TW201836042A - 用於基板之真空處理的設備、用於基板之真空處理的系統、及用於在真空腔室中輸送基板載具和遮罩載具之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於基板之真空處理的裝置，包括一真空腔室、輸送基板載具的一第一軌道配置、輸送遮罩載具的一第二軌道配置以及將基板載具和遮罩載具相對於彼此定位的一固持配置。第一軌道配置包括在基板的第一端支撐基板載具的第一部分和在與基板的第一端相對之第二端支撐基板載具的第二部分。第二軌道載具包括在遮罩的第一端支撐遮罩載具的另外第一部分和在與遮罩的第一端相對之第二端支撐遮罩載具的另外第二部分。第一軌道配置的第一部分及第二部分之間的第一距離與第二軌道配置的另外第一部分及另外第二部分之間的第二距離實質上相同。

Description

用於基板之真空處理的設備、用於基板之真空處理的系統、及用於在真空腔室中輸送基板載具和遮罩載具之方法
本揭露的實施例有關於一種用於基板的真空處理之設備、一種用於基板的真空處理之系統及一種用於在真空腔室中輸送一基板載具及一遮罩載具之方法。本揭露的實施例特別是關於用於支撐基板的載具及用於有機發光二極體裝置之製造的遮罩。
在一基板上沉積層的技術包括例如：熱蒸鍍、物理氣相沉積(PVD)及化學氣相沉積(CVD)。受塗覆的基板可使用於有機發光二極體(OLED)裝置的領域。OLED可使用於電視螢幕、電腦螢幕、行動電話、其他的手持裝置及用以顯示資訊的類似物。OLED裝置，例如是一OLED顯示器，可包括位於二電極之間的一層或多層的有機材料，此二電極均沉積在一基板上。
一OLED裝置的功能性可取決於有機材料的塗層厚度。此圖層厚度必須在一預定範圍內。為了實現高解析度的OLED裝置，OLED裝置的製造過程中在蒸鍍材料之沉積的方面存在一些技術挑戰。尤其，基板載具和遮罩載具通過一處理系統之準確且平穩的輸送仍存在挑戰性。此外，基板相對於遮罩的精確對準(alignment)係對於實現腔室中的處理結果(例如是對於高解析度的OLED裝置)係至關重要的。
鑑於上述情形，克服至少一些習知技術中的問題之新的用於一基板之真空處理之新載具、用於一基板之真空處理之系統及用於在一真空腔室中輸送一基板載具和一遮罩載具之方法係有益的。本揭露特別旨在提供可在一真空腔室中被有效地輸送的載具。
鑑於上述內容，提供一種用於基板之真空處理的設備、一種用於基板之真空處理的系統及一種用於在真空處理腔室中輸送一基板載具和一遮罩載具的方法。本揭露的另外的方面、優點及特徵係可明顯從申請專利範圍、說明書及所附圖式中呈現。
根據本發明的一方面，提供一種用於基板之真空處理的設備。此設備包括一真空腔室、經配置以輸送一基板載具的一第一軌道配置、經配置以輸送一遮罩載具的一第二軌道配置及經配置以將基板載具和遮罩載具相對於彼此定位的一支撐裝置。第一軌道配置包括經配置以在基板的一第一端支撐基板載具的一第一部分及經配置以在與基板的第一端相對之基板的一第二端支撐基板載具的一第二部分。第二軌道配置包括用以在遮罩的一第一端支撐遮罩載具的一另外第一部分及經配置以在與遮罩的第一端相對之基板的一第二端支撐遮罩載具的一另外第二部分。在第一軌道配置的第一部分與第二部分之間的一第一距離和在第二軌道配置的另外第一部分與另外第二部分之間的一第二距離係實質上相同。
根據本揭露的另一方面，提供一種用於基板之真空處理的系統。此系統包括根據本文所述之實施例的用於基板之真空處理的設備、基板載具及遮罩載具。
根據本揭露的另一方面，提供一種用於在一真空腔室輸送一基板載具和一遮罩載具的方法。此方法包括非接觸式輸送在一第一軌道配置上的基板載具和在一第二軌道配置上的遮罩載具，並且非接觸式輸送在第二軌道配置上的基板載具和在第一軌道配置上的遮罩載具。
根據本揭露的一方面，提供一種用於基板之真空處理的設備。此設備包括一真空腔室、在一第一方向上延伸並經配置以至少在第一方向上輸送一基板載具的一第一軌道配置、在第一方向上延伸並經配置以至少在第一方向上輸送一遮罩載具的一第二軌道配置以及經配置以將基板載具和遮罩載具相對於彼此定位的一固持配置。第一軌道配置的尺寸設置為亦能輸送遮罩載具，且第二軌道配置的尺寸設置為亦能輸送基板載具。
實施例亦針對用於執行所揭露之方法的設備，並且包括用於執行每個所描述的方法態樣的設備部件。此些方法態樣可以透過硬體元件、適當軟體程式化的的電腦及此兩者的任何組合或以任何其他方式來執行。此外，根據本揭露的實施例亦針對用於操作所描述之設備的方法。用於操作所描述之設備的方法包括執行設備的每個功能的數個方法態樣。
將詳細參照至本揭露的各種實施例，所附圖式繪示出其中的一或多個範例。在所附圖式如下的描述中，相同的附圖標記係指相同的元件。一般而言，僅描述關於各個實施例的差異。各個範例係提供用以解釋本揭露而非視為對本揭露的限制。此外，作為一實施例的一部分示出或描述的特徵可用於其他實施例中或與其他實施例結合使用以產生另一實施例，此係旨在說明書包括這樣的修改和變化。
