JP2019512041A - 基板の真空処理のための装置、基板の真空処理のためのシステム、及び真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法 - Google Patents

基板の真空処理のための装置、基板の真空処理のためのシステム、及び真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019512041A
JP2019512041A JP2018502348A JP2018502348A JP2019512041A JP 2019512041 A JP2019512041 A JP 2019512041A JP 2018502348 A JP2018502348 A JP 2018502348A JP 2018502348 A JP2018502348 A JP 2018502348A JP 2019512041 A JP2019512041 A JP 2019512041A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
substrate
mask
arrangement
track
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018502348A
Other languages
English (en)
Inventor
マティアス ハイマンス,
マティアス ハイマンス,
シュテファン バンゲルト,
シュテファン バンゲルト,
オリバー ハイミル,
オリバー ハイミル,
アンドレアス ザウアー,
アンドレアス ザウアー,
セバスチャン グンター ザン,
セバスチャン グンター ザン,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2019512041A publication Critical patent/JP2019512041A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/191Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本開示は、基板(10)の真空処理のための装置(200)を提供する。装置(200)は、真空チャンバ、基板キャリア(120)を移送するように構成された第1のトラックアレンジメント(110)、マスクキャリア(140)を移送するように構成された第2のトラックアレンジメント(130)、及び基板キャリア(120)とマスクキャリア(140)を互いに対して位置決めするように構成された保持アレンジメントを含む。第1のトラックアレンジメント(110)は、基板キャリア(120)を基板(10)の第1の端(12)で支持するように構成された第1の部分と、基板キャリア(120)を基板(10)の第1の端(12)とは反対側の基板(10)の第2の端(14)で支持するように構成された第2の部分とを含む。第2のトラックアレンジメント(120)は、マスクキャリア(140)をマスク(20)の第1の端(22)で支持するように構成された更なる第1の部分と、マスクキャリア(140)をマスク(20)の第1の端(22)とは反対側のマスクの第2の端(24)で支持するように構成された更なる第2の部分とを含む。第1のトラックアレンジメント(110)の第1の部分と第2の部分との間の第1の距離(D)、及び、第2のトラックアレンジメント(130)の更なる第1の部分と更なる第2の部分との間の第2の距離(D’)は、本質的に同じである。【選択図】図1B

