１と、成膜源２５が配置される第２真空容器部２１２とを含み、例えば、第２真空容器部２１２に接続された真空ポンプＰによって真空容器２１全体の内部空間が高真空状態に維持される。
また、少なくとも第１真空容器部２１１と第２真空容器部２１２との間には、伸縮可能部材２１３が設置される。伸縮可能部材２１３は、第２真空容器部２１２に連結される真空ポンプからの振動や、成膜装置１１が設けられた床又はフロアからの振動が、第２真空容器部２１２を通して第１真空容器部２１１に伝わることを低減する。伸縮可能部材２１３は、例えば、ベローズであり得るが、本発明はこれに限定されず、第１真空容器部２１１と第２真空容器部２１２との間で振動の伝達を低減することができる限り、他の部材を使用してもよい。
真空容器２１は、微動ステージ機構２２が固定連結される基準フレーム２１５を含む。本発明の一実施例においては、図２に示したように、基準フレーム２１５と第１真空容器部２１１との間にも伸縮可能部材２１３をさらに設置してもよい。これにより、基準フレーム２１５を介して微動ステージ機構２２に外部振動が伝わることをさらに低減することができる。
基準フレーム２１５と成膜装置１１の設置架台２１７との間には、床又はフロアから成膜装置１１の設置架台２１７を通して基準フレーム２１５に振動が伝わることを低減するための除振ユニット２１６が設置される。
微動ステージ機構２２は、磁気浮上リニアモータによって基板Ｗまたは基板吸着手段２４の位置を調整するためのステージ機構であって、少なくともＸ方向、Ｙ方向、及びθZ方向、好ましくは、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、θX方向、θY方向、θZ方向の６つの方向における基板Ｗまたは基板吸着手段２４の位置を調整する。
微動ステージ機構２２は、固定台として機能するステージ基準プレート部２２１（第１プレート部）と、可動台として機能する微動ステージプレート部２２２（第２プレート部）と、微動ステージプレート部２２２をステージ基準プレート部２２１に対し磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニット２２３とを含む。
マスク台２３は、アライメント時及び成膜時にマスクＭを設置する台である。
マスク台２３は水平方向（ＸＹθ方向）に移動可能な粗動ステージ２３２上に設置されている。これにより、基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークをアライメントカメラの視野内に入るよう移動することができる。また、マスク台２３及び粗動ステージ２３２は、粗動Ｚステージ機構２３３の上に設置されている。これにより基板ＷとマスクＭの間の鉛直方向における間隔を容易に調整することができる。粗動ステージ２３２と粗動Ｚステージ機構２３３は、サーボモータ及びボールねじ（不図示）によって機械的に駆動される。
マスク台２３は、搬送ロボット１４によって真空容器２１内に搬入された基板Ｗ及びマスクＭを一時的に受け取るための受け爪２８をさらに含む。
受け爪２８はマスク台２３上に設置されており、搬送ロボット１４から基板ＷまたはマスクＭを一時的に受け取ることができる。受け爪２８は、前記粗動ステージ２３２により、基板ＷまたはマスクＭをファインアライメントカメラの視野中心に移動するラフアライメント動作の際、基板ＷまたはマスクＭを支持することができる。受け爪２８は、駆動軸を持ち、基板ＷまたはマスクＭの受取位置と基板ＷまたはマスクＭと干渉しない退避位置の２位置を取ることができる。受け爪２８は前記駆動軸と前記粗動Ｚステージ機構２３３により、一時的に受け取った基板Ｗを、成膜プロセスの際に基板Ｗが吸着される基板吸着手段２４に設置することができ、同じく一時的に受け取ったマスクＭを、成膜プロセスの際にマスクＭが載置されるマスク台２３に設置することができる。
マスク受けピン２８１は、マスク台２３のマスク支持面に対して相対的に昇降できるように構成される。例えば、図２に示したように、粗動Ｚステージ機構２３３によって、マスク受けピン２８１がマスク台２３のマスク支持面に対して相対的に昇降可能に構成することができる。ただし、本発明はこれに限定されず、マスク受けピン２８１とマスク台２３のマスク支持面とが相対的に昇降可能な限り、他の構成を有してもいい。例えば、マスク受けピン２８１が独立した昇降機構を持ち、昇降可能に構成しても良い。
ラフアライメント動作の完了後、粗動Ｚステージ機構２３３の下降動作により、図２におけるマスク受けピン２８１はマスク台２３のマスク支持面に対し、相対的に上昇し、マスクＭはマスク受けピン２８１に受け渡される。受け爪２８は退避位置に移動し、粗動Ｚステージ機構２３３の上昇動作により、マスクＭはマスク受けピン２８１からマスク台２３に受け渡される。逆に使用済みのマスクＭを搬出する場合には、マスク台２３に載置されたマスクＭを、粗動Ｚステージ機構２３３が下降することで、マスク台２３のマスク設置面より相対的に上昇したマスク受けピン２８１が受け取る。その状態で、受け爪２８をマスク受取位置へ移動させ、粗動Ｚステージ機構２３３が上昇することで、受け爪２８でマスクＭを持ち上げ、搬送ロボット１４のハンドがマスクＭを受け取ることができるようにする。
マスクＭは、基板Ｗ上に形成される薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク台２３によって支持される。例えば、ＶＲ－ＨＭＤ用の有機ＥＬ表示パネルを製造するのに使われるマスクＭは、有機ＥＬ素子の発光層のＲＧＢ画素パターンに対応する微細な開口パターンが形成された金属製マスクであるファインメタルマスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）と、有機ＥＬ素子の共通層（正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層など）を形成するのに使われるオープンマスク（Ｏｐｅｎ Ｍａｓｋ）とを含む。
マスクＭの開口パターンは、成膜材料の粒子を通過させない遮断パターンによって定義される。
基板吸着手段２４は、搬送室１３に設置された搬送ロボット１４が搬送してきた、被成膜体としての基板Ｗを吸着して保持する手段である。基板吸着手段２４は、微動ステージ機構２２の可動台である微動ステージプレート部２２２に設置される。
基板吸着手段２４は、例えば、誘電体／絶縁体（例えば、セラミック材質）マトリックス内に金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する静電チャックである。