本揭露提供用於一基板載具的一第一軌道配置及用於一遮罩載具的一第二軌道配置，其二者在至少一尺寸上尺寸相同。換言之，遮罩載具適配到第一軌道配置中，而基板載具適配到第二軌道配置中。第一軌道配置和第二軌道配置可被彈性地使用，同時將此些載具精確且平穩地輸送通過一真空系統。固持配置(holding arrangement)允許基板相對於遮罩的精確對準(alignment)，反之亦然。可實現一高品質的處理結果，例如是生產高解析度的OLED裝置。
第1A圖繪示一第一軌道配置110和一基板載具120之示意圖。第1B圖繪示一第二軌道配置130和一遮罩載具140之示意圖。第2圖繪示根據本文所描述的實施例的用於一基板10的真空處理的一設備200之示意圖。
設備200包括一真空腔室，經配置以輸送基板載具120的第一軌道配置110，經配置以輸送遮罩載具140的第二軌道配置130以及經配置以將基板載具120和遮罩載具140相對於彼此定位的一固持配置。第一軌道配置110包括經配置以在基板10的一第一端12處支撐基板載具120的一第一部分(例如是一第一軌道112)及經配置以在與基板10的第一端12相對之基板10的一第二端14處支撐基板載具120的一第二部分(例如是一第二軌道114)。第二軌道配置130包括經配置以在第一遮罩20的一第一端22處支撐遮罩載具140的一另外第一部分(例如是一另外第一軌道132)以及經配置以在與遮罩20的第一端22相對之遮罩20的一第二端24處支撐遮罩載具140的一另外第二部分(例如是一另外第二軌道134)。在第一軌道配置110的第一部分與第二部分之間的一第一距離D和在第二軌道配置130的另外第一部分與另外第二部分之間的一第二距離D’實質上相等或實質上相同。第一距離D與第二距離D’可被定義在一第二方向(y方向)上，該第二方向可以是一實質上垂直的方向。
透過在第一軌道配置110和第二軌道配置130處提供實質上相同的距離，即第一距離D與第二距離D’，第一軌道配置110的尺寸可被設計成亦能夠輸送遮罩載具140，且第二軌道配置的尺寸可被設計成亦能夠輸送基板載具120。換言之，遮罩載具140適配在第一軌道配置110內，且基板載具120適配在第二軌道配置130內。第一軌道配置110和第二軌道配置130可被彈性地使用，同時將此些載具精確且平穩地輸送通過真空系統。
如本揭露通篇所使用的「實質上相等」或「實質上相同」是可以特別理解為當涉及距離(例如第一部分和第二部分之間的第一距離D和第二距離D’)以允許與完全相同或一致(identity)的一略微偏差(deviation)。作為範例，第二距離D’可以在D ± (5% x D)的範圍內，或可以在D ± (1% × D)的範圍內。此偏差可能是由於製造公差(manufacturing tolerance)及/或熱膨脹(thermal expansion)。然而，此些距離被視為實質上相等或實質上相同。
真空腔室可以包含一腔室壁201。如第2圖所示，第一軌道配置110和第二軌道配置130可設置在真空腔室的腔室壁201與一或多個沉積源225之間。特別地，第一軌道配置110可設置在腔室壁201與第二軌道配置130之間。同樣地，第二軌道配置130可設置在第一軌道配置110與一或多個沉積源225之間。
請參考第1A圖。基板載具120可包括提供一支撐表面122的一支撐結構或主體，支撐表面122可以是經配置以接觸例如基板10的一後表面之一實質上平坦的表面。特別地，基板10可以具有與後表面相對的一前表面(亦稱為「處理表面」)，並在一真空處理期間(例如是真空沉積處理)於其上沉積一層。基板10的第一端12可以是基板10的一第一邊緣，且基板10的第二端14可以是基板10的一第二邊緣。處理表面可以在第一端或第一邊緣與第二端或第二邊緣之間延伸。基板的第一端(或第一邊緣)和第二端(或第二邊緣)可在例如第一方向上彼此實質上平行地延伸。同樣地，遮罩20的第一端22可以是遮罩20的一第一邊緣，且遮罩20的第二端24可以是遮罩的一第二邊緣，遮罩的第一端或第一邊緣與第二端(或第二邊緣)可在例如第一方向上彼此實質上平行地延伸，其中第一方向可以是x方向。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，基板載具120可以是一靜電吸盤(E-吸盤)，其提供一靜電力以將基板10及選擇性地將遮罩維持在基板載具120處，且特別是維持在支撐表面122處。作為一例，基板載具120包括一電極配置(electrode arrangement，未繪示)，其經配置以提供作用於基板10和遮罩20中的至少一者上的一吸引力。