Description

本開示の実施形態は、基板の真空処理のための装置、基板の真空処理のためのシステム、及び真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法に関する。本開示の実施形態は、特に、有機発光ダイオード(OLED)デバイスの製造において使用される基板とマスクを保持するためのキャリアに関する。
基板上での層堆積のための技術は、例えば、熱蒸散(thermal evaporation)、物理的気相堆積(PVD)、及び化学気相堆積(CVD)を含む。被覆された基板は、幾つかの用途や幾つかの技術分野で使用することができる。例えば、被覆された基板は、有機発光ダイオード(OLED)デバイスの分野で使用され得る。OLEDは、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、及び他の携帯型デバイスなどの製造において使用され得る。OLEDディスプレイなどのOLEDデバイスは、全てが基板上に堆積した2つの電極の間に配置された有機材料の1以上の層を含み得る。
OLEDの機能は、有機材料の被覆厚さに応じ得る。この厚さは、所定範囲内になければならない。OLEDデバイスの生産では、高解像度OLEDデバイスを実現するため、蒸発した材料の堆積に関する技術的課題が存在する。特に、処理システムを通る基板キャリアとマスクキャリアの正確で滑らかな移送は、困難なままである。更に、マスクに対して基板を正確に位置合わせすることは、高品質の処理結果を実現するために、例えば、高解像度のOLEDデバイスの製造のために、極めて重要である。
上述した観点から、当該技術分野の問題の少なくとも幾つかを克服する、基板の真空処理のための新しいキャリア、基板の真空処理のための新しいシステム、及び真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための新しい方法が有益である。本開示は、特に、真空チャンバ内で効率的に移送され得るキャリアを提供することを目的とする。
上述したことに照らして、基板の真空処理のための装置、基板の真空処理のためのシステム、及び真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、特許請求の範囲、明細書、及び添付図面から明らかになる。
本開示の一態様によれば、基板の真空処理のための装置が提供される。該装置は、真空チャンバ、基板キャリアを移送するように構成された第1のトラックアレンジメント、マスクキャリアを移送するように構成された第2のトラックアレンジメント、及び基板キャリアとマスクキャリアを互いに対して位置決めするように構成された保持アレンジメントを含む。第1のトラックアレンジメントは、基板キャリアを基板の第1の端で支持するように構成された第1の部分と、基板キャリアを基板の第1の端とは反対側の基板の第2の端で支持するように構成された第2の部分とを含む。第2のトラックアレンジメントは、マスクキャリアをマスクの第1の端で支持するように構成された更なる第1の部分と、マスクキャリアをマスクの第1の端とは反対側のマスクの第2の端で支持するように構成された更なる第2の部分とを含む。第1のトラックアレンジメントの第1の部分と第2の部分との間の第1の距離、及び、第2のトラックアレンジメントの更なる第1の部分と更なる第2の部分との間の第2の距離は、本質的に同じである。
本開示の別の一態様によれば、基板の真空処理のためのシステムが提供される。該システムは、本明細書で説明される実施形態による基板の真空処理のための装置、基板キャリア、及びマスクキャリアを含む。
本開示の更なる一態様によれば、真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法が提供される。該方法は、基板キャリアを第1のトラックアレンジメントで、マスクキャリアを第2のトラックアレンジメントで、非接触方式で移送すること、及び、基板キャリアを第2のトラックアレンジメントで、マスクキャリアを第1のトラックアレンジメントで、非接触方式で移送することを含む。
本開示の一態様によれば、基板の真空処理のための装置が提供される。該装置は、真空チャンバ、第1の方向に延在し且つ少なくとも第1の方向に基板キャリアを移送するように構成された、第1のトラックアレンジメント、第1の方向に延在し且つ少なくとも第1の方向にマスクキャリアを移送するように構成された、第2のトラックアレンジメント、及び、基板キャリアとマスクキャリアを互いに対して位置決めするように構成された、保持アレンジメントを含む。第1のトラックアレンジメントは、マスクキャリアを移送することができるようにもサイズ決定され、第2のトラックアレンジメントは、基板キャリアを移送することができるようにもサイズ決定されている。
実施形態は、開示される方法を実行するための装置も対象としており、説明される各方法態様を実行するための装置部分を含む。これらの方法態様は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの2つの任意の組合せによって、又はそれ以外の任意のやり方で実行され得る。更に、本開示による実施形態は、説明される装置を操作するための方法も対象とする。説明される装置を操作する方法は、装置のあらゆる機能を実施するための方法態様を含む。
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付の図面は本開示の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。
本明細書で説明される実施形態による、第1のトラックアレンジメントと基板キャリアの概略図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、第2のトラックアレンジメントとマスクキャリアの概略図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、基板の真空処理のための装置の概略図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、保持アレンジメントを有する基板の真空処理のための装置の概略図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、保持アレンジメントを有する基板の真空処理のための装置の概略図を示す。 本明細書で説明される更なる実施形態による、保持アレンジメントを有する基板の真空処理のための装置の概略図を示す。 本明細書で説明される更なる実施形態による、保持アレンジメントを有する基板の真空処理のための装置の概略図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、キャリアを移送するための移送アレンジメントの概略図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、キャリアを移送するための移送アレンジメントの概略図を示す。 本明細書で説明される更なる実施形態による、基板の真空処理のための装置の概略図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、基板の真空処理のためのシステムの概略図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法のフローチャートを示す。
次に、本開示の様々な実施形態が詳細に参照されることになり、その1以上の実施例が図示される。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。概して、個々の実施形態に対する相違のみが説明される。本開示の説明として各実施例が与えられているが、これは本開示を限定することを意図しているわけではない。更に、一実施形態の一部として図示且つ説明されている特徴を、他の実施形態で用いてもよく、或いは他の実施形態と併用してもよい。それにより、更に別の実施形態が生み出される。本説明には、このような修正例及び変形例が含まれることが意図されている。
本開示は、少なくとも1つの寸法において等しくサイズ決定された、基板キャリアのための第1のトラックアレンジメントとマスクキャリアのための第2のトラックアレンジメントを提供する。言い換えると、マスクキャリアは第1のトラックアレンジメントの中へフィットし、基板キャリアは第2のトラックアレンジメントの中へフィットする。第1のトラックアレンジメントと第2のトラックアレンジメントは、真空システムを通るキャリアの正確で滑らかな移送を提供するように柔軟に使用され得る。保持アレンジメントが、マスクに対する基板の精密な位置合わせを可能にし、その逆も同じである。例えば、高解像度OLEDデバイスの製造のための、高品質の処理結果が実現され得る。
図1Aは、第1のトラックアレンジメント110と基板キャリア120の概略図を示している。図1Bは、第2のトラックアレンジメント130とマスクキャリア140の概略図を示している。図2は、本明細書で説明される実施形態による、基板10の真空処理のための装置200の概略図を示している。
装置200は、真空チャンバ、基板キャリア120を移送するように構成された第1のトラックアレンジメント110、マスクキャリア140を移送するように構成された第2のトラックアレンジメント130、及び基板キャリア120とマスクキャリア140を互いに対して位置決めするように構成された保持アレンジメントを含む。第1のトラックアレンジメント110は、基板キャリア120を基板10の第1の端12で支持するように構成された、第1のトラック112などの第1の部分と、基板キャリア120を基板10の第1の端12とは反対側の基板10の第2の端14で支持するように構成された、第2のトラック114などの第2の部分とを含む。第2のトラックアレンジメント130は、マスクキャリア140をマスク20の第1の端22で支持するように構成された、更なる第1のトラック132などの更なる第1の部分と、マスクキャリア140をマスク20の第1の端22とは反対側のマスク20の第2の端24で支持するように構成された、更なる第2のトラック134などの更なる第2の部分とを含む。第1のトラックアレンジメント110の第1の部分と第2の部分との間の第1の距離D、及び、第2のトラックアレンジメント130の更なる第1の部分と更なる第2の部分との間の第2の距離D’は、本質的に等しいか又は本質的に同じである。(1以上の)距離は、第2の方向(y方向)で規定され得る。その方向は、本質的に垂直方向であり得る。
第1のトラックアレンジメント110と第2のトラックアレンジメント130に、本質的に同じ距離、すなわち、第1の距離Dと第2の距離D’を提供することによって、第1のトラックアレンジメント110は、マスクキャリア140を移送することができるようにもサイズ決定され、第2のトラックアレンジメント130は、基板キャリア120を移送することができるようにもサイズ決定され得る。言い換えると、マスクキャリア140は第1のトラックアレンジメント110の中へフィットし、基板キャリア120は第2のトラックアレンジメント130の中へフィットする。第1のトラックアレンジメント110と第2のトラックアレンジメント130は、真空システムを通るキャリアの正確で滑らかな移送を提供するように柔軟に使用され得る。
本開示の全体を通して使用される際に、「本質的に等しい」又は「本質的に同じ」は、特に、第1の部分と第2の部分との間の距離D及びD’などの距離に言及するときに、正確な同一性/同等性からのわずかな逸脱を許容するように理解される。一実施例として、第2の距離D’は、D±(5%×D)の範囲内であり、又はD±(1%×D)の範囲内であり得る。その逸脱は、製作公差及び/又は熱膨張によるものであり得る。しかし、未だ、距離は、本質的に等しい又は本質的に同じであると考えられる。
真空チャンバは、チャンバ壁201を含み得る。図2で例示的に示されているように、第1のトラックアレンジメント110と第2のトラックアレンジメント130は、真空チャンバのチャンバ壁201と1以上の堆積源225との間に配置され得る。特に、第1のトラックアレンジメント110は、チャンバ壁201と第2のトラックアレンジメント130との間に配置され得る。同様に、第2のトラックアレンジメント130は、第1のトラックアレンジメント110と1以上の堆積源225との間に配置され得る。
図1Aを参照すると、基板キャリア120は、支持表面122を提供する支持構造体又は本体を含み得る。支持表面122は、例えば、基板10の裏面と接触するように構成された本質的に平坦な表面であり得る。特に、基板10は、裏面とは反対側の(「処理面」とも呼ばれる)前面を有し得る。真空堆積処理などの真空処理の間に、前面上には層が堆積する。基板10の第1の端12は、基板10の第1の端部であり得る。基板10の第2の端14は、基板10の第2の端部であり得る。処理面は、第1の端又は第1の端部と第2の端又は第2の端部との間で延在し得る。第1の端(又は第1の端部)と第2の端(又は第2の端部)は、例えば、第1の方向に、互いに対して本質的に平行に延在し得る。同様に、マスク20の第1の端22は、マスク20の第1の端部であり得る。マスク20の第2の端24は、マスク20の第2の端部であり得る。第1の端(又は第1の端部)と第2の端(又は第2の端部)は、例えば、x方向であり得る、第1の方向に、互いに対して本質的に平行に延在し得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、基板キャリア120が、基板10及び任意選択的にマスクを、基板キャリア120に、特に、支持表面122に保持するための、静電力を提供する静電チャック(Eチャック)であり得る。一実施例として、基板キャリア120は、基板10とマスク20のうちの少なくとも一方に作用する引力を提供するように構成された、(図示せぬ)電極アレンジメントを含む。
ある実施形態によれば、基板キャリア120は、基板10とマスク20のうちの少なくとも一方を支持表面122に保持するための引力を提供するように構成された複数の電極を有する電極アレンジメント、及びコントローラを含む。コントローラは、電極アレンジメントに1以上の電圧を印加して、(「チャッキング力」とも呼ばれる)引力を提供するように構成され得る。