基板吸着手段２４としての静電チャックは、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が高い誘電体が介在して、電極と被吸着体との間のクーロン力によって吸着が行われるクーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が低い誘電体が介在して、誘電体の吸着面と被吸着体との間に発生するジョンソン・ラーベック力によって吸着が行われるジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよいし、不均一電界によって被吸着体を吸着するグラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。
被吸着体が導体または半導体（シリコンウエハ）である場合には、クーロン力タイプの静電チャックまたはジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックを用いることが好ましく、被吸着体がガラスのような絶縁体である場合には、グラジエント力タイプの静電チャックを用いることが好ましい。
静電チャックは、一つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもいい。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を有し、一つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもいい。
また、図２には図示しなかったが、基板吸着手段２４の吸着面とは反対側に基板Ｗの温度上昇を抑制するための冷却手段（例えば、冷却板）を設けて、基板Ｗ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成にしてもよい。
成膜源２５は、基板Ｗに成膜される成膜材料が収納されるるつぼ（不図示）、るつぼを加熱するためのヒータ（不図示）、成膜源２５からの蒸発レートが一定になるまで成膜材料が基板に飛散することを阻むシャッタ（不図示）などを含む。成膜源２５は、点（ｐｏｉｎｔ）成膜源や線状（ｌｉｎｅａｒ）成膜源など、用途に従って多様な構成を有することができる。
成膜源２５は、互いに異なる成膜材料を収納する複数のるつぼを含んでもよい。このような構成においては、真空容器２１を大気開放せずに成膜材料を変更できるように、異なる成膜材料を収納する複数のるつぼを成膜位置に移動可能に設置してもよい。
磁力印加手段２６は、成膜工程時に磁力によってマスクＭを基板Ｗ側に引き寄せて密着させるための手段であって、鉛直方向に昇降可能に設置される。例えば、磁力印加手段２６は、電磁石および／または永久磁石で構成される。
図２に図示しなかったが、成膜装置１１は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ（不図示）及び膜厚算出ユニット（不図示）を含んでもいい。
真空容器２１の上部外側（大気側）には磁力印加手段２６を昇降させるための磁力印加手段昇降機構２６１が設置される。
本発明の一実施形態による成膜装置１１は、真空容器２１の上部外側（大気側）に設置され、基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラユニット２７をさらに含む。
本実施例において、アライメント用カメラユニット２７は、基板ＷとマスクＭの相対的位置を大まかに調整するのに用いられるラフアライメント用カメラと、基板ＷとマスクＭの相対的位置を高精度に調整するのに用いられるファインアライメント用カメラとを含むことができる。ラフアライメント用カメラは、相対的に視野角が広く、低解像度であり、ファインアライメント用カメラは、相対的に視野角は狭いが、高解像度を有するカメラである。
ラフアライメント用カメラとファインアライメント用カメラは、基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークに対応する位置に設置される。例えば、ファインアライメント用カメラは、４つのカメラが矩形の４つのコーナー部をなすように設置され、ラフアライメント用カメラは、該矩形の対向する二つの辺の中央に設置される。ただし、本発明はこれに限定されず、基板Ｗ及びマスクＭのアライメントマークの位置に応じて他の配置を有しても良い。
図２に示したように、本発明の一実施形態による成膜装置１１のアライメント用カメラユニット２７は、真空容器２１の上部大気側から真空容器２１に設けられた真空対応筒２１４を通してアライメントマークを撮影する。このようにアライメント用カメラは真空対応筒を介して真空容器２１の内側に入り込むように設置することによって、微動ステージ機構２２の介在により、基板ＷとマスクＭが基準フレーム２１５から相対的に遠く離れて支持されても、基板ＷとマスクＭに形成されたアライメントマークに焦点を合わせることができる。真空対応筒の下端の位置は、アライメント用カメラの焦点深度と、基板Ｗ／マスクＭが基準フレーム２１５から離れた距離に応じて、適切に決めることができる。
図２には図示しなかったが、成膜工程中に密閉される真空容器２１の内部は暗いので、真空容器２１の内側に入り込んでいるアライメント用カメラによりアライメントマークを撮影するために、下方からアライメントマークを照らす照明光源を設置してもよい。
成膜装置１１は、制御部（不図示）を具備する。制御部は、基板Ｗ／マスクＭの搬送及びアライメントの制御、成膜の制御などの機能を有する。また、制御部は、静電チャックへの電圧印加を制御する機能を有してもいい。
制御部は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、Ｉ／Ｏなどを持つコンピューターによって構成することができる。この場合、制御部の機能は、メモリーまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューターまたはＰＬＣ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を使用してもよい。または、制御部の機能の一部または全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。
＜ラフアライメント機構＞
以下、図２を参照して本発明の一実施形態によるラフアライメント機構について説明する。
ラフアライメント動作はアライメント用カメラユニット２７の内、ファインアライメント用カメラの視野内に、基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを移動する動作を指し、ラフアライメント動作を行う機構をラフアライメント機構と呼ぶ。