根據一些實施例，基板載具120包括電極配置及一控制器，所述電極裝置具有經配置以提供用於將基板10和遮罩20中的至少一者保持在支撐表面122上之一吸引力的多個電極。控制器可經配置以將一個或多個電壓施加至電極配置以提供所述吸引力(亦稱作「夾持力(chucking force)」)。
電極配置的多個電極可被嵌入至主體中，或可被提供至(例如放置)在主體上。根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，所述主體是一介電體(dielectric body)，例如是一介電板。介電體可由一介電材料所製成，較佳為一高導熱性介電材料，例如是熱解氮化硼(pyrolytic boron nitride)、氮化鋁(aluminum nitride)、氮化矽(silicon nitride)、氧化鋁(alumina)或一等效材料，但亦可由如聚醯亞胺(polyimide)之材料所製成。在一些實施例中，多個電極，例如是網格的精細金屬條(grid of fine metal strip)可被放置在介電板上並以一薄介電層覆蓋。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，基板載具120包含一個或多個電壓源，電壓源經配置以將一個或多個電壓施加至多個電極。在一些實施方式中，所述一個或多個電壓源經配置以將多個電極中的至少一些電極接地。舉例而言，一個或多個電壓源可經配置以施加具有一第一極性的一第一電壓、具有一第二極性的一第二電極及/或接地至多個電極。
電極配置，且特別是多個電極，可經配置以提供吸引力，例如是一夾持力。吸引力可以是在多個電極(或支撐表面122)與基板10及/或遮罩20之間的一特定相對距離處作用於基板10及/或遮罩20上的一力。吸引力可以是由被施加至多個電極的電壓所提供的一靜電力。吸引力的強度可由電壓極性(voltage polarity)和電壓位準(voltage level)來決定。可藉由改變電壓極性及/或改變電壓位準來改變吸引力。
基板10可受基板載具120提供的吸引力吸引而朝向支撐表面122，例如在與第一方向(x方向) 及/或第二方向(y方向)垂直的第三方向(z方向)，吸引力的強度可足以透過摩擦力將基板10固持在例如一實質上垂直(essentially vertical)的位置。具體地，吸引力可經配置以實質上使基板10在支撐表面122上固定保持不動。舉例來說，為了將一0.5 mm的玻璃基板透過摩擦力而固定在一垂直位置，可根據摩擦係數使用一大約50~100N/m2 (Pa)的一吸引的壓力。
在本揭露中，一「遮罩載具」應理解成經配置以固持遮罩的一載具。舉例來說，遮罩可以是一邊緣排除遮罩(edge exclusion mask)或一陰影遮罩(shadow mask)。邊緣排除遮罩係經配置以遮蔽基板的一個或多個邊緣區域的一遮罩，使得在基板的塗覆期間沒有材料沉積在一個或多個邊緣區域上。陰影遮罩係經配置以遮蔽待沉積在基板上的多個特徵結構的一遮罩。舉例來說，陰影遮罩可包括多個小開口，例如是網格(grid)的小開口。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，第一軌道配置110和第二軌道配置130在第一方向(x方向)上延伸，第一方向(x方向)可以是一實質上水平方向。具體地，第一部分、第二部分、另外第一部分及另外第二部分都可在第一方向上延伸。換言之，第一部分、第二部分、另外第一部分及另外第二部分可實質上彼此平行地延伸。第一部分、第二部分、另外第一部分及另外第二部分之延伸亦可稱作「縱向延伸(longitudinal extension)」。
在一些實施方式中，第一軌道配置110經配置以至少在第一方向上輸送基板載具120。同樣地，第二軌道配置130經配置至少在第一方向上輸送基板載具140。第一方向亦可稱作「傳送方向」。
根據一些實施例，第一部分(例如第一軌道112)和另外第一部分(例如另外第一軌道132)係設置在由第一方向和垂直於第一方向之另一方向所界定的一第一平面中。同樣地，第二部分(例如第二軌道114)和另外第二部分(例如另外第二軌道132)係設置在由第一方向和另一方向所界定的一第二平面中。第一平面和第二平面可實質上彼此平行。在一些實施方式中，第一平面和第二平面可以是實質上垂直平面(essentially vertical plane)或實質上水平平面(essentially horizontal plane)。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，第一方向可以是一水平方向(x方向)。另一方向可以是另一水平方向或一垂直方向。舉例來說，另一方向可以是第二方向(y方向)或第三方向(z方向)，其中第二方向可以是一實質上垂直方向，第三方向可以是一實質上水平方向。