電極アレンジメントのうちの複数の電極は、本体内に埋め込まれ得るか、又は本体上に設けられ、例えば、配置され得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、本体が、誘電体プレートなどの誘電本体である。誘電本体は、誘電材料、好適には、熱分解窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナ、又はそれらと同等な材料などの、高熱伝導性誘電材料から製造され得るが、ポリイミドのような材料からも作られ得る。ある実施形態では、微細な金属ストリップのグリッドなどの複数の電極が、誘電体プレート上に配置され、薄い誘電体層で覆われ得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、基板キャリア120が、複数の電極に1以上の電圧を印加するように構成された、1以上の電源を含む。ある実施態様では、1以上の電源が、複数の電極のうちの少なくとも幾つかの電極を接地するように構成されている。一実施例として、1以上の電源は、複数の電極に、第1の極性を有する第1の電圧、第2の極性を有する第2の電圧を印加し、及び/又は、複数の電極を接地するように構成され得る。
電極アレンジメント、特に、複数の電極は、チャッキング力などの引力を提供するように構成され得る。引力は、複数の電極(又は支持表面122)、基板10、及び/又はマスク20の間の特定の相対的な距離にある、基板10及び/又はマスク20に作用する力であり得る。引力は、複数の電極に印加された電圧によって供給される静電力であり得る。引力の大きさは、電圧極性と電圧レベルによって決定され得る。引力は、電圧極性を変えることによって及び/又は(1以上の)電圧レベルを変えることによって、変更され得る。
基板10は、基板キャリア120によって提供された引力によって、支持表面122に向けて(例えば、第1の方向(x方向)及び/又は第2の方向(y方向)と垂直な第3の方向(z方向)に)引っ張られ得る。引力は、例えば、(摩擦力を伴って)本質的に垂直位置において基板10を保持するのに十分強くなり得る。特に、引力は、基板10を支持表面122上で本質的に移動不能に固定するように構成され得る。例えば、摩擦力を使用して、垂直位置に0.5mmのガラス基板を保持するために、約50から100N/m(Pa)の引張圧力が使用され得る。その大きさは、摩擦係数に応じる。
本開示では、「マスクキャリア」が、マスクを保持するように構成されたキャリアとして理解され得る。例えば、マスクは、端部除外マスク(edge exclusion mask)又はシャドーマスクであり得る。端部除外マスクは、基板の被覆の間に1以上の端部領域に材料が堆積しないように、基板の1以上の端部領域をマスキングするように構成されたマスクである。シャドーマスクは、基板上に堆積する複数の特徴をマスキングするように構成されたマスクである。例えば、シャドーマスクは、複数の小さい開口部、例えば、小さい開口部のグリッドを含み得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、第1のトラックアレンジメント110と第2のトラックアレンジメント130は、本質的に水平方向であり得る、第1の方向(x方向)に延在する。特に、第1の部分、第2の部分、更なる第1の部分、及び更なる第2の部分は、全て第1の方向に延在し得る。言い換えると、第1の部分、第2の部分、更なる第1の部分、及び更なる第2の部分は、互いに対して本質的に平行に延在し得る。第1の部分、第2の部分、更なる第1の部分、及び更なる第2の部分の延在は、「長手方向の延在」とも呼ばれ得る。
ある実施態様では、第1のトラックアレンジメント110が、少なくとも第1の方向に、基板キャリア120を移送するように構成されている。同様に、第2のトラックアレンジメント130は、少なくとも第1の方向に、マスクキャリア140を移送するように構成され得る。第1の方向は、「移送方向」とも呼ばれ得る。
ある実施形態によれば、第1のトラック112などの第1の部分、更なる第1のトラック132などの更なる第1の部分は、第1の方向及び第1の方向に垂直な別の方向によって規定された第1の平面内に配置されている。同様に、第2のトラック114などの第2の部分、更なる第2のトラック134などの更なる第2の部分は、第1の方向及び別の方向によって規定された第2の平面内に配置され得る。第1の平面と第2の平面は、本質的に互いに平行であり得る。ある実施態様では、第1の平面と第2の平面が、本質的に垂直平面であり又は本質的に水平平面であり得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、第1の方向は、水平方向(x方向)であり得る。他の方向は、別の水平方向又は垂直方向であり得る。一実施例として、別の方向は、本質的に垂直方向であり得る第2の方向(y方向)であるか、又は本質的に水平方向であり得る第3の方向(z方向)であり得る。
ある実施形態では、第1の距離Dと第2の距離D’が、第1の方向と第2の方向(y方向)などの別の方向とに垂直な方向で規定される。第1の距離Dは、第1の部分と第2の部分との間の間隔、例えば、互いに向き合った第1の部分と第2の部分の最も外側の表面又は端面の間の間隔であり得る。同様に、第2の距離D’は、更なる第1の部分と更なる第2の部分との間の間隔、例えば、互いに向き合った更なる第1の部分と更なる第2の部分の最も外側の表面又は端面の間の間隔であり得る。
ある実施形態によれば、第1のトラック112などの第1の部分と他の第1のトラック132などの他の第1の部分との間の第3の距離又は第3の間隔は、100mm以下、特に、70mm以下、特に、50mm以下、更に特に、40mm以下であり得る。同様に、第2のトラック114などの第2の部分と他の第2のトラック134などの他の第2の部分との間の第4の距離又は第4の間隔は、200mm以下、特に、100mm以下、特に、70mm以下、更に特に、50mm以下であり得る。第3の距離と第4の距離は、本質的に同じであり得る。ある実施態様では、第3の距離と第4の距離が、垂直方向であり得る第2の方向(y方向)で規定され得るか、又は水平な方向であり得る第3の方向(z方向)で規定され得る。後者の場合が、図2で示されている。距離又は間隔は、互いに向き合ったそれぞれの部分の端部又は表面の間で規定され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置200は、基板キャリア120及び/又はマスクキャリア140の非接触方式の浮揚及び/又は非接触方式の移送のために構成され得る。一実施例として、装置200は、基板キャリア120及び/又はマスクキャリア140の非接触方式の浮揚のために構成された誘導構造を含み得る。同様に、装置200は、基板キャリア120及び/又はマスクキャリア140の非接触方式の移送のために構成された駆動構造を含み得る。非接触方式の浮揚と非接触方式の移送は、図5A、図5B、及び図6に関連して更に説明される。
本開示では、非接触方式の移送のために構成されたトラック又はトラックアレンジメントが、キャリア、特に、基板キャリア又はマスクキャリアの非接触方式の移送のために構成されたトラック又はトラックアレンジメントとして理解され得る。「非接触方式の」という用語は、キャリアの、例えば、基板キャリア又はマスクキャリアの重量が、機械的な接触又は機械的な力によって保持されないが、磁力によって保持されるという意味において理解され得る。特に、キャリアは、機械的な力の代わりに磁力を使用して、浮揚又は浮いた状態で保持され得る。例えば、ある実施態様では、特に、基板キャリア及び/又はマスクキャリアの浮揚、移動、及び位置決めの間に、キャリアと移送トラックとの間で機械的な接触が存在し得ない。
(1以上の)キャリアの非接触方式の浮揚及び/又は移送は、例えば、誘導レールとの機械的な接触による、移送の間に生成される粒子が存在しないという点で有益である。基板10上に堆積した層の純度と均一性の改良がもたらされ得る。何故ならば、非接触方式の浮揚及び/又は移送を使用するときに、粒子の生成が最小化されるからである。
ある実施態様では、基板キャリア120が、第1の寸法H(又は第1の延在)を有し、マスクキャリア140が、更なる第1の寸法H’(又は更なる第1の延在)を有する。第1の寸法Hと更なる第1の寸法H’は、第1の方向に垂直な方向で規定され得る。一実施例として、第1の寸法Hと更なる第1の寸法H’は、第2の方向で規定され得る。その方向は、垂直方向であり得る。第1の寸法Hと更なる第1の寸法H’は、それぞれ、基板キャリア120とマスクキャリア140の高さであり得る。第1の寸法Hと更なる第1の寸法H’は、本質的に同じであり得る。言い換えると、基板キャリア120は、第1のトラックアレンジメント110の第1の部分と第2の部分との間にフィットし、同様に、第2のトラックアレンジメント130の更なる第1の部分と更なる第2の部分との間にフィットし得る。同様に、マスクキャリア140は、第1のトラックアレンジメント110の第1の部分と第2の部分との間にフィットし、同様に、第2のトラックアレンジメント130の更なる第1の部分と更なる第2の部分との間にフィットし得る。
ある実施形態によれば、第1の寸法Hと更なる第1の寸法H’は、第1の距離Dと第2の距離D’以下である。言い換えると、基板キャリア120とマスクキャリア140は、第1の部分と第2の部分との間の間隙未満である。第1の間隙G1は、第1のトラックアレンジメント110の第1の部分と基板キャリア120の第1の端部(例えば、下側の端部)との間に設けられ得る。第2の間隙G2は、第1のトラックアレンジメント110の第2の部分と基板キャリア120の第2の端部(例えば、上側の端部)との間に設けられ得る。第1の端部と第2の端部は、基板キャリア120の両側の端部であり得る。同様に、更なる第1の間隙G1’は、第2のトラックアレンジメント130の更なる第1の部分とマスクキャリア140の第1の端部(例えば、下側の端部)との間に設けられ得る。更なる第2の間隙G2’は、第2のトラックアレンジメント130の更なる第2の部分とマスクキャリア140の第2の端部(例えば、上側の端部)との間に設けられ得る。第1の端部と第2の端部は、マスクキャリア140の両側の端部であり得る。
第1の間隙G1、第2の間隙G2、更なる第1の間隙G1’、及び更なる第2の間隙G2’は、本質的に同じ又は等しくなり得る。(1以上の)間隙の寸法又は幅は、第2の方向などの、第1の方向に垂直な方向で規定され得る。一実施例として、第1の間隙G1、第2の間隙G2、更なる第1の間隙G1’、及び更なる第2の間隙G2’は、30mm未満、特に、10mm未満、更に特に、5mm未満であり得る。一実施例として、第1の間隙G1、第2の間隙G2、更なる第1の間隙G1’、及び更なる第2の間隙G2’のうちの少なくとも1つは、1mmと5mmの間の範囲内、好適には、1mmと3mmの間の範囲内にあり得る。
1以上の堆積源225が、真空チャンバ内に設けられ得る。基板キャリア120は、真空堆積プロセスの間に、基板10を保持するように構成され得る。真空システムは、例えば、OLEDデバイスの製造のために有機材料を蒸発させるように構成され得る。一実施例として、1以上の堆積源225は、蒸発源、特に、OLEDデバイスの層を形成するために、基板上に1以上の有機材料を堆積させるための蒸発源であり得る。基板10を支持するための基板キャリア120は、第1のトラックアレンジメント110によって提供された、直線的な移送経路などの、移送経路に沿って、真空チャンバの中へ及び真空チャンバを通って、特に、堆積領域の中へ及び/又は堆積領域を通って移送され得る。
材料が、1以上の堆積源225から、被覆されるべき基板10が配置されている堆積領域に向かう放出方向に放出され得る。例えば、1以上の堆積源225は、1以上の堆積源225の長さに沿った少なくとも1つの線に配置されている、複数の開口部及び/又はノズルを有する線源を提供し得る。材料は、複数の開口部及び/又はノズルを通って排出され得る。
本開示の装置は、キャリア、特に、基板キャリア及び/又はマスクキャリアの位置決めのために構成され得る。特に、装置は、トラックアレンジメントに沿って基板キャリア及び/又はマスクキャリアを移動させるように構成され得る。より具体的には、装置が、第1のトラックアレンジメントに沿って基板キャリアを移動させることによって、基板キャリアを第1の位置に位置決めするように構成され得る。更に、装置は、第2のトラックアレンジメントに沿ってマスクキャリアを移動させることによって、マスクキャリアを第2の位置に位置決めするように構成され得る。例えば、第1のトラックアレンジメントと第2のトラックアレンジメントは、非接触方式の移送のために構成され得る。したがって、装置は、基板キャリアとマスクキャリアを互いから独立して移動させるように構成され得る。それによって、基板キャリアとマスクキャリアは、例えば、基板キャリアをマスクキャリアに位置合わせするために、互いに対して位置決めされ得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、キャリアは、基板とマスクを実質的に垂直配向で保持又は支持するように構成されている。本開示の全体を通して使用される際に、「実質的に垂直」は、特に、基板の配向に言及するときに、垂直方向又は配向から±20度以下、例えば、±10度以下の逸脱を許容するように理解され得る。例えば、垂直配向からの幾らかの逸脱を有する基板支持体がより安定した基板位置をもたらし得るので、この逸脱が提供され得る。更に、基板が前方に傾けられたときに、より少ない粒子が基板表面に到達する。しかし、未だに、例えば、真空堆積プロセスの間に、基板の配向は、実質的に垂直であると考えられる。その実質的に垂直は、水平±20度以下と考えられ得る水平な基板の配向からは異なっていると考えられる。