本発明におけるラフアライメント機構は、ラフアライメント動作時に基板Ｗ及びマスクＭを支持することができ、駆動機構を持つことで基板ＷまたはマスクＭの受取位置と基板ＷまたはマスクＭとの干渉を避ける退避位置の２位置を取ることのできる受け爪２８（把持手段）と、受け爪２８が取り付けられており、成膜プロセス時にマスクＭを支持するマスク台２３と、受け爪２８とマスク台２３を平面方向（ＸＹθ方向）に移動させ、ファインアライメント用カメラの視野内に基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを移動（調整）することのできる粗動ステージ機構２３２（水平粗動ステージ機構）と、粗動ステージ機構２３２を支持し、鉛直方向に移動させる粗動Ｚステージ機構２３３（垂直粗動ステージ機構）と、受け爪２８からマスク台２３へのマスクＭの受け渡しの際、一時的にマスクＭを支持するマスク受けピン２８１を含む。
＜微動ステージ機構＞
以下、図３ａ～３ｄ、図４ａ、図４ｂ、図５を参照して、本発明の一実施形態による微動ステージ機構２２について説明する。
図３ａ～３ｄは、本発明の一実施形態による微動ステージ機構２２の模式的平面図および模式的断面図である。
微動ステージ機構２２は、前述したように、固定台として機能するステージ基準プレート部２２１と、可動台として機能する微動ステージプレート部２２２と、微動ステージプレート部２２２をステージ基準プレート部２２１に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニット２２３とを含む。
ステージ基準プレート部２２１は、微動ステージプレート部２２２の移動の基準となる部材であって、その位置が固定されるように設置される。例えば、図２に示したように、ステージ基準プレート部２２１は、ＸＹ平面に平行に、真空容器２１の基準フレーム２１５に固定されるように設置される。
ステージ基準プレート部２２１は、微動ステージプレート部２２２の移動の基準となる部材であるため、伸縮可能部材２１３及び除振ユニット２１６などにより、真空ポンプまたは床からの振動のような外乱から影響を受けないように設置されるのが好ましい。
微動ステージプレート部２２２は、ステージ基準プレート部２２１に対して移動可能に設置され、微動ステージプレート部２２２の一主面（例えば、下面）には、静電チャックのような基板吸着手段２４が設置される。したがって、微動ステージプレート部２２２の移動により、基板吸着手段２４及びこれに吸着された基板Ｗの位置を調整することができる。
本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット２２３は、可動台である微動ステージプレート部２２２を固定台であるステージ基準プレート部２２１に対して移動させる駆動力を発生させるための磁気浮上リニアモータ３１と、微動ステージプレート部２２２の位置を測定するための位置測定手段と、微動ステージプレート部２２２をステージ基準プレート部２２１に対して浮上させる浮上力を提供することで微動ステージプレート部２２２にかかる重力を補償する自重補償手段３３と、微動ステージプレート部２２２の原点位置を決める原点位置決め手段３４とを含む。
磁気浮上リニアモータ３１は、微動ステージプレート部２２２を移動させるための駆動力を発生させる駆動源であって、例えば、図３ａに示したように、微動ステージプレート部２２２をＸ方向に移動させるための駆動力を発生させる２つのＸ方向磁気浮上リニアモータ３１１と、微動ステージプレート部２２２をＹ方向に移動させるための駆動力を発生させる２つのＹ方向磁気浮上リニアモータ３１２と、微動ステージプレート部２２２をＺ方向に移動させるための駆動力を発生させる３つのＺ方向磁気浮上リニアモータ３１３とを含む。
これら複数の磁気浮上リニアモータ３１を用いて、微動ステージプレート部２２２を６つの自由度に（Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、θX方向、θY方向、θZ方向に）移動させることができる。
例えば、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向への並進移動は、Ｘ方向磁気浮上リニアモータ３１１、Ｙ方向磁気浮上リニアモータ３１２、およびＺ方向磁気浮上リニアモータ３１３のそれぞれを同じ方向に駆動することによって具現できる。
θZ方向への回転移動は、２つのＸ方向磁気浮上リニアモータ３１１と２つのＹ方向磁気浮上リニアモータ３１２の駆動方向を調整することによって具現できる。例えば、Ｘ方向磁気浮上リニアモータ３１１ａは＋Ｘ方向に、Ｘ方向磁気浮上リニアモータ３１１ｂは－Ｘ方向に、Ｙ方向磁気浮上リニアモータ３１２ａは＋Ｙ方向に、Ｙ方向磁気浮上リニアモータ３１２ｂｂは－Ｙ方向に駆動することにより、微動ステージプレート部２２２をＺ軸を中心に反時計まわりに回転移動させることができる。
同様に、θX方向、θY方向への移動は、３つのＺ方向磁気浮上リニアモータ３１３のそれぞれの駆動方向を調整することによって具現できる。
図３ａに示した磁気浮上リニアモータ３１の数や配置は、例示的なものであり、本発明はこれに限定されず、微動ステージプレート部２２２を所望の方向に移動させることができる限り、他の数や配置を有しても良い。
図４ａは、Ｚ方向磁気浮上リニアモータ３１３の構造を示す模式図であり、図４ｂは、Ｘ方向またはＹ方向磁気浮上リニアモータ３１１、３１２の構造を示す模式図である。
磁気浮上リニアモータ３１は、ステージ基準プレート部２２１に設置される固定子３１４と、微動ステージプレート部２２２に設置される可動子３１５とを含む。
図４ａおよび図４ｂに示すように、磁気浮上リニアモータ３１の固定子３１４は、磁界発生手段、例えば、電流が流れるコイル３１４１を含み、可動子３１５は、磁性体、例えば、永久磁石３１５１を含む。
磁気浮上リニアモータ３１は、固定子３１４のコイル３１４１に電流を流すことで発生した磁界によって、可動子３１５の永久磁石３１５１に駆動力を加える。磁気浮上リニアモータ３１は、固定子３１４に流れる電流の方向を調整することによって、可動子３１５である永久磁石３１５１に加えられる力の方向を調整することができる。
例えば、図４ａの（ｂ）に示したように、固定子３１４のコイル３１４１に流れる電流の方向を反時計回りにすると、図４ａの（ａ）において、コイル３１４１の左側（－Ｘ側）にＮ極が誘導され、右側（＋Ｘ側）にはＳ極が誘導されるので、可動子３１５は、下方（－Ｚ）方向に力を受ける。逆に、コイル３１４１に流れる電流の方向を時計回りにすると、可動子３１５を上方（＋Ｚ）方向に移動させることができる。
同様に、図４ｂに示したＸ方向磁気浮上リニアモータ３１１、又はＹ方向磁気浮上リニアモータ３１２も、固定子３１４のコイル３１４１に流れる電流の方向を制御することによって、可動子３１５をそれぞれＸ方向、Ｙ方向に移動させることができる。