在一些實施例中，第一距離D和第二距離D’係界定在與第一方向和另一方向垂直的一方向上，例如是第二方向(y方向)上。第一距離D可以是第一部分和第二部分之間的一間距，例如是相互面對之第一部分和第二部分的最外表面或邊緣表面之間的一間距。同樣地，第二距離D’可以是另外第一部分和另外第二部分之間的一間距，例如是相互面對之另外第一部分和另外第二部分的最外表面或邊緣表面之間的一間距。
根據一些實施例，在第一部分(例如是第一軌道112)與另一個第一部分(例如另外第一軌道132)之間的一第三距離或第三間距可以是100mm或更小、具體為70mm或更小、具體為50mm或更小，且更具體是40mm或更小。同樣地，第二部分(例如第二軌道114)和另一個第二部分(例如另一個第二軌道134)之間的一第四距離或第四間距可以是200mm或更小、100mm或更小、具體為70mm或更小，且更具體為50mm以下。第三距離和第四距離可實質上相等。在一些實施方式中，第三距離和第四距離可被定義在第二方向(y方向)上，此第二方向可以是一垂直方向，或可被定義在第三方向(z方向)上，此第三方向可以是一水平方向。第2圖中繪示出後者的情況。此些距離或間距可被定義在彼此面對之各別部分的邊緣或表面之間。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，設備200可經配置以用於基板載具120及/或遮罩載具140之非接觸式懸浮(contactless levitation)及/或非接觸式輸送(contactless transportation)。舉例來說，設備200可包括經配置以基板載具120及/或遮罩載具140之非接觸式懸浮的一導引結構。同樣地，設備200可包括經配置以基板載具120及/或遮罩載具140之非接觸式輸送的一驅動結構。參照至第1圖和第2圖進一步說明非接觸式懸浮及非接觸式輸送。
在本揭露中，經配置以非接觸式輸送的一軌道或軌道配置係被理解為經配置以載具(特別是基板載具或遮罩載具)之非接觸式輸送的一軌道或軌道配置。用語「非接觸式(contactless)」可被理解為載具的重量(例如基板載具或遮罩載具的重量)並非由一機械式接觸或機械外力支撐，而是由一磁力支撐。特別地，可以使用磁力而非機械力將載具維持在一懸浮(leviating)狀態或浮動(floating)狀態。舉例來說，在一些實施方式中，載具和輸送軌道之間可以沒有機械接觸，特別是在基板載具及/或遮罩載具之懸浮、移動和定位期間。
載具之非接觸式懸浮及/或輸送係有益的，因其在輸送期間不會由於例如與導引軌道的機械接觸而產生微粒(particle)。當使用非接觸式懸浮及/或輸送時，粒子生成(particle generation)係被最小化，故沉積於基板10上之層的純度(purity)和均勻度(uniformity)可得到改善。
在一些實施方式中，基板載具120具有一第一尺寸H(或第一延伸)，並且遮罩載具140具有一另外第一尺寸H’(或另外的第一延伸尺寸）。第一尺寸H和另外第一尺寸H’可被定義在垂直於第一方向的一方向上。舉例來說，第一尺寸H和另外第一尺寸H’可被定義在第二方向上，第二方向可以是一垂直方向。第一尺寸H和另外的第一尺寸H’可分別是基板載具120和遮罩載具140的高度。第一尺寸H和另外第一尺寸H’可實質上相同。換言之，基板載具120可適配於在第一軌道配置110的第一部分與第二部分之間，及適配於第二軌道配置130的另外第一部分與另外第二部分之間。同樣地，遮罩載具140可適配於第一軌道配置110的第一部分與第二部分之間，及適配於第二軌道配置130的另外第一部分與另外第二部分之間。
根據一些實施例，第一尺寸H和另外第一尺寸H’等於或小於第一距離D和第二距離D’。換言之，基板載具120和遮罩載具140小於第一部分和第二部分之間的間隙。一第一間隙G1’可設置於第一軌道配置110的第一部分與基板載具120的一第一邊緣(例如是一下邊緣)之間。第二間隙G2可設置於第一軌道配置110的第二部分與基板載具120的一第二邊緣(例如是一上邊緣)，第一邊緣和第二邊緣可以是基板載具120之相對的邊緣(opposite edges)。同樣地，一另外第二間隙G2’可以設置於第二軌道配置130的另外第二部分和遮罩載具140的一第二邊緣(例如是一下邊緣)之間，第一邊緣和第二邊緣可以是遮罩載具140之相對的邊緣。
第一間隙G1、第二間隙G2、另外第一間隙G1'及另外第二間隙G2’可實質上相同或相等。間隙的尺寸或寬度可被定義在垂直於第一方向的一方向(例如是第二方向)上。舉例來說，第一間隙G1、第二間隙G2、另外第一間隙G1’及另外第二間隙G2’可以小於30mm、具體為小於10mm，且更具體為小於5mm。舉例來說，第一間隙G1、第二間隙G2、另外第一間隙G1’及另外第二間隙G2’中的至少一者可以在1~5mm之間的範圍內，且較佳地在1~3mm之間的範圍內。