「垂直方向(vertical direction)」又は「垂直配向(vertical orientation)」という用語は、「水平方向(horizontal direction)」又は「水平配向(horizontal orientation”)」と区別するためのものと理解される。つまり、「垂直方向」又は「垂直配向」は、例えば、キャリアの実質的に垂直な配向に関連し、正確な垂直方向又は垂直配向からの数度(例えば、10度まで、或いは15度までも可)の逸脱は、依然として「実質的に垂直な方向」又は「実質的に垂直な配向」と見なされる。垂直方向は、重力に実質的に平行であり得る。
本明細書で説明される実施形態は、例えば、OLEDディスプレイ製造のための、大面積基板への堆積のために利用される。具体的には、そのために本明細書で説明される実施形態に従って構造及び方法が提供されるところの基板が、大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約0.67m(0.73×0.92m)の表面積に相当するGEN4.5、約1.4m(1.1m×1.3m)の表面積に相当するGEN5、約4.29m(1.95m×2.2m)の表面積に相当するGEN7.5、約5.7m(2.2m×2.5m)の表面積に相当するGEN8.5、又は更に約8.7m(2.85m×3.05m)の表面積に相当するGEN10であってもよい。GEN11及びGEN12のような更に大きい世代、並びにそれに相当する基面積を同様に実装することができる。GEN世代の半分のサイズも、OLEDディスプレイ製造で提供され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、基板の厚さは、0.1mmから1.8mmまでであり得る。基板の厚さは、0.5mmなどの、約0.9mm以下であり得る。本明細書で使用される「基板」という用語は、特に、実質的にフレキシブルでない基板、例えば、ウエハ、サファイアなどの透明結晶のスライス、又はガラスプレートを含み得る。しかし、本開示は、これらに限定されず、「基板」という用語は、ウェブ又はホイルなどのフレキシブル基板も含み得る。「実質的にフレキシブルでない」という用語は、「フレキシブル」と区別して理解される。具体的には、実質的にフレキシブルでない基板、例えば、0.5mm以下などの0.9mm以下の厚さを有するガラス板でも、ある程度の柔軟性を有するが、実質的にフレキシブルでない基板の柔軟性は、フレキシブル基板と比べて低くなっている。
本明細書で説明される実施形態によれば、基板は、材料を堆積させるのに適した任意の材料から作られていてよい。例えば、基板は、ガラス(例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、並びに堆積プロセスによって被覆できる任意の他の材料及び材料の組合せからなる群から選択された材料から作られ得る。
「マスキング」という用語は、基板10の1以上の領域上での材料の堆積を低減させること及び/又は妨げることを含み得る。例えば、マスキングは、被覆されるべき領域を画定するために有用であり得る。ある用途では、基板10の特定の部分のみが被覆され、被覆されない部分は、マスクによって覆われている。
図3Aは、本明細書で説明される更なる実施形態による、真空処理のための装置300の概略図を示している。
装置300は、保持アレンジメント310を含む。保持アレンジメント310は、基板キャリア120とマスクキャリア140を互いに対して位置決めするように構成され得る。一実施例として、保持アレンジメント310は、マスクキャリア140を静止させている間に基板キャリア120を移動させることによって、又は基板キャリア120を静止させている間にマスクキャリア140を移動させることによって、基板キャリア120とマスクキャリア140を互いに対して位置合わせするように構成され得る。また更なる実施例では、基板キャリア120とマスクキャリア140の両方が、基板キャリア120とマスクキャリア140を互いに対して位置決め又は位置合わせするために移動され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、保持アレンジメント310は、基板キャリア120及び/又はマスクキャリア140を保持するように構成され得る。保持アレンジメント310は、少なくとも部分的に、第1のトラックアレンジメントと第2のトラックアレンジメントとの間に配置され得る。一実施例として、保持アレンジメント310の1以上の保持デバイスが、第1のトラック112などの第1の部分と更なる第1のトラック132などの更なる第1の部分との間に配置され得る。保持アレンジメント310の1以上の更なる保持デバイスが、第2のトラック114などの第2の部分と更なる第2のトラック134などの更なる第2の部分との間に配置され得る。
ある実施態様では、保持アレンジメント310が、真空チャンバの頂壁及び/又は底壁に配置され得る。一実施例として、保持アレンジメント310は、底壁から、第1のトラック112などの第1の部分と更なる第1のトラック132などの更なる第1の部分との間の位置へ延在し得る。同様に、保持アレンジメント310は、頂壁から、第2のトラック114などの第2の位置と更なる第2のトラック134などの更なる第2の部分との間の位置へ延在し得る。
ある実施形態によれば、保持アレンジメント310は、マスクキャリア140及び/又は基板キャリア120を所定の位置に保持するように構成されている。更に、任意選択的に、保持アレンジメント310は、基板キャリア120に対してマスクキャリア140を位置決めするように、又はマスクキャリア140に対して基板キャリア120を位置決めするように構成され得る。保持アレンジメント310を第1のトラックアレンジメントと第2のトラックアレンジメントとの間に設けることによって、基板キャリア120とマスクキャリア140の改良された位置合わせが提供され得る。
ある実施態様では、保持アレンジメント310は、基板の移送方向(すなわち、第1の方向)とは異なる移動方向へ移動可能なように構成された1以上の保持デバイスを含む。例えば、1以上の保持デバイスは、基板表面の平面と実質的に平行な方向及び/又は実質的に垂直な方向に移動可能なように構成され得る。図3Aでは、1以上の保持デバイスの移動方向が、1以上の保持デバイス上で描かれている両側の矢印によって示されている。
ある実施態様では、マスクキャリア140が、第2のトラックアレンジメントで、保持アレンジメント310が設けられているところの所定の位置に移送され得る。可動保持デバイスは、マスクキャリア140を所定の位置に保持するために、マスクキャリア140に向けて移動することができる。その後、基板キャリア120は、第1のトラックアレンジメントで、マスクキャリア140に対応する所定の位置へ移送され得る。マスクキャリア140を保持する1以上の保持デバイスは、例えば、磁力又は電磁力などのチャッキング力を使用して、基板キャリア120をチャッキングすることによって、基板キャリア120を保持するように構成され得る。
ある実施形態によれば、図3Aの実施例で示されているように、同じ保持デバイスが、基板キャリア120とマスクキャリア140を保持するために使用され得る。更なる実施形態によれば、図4A及び図4Bの実施例で示されているように、異なる保持デバイスが、それぞれ、基板キャリア120とマスクキャリア140を保持するために使用され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、保持アレンジメント310が、マスクキャリア140に対して基板キャリア120を位置合わせするように構成された位置合わせシステムを含み得る。特に、位置合わせシステムは、マスクキャリア140に対して基板キャリア120の位置を調整するように構成され得る。例えば、位置合わせシステムは、2つ以上の位置合わせアクチュエータ、例えば、4つの位置合わせアクチュエータを含み得る。例えば、位置合わせシステムは、例えば、有機材料の材料堆積の間に、基板10とマスク20との間の適正な位置合わせを提供するために、マスク20を保持するマスクキャリア140に対して、基板10を保持する基板キャリア120を位置合わせするように構成され得る。
ある実施態様では、マスクキャリア140が、第2のトラックアレンジメントの所定のマスク位置へ移動され得る。その後、保持アレンジメント310が、マスクキャリア140を保持するように前方へ移動し得る。マスクキャリア140が位置決めされた後で、基板キャリア120が、所定の基板位置へ移動され得る。その後、基板キャリア120は、例えば、本明細書で説明される位置合わせシステムによって、マスクキャリア140に対して位置合わせされ得る。
ある実施態様では、基板キャリア120とマスクキャリア140を互いに対して位置決めするために、保持アレンジメントが1以上の位置合わせアクチュエータを含む。一実施例として、2つ以上の位置合わせアクチュエータが、基板キャリア120とマスクキャリア140を互いに対して位置決めするための圧電(piezoelectric)アクチュエータであり得る。しかし、本開示は、圧電アクチュエータに限定されるものではない。一実施例として、2つ以上の位置合わせアクチュエータが、電動式又は空気圧式アクチュエータであり得る。2つ以上の位置合わせアクチュエータは、例えば、直線的位置合わせアクチュエータであり得る。ある実施態様では、2つ以上の位置合わせアクチュエータが、ステッパアクチュエータ、ブラシレスアクチュエータ、DC(直流)アクチュエータ、ボイスコイルアクチュエータ、圧電アクチュエータ、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択された少なくとも1つのアクチュエータを含み得る。
ある実施形態によれば、1以上の位置合わせアクチュエータが、第1の移送アレンジメントと第2の移送アレンジメントとの間に設けられ得る。特に、1以上の位置合わせアクチュエータは、基板キャリア120とマスクキャリア140との間に設けられ得る。1以上の位置合わせアクチュエータは、空間を節約するやり方で実装され、装置の設置面積を低減させることができる。
本開示のある実施形態によれば、保持アレンジメント310が、マスクキャリア及び/又は基板キャリアを保持するように構成され得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、保持アレンジメントは、少なくとも1つの保持デバイスを含むことができ、少なくとも2つの保持デバイス、例えば、3つの保持デバイス、4つの保持デバイス、又はそれ以上を含み得る。保持デバイスは、マスクキャリア又は基板キャリア上に設けられた少なくとも1つの係合連結要素に連結されるように構成され得る、レセプションを有し得る。例えば、少なくとも1つの係合連結要素は、締め付けボルトとして構成され得る。マスクキャリア及び/又は基板キャリアが所定の位置にあるときに、保持アレンジメントと締め付けボルトは、正しい位置を保持するために有益に採用され得る。ある実施形態によれば、保持アレンジメントは、磁力によってマスクキャリア及び/又は基板キャリアと連結されている、保持デバイスも含み得る。例えば、1以上の保持デバイスが、電磁石を含み得る。電磁石は、マスクキャリア又は基板キャリアに対して保持デバイスを係合させるために、スイッチをオンにされ得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、保持アレンジメントは、2つの保持デバイス、すなわち、マスクキャリアを保持するための1つの保持デバイスと基板キャリアを保持するための1つの保持デバイスを含むことができる。例えば、2つの磁気的保持デバイスが、保持アレンジメントのために設けられ得る。
図3Bは、本明細書で説明される更なる実施形態による、真空処理のための装置300の概略図を示している。
装置300は、保持アレンジメント310を含む。例えば、図3Aに関して上述されたように、保持アレンジメント310は、基板キャリア120とマスクキャリア140を互いに対して位置決めするように構成され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、保持アレンジメント310は、基板キャリア120及び/又はマスクキャリア140を保持するように構成され得る。保持アレンジメント310は、少なくとも部分的に、第1のトラックアレンジメントと第2のトラックアレンジメントとの間に配置され得る。一実施例として、保持アレンジメント310の1以上の保持デバイスが、第1のトラック112などの第1の部分と更なる第1のトラック132などの更なる第1の部分との間に配置され得る。保持アレンジメント310の1以上の更なる保持デバイスが、第2のトラック114などの第2の部分と更なる第2のトラック134などの更なる第2の部分との間に配置され得る。ある実施形態によれば、第1のトラックアレンジメントと第2のトラックアレンジメントとの間に配置された保持デバイスは、マスクキャリアを保持するための第1の要素と基板キャリアを保持するための第2の要素を有し得る。第1の要素と第2の要素は、例えば、磁気要素又は締め付けボルトであり得る。
ある実施態様では、保持アレンジメント310が、真空チャンバの頂壁及び/又は底壁に配置され得る。保持アレンジメントは、少なくとも部分的に、マスクキャリアと基板キャリアとの間又はそれぞれのトラック部分の間の間隙内に設けられる。一実施例として、保持アレンジメント310は、底壁から、第1のトラック112などの第1の部分と更なる第1のトラック132などの更なる第1の部分との間の位置へ延在し得る。同様に、保持アレンジメント310は、頂壁から、第2のトラック114などの第2の位置と更なる第2のトラック134などの更なる第2の部分との間の位置へ延在し得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、本開示のある実施形態によれば、第1のトラックと第2のトラック、例えば、マスクトラックとキャリアトラックとの間の間隙内に設けられる保持アレンジメントは、マスクキャリアが基板キャリアよりも大きい又はその逆の場合の装置300に対して設けられ得る。基板キャリアよりも大きいマスクキャリアを有することは、チャンバ構成要素、例えば、チャンバ壁の一部分が材料で被覆されるリスクを低減させる。例えば、第1のトラック112と更なる第1のトラックとの間にオフセットが存在し得る。更に又は代替的に、第2のトラック114と更なる第2のトラック134との間にオフセットが存在し得る。