本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット２２３の位置測定手段は、微動ステージプレート部２２２の位置を測定するための手段であって、レーザー干渉計３２と、これと対向するように微動ステージプレート部２２２に設置された反射部３２４とを含む。反射部３２４は、例えば、平面鏡であり得る。
レーザー干渉計３２は、測定ビームを微動ステージプレート部２２２に設置された反射部３２４に照射し、その反射ビームを検出することで、反射部３２４の位置（微動ステージプレート部２２２の位置）を測定する。より具体的には、レーザー干渉計３２は、測定ビームの反射光と参照ビームの反射光との干渉光に基づいて、微動ステージプレート部２２２の位置を測定することができる。
本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット２２３の位置測定手段は、微動ステージプレート部２２２のＸ方向における位置を測定するためのＸ方向位置測定部と、Ｙ方向における位置を測定するためのＹ方向位置測定部と、Ｚ方向における位置を測定するためのＺ方向位置測定部とを含む。
図３ａに示したように、本発明の一実施形態による位置測定手段のレーザー干渉計３２は、微動ステージプレート部２２２のＸ軸方向の位置を検出するための二つのＸ方向レーザー干渉計３２１と、微動ステージプレート部２２２のＹ軸方向の位置を検出するための一つのＹ方向レーザー干渉計３２２と、微動ステージプレート部２２２のＺ軸方向の位置を検出するための３つのＺ方向レーザー干渉計３２３とを含む。
微動ステージプレート部２２２には、これらのレーザー干渉計３２からの測定ビームを反射させる反射部３２４が、レーザー干渉計３２に対向するように設置される。例えば、反射部３２４は、Ｘ方向レーザー干渉計３２１に対向するように設置されたＸ方向反射部３２４１と、Ｙ方向レーザー干渉計３２２に対向するように設置されたＹ方向反射部３２４２と、Ｚ方向レーザー干渉計３２３に対向するように設置されたＺ方向反射部３２４３とを含む。
Ｘ方向位置測定部は、Ｘ方向レーザー干渉計３２１とＸ方向反射部３２４１とを含み、Ｙ方向位置測定部は、Ｙ方向レーザー干渉計３２２とＹ方向反射部３２４２とを含み、Ｚ方向位置測定部は、Ｚ方向レーザー干渉計３２３とＺ方向反射部３２４３とを含む。
図３ａに示した実施例では、Ｘ方向反射部３２４１とＺ方向反射部３２４３は、一つの部材の側面と上面に設置された平面鏡であるが、本発明はこれに限定されず、それぞれの反射部３２４が、これに対向するレーザー干渉計３２からの測定ビームを反射してレーザー干渉計３２に戻すことができる限り、他の構造及び配置を有しても良い。
このような位置測定手段の構成により、６つの自由度（ｄｅｇｒｅｅ ｏｆ ｆｒｅｅｄｏｍ）において、微動ステージプレート部２２２の位置を精密に測定することができる。つまり、Ｘ方向レーザー干渉計３２１、Ｙ方向レーザー干渉計３２２、及びＺ方向レーザー干渉計３２３によって、微動ステージプレート部２２２のＸ方向位置、Ｙ方向位置、及びＺ方向位置を測定することができる。また、Ｘ方向レーザー干渉計３２１を複数設置することによって、Ｚ軸を中心とした回転（θZ）方向の位置も測定することができる。また、Ｚ方向レーザー干渉計３２３を複数設置することによって、Ｘ軸および／またはＹ軸を中心とした回転方向（θXまたはθY）の位置（つまり、微動ステージプレート部２２２の傾斜角度）も測定することができる。
ただし、本発明は、図３ａ及び図３ｂに示したレーザー干渉計３２と反射部３２４の数や配置に限定されず、微動ステージプレート部２２２の６つの自由度（Ｘ、Ｙ、Ｚ、θX、θY、θZ）における位置を測定することができる限り、他の数や配置を有しても良い。例えば、Ｘ方向レーザー干渉計を一つだけ設置する代わりに、Ｙ方向レーザー干渉計を２つ設置してもよい。
本発明の一実施形態による成膜装置１１の制御部は、レーザー干渉計３２によって測定された微動ステージプレート部２２２（またはこれに設置された基板吸着手段２４）の位置情報に基づいて、磁気浮上リニアモータ３１を制御する。例えば、成膜装置１１の制御部は、微動ステージプレート部２２２または基板吸着手段２４を、レーザー干渉計３２で測定された微動ステージプレート部２２２または基板吸着手段２４の位置と、アライメント用カメラユニット２７で測定された基板ＷとマスクＭ間の相対的位置ずれ量とによって決められる位置決め目標位置に移動させる。これにより、微動ステージプレート部２２２または基板吸着手段２４の位置をナノメートル単位で高精度に制御することができる。
本実施例では、微動ステージプレート部２２２の位置を測定するための手段であって、レーザー干渉計を用いる構成を説明したが、本発明はこれに限定されず、微動ステージプレート部２２２の位置が測定できる限り、他の位置測定手段を用いてもいい。
自重補償手段３３は、微動ステージプレート部２２２の重量を補償するための手段であって、例えば、本発明の一実施形態による自重補償手段３３は、図３ｄ及び図５に示したように、ステージ基準プレート部２２１側に設けられた第１の磁石部３３１と、微動ステージプレート部２２２側に設けられた第２の磁石部３３２との間の反発力または吸引力を利用して、微動ステージプレート部２２２にかかる重力に相応する大きさの浮上力を提供する。
第１の磁石部３３１と第２の磁石部３３２は、電磁石または永久磁石で構成することができる。
例えば、図３ｄに示したように、ステージ基準プレート部２２１側に設けられた第１の磁石部３３１と微動ステージプレート部２２２側に設けられた第２の磁石部３３２を、逆極性の磁極が対向するように配置することによって、ステージ基準プレート部２２１側に設けられた第１の磁石部３３１が微動ステージプレート部２２２側に設けられた第２の磁石部３３２を上方に吸引し、微動ステージプレート部２２２にかかる重力を相殺することができる。
または、ステージ基準プレート部２２１側に設けられた第１の磁石部３３１と微動ステージプレート部２２２側に設けられた第２の磁石部３３２との間の反発力によって、微動ステージプレート部２２２の重力を相殺することもできる。
例えば、図５に示したように、第１の磁石部３３１と第２の磁石部３３２を同じ極性の磁極が対向するように配置するとともに、微動ステージプレート部２２２と第２の磁石部３３２との間にＺ方向に延びるスペーサー３３３を介在させ、第２の磁石部３３２の下端が第１の磁石部３３１の下端よりも高くなるように設置してもよい。つまり、スペーサー３３３のＺ方向の長さを、微動ステージプレート部２２２側に設けられた第２の磁石部３３２の下端がステージ基準プレート部２２１側に設けられた第１の磁石部３３１の下端よりも高くなるように（つまり、微動ステージプレート部２２２から、より遠くなるように）する。