一個或多個的沉積源225可設置於真空腔室中。基板載具120可經配置以在一真空沉積過程期間支撐基板10。真空系統可經配置以蒸發用於OLED裝置之製造的一有機材料。舉例來說，一個或多個的沉積源225可以是蒸發源，特別是用於在基板上沉積一個或多個有機材料以形成一OLED裝置的一層的蒸發源。用於支撐基板10的基板載具120可沿由第一軌道配置110提供的一輸送路徑(例如是一線性輸送路徑)輸送進入並通過真空腔室，且特別是進入及/或通過一沉積區域。
可從一個或多個沉積源225將材料沿一發射方向上朝向待塗覆基板10所位於的沉積區域發射。舉例來說，一個或多個沉積源225可提供一線源，此線源具有沿一個或多個沉積源225的長度設置於至少一條線中的多個開口及/或噴嘴。可以透過此些開口及/或噴嘴發射材料。
本揭露的設備可經配置以定位載具，特別是基板載具及/或遮罩載具。特別地，此設備可經配置以將基板載具及/或遮罩載具沿軌道配置移動。更具體地，設備可經配置以透過將基板載具沿第一軌道配置移動以將基板載具定位在一第一位置。另外，此設備可經配置以透過將遮罩載具沿第二軌道配置移動以將遮罩載具定位在一第二位置。舉例來說，第一軌道配置和第二軌道配置可經配置以用於非接觸式輸送。因此，此設備可經配置以將基板載具和遮罩載具彼此獨立地移動，使得基板載具和遮罩載具可相對於彼此定位，以例如是將基板載具與遮罩載具對準(aligning)。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，載具經配置以在一實質上垂直定向(vertical orientation)上支撐或支持基板或遮罩。如本揭露之通篇所使用的，當提及基板定向(substrate orientation)時，「實質上垂直」係特別被理解為允許與垂直方向或定向±20°或更低的一偏差，例如是±10°或更低。此偏差可作為示例被提供，因為具有與垂直定向的一些偏差之基板支撐可能達到一更穩固的基板位置。此外，載當基板向前傾斜時，少量的微粒會到達基板表面。然而，例如在真空沉積過程期間，基板定向被視為是實質上垂直的，此被視為相異於被視為水平±20°或更低的水平的基板定向。
用語「垂直方向(vertical direction)」或「垂直取向(vertical orientation)」係理解為可與「水平方向(horizontal direction)」或「水平取向(horizontal orientation)」區分。也就是說，「垂直方向」或「垂直定向」係涉及例如是載具的一實質上垂直定向，其中幾度的一偏差，例如是與一準確的垂直方向或垂直定向高達10°或甚至高達15°的一偏差仍被視為是一「實質上垂直方向」或一「實質上垂直定向」。 垂直方向可實質上平行於重力。
本揭露所述實施例可利用於大面積基板上的蒸發，例如是用於製造OLED顯示器。具體而言，根據本揭露所述實施例的結構和方法提供之基板係為大面積基板。舉例來說，大面積基板或載具可以是GEN 4.5，其對應於約0.67m2 (0.73×0.92m)的一表面積、GEN 5，其對應於約1.4m2 (1.1m×1.3m)的一表面積、GEN 7.5，其對應於約4.29 m2 (1.95m×2.2m)的一表面積、GEN 8.5，其對應於約5.7m2 (2.2m×2.5m)的一表面積、或甚至GEN 10，其對應於約8.7m2 (2.85m×3.05m)的一表面積。可以類似地以甚至更大的GEN，例如GEN 11和GEN 12以及對應的表面積實施。亦可以提供此些GEN之一半尺寸於製造OLED顯示器中。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，基板厚度可為0.1至1.8mm。基板厚度可以是約0.9mm或更小，例如0.5mm。本揭露使用的用語「基板(substrate)」可特別包括實質上非可撓性的基板，例如是一晶圓(wafer)、諸如藍寶石或類似物的透明晶體片、或一玻璃板。然而，本揭露並不限於此，並且用語「基板」還可以包括可撓性基板，例如是一腹板(web)或一金屬薄片(foil)。用語「非可撓性」係理解為與「可撓性」區分。具體而言，實質上非可撓性的基板可具有一定程度的可撓性，舉例來說，與可撓性基板相比，具有0.9mm或更小(例如0.5mm或更小)之厚度的一玻璃板的可撓性較小。
根據本揭露所述實施例，基板可以由適於材料沉積的任何材料所製成。舉例來說，基板可由選自於玻璃(例如鈉鈣玻璃、硼矽酸玻璃等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纖維材料或任何其它材料或可經一沉積製程塗佈的材料之組合所構成的群組中的一材料所製成。
用語「遮蔽(masking)」可包括減少及/或阻礙材料在基板10的一個或多個區域上之沉積。遮蔽可用於界定待塗佈的區域。在一些應用中，僅部分的基板10受塗佈，並且未塗佈的部分受遮罩覆蓋。