保持アレンジメント310を第1のトラックアレンジメントと第2のトラックアレンジメントとの間に設けることによって、基板キャリア120とマスクキャリア140の改良された位置合わせが提供され得る。例えば、保持アレンジメントの長さの影響によってそのような不正確さが増加され得ないように、保持アレンジメントの長さ(寸法)は低減され得る。一実施形態によれば、保持アレンジメントは、少なくとも部分的に、第1のトラックと第2のトラックとの間の間隙内に設けられ得る。保持アレンジメントは、第1のキャリア、例えば、基板キャリアを間隙に向き合った側で保持するように構成され、第2のキャリア、例えば、マスクキャリアを間隙に向き合った側で保持するように構成されている。更に、本明細書で説明される他の実施形態の詳細と態様が、また更なる実施形態を生み出すために提供され得る。
図4A及び図4Bは、本明細書で説明される更なる実施形態による、保持アレンジメントを有する基板10の真空処理のための装置400の概略図を示す。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、保持アレンジメントは、基板キャリア120及び/又はマスクキャリア140を保持するように構成され得る。保持アレンジメントは、第1のトラックアレンジメント又は第2のトラックアレンジメントに隣接する真空チャンバの、側壁などの、チャンバ壁201に配置され得る。
ある実施態様では、保持アレンジメントが、マスクキャリア140を保持するように構成された1以上の第1の保持デバイス412及び/又は、基板キャリア120を保持するように構成された1以上の第2の保持デバイス422などの、1以上の保持デバイスを含む。1以上の保持デバイスは、基板の移送方向(すなわち、第1の方向)とは異なる移動方向へ移動可能なように構成され得る。例えば、1以上の保持デバイスは、基板表面の平面と実質的に垂直な方向、例えば、第3の方向に移動可能なように構成され得る。図4Aでは、1以上の保持デバイスの移動方向が、1以上の保持デバイス上で描かれている両側の矢印によって示されている。
ある実施態様では、マスクキャリア140が、第2のトラックアレンジメントで、保持アレンジメントが設けられている所定の位置へ移送され得る。例えば、磁力又は電磁力などのチャッキング力を使用して、マスクキャリア140をチャッキングすることによって、マスクキャリア140を所定の位置に保持するために、1以上の第1の保持デバイス412が、マスクキャリア140に向けて移動し得る。その後、基板キャリア120が、第1のトラックアレンジメントで、マスクキャリア140に対応する所定の位置へ移送され得る。例えば、磁力又は電磁力などのチャッキング力を使用して、基板キャリア120をチャッキングすることによって、基板キャリア120を所定の位置に保持するために、1以上の第2の保持デバイス422のうちの少なくとも1つの保持デバイスが、基板キャリア120に向けて移動可能である。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、基板キャリア120の第1の方向(x方向)への延在(例えば、長さ)と、マスクキャリア140の第1の方向(x方向)への延在(例えば、長さ)とは、異なる。特に、基板キャリア120とマスクキャリア140は、同じ高さを有するが異なる長さを有し得る。特に、基板キャリア120の長さは、マスクキャリア140の長さ未満であり得る。
真空チャンバの側壁に取り付けられ得る1以上の第1の保持デバイス412が、マスクキャリア140を掴み保持するために、基板キャリア120の端部を通過できるように、長さの差が選択され得る。特に、1以上の第1の保持デバイス412は、基板キャリア120と干渉することなしに基板キャリア120を通過することができる。
ある実施態様では、マスクキャリア140は、第2のトラックアレンジメントの所定のマスク位置へ移動され、基板キャリア120は、第1のトラックアレンジメントの所定の基板位置へ移動され得る。その後、保持アレンジメントは、マスクキャリア140と基板キャリア120を保持するように前方へ移動し得る。その後、基板キャリア120は、例えば、本明細書で説明される位置合わせシステムによって、マスクキャリア140に対して位置合わせされ得る。その逆もあり得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、図3Aに関連して説明されたように、保持アレンジメントが、マスクキャリア140に対して基板キャリア120を位置合わせするように構成された位置合わせシステムを含み得る。特に、位置合わせシステムは、マスクキャリア140に対して基板キャリア120の位置を調整するように構成され得る。
図5A及び図5Bは、本明細書で説明される実施形態による、キャリアを移送するための移送アレンジメントの概略図を示している。図5A及び図5Bは、基板キャリア120を例示的に示している。図6は、本明細書で説明される更なる実施形態による、基板10の真空処理のための装置の概略図を示している。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、該装置は、基板キャリア120とマスクキャリアを非接触方式で第1の方向に移動させるように構成された駆動構造を含む。駆動構造は、第1のトラック112などの第1の部分と更なる第1のトラック132などの更なる第1の部分を含み得る。装置は、真空チャンバ内で基板キャリア120とマスクキャリア140を非接触方式で浮揚させるように構成された誘導構造を更に含み得る。誘導構造は、第2のトラック114などの第2の部分と更なる第2のトラック134などの更なる第2の部分を含み得る。駆動構造は、磁気駆動構造であり、及び/又は、誘導構造は、磁気誘導構造であり得る。
ある実施態様では、駆動構造が、基板キャリア120を非接触方式で第1の方向に移動させるように構成された第1の駆動サブ構造510と、マスクキャリア140を非接触方式で第1の方向に移動させるように構成された第2の駆動サブ構造512を含む。第1の駆動サブ構造510は、第1のトラック112などの第1の部分を含み得る。第2の駆動サブ構造は、更なる第1のトラック132などの更なる第1の部分を含み得る。同様に、誘導構造は、基板キャリア120を非接触方式で浮揚させるように構成された第1の誘導サブ構造520と、マスクキャリア140を非接触方式で浮揚させるように構成された第2の誘導サブ構造522を含む。第1の誘導サブ構造520は、第2のトラック114などの第2の部分を含み得る。第2の誘導サブ構造522は、更なる第2のトラック134などの更なる第2の部分を含み得る。
第1のトラックアレンジメントの第1の誘導サブ構造に関連して、更に、第1のトラックアレンジメントの第1の駆動サブ構造に関連して、図5A及び図5Bで説明された特徴は、それぞれ、第2の誘導サブ構造と第2の駆動サブ構造にも適用され得ることが、理解されるべきである。したがって、図6を例示的に参照すると、第2の誘導サブ構造522は、図5A及び図5Bを参照して例示的に説明された誘導サブ構造として構成され得る。第2の駆動サブ構造512は、図5A及び図5Bを参照して例示的に説明された駆動サブ構造として構成され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、第1のトラックアレンジメントの第1の誘導サブ構造520は、第1の磁気誘導サブ構造であり得る。第1のトラックアレンジメントの第1の駆動サブ構造は、第1の磁気駆動サブ構造であり得る。第1の誘導サブ構造520は、基板キャリア移送方向、例えば、x方向に延在し得る。第1の誘導サブ構造520は、複数のアクティブ磁気要素523を含み得る。更に、基板キャリア120は、第2のパッシブ磁気要素124を含み得る。例えば、第2のパッシブ磁気要素124は、基板キャリア120の一部分であり得る、強磁性物質の棒材又はロッドであり得る。代替的に、第2のパッシブ磁気要素124は、基板キャリア120と一体的に形成され得る。
ある要素では、複数のアクティブ磁気要素523のうちの少なくとも1つのアクティブ磁気要素が、基板キャリア120の第2のパッシブ磁気要素124と相互作用する磁力を提供するように構成されている。特に、第2のパッシブ磁気要素124と、第1の誘導サブ構造520の複数のアクティブ磁気要素523とは、第1の誘導サブ構造520に向けられた垂直な矢印によって例示的に示されるように、基板キャリア120を浮揚させるための磁気的な浮揚力を提供するように構成され得る。言い換えると、複数のアクティブ磁気要素523は、第2のパッシブ磁気要素124に、したがって、基板キャリア120に磁力を提供するように構成されている。したがって、複数のアクティブ磁気要素523は、基板キャリア120を非接触方式で浮揚させ得る。
ある実施形態によれば、第1の駆動サブ構造510は、複数の更なるアクティブ磁気要素513を含み得る。更なるアクティブ磁気要素513は、移送方向に沿って、例えば、x方向に沿って、基板キャリア120を駆動するように構成され得る。複数の更なるアクティブ磁気要素513は、基板キャリア120が、複数のアクティブ磁気要素によって浮揚している間に、基板キャリア120を移動させるための第1の駆動サブ構造510を形成し得る。図5A及び図5Bで例示的に示されているように、基板キャリア120は、第1のパッシブ磁気要素123、例えば、第1の駆動サブ構造510の更なるアクティブ磁気要素513と相互作用するように構成された強磁性物質の棒材を含み得る。第1のパッシブ磁気要素123は、基板キャリア120に連結され又は基板キャリア120と一体的に形成され得る。
更なるアクティブ磁気要素513は、移送方向に沿って力を提供するために第1のパッシブ磁気要素123と相互作用するように構成され得る。例えば、第1のパッシブ磁気要素123は、交互の極性を有するように配置された、複数の永久磁石を含み得る。第1のパッシブ磁気要素123の結果としての磁場は、複数の更なるアクティブ磁気要素513と相互作用して、基板キャリア120が浮揚している間に基板キャリア120を移動させ得る。
複数のアクティブ磁気要素523を用いて基板キャリア120を浮揚させるために、及び/又は、複数の更なるアクティブ磁気要素513を用いて基板キャリア120を移動させるために、アクティブ磁気要素は、調整可能な磁場を提供するように制御され得る。調整可能な磁場は、静磁場又は動磁場であり得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、本明細書で説明されるアクティブ磁気要素は、垂直方向、例えば、図5A及び図5Bで示されたy方向に沿って例えば延在する、磁気的な浮揚力を提供するために、磁場を生成するように構成され得る。更に又は代替的に、本明細書で説明されるアクティブ磁気要素は、移送方向に沿って延在する磁力を提供するように構成され得る。特に、本明細書で説明されるアクティブ磁気要素は、電磁気デバイス、ソレノイド、コイル、超伝導磁石、又はそれらの組み合わせから成る群から選択された要素であり又はその要素を含み得る。
図5A及び図5Bで示されたように、第1の誘導サブ構造520は、基板キャリア120の移送方向、すなわち、図5A及び図5Bで示された第1の方向又はx方向に沿って延在し得る。特に、第1の誘導サブ構造520は、第1の方向に沿って延在する直線的な形状を有し得る。第1のトラックアレンジメント、例えば、第1の誘導サブ構造520と第1の駆動サブ構造510の、第1の方向に沿った長さは、1mから30mまでであり得る。例示目的で、図5A及び図5Bにおける水平な矢印は、例えば、第1のトラックアレンジメントに沿って左から右及びその逆に、基板キャリア120を移動させるための第1の駆動サブ構造510の潜在的な駆動力を示す。
図5A及び図5Bで例示的に示されたように、2つ以上のアクティブ磁気要素523’が、基板キャリアコントローラ530によって駆動されて、基板キャリア120を浮揚させるための磁場を生成し得る。例えば、動作の間に、基板キャリア120は、機械的な接触なしに、第1の誘導サブ構造520の下方にぶら下がっていてもよい。第2のパッシブ磁気要素124は、移送方向で第2のパッシブ磁気要素124の長さに実質的沿って、磁気特性を有し得ることが理解されるべきである。アクティブ磁気要素523’によって生成される磁場は、第2のパッシブ磁気要素124の磁気特性と相互作用して、図5A及び図5Bにおいて垂直な矢印によって例示的に示されているように、第1の磁気的な浮揚力と第2の磁気的な浮揚力を提供する。基板キャリア120の、非接触方式の、浮揚、移送、及び位置合わせが提供され得る。図5Aでは、2つのアクティブ磁気要素523’が、垂直な矢印で示されている磁力を提供する。磁力は、基板キャリア120を浮揚させるために重力に反作用する。基板キャリアコントローラ530は、2つのアクティブ磁気要素523’を個別に制御して、基板キャリア120を浮揚状態に維持するように構成され得る。
ある実施形態では、1以上の更なるアクティブ磁気要素513’が、基板キャリアコントローラ530によって制御され得る。更なるアクティブ磁気要素513’は、第1のパッシブ磁気要素123と相互作用する。例えば、第1のパッシブ磁気要素123は、一組の交互の永久磁石を含み、図5において水平な矢印によって例示的に示されている駆動力を生成し得る。例えば、駆動力を提供するように同時に制御される、更なるアクティブ磁気要素513’の数は、1から3又はそれ以上であり得る。したがって、第1の位置において、基板キャリア120は、第1の群のアクティブ磁気要素の下方に位置決めされ、更なる異なる位置において、基板が、更なる異なる群のアクティブ磁気要素の下方に位置決めされている。通常、基板キャリアコントローラ530は、それぞれの位置に対してどのアクティブ磁気要素が浮揚力を提供するかを制御するように構成されている。例えば、浮揚力は、基板キャリア120が移動している間に、次のアクティブ磁気要素によって提供され得る。したがって、基板キャリア120は、一組のアクティブ磁気要素から別の一組のアクティブ磁気要素へハンドオーバーされ得る。