このような構成によって、微動ステージプレート部２２２側に設けられた第２の磁石部３３２は、ステージ基準プレート部２２１側に設けられた第１の磁石部３３１により上方に反発力を受け、微動ステージプレート部２２２にかかる重力を相殺することができる。
自重補償手段３３は、微動ステージプレート部２２２をより安定的に支持することができるように、図３ａに示したように、ＸＹ平面内で少なくとも３つの位置に設置することが好ましい。例えば、微動ステージプレート部２２２の重心の周りに対称になるように設置することが好ましい。
このように、本発明の一実施形態による成膜装置１１においては、自重補償手段３３を採用することによって、磁気浮上リニアモータ３１の負荷を低減させ、磁気浮上リニアモータ３１から発生する熱を低減することができる。これにより基板Ｗに成膜された有機材料が熱変性することを抑制することができる。
つまり、自重補償手段３３を使わず、Ｚ方向磁気浮上リニアモータ３１３のみで微動ステージプレート部２２２の重量を支持しようとすると、Ｚ方向磁気浮上リニアモータ３１３に過度な負荷がかかり、相当な熱が発生し、これが基板Ｗ上に成膜された有機材料の変性をもたらす恐れがある。本実施例では、微動ステージプレート部２２２にかかる重力は自重補償手段３３によって相殺されるので、Ｚ方向磁気浮上リニアモータ３１３は、自重補償手段３３によって浮上された微動ステージプレート部２２２にＺ方向の微動のための駆動力のみを提供すれば良く、よって、負荷が低減される。
本発明の一実施例においては、自重補償手段３３を磁石で具現したが、本発明はこれに限定されず、微動ステージプレート部２２２の重力を相殺して浮上させることができる限り、他の構成を有しても良い。
本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット２２３の原点位置決め手段３４は、微動ステージプレート部２２２の原点位置を決める手段であって、三角錐状の凹部３４１と半球状の凸部３４２とを含むキネマティックカップリング（ｋｉｎｅｍａｔｉｃ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）で構成することができる。
例えば、図３ｃに示したように、ステージ基準プレート部２２１側に三角錐状の凹部３４１を設置し、微動ステージプレート部２２２側に半球状の凸部３４２を設置する。半球状の凸部３４２が三角錐状の凹部３４１に挿入されると、半球状の凸部３４２が３つの支点で三角錐状の凹部３４１の内面に接触し、微動ステージプレート部２２２の位置が決められる。
このようなキネマティックカップリングタイプの原点位置決め手段３４を、図３ａに示したように、微動ステージプレート部２２２の中心の周りに対称になるように３つを等間隔（例えば、１２０°間隔）で設置することで、微動ステージプレート部２２２の中心の位置を一定に決めることができる。つまり、微動ステージプレート部２２２をステージ基準プレート部２２１に接近させて３つの原点位置決め手段の凸部３４２が凹部３４１内に着座したときの、微動ステージプレート部２２２の位置を、レーザー干渉計３２により測定し、これを原点位置とする。
本発明の一実施形態による成膜装置１１によると、３つのキネマティックカップリングを原点位置決め手段３４として採用することで、微動ステージプレート部２２２の原点位置を一定に決めることができ、微動ステージプレート２２２の位置制御をより精密に行うことができる。
＜ラフアライメント方法＞
以下、本発明のラフアライメント機構を用いて、基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークをファインアライメント用カメラの視野内に入るよう調整を行うラフアライメント方法を基板ＷとマスクＭそれぞれの場合について説明する。
まず、マスクＭのラフアライメント方法を説明する。
マスクＭが搬送ロボット１４によって、真空容器２１内に搬入され、受け爪２８に受け渡される。受け爪２８が取り付けられた粗動Ｚステージ機構２３３は、受け爪２８によって支持されたマスクＭを、予め設定されたラフアライメント用カメラの計測距離になるまで接近させる。
マスクＭがラフアライメント用カメラの計測距離になると、ラフアライメント用カメラにより、マスクＭのアライメントマークを撮像して、ラフアライメントカメラ視野内の、ＸＹθ方向におけるマスクＭのアライメントマーク位置を測定し、これに基づき、マスクＭのアライメントマークがラフアライメント用カメラ視野中央に来るようにマスクＭを粗動ステージ機構２３２によって移動させる。
次に、粗動Ｚステージ機構２３３により、受け爪２８に支持されたマスクＭをマスク受けピン２８１に受け渡す。マスクＭが受け爪２８から離れてマスク受けピン２８１に受け渡された後に、受け爪２８は駆動機構により退避位置へ移動する。また、マスクＭが受け爪２８から離れてマスク受けピン２８１に受け渡されたら、粗動ステージ機構２３２はそのＸＹθ方向の位置を各々のストローク中心（原点）に移動させる。この動作を行うことで、マスクＭのＸＹθ方向の位置は、マスクＭのロボットハンドによる搬送位置に関わらず、常に粗動ステージ機構２３２のストローク中心に位置合わせられることになる。
次いで、粗動Ｚステージ機構２３３を上昇動作させて、マスク受けピン２８１からマスクＭを受け取り、マスク台２３のマスク設置面に載置することで、マスクＭのラフアライメント完了とする。
次に、基板Ｗのラフアライメント方法を説明する。
図６は、前述のラフアライメント動作により、マスクＭのアライメントマークが粗動ステージ機構２３２の中心に合わせられた状態で、基板Ｗが成膜装置１１内に搬入されてラフアライメントが完了するまでの一連の動作を説明する図である。
まず、退避位置へ移動されていた受け爪２８を受取位置に戻す。この状態で基板Ｗが搬送ロボット１４によって真空容器２１内に搬入され、受け爪２８に受け渡される（図６ａ）。マスクＭのラフアライメント動作と同様に、受け爪２８が取り付けられた粗動Ｚステージ機構２３３は、受け爪２８によって支持された基板Ｗを予め設定されたラフアライメント用カメラの計測距離になるまで接近させる。基板Ｗがラフアライメント用カメラの計測距離になると、ラフアライメント用カメラにより、基板Ｗのアライメントマークを撮像して、ラフアライメントカメラ視野内の、ＸＹθ方向における基板Ｗのアライメントマーク位置を測定する（図６ｂ）。この測定結果に基づき、基板Ｗのアライメントマークがラフアライメント用カメラ視野中央に来るように基板Ｗを粗動ステージ機構２３２によって移動させる（図６ｃ）。