第3A圖繪示根據本揭露所述其他實施例之用於真空處理的設備300的一示意圖。
設備300包括固持配置310。固持配置310可經配置以將基板載具120和遮罩載具140相對於彼此定位。作為一例，固持配置310可經配置以透過移動基板載具120的同時使遮罩載具140保持靜止或透過移動遮罩載具140的同時使基板載具120保持靜止，以將基板載具120語遮罩載具140相對於彼此對準。在另一些示例中，基板載具120和遮罩載具140均可被移動，以將基板載具120和遮罩載具140相對於彼此定位或對準。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，固持配置310可經配置以固持基板載具120及/或遮罩載具140。固持配置310可至少部分地設置於第一軌道配置與第二軌道配置之間。作為一例，固持配置310的一個或多個的固持配置可設置於第一部分(例如是第一軌道112)與另外第一部分(例如是另外第一軌道132)之間。固持配置310的一個或多個另外的固持裝置(holding device)可設置於第二部分(例如第二軌道114)與另一第二部分(例如另外第二軌道134)之間。
在一些實施方式中，固持配置310可設置在真空腔室的一頂壁及/或一底壁上。舉例來說，固持配置310可從底壁延伸至介於第一部分(例如是第一軌道112)和另外第一部分(例如是另外第一軌道132)之間的一位置。同樣地，固持配置310可從頂壁延伸至第二部分(例如是第二軌道114)與另外第二部分(例如另外第二軌道134)之間的一位置。
根據一些實施例，固持配置310經配置以將遮罩載具140及/或基板載具120固持在一預定位置。此外，選擇性地，固持配置310可經配置以將遮罩載具140相對於基板載具120定位或將基板載具120相對於遮罩載具140定位。藉由在第一軌道配置與第二軌道配置之間提供固持配置310，可改善基板載具120與遮罩載具140的對準。
在一些實施方式中，固持配置310包括一個或多個固持裝置，此固持裝置可經配置以可移動於異於一基板輸送方向(即，第一方向)的一移動方向上。舉例來說，此一個或多個固持裝置可經配置以可移動於質上平行及/或實質上垂直於基板表面的一平面的一方向上。在第3圖中，繪示於一個或多個固持裝置上的雙箭頭係表示一個或多個固持裝置的移動方向。
在一些實施方式中，遮罩載具140可在第二軌道配置上被輸送至固持配置310所設置於的一預定位置，可移動的固持裝置(holding device)可朝向遮罩載具140移動，以使遮罩載具140保持在預定位置。其後，基板載具120可在第一軌道配置上被輸送至與遮罩載具140相應的一預定位置。將遮罩載具140固持的一個或多個固持裝置可經配置以將基板載具120固持，例如透過使用一夾持力(例如是一磁力或一電磁力)夾持基板載具120。
根據一些實施例，如第3A圖的實例中所示，相同的固持裝置可被用以固持基板載具120及遮罩載具140。在進一步的實施例中，如第4A及4B圖的實例中所示，不同的固持裝置可被用以分別地固持基板載具120及遮罩載具140。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，固持配置310可包括一對準系統，此對準系統經配置以相對於遮罩載具140對準基板載具120。具體地，對準系統可經配置以相對於遮罩載具140調整基板載具120的位置。舉例來說，對準系統可包括二個或更多對準致動器(alignment actuator)，例如是四個對準致動器。舉例來說，對準系統可經配置以將固持基板10的基板載具120相對於固持遮罩20的遮罩載具140對準，以在材料的沉積(有機材料的沉積)之期間提供基板10與遮罩20之間的一適當對準。
在一些實施方式中，遮罩載具140可移動進入第二軌道配置上的一預定遮罩位置。此後，固持配置310可向前移動以固持遮罩載具140。在遮罩載具140受定位後，基板載具120可移動至一預定基板位置。其後，可透過例如本文所述之對準系統，將基板載具相對於遮罩載具140對準。
在一些實施方式中，固持配置包括一個或多個用於將基板載具120和遮罩載具140相對於彼此定位的對準致動器。作為一例，二個或更多對準致動器可係為用於將基板載具120和遮罩載具140相對於彼此定位的壓電致動器(piezoelectric actuator)。然而，本揭露不限於壓電致動器。作為一例，二個或更多對準致動器可係為電動(electric actuator)或氣動致動器(pneumatic actuator)。二個或更多對準致動器可例如係為線性對準致動器(linear alignment actuator)。在一些實施方式中，二個或更多對準致動器可包括選自由下列所組成之群組的至少一個致動器：步進致動器(stepper actuator)、無刷致動器(brushless actuator)、直流電致動器(direct current actuator，DC actuator)、音圈致動器(voice coil actuator)、壓電致動器(piezoelectric actuator)、及上述之任何組合。