第2の位置では、図5Bで例示的に示されているように、2つのアクティブ磁気要素523’が、左の垂直な矢印によって示されている第1の磁力と右の垂直な矢印によって示されている第2の磁力を提供する。基板キャリアコントローラ530は、2つのアクティブ磁気要素523’を制御して、垂直方向、例えば、図5Bで示されているy方向における位置合わせを提供するように構成され得る。更に又は代替的に、基板キャリアコントローラ530は、2つのアクティブ磁気要素523’を制御して、キャリアがxy平面内で回転可能な位置合わせを提供するように構成され得る。点線の基板キャリアの位置と実線で引かれた基板キャリアの位置を比較することによって、両方の位置合わせの動きが、図5Bで例示的に見られ得る。
基板キャリアコントローラ530は、基板キャリア120を、例えば、本明細書で説明されるようにマスクキャリアと、垂直方向に並進的に位置合わせするために、アクティブ磁気要素523’を制御するように構成され得ることが、理解されるべきである。更に、アクティブ磁気要素を制御することによって、基板キャリア120が、ターゲット垂直位置へ位置決めされ得る。基板キャリア120は、基板キャリアコントローラ530の制御の下で、ターゲット垂直位置に維持され得る。更に、図5Bで例示的に示されているように、基板キャリアコントローラ530は、第1の回転軸、例えば、基板表面に垂直な回転軸、例えば、z方向に延在する回転軸に対して、基板キャリア120を角度的に位置合わせするために、アクティブ磁気要素523’を制御するように構成され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置は、例えば、垂直方向に、0.1mmから3mmまでの位置合わせの範囲内で、マスクキャリア140に対する基板キャリア120の位置合わせ、特に、非接触方式での位置合わせを提供するように構成され得る。更に、垂直方向において、位置合わせの精度、特に、非接触方式での精度は、50μm以下、例えば、5μmなどの、1μmから10μmまでであり得る。更に、位置決め配置の回転の位置合わせの精度、特に、非接触方式の回転位置合わせの精度は、3度以下であり得る。
上述されたように、第1の駆動サブ構造510の1以上の更なるアクティブ磁気要素513’は、第1のトラック112の延在、例えば、x方向に沿った駆動力を提供するように構成され得る。基板キャリアコントローラ530は、1以上の更なるアクティブ磁気要素513’を制御して、移送方向、例えば、図5A及び図5Bのx方向における位置合わせを提供するように構成され得ることが、理解されるべきである。移送方向(例えば、x方向)における基板キャリア120の位置合わせは、第1のトラック112の長さに沿って延在する位置合わせ範囲内で提供され得る。特に、移送方向における、位置合わせの精度、特に、非接触方式の位置合わせの精度は、50μm以下、例えば、5μm又は30μmであり得る。
本明細書で説明される装置の実施形態は、移送方向及び/又は垂直方向における基板位置決めの高い精度を可能にする、浮揚した基板キャリアの動きを提供する。更に、本明細書で説明される装置の実施形態は、例えば、水平及び/又は垂直及び/又は回転の位置合わせによって、マスクキャリアに対する基板キャリアの改良された位置合わせを提供する。
次に、図6を参照すると、第1の磁気誘導サブ構造である第1の誘導サブ構造520と第1の磁気駆動サブ構造である第1の駆動サブ構造510を有する装置の概略的な側面図が示されている。更に、図6は、該装置が、第2の磁気誘導サブ構造などの第2の誘導サブ構造522、更に、第2の磁気駆動サブ構造などの第2の駆動サブ構造512を有し得ることを示している。図6を例示的に参照すると、図5A及び図5Bを参照して説明された第1のトラックアレンジメントの任意選択的な特徴は、必要な変更を加えて、第2のトラックアレンジメントにも適用され得ることが、理解されるべきである。特に、図5A及び図5Bを参照して説明されたように、マスクキャリア140は、第1のパッシブ磁気要素142と第2のパッシブ磁気要素144を含み得る。更に、図5A及び図5Bを参照して説明されたように、第2の誘導サブ構造522は、複数のアクティブ磁気要素523を含み、第2の駆動サブ構造512は、複数の更なるアクティブ磁気要素513を含み得る。基板キャリア120の浮揚及び移送を制御するための基板キャリアコントローラ530に類似して、マスクキャリアコントローラが、マスクキャリア140の浮揚及び移送を制御するために設けられ得る。特に、図5A及び図5Bを参照して説明されたように、マスクキャリア140の浮揚及び移送を制御する原理は、必要な変更を加えて、基板キャリア120の浮揚及び移送を制御する原理と一致する。
図7は、本明細書で説明される実施形態による、基板の真空処理のためのシステム700の概略図を示している。
システム700は、本明細書で説明される実施形態による基板の真空処理のための装置、基板キャリア120、及びマスクキャリア140を含む。ある実施態様では、第1のトラックアレンジメント110が、基板キャリア120とマスクキャリア140を移送するように構成され、及び/又は、第2のトラックアレンジメント130が、基板キャリア120とマスクキャリア140を移送するように構成されている。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、システム700が、本明細書で説明される任意の実施形態による装置を有する、真空チャンバ(例えば、真空処理チャンバ701)を含む。更に、システム700は、移送アレンジメントを有する少なくとも1つの更なるチャンバ702を含む。少なくとも1つの更なるチャンバ702は、回転モジュール、通過モジュール、又はそれらの組み合わせであり得る。回転モジュールでは、トラックアレンジメント及びトラックアレンジメントの(1以上の)キャリアが、垂直回転軸などの回転軸の周りで回転され得る。一実施例として、(1以上の)キャリアは、システム700の左側からシステム700の右側へ移送され、又はその逆もあり得る。(1以上の)キャリアが、通過モジュールを通って異なる方向、例えば、互いに垂直な方向に移送され得るように、通過モジュールは、交差トラックを含み得る。真空処理チャンバ701は、有機材料を堆積させるように構成され得る。堆積源225、特に、蒸発源が、真空処理チャンバ701内に設けられ得る。図7で例示的に示されているように、堆積源225は、トラック又は直線的なガイド722の上に設けられ得る。直線的なガイド722は、堆積源225の並進運動のために構成され得る。更に、堆積源225の並進運動を提供するためのドライバが設けられ得る。特に、堆積源225の非接触方式の移送のための移送装置が設けられ得る。
直線的なガイド722に沿った堆積源225の並進運動のために構成される源支持体731が設けられ得る。源支持体731は、蒸発坩堝721、及び蒸発坩堝721を覆って設けられた分配アセンブリ726を支持し得る。したがって、蒸発坩堝721で生成された蒸気は、上に向かって移動し、分配アセンブリの1以上の排出口から出ることができる。したがって、分配アセンブリ726は、分配アセンブリから基板へ、蒸発した有機材料、特に、蒸発した原料物質のプルームを提供するように構成されている。
図7で例示的に示されているように、真空処理チャンバ701は、それを介して真空処理チャンバ701が隣接する更なるチャンバ702、例えば、経路指定モジュール又は隣接するサービスモジュールに連結され得るところの、ゲートバルブ715を有し得る。特に、ゲートバルブ715は、隣接する更なるチャンバに対する真空密封を可能にし、基板及び/又はマスクを真空処理チャンバ701の中へ入れたり又は外へ出したりするために開閉され得る。
本開示では、「真空処理チャンバ」は、真空チャンバ又は真空堆積チャンバとして理解され得る。本明細書で使用する「真空」という用語は、例えば10mbar未満の真空圧を有する工業的真空の意味として捉えることができる。本明細書で説明される処理チャンバ内の圧力は、約10-5mbarと約10-8mbarとの間、特に、約10-5mbarと約10-7mbarとの間、更に特に、約10-6mbarと約10−7mbarとの間であってよい。ある実施形態によれば、真空チャンバの圧力は、真空チャンバ内で蒸発した材料の分圧、又は全圧の何れかと見なすことができる(分圧及び全圧は、蒸発した材料のみが真空チャンバで堆積する構成要素として存在する場合、おおよそ同じであってよい)。ある実施形態では、真空チャンバの全圧は、特に蒸発した材料以外の第2の構成要素(例えば、ガスなど)が真空チャンバに存在する場合、約10−4mbarから約10−7mbarまでの範囲であってよい。
図7を例示的に参照すると、本明細書で説明される任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、2つの基板、例えば、第1の基板10Aと第2の基板10Bが、本明細書で説明されたそれぞれの第1のトラックアレンジメント110などの、それぞれの移送トラック上に支持され得る。更に、その上にマスクキャリア140を設けるための、2つのトラック、例えば、本明細書で説明された2つの第2のトラックアレンジメント120が、設けられ得る。特に、基板キャリア120及び/又はマスクキャリア140を移送するためのトラックは、図1から図6までを参照して説明されたように構成され得る。
ある実施形態では、基板の被覆が、それぞれのマスクによって、例えば、端部除外マスクによって又はシャドーマスクによって、基板をマスキングすることを含み得る。ある実施形態によれば、図7で例示的に示されているように、マスク、例えば、第1の基板10Aに対応する第1のマスク20A、及び第2の基板10Bに対応する第2のマスク20Bが、マスクキャリア140に設けられ、マスクキャリア140が、マスクを所定の位置で保持する。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、基板は、例えば、連結要素724によって、位置合わせシステム750に連結され得る、基板キャリア120によって支持されている。位置合わせシステム750は、マスクに対して基板の位置を調整するように構成され得る。特に、位置合わせシステム750は、図3、図4A、及び図4Bに関連して説明されたように構成され得る。基板は、有機材料の堆積中、基板とマスクとの間の適正な位置関係を提供するために、マスクに対して移動され得ることが、理解されるべきである。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、更なる実施形態によれば、代替的に又は更に、マスクを保持するマスクキャリア140が、位置合わせシステム750に連結され得る。したがって、マスクが基板に対して位置決めされ得るか、又は、マスクと基板が両方とも互いに対して位置決めされ得るかの何れかである。本明細書で説明される位置合わせシステムは、堆積プロセス中のマスキングの適正な位置関係を可能にし得る。それは、高品質の又はOLEDディスプレイ製造に対して有益である。
マスクと基板を互いに対して位置合わせする実施例は、基板の平面とマスクの平面に本質的に平行な、平面を規定する少なくとも2つの方向における相対的な位置合わせを可能にする、図3、図4A、図4B、及び図5に関連して説明された位置合わせデバイスなどの、位置合わせユニットを含む。例えば、位置合わせは、少なくとも、x方向及びy方向で、すなわち、上記の平行な平面を規定する2つのデカルト方向で行うことができる。通常、マスクと基板は、互いに対して本質的に平行であり得る。特に、位置合わせは、更に、基板の平面とマスクの平面に本質的に垂直な方向に行うことができる。したがって、位置合わせユニットは、少なくともXYの位置合わせ、特に、マスクと基板の互いに対するXYZの位置合わせのために構成されている。本明細書で説明される他の実施例と組み合わされ得る、1つの具体的な実施例は、真空処理チャンバ内で静止した状態で保持され得るマスクに対して、x方向、y方向、及びz方向に基板を位置合わせすることである。
図8は、本明細書で説明される実施形態による、真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法800のフローチャートを示している。方法800は、本開示による装置及びシステムを使用し得る。
方法800は、ブロック810において、基板キャリアを第1のトラックアレンジメントで、マスクキャリアを第2のトラックアレンジメントで、非接触方式で移送すること、及び、ブロック820において、基板キャリアを第2のトラックアレンジメントで、マスクキャリアを第1のトラックアレンジメントで、非接触方式で移送することを含む。
本明細書で説明される実施形態によれば、真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法は、コンピュータプログラム、ソフトウェア、コンピュータソフトウェア製品、並びに、装置の対応構成要素と通信可能なCPU、メモリ、ユーザインターフェース、及び入出力デバイスを有し得る、相互関連コントローラを使用して実装され得る。
本開示は、少なくとも1つの寸法において等しくサイズ決定されている、基板キャリアのための第1のトラックアレンジメントとマスクキャリアのための第2のトラックアレンジメントを提供する。言い換えると、マスクキャリアは第1のトラックアレンジメントの中へフィットし、基板キャリアは第2のトラックアレンジメントの中へフィットする。第1のトラックアレンジメントと第2のトラックアレンジメントは、真空システムを通るキャリアの正確で滑らかな移送を提供するように柔軟に使用され得る。保持アレンジメントが、マスクに対する基板の精密な位置合わせを可能にし、その逆も同じである。例えば、高解像度OLEDデバイスの製造のための、高品質の処理結果が実現され得る。
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の更なる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (15)