次に粗動Ｚステージ機構２３３により受け爪２８に支持された基板Ｗを微動ステージ機構２２に設けられている基板吸着手段に十分に近接または接触させた状態で基板吸着手段に基板吸着電圧を印加し、静電引力により基板Ｗを基板吸着手段に吸着させる（図６ｄ）。基板Ｗを基板吸着手段に吸着させる際に、基板吸着手段の吸着面全体に基板Ｗの全面を同時に吸着させてもよく、基板吸着手段の複数の領域のうち一領域から他の領域に向かって順次に基板Ｗを吸着させてもよい。基板Ｗの基板吸着手段への吸着を以て基板Ｗのラフアライメントの完了とする。この際、受け爪２８には基板吸着手段への基板Ｗの、接触または衝突による衝撃緩和を目的としたコンプライアンス機構を追加しても良い。基板Ｗが微動ステージ機構２２上の基板吸着手段へ吸着された後、受け爪２８は駆動機構により退避位置へ移動する。
以上の基板Ｗのラフアライメント過程で、マスクＭのアライメントマークが前に行われたアライメント完了位置から移動する場合がある。基板Ｗのラフアライメントが完了した状態、つまり、基板Ｗが微動ステージ機構２２上の基板吸着手段へ吸着された後に、前述したマスクＭのラフアライメント動作を再度行うことにより、アライメントカメラの視野中心から移動したマスクＭのアライメントマークを再度カメラ視野中心に移動させる。つまり、マスク台２３に載置されたマスクＭを前述したラフアライメント用カメラの計測距離まで上昇させた後、ラフアライメント用カメラによりマスクＭのアライメントマーク位置を測定し、マスクＭのアライメントマークがカメラ視野中央に来るようにマスクＭを粗動ステージ機構２３２によって移動させる（図６ｅ）。これにより、基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークをファインアライメント用カメラの視野内に入るように調整するラフアライメントが完了する。
＜ファインアライメント方法＞
成膜装置１１の制御部は、粗動Ｚステージ機構２３３を駆動して、基板吸着手段２４とマスク台２３を相対的に接近させる。この際、制御部は、基板吸着手段２４に吸着された基板Ｗとマスク台２３によって支持されたマスクＭとの間の距離が、予め設定されたファインアライメント計測距離になるまで、基板吸着手段２４とマスク台２３を相対的に接近（例えば、マスク台２３を上昇または基板Ｗを下降）させる。
基板ＷとマスクＭとの間の距離がファインアライメント計測距離になると、ファインアライメント用カメラにより、基板Ｗ及びマスクＭのアライメントマークを撮像して、ＸＹθZ方向における基板ＷとマスクＭの相対位置を測定し、これに基づき、これらの相対的位置ずれ量を算出する
基板ＷとマスクＭとの間の相対的位置ずれ量が所定の閾値より大きければ、マスクＭを再度下降（または、基板Ｗを再度上昇）させ、基板ＷとマスクＭを離間させた後、レーザー干渉計３２によって測定された微動ステージプレート部２２２の位置と、基板ＷとマスクＭの相対的位置ずれ量に基づいて、微動ステージプレート部２２２の移動目標位置を算出する。
算出された移動目標位置に基づいて、微動ステージプレート部２２２の位置をレーザー干渉計３２で測定しながら、磁気浮上リニアモータ３１によってＸＹθZ方向に微動ステージプレート部２２２を移動目標位置まで駆動することによって、基板ＷとマスクＭの相対位置を調整する。
このような過程を、基板ＷとマスクＭの相対的位置ずれ量が所定の閾値より小さくなるまで繰り返す。
基板ＷとマスクＭの相対的位置ずれ量が所定の閾値より小さくなると、基板吸着手段２４に吸着された基板Ｗの成膜面がマスクＭの上面と接触する蒸着位置になるように、基板Ｗを下降させる。
基板ＷとマスクＭが接触する蒸着位置に達すると、磁力印加手段２６を下降させ、基板Ｗ越しにマスクＭを引き寄せることで、基板ＷとマスクＭを密着させる。
この過程で、基板ＷとマスクＭのＸＹθZ方向における位置ずれが生じたかを確認するために、ファインアライメント用カメラを用いて、基板ＷとマスクＭの相対的位置の計測を行い、計測された相対的位置のずれ量が所定の閾値の以上である場合、基板ＷとマスクＭを所定の距離まで再び離間（例えば、基板Ｗを上昇）させた後、基板ＷとマスクＭとの間の相対位置を調整し、同じ過程を繰り返す。
基板ＷとマスクＭが蒸着位置に位置する状態で、基板ＷマスクＭとの間の相対的位置ずれ量が所定の閾値より小さくなると、アライメント工程を完了し、成膜工程を開始する。
＜成膜プロセス＞
本実施形態のアライメント方法によって、基板ＷとマスクＭとの間の相対位置のずれ量が所定の閾値より小さくなると、成膜源２５のシャッタを開け、成膜材料をマスクＭを介して基板Ｗに成膜する。
所望の厚さに蒸着した後、磁力印加手段２６を上昇させてマスクＭを分離し、マスク台２３を下降させる。
次いで、搬送ロボット１４のハンドが成膜装置１１の真空容器２１内に進入し、基板吸着手段２４の電極部にゼロ（０）または逆極性の基板分離電圧が印加し、基板Ｗを基板吸着手段２４から分離する。分離された基板Ｗを搬送ロボット１４によって真空容器２１から搬出する。
なお、上述の説明では、成膜装置１１は、基板Ｗの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式（デポアップ）の構成としたが、本発明はこれに限定はされず、基板Ｗが真空容器２１の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Ｗの成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。
このように、本発明によれば、成膜装置内に搬入される基板とマスクを一時的に仮受けする把持手段としての受け爪を、基板とマスクを受け取る受け取り位置と、基板とマスクと干渉しない退避位置との間で移動可能に構成し、これをマスク台と共に粗動ステージ機構に設置することによって、基板移動用ステージ機構とマスク移動用ステージ機構とをそれぞれ別途設ける必要なく、一つの共通のステージ機構で基板とマスクのラフアライメント動作を行うことが可能となり、装置のサイズ及びコストを低減することができる。
＜その他の実施形態＞
なお、上記実施例は本発明の一例を示したものであり、本発明は上記実施例の構成に限られず、その技術思想の範囲内において適宜変形しても構わない。
例えば、図７に示したように、本発明のラフアライメント機構は、以上で説明したラフアライメント動作時に、またはアライメント完了後磁力印加手段２６によってマスクＭを基板Ｗ側に吸引する時などにおいてマスクＭがマスク台２３上で揺れ位置がずれることを防止するために、マスク固定機構２９をマスク台２３上にさらに設置することができる。
示したように、マスク固定機構２９は、マスクＭがマスク台２３のマスク設置面に載置された状態で、前述したラフアライメントのために粗動ステージ機構２３２等によりマスク台２３が移動する際に、マスク台２３上でのマスクＭの動きを防止する。これにより、マスクＭのラフアライメント動作の精度がより向上することができる。