根據一些實施例，一個或多個對準致動器可係設置在第一運輸配置與第二運輸配置之間。特別地，一個或多個對準致動器可設置在基板載具120和遮罩載具140之間。一個或多個對準致動器可藉由節省空間之方式實施，進而減小設備的佔地面積。
根據本揭露的一些實施例，固持配置310可經配置以固持遮罩載具及/或基板載具。根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，固持配置310可包括至少一固持裝置，且可包括至少二個固持裝置，例如三個固持裝置，四個固持裝置或更多。固持裝置可具有一接收部，此接收部可經配置以連接至設置於遮罩載具或基板載具上的至少一匹配連接元件(mating connecting element)。舉例來說，此至少一匹配連接元件可經配置作為一鎖固螺栓。當遮罩載具及/或基板載具位於一預定位置時，固持裝置和鎖固螺栓可有利地用於固持正確的位置。根據一些實施例，固持配置亦可以包括固持裝置，其中固持裝置利用磁力連接至遮罩載具及/或基板載具。舉例來說，一個或多個固持裝置可以包括一電磁體，此電磁體可被啟動以將固持裝置與遮罩載具或基板載具接合。根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，固持裝置可包括二個固持裝置(即，用於固持遮罩載具的一固持裝置及用於固持基板載具的一固持裝置)，例如可提供二個磁性的固持裝置，以用於固持配置。
第3B圖繪示出根據本文描述之其他實施例的用於真空處理的一設備300的示意圖。
設備300包括固持配置310。關於第3A圖，如前所述，固持配置310可經配置以將基板載具120及遮罩載具140相對於彼此定位。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，固持配置310可經配置以固持基板載具120及/或遮罩載具140。固持配置310可至少部分地設置於第一軌道配置和第二軌道配置之間。作為一例，固持配置310的一個或多個固持裝置可被設置於諸如第一部分(例如是第一軌道112)和另外第一部分(另外第一軌道132)之間。固持配置310的一個或多個固持裝置可被設置於諸的第二部分(例如第二軌道114)與另外第二部分(例如另外第二軌道134)之間。根據一些實施例，設置於第一軌道配置與第二軌道配置之間的一固持裝置可具有一第一元件以固持遮罩載具，且具有一第二元件以固持基板載具。第一元件和第二元件可例如係為一磁性元件或一鎖固螺栓。
在一些實施方式中，固持配置310可設置於真空腔室的一頂壁及/或一底壁上。固持裝置至少部分地設置於遮罩載具和基板載具之間或各自的軌道部分之間的間隙內。作為一例，固持配置310可從底壁延伸至第一部分(例如是第一軌道112)與另外第一部分(例如是另外第一軌道132)之間的位置。同樣地，固持配置310可從頂壁延伸至第二部分(例如是第二軌道114)與另外第二部分(例如是另外第二軌道134)之間的位置。根據本揭露的一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，設置於第一軌道與第二軌道(例如是一遮罩軌道與一在載具軌道)之間的間隙中的固持配置可被提供用於一設備300，其中遮罩載具大於基板載具或反之亦然。使遮罩載具大於基板載具減小了腔室部件的風險，例如一腔室壁的一部分係以材料塗佈。舉例來說，第一軌道112與另外第一軌道132之間可能存在偏移(offset)。此外，第二軌道114和另外第二軌道134之間可能存在偏移。
透過在第一軌道配置和第二軌道配置之間提供固持配置310，可改善基板載具120和遮罩載具140的對準。舉例來說，固持配置的長度(尺寸)可減小，使得固持裝置的長度之槓桿作用(leverage)不會增加不準確性(inaccuracies)。根據一實施例，固持配置可至少部分地設置於第一軌道與第二軌道之間的一間隙中。固持配置經配置以在面向間隙的一側固持一第一載具(例如是基板載具)，並經配置以在面向間隙的一側固持第二載具(例如是遮罩載具)。此外，本文所描述的其他實施例之細節和方面可供以作為另外的實施例。
第4A圖和第4B圖繪示根據本文所述另外的實施例之用於基板10之真空處理並具有一固持配置的一設備400之示意圖。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，固持配置經配置以固持基板載具120及/或遮罩載具140。固持配置可設置於鄰近於第一軌道配置或第二軌道裝配置的真空腔室的一腔室壁201，例如是一側壁。