  1. 基板の真空処理のための装置であって、
    真空チャンバ、
    基板キャリアを移送するように構成された第1のトラックアレンジメントであって、前記基板キャリアを前記基板の第1の端で支持するように構成された第1の部分と、前記基板キャリアを前記基板の前記第1の端とは反対側の前記基板の第2の端で支持するように構成された第2の部分とを含む、第1のトラックアレンジメント、
    マスクキャリアを移送するように構成された第2のトラックアレンジメントであって、前記マスクキャリアをマスクの第1の端で支持するように構成された更なる第1の部分と、前記マスクキャリアを前記マスクの前記第1の端とは反対側の前記マスクの第2の端で支持するように構成された更なる第2の部分とを含み、前記第1のトラックアレンジメントの前記第1の部分と前記第2の部分との間の第1の距離、及び、前記第2のトラックアレンジメントの前記更なる第1の部分と前記更なる第2の部分との間の第2の距離が、本質的に同じである、第2のトラックアレンジメント、並びに
    前記基板キャリアと前記マスクキャリアを互いに対して位置決めするように構成された保持アレンジメントを備える、装置。
  2. 前記第1のトラックアレンジメントと前記第2のトラックアレンジメントが、第1の方向に延在し、特に、前記第1のトラックアレンジメントが、前記基板キャリアを少なくとも前記第1の方向に移送するように構成され、前記第2のトラックアレンジメントが、前記マスクキャリアを少なくとも前記第1の方向に移送するように構成されている、請求項1に記載の装置。
  3. 前記第1の部分と前記更なる第1の部分が、前記第1の方向及び前記第1の方向に垂直な別の方向によって規定された第1の平面内に配置され、前記第2の部分と前記更なる第2の部分が、前記第1の方向及び前記別の方向によって規定された第2の平面内に配置されている、請求項2に記載の装置。
  4. 前記第1の方向が、水平方向であり、前記別の方向が、別の水平方向又は垂直方向である、請求項3に記載の装置。
  5. 前記第1の距離と前記第2の距離が、前記第1の方向と前記別の方向とに垂直な方向で規定されている、請求項4に記載の装置。
  6. 前記基板キャリアと前記マスクキャリアを前記第1の方向に非接触方式で移動させるように構成された駆動構造を更に含み、前記駆動構造が、前記第1の部分と前記更なる第1の部分を含む、請求項2から5のいずれか一項に記載の装置。
  7. 前記基板キャリアと前記マスクキャリアを前記真空チャンバ内で非接触方式で浮揚させるように構成された誘導構造を更に含み、前記誘導構造が、前記第2の部分と前記更なる第2の部分を含む、請求項2から6のいずれか一項に記載の装置。
  8. 前記保持アレンジメントが、前記基板キャリアと前記マスクキャリアを、前記第1の方向とは異なる方向で互いに対して位置決めするように構成されている、請求項2から7のいずれか一項に記載の装置。
  9. 前記保持アレンジメントが、前記真空チャンバの頂壁と底壁のうちの少なくとも一方に配置されている、請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。
  10. 前記保持アレンジメントが、前記第1のトラックアレンジメント又は前記第2のトラックアレンジメントに隣接する、前記真空チャンバの側壁に配置されている、請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。
  11. 前記保持アレンジメントが、少なくとも部分的に、前記第1のトラックアレンジメントと前記第2のトラックアレンジメントとの間に配置されている、請求項1から10のいずれか一項に記載の装置。
  12. 前記保持アレンジメントが、前記基板キャリアと前記マスクキャリアを互いに対して位置決めするための1以上の圧電アクチュエータを含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の装置。
  13. 基板の真空処理のためのシステムであって、
    請求項1から12のいずれか一項に記載の装置、
    前記基板キャリア、及び
    前記マスクキャリアを備える、システム。
  14. 前記第1のトラックアレンジメントが、前記基板キャリアと前記マスクキャリアを移送するように構成され、前記第2のトラックアレンジメントが、前記基板キャリアと前記マスクキャリアを移送するように構成されている、請求項13に記載のシステム。
  15. 真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法であって、
    前記基板キャリアを第1のトラックアレンジメントで、前記マスクキャリアを第2のトラックアレンジメントで、非接触方式で移送すること、及び
    前記基板キャリアを前記第2のトラックアレンジメントで、前記マスクキャリアを前記第1のトラックアレンジメントで、非接触方式で移送することを含む、方法。
JP2018502348A 2017-02-24 2017-02-24 基板の真空処理のための装置、基板の真空処理のためのシステム、及び真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法 Pending JP2019512041A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2017/054358 WO2018153481A1 (en) 2017-02-24 2017-02-24 Apparatus for vacuum processing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019512041A true JP2019512041A (ja) 2019-05-09