また、本発明のラフアライメント機構は、以上説明したラフアライメントの際に、アライメントマークがカメラの視野から大きく外れている場合にも対応可能である。図８は、この場合の本発明のラフアライメント機構を用いたアライメント処理手順を概念的に説明した図である。図８ａは、前述の図６ｂに対応する図であり、マスクＭのアライメントマークが粗動ステージ機構２３２の中心に合わせられた状態で、成膜装置１１内に搬入された基板Ｗをラフアライメントのための計測位置で撮影した様子を示している。図示されたように、基板Ｗのアライメントマークがカメラ視野の外にあり、見つからない。このように、カメラ視野内でアライメントマークが見つからない場合には、粗動ステージ機構２３２を水平面内で前後左右に駆動しながら基板Ｗのアライメントマークの探索を行う（図８ｂ）。基板Ｗのアライメントマークを見つけたら、その座標を算出した後、前述した基板Ｗを基板吸着手段に吸着させその状態で粗動ステージ機構２３２を駆動しマスクＭを移動させる動作を繰り返すことによって、基板ＷのアライメントマークとマスクＭのアライメントマークとの距離を縮め両マークが共にカメラの視野内に入るようにする（図８ｃ）。両マークが共にカメラ視野内に入ってくると、まず基板Ｗのアライメントマークがカメラ視野中心にくるように粗動ステージ機構２３２を駆動し位置調整された基板Ｗを基板吸着手段に吸着させて（図８ｄ）、次いで、粗動ステージ機構２３２を逆方向に同じ移動量駆動させてマスクＭのアライメントがカメラ視野内のもとの位置に戻るようにした後（図８ｅ）、最後にマスクＭのアライメントマークがカメラ視野中心にくるように粗動ステージ機構２３２を駆動させる（図８ｆ）。これにより、アライメントマークがカメラの視野から大きく外れている場合にも、本発明のラフアライメント機構を用いたアライメント動作が実現可能になる。
１１：成膜装置
２２：微動ステージ機構
２３：マスク台
２４：基板吸着手段
２８：受け爪（把持手段）
２３２：粗動ステージ機構
２３３：粗動Ｚステージ機構
２９：マスク固定機構

Claims (14)

  1. 基板を吸着して保持するための基板吸着手段と、マスクを支持するマスク支持手段と、前記マスク支持手段に備えられ、前記基板及び前記マスクを一時的に支持する仮受け手段と、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を搭載し、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で移動させる水平粗動ステージ機構と、前記水平粗動ステージ機構を昇降させる垂直粗動ステージ機構とを含むアライメント機構を用いて、基板とマスクを位置調整するためのアライメント方法であって、
    搬入された基板を、前記仮受け手段によって支持する基板仮受け工程と、
    前記水平粗動ステージ機構を駆動して、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で移動させることで、前記仮受け手段により支持された基板の前記基板吸着手段に対する位置を調整する基板位置調整工程と、
    前記基板位置調整工程で位置が調整された前記基板を前記基板吸着手段に吸着させる基板吸着工程と、
    を含むことを特徴とするアライメント方法。
  2. さらに、前記基板仮受け工程の前に、
    搬入されたマスクを、前記仮受け手段によって支持するマスク仮受け工程と、
    前記水平粗動ステージ機構を駆動して、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で移動させることで、前記仮受け手段により支持されたマスクの位置を調整するマスク位置調整工程と、
    前記マスク位置調整工程で位置が調整された前記マスクを前記マスク支持手段に載置するマスク載置工程と、
    を含むことを特徴とする請求項１に記載のアライメント方法。
  3. さらに、前記基板吸着工程の後に、
    前記水平粗動ステージ機構を駆動して前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で再度移動させることによって、前記マスク支持手段に載置されたマスクの位置を調整するマスク位置再調整工程
    を含むことを特徴とする請求項２に記載のアライメント方法。
  4. 前記仮受け手段は、前記基板または前記マスクを受け取ることができる受け取り位置と、前記基板または前記マスクとの干渉を回避することができる退避位置と、の２位置を取ることができ、
    前記マスク載置工程で前記マスクを前記マスク支持手段に載置した後に、前記仮受け手段を前記受け取り位置から前記退避位置へ移動させることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のアライメント方法。
  5. 前記仮受け手段は、前記基板または前記マスクを受け取ることができる受け取り位置と、前記基板または前記マスクとの干渉を回避することができる退避位置と、の２位置を取ることができ、
    前記基板吸着工程により前記基板を前記基板吸着手段に吸着させた後に、前記仮受け手段を前記受け取り位置から前記退避位置へ移動させることを特徴とする請求項１～請求項４の何れか一項に記載のアライメント方法。
  6. 前記マスク位置調整工程で前記水平粗動ステージ機構を駆動して前記マスク支持手段を移動させる際に、マスク固定機構により前記マスク支持手段上での前記マスクの位置を固定することを特徴とする請求項２～請求項４の何れか一項に記載のアライメント方法。
  7. 前記アライメント機構は、前記基板上に形成された基板アライメントマーク及び前記マスク上に形成されたマスクアライメントマークの位置を検出するための位置検出手段をさらに含み、
    前記基板位置調整工程における基板位置調整動作は、前記位置検出手段によって検出される前記基板アライメントマークに基づいて、前記仮受け手段により支持された基板の位置を調整することを特徴とする請求項１～請求項６の何れか一項に記載のアライメント方法。
  8. 前記水平粗動ステージ機構を駆動して前記基板の位置を調整する、前記基板位置調整工程は、前記位置検出手段によって前記基板アライメントマークが計測可能な位置まで、前記垂直粗動ステージ機構により前記水平粗動ステージ機構を移動させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のアライメント方法。
  9. 前記アライメント機構は、前記基板上に形成された基板アライメントマーク及び前記マスク上に形成されたマスクアライメントマークの位置を検出するための位置検出手段をさらに含み、
    前記基板位置調整工程における基板位置調整動作と、前記マスク位置調整工程及び前記マスク位置再調整工程におけるマスク位置調整動作は、それぞれ、前記位置検出手段によって検出される前記基板アライメントマークまたは前記マスクアライメントマークに基づいて、前記仮受け手段により支持された基板もしくはマスク、または前記マスク支持手段に載置されたマスクの位置を調整し、
    前記基板の位置を調整する前記基板位置調整工程において、前記基板アライメントマークが前記位置検出手段の検出視野内で見つからない場合、
    前記水平粗動ステージ機構を駆動して前記基板アライメントマークを探索する工程と、
    前記探索された前記基板アライメントマークの座標を算出し、算出された前記座標に基づいて、前記基板位置調整工程及び前記基板吸着工程と、前記マスク位置再調整工程を繰り返し、前記位置検出手段の検出視野内に前記マスクアライメントマークと前記基板アライメントマークが共に入るようにする工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のアライメント方法。
  10. 前記アライメント機構は、さらに、前記基板吸着手段の位置を調整することができる微
    動ステージ機構を含み、
    位置調整された前記基板と前記マスク間の相対位置を、前記微動ステージ機構により、微細調整する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７または請求項８に記載のアライメント方法。
  11. 前記微動ステージ機構は、前記基板吸着手段の吸着面に平行に固定設置される固定プレート部と、前記固定プレート部に対して相対的に移動可能な可動プレート部と、前記可動プレート部を前記固定プレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含む磁気浮上ステージ機構であることを特徴とする請求項１０に記載のアライメント方法。
  12. 前記基板吸着手段は、前記可動プレート部に設けられることを特徴とする請求項１１に記載のアライメント方法。
  13. 基板を吸着して保持するための基板吸着手段と、マスクを支持するマスク支持手段と、前記マスク支持手段に備えられ、前記基板及び前記マスクを一時的に支持する仮受け手段と、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を搭載し、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で移動させる水平粗動ステージ機構と、前記水平粗動ステージ機構を昇降させる垂直粗動ステージ機構とを含むアライメント機構を用いて、基板とマスクを位置調整するためのアライメント方法であって、
    搬入されたマスクを、前記仮受け手段によって支持するマスク仮受け工程と、
    前記水平粗動ステージ機構を駆動して、前記マスク支持手段及び前記仮受け手段を水平面内で移動させることで、前記仮受け手段により支持されたマスクの位置を調整するマスク位置調整工程と、
    前記マスク位置調整工程で位置が調整された前記マスクを前記マスク支持手段に載置するマスク載置工程と、
    を含むことを特徴とするアライメント方法。
  14. 基板上にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜方法であって、
    請求項１～請求項１３の何れか一項に記載のアライメント方法により、前記基板及び前記マスクを位置調整する工程と、
    成膜源によって粒子化された成膜材料を、前記マスクを介して前記基板に成膜する工程と、
    を含むことを特徴とする成膜方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
KR20220004893A (ko) * 2020-07-03 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP2022178157A (ja) * 2021-05-19 2022-12-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法および保持基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011195907A (ja) 2010-03-19 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd マスク保持装置及び薄膜形成装置
WO2016199759A1 (ja) 2015-06-12 2016-12-15 株式会社アルバック 基板保持装置、成膜装置及び基板保持方法
JP2019513290A (ja) 2017-03-17 2019-05-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を真空処理するための装置、基板を真空処理するためのシステム、及び、真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを搬送するための方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019512041A (ja) * 2017-02-24 2019-05-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板の真空処理のための装置、基板の真空処理のためのシステム、及び真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011195907A (ja) 2010-03-19 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd マスク保持装置及び薄膜形成装置
WO2016199759A1 (ja) 2015-06-12 2016-12-15 株式会社アルバック 基板保持装置、成膜装置及び基板保持方法
JP2019513290A (ja) 2017-03-17 2019-05-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を真空処理するための装置、基板を真空処理するためのシステム、及び、真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを搬送するための方法

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