Family

ID=58159088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018502348A Pending JP2019512041A (ja) 2017-02-24 2017-02-24 基板の真空処理のための装置、基板の真空処理のためのシステム、及び真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20200083452A1 (ja)
JP (1) JP2019512041A (ja)
KR (1) KR102161185B1 (ja)
CN (1) CN108738330A (ja)
TW (1) TW201836042A (ja)
WO (1) WO2018153481A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019171545A1 (ja) * 2018-03-08 2019-09-12 堺ディスプレイプロダクト株式会社 成膜装置、蒸着膜の成膜方法および有機el表示装置の製造方法
KR102424400B1 (ko) 2018-09-13 2022-07-22 주식회사 엘지에너지솔루션 열수축성 튜브를 포함하는 배터리 모듈
JP7249142B2 (ja) * 2018-12-14 2023-03-30 キヤノントッキ株式会社 搬送キャリア、蒸着装置、および電子デバイスの製造装置
WO2020147929A1 (en) * 2019-01-15 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Transport system for transporting a carrier, vacuum processing system and method for transportation of a carrier
US11189516B2 (en) 2019-05-24 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Method for mask and substrate alignment
US11538706B2 (en) 2019-05-24 2022-12-27 Applied Materials, Inc. System and method for aligning a mask with a substrate
KR20210011790A (ko) * 2019-07-23 2021-02-02 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 기구, 얼라인먼트 방법, 성막 장치 및 성막 방법
US10916464B1 (en) 2019-07-26 2021-02-09 Applied Materials, Inc. Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
US11196360B2 (en) 2019-07-26 2021-12-07 Applied Materials, Inc. System and method for electrostatically chucking a substrate to a carrier
US11756816B2 (en) 2019-07-26 2023-09-12 Applied Materials, Inc. Carrier FOUP and a method of placing a carrier
US10950441B1 (en) * 2019-09-03 2021-03-16 Kyoka Utsumi Mimura Low energy e-beam contact printing lithography
JP7162631B2 (ja) * 2020-03-13 2022-10-28 キヤノントッキ株式会社 基板キャリア、成膜装置、基板キャリアの搬送方法、及び成膜方法
KR102580584B1 (ko) * 2021-08-25 2023-09-21 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 유전체 판 정렬 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005120476A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子の垂直蒸着方法,その装置,及びそれに使用される蒸着源
US20140116337A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of depositing organic material
JP2016521316A (ja) * 2013-04-22 2016-07-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 能動的に位置合わせされるファインメタルマスク

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4920917A (en) * 1987-03-18 1990-05-01 Teijin Limited Reactor for depositing a layer on a moving substrate
US4942063A (en) * 1989-04-20 1990-07-17 North American Philips Corporation Method for controlling the thickness distribution of an interference filter
JP3018172B2 (ja) * 1998-08-12 2000-03-13 島根大学長 微細素子の形成方法及びその装置
TW591202B (en) * 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
JP2004183044A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
TWI553701B (zh) * 2003-10-09 2016-10-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus and exposure method, component manufacturing method
WO2006001282A1 (ja) * 2004-06-25 2006-01-05 Nikon Corporation 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
JP5081516B2 (ja) * 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
CN103154300B (zh) * 2010-09-29 2014-12-31 夏普株式会社 蒸镀装置
JP2012140671A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Tokki Corp 成膜装置
WO2013039196A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法
US20150068456A1 (en) * 2012-04-05 2015-03-12 Sony Corporation Mask adjustment unit, mask device, and apparatus and method for producing mask
JP6363333B2 (ja) * 2013-08-07 2018-07-25 シャープ株式会社 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5846287B1 (ja) * 2013-12-27 2016-01-20 大日本印刷株式会社 フレーム付き蒸着マスクの製造方法、引張装置、有機半導体素子の製造装置及び有機半導体素子の製造方法
JP6723246B2 (ja) * 2015-01-12 2020-07-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリアとマスクキャリアを支持するための保持装置、基板を支持する基板キャリアとマスクキャリアを位置合わせするための方法
US20170250379A1 (en) * 2016-11-28 2017-08-31 Applied Materials, Inc. Evaporation source having multiple source ejection directions

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005120476A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子の垂直蒸着方法,その装置,及びそれに使用される蒸着源
US20140116337A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of depositing organic material
JP2016521316A (ja) * 2013-04-22 2016-07-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 能動的に位置合わせされるファインメタルマスク

Also Published As

Publication number Publication date
CN108738330A (zh) 2018-11-02
WO2018153481A1 (en) 2018-08-30
TW201836042A (zh) 2018-10-01
US20200083452A1 (en) 2020-03-12
KR20180109834A (ko) 2018-10-08
KR102161185B1 (ko) 2020-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102161185B1 (ko) 기판의 진공 프로세싱을 위한 장치, 기판의 진공 프로세싱을 위한 시스템, 및 진공 챔버에서의 기판 캐리어 및 마스크 캐리어의 운송을 위한 방법
JP6585191B2 (ja) キャリア又は基板を搬送するための装置及び方法
JP6602465B2 (ja) 基板キャリア及びマスクキャリアの位置決め装置、基板キャリア及びマスクキャリアの搬送システム、並びにそのための方法
JP6681977B2 (ja) 基板を真空処理するための装置、基板を真空処理するためのシステム、及び、真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを搬送するための方法
TW201727812A (zh) 用以於一真空腔室中之一基板載體之傳送的設備、用以一基板之真空處理之系統、及用以於一真空腔室中之一基板載體之傳送的方法
CN110527972B (zh) 用于沉积源的非接触输送的装置和方法
KR20190116967A (ko) 진공 챔버 내에서의 캐리어 정렬을 위한 장치 및 진공 시스템, 및 캐리어를 정렬하는 방법
KR20190087968A (ko) 진공 챔버 내의 기판을 프로세싱하기 위한 장치 및 시스템, 및 마스크 캐리어에 대해 기판 캐리어를 정렬하는 방법
KR20190058443A (ko) 증착 시스템에서의 캐리어의 비접촉식 이송을 위한 장치, 캐리어의 비접촉식 이송을 위한 시스템, 증착 시스템에서의 비접촉식 이송을 위한 캐리어, 및 증착 시스템에서의 캐리어의 비접촉식 이송을 위한 방법
TWI678421B (zh) 真空腔室內加工基板之設備和系統及真空腔室內運輸載體之方法
WO2021197586A1 (en) Carrier transportation apparatus, carrier transport system, processing system and method of transporting a carrier

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180320

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180320

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190528

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190828

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200121

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200331

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200901