在一些實施方式中，固持配置包括一個或多個固持裝置，例如是經配置以固持遮罩載具140的一個或多個第一固持裝置412及/或經配置以固持基板載具120的一個或多個第二固持裝置422。一個或多個固持裝置經配置成可在與基板輸送方向(即第一方向)不同的一移動方向上移動。舉例來說，一個或多個固持裝置經配置成可在與基板表面的一平面實質上垂直的一方向上，例如是在第三方向上。在第4A圖中，描繪於一個或多個固持裝置上的雙向箭頭指示出一個或多個固持裝置的移動方向。
在一些實施方式中，遮罩載具140可在第二軌道配置上被輸送至固持配置所設置於的一預定位置，一個或多個第一固持裝置412可朝向遮罩載具140移動，以例如透過使用一夾持力(例如是一磁力或一電磁力)夾持，將遮罩載具140固持在預定位置。其後，基板載具120可在第一軌道配置上被輸送至與遮罩載具140相應的一預定位置。一個或多個第二固持裝置422中的至少一者可朝向基板載具120移動，以例如透過使用一夾持力(例如是一磁力或一電磁力)夾持，將基板載具120固持在預定位置。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，基板載具120在第一方向(x方向)上的延伸(例如是長度)與遮罩載具140在第一方向(x方向)上的延伸(例如是長度)係不同的。具體而言，基板載具120和遮罩載具140可具有相同的高度，但具有不同的長度。特別地，基板載具120的長度可小於遮罩載具140的長度。
長度的差值係可選擇，以使可被安裝於真空腔室的側壁上的一個或多個第一固持裝置412可通過基板載具120的邊緣以抓取並固持遮罩載具。特別地，一個或多個第一固持裝置412可通過基板載具120而不與基板載具120干涉。
在一些實施方式中，遮罩載具140可移動至第二軌道配置上的一預定遮罩位置中，而基板載具120可移動至第一軌道配置上的一預定基板位置中。其後，固持配置可以向前移動以保持遮罩載具140和基板載具120。接著，基板載具可例如透過本文所述之對準系統相對於遮罩載具140對準，反之亦然。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，如關於第3A圖所述，固持配置可包括經配置以將基板載具120相對於遮罩載具140對準的一對準系統。特別地，對準系統可經配置以相對於遮罩載具140調整基板載具120的位置。
第5A、5B圖繪示根據本文所述實施例之用以輸送一載具的一輸送配置的示意圖。第5A、5B圖示例性繪示出基板載具120。第6圖繪示出根據本文所述其他實施例之用以真空處理基板10的設備之示意圖。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，所述設備包括經配置以在第一方向上非接觸式移動基板載具120和遮罩載具140的一驅動結構。驅動結構可包括第一部分(例如是第一軌道112)和另外第一部分(例如是另外第一軌道132)。所述設備還可包括經配置以在真空腔室中非接觸式懸浮基板載具120和遮罩載具140的一引導結構，該引導結構經配置以非接觸式懸浮(levitate)基板載具120和遮罩載具140。引導結構可包括第二部分(例如是第二軌道114)和另外第二部分(例如是另外第二軌道134)。驅動結構可以是一磁性驅動結構及/或引導結構可以是一磁性引導結構。
在一些實施方式中，驅動結構包括經配置以在第一方向上非接觸式移動基板載具120的一第一驅動子結構510和經配置以在第一方向上非接觸式移動遮罩載具140的一第二驅動子結構512。第一驅動子結構510可包括第一部分(例如是第一軌道112)，而第二驅動子結構可包括另外第一部分(例如是另外第一軌道132)。同樣地，引導結構可包括經配置以非接觸式基板載具120的一第一引導子結構520和經配置以非接觸式懸浮遮罩載具140的一第二驅動子結構512。第一引導子結構520可以包括第二部分(例如是第二軌道114)，而第二引導子結構522可包括另外第二部分(例如是另外第二軌道134)。
應當理解與第一軌道配置的第一引導子結構連接且與第一軌道配置的第一驅動子結構連接的第5A、5B圖所描述的特徵亦可各別應用於第二引導子結構和第二驅動子結構。因此，如第6圖所示，第二引導子結構522可經配置成一引導子結構，而第二驅動子結構512可經配置成關於第5A、5B圖所描述的一驅動子結構。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，第一軌道配置的第一引導子結構520可以是一第一磁性引導子結構，而第一軌道配置的第一驅動子結構可以是一第一磁性驅動子結構。 第一引導子結構520可在一基板載具輸送方向(例如是x方向)上延伸。 第一引導子結構520可包括多個主動磁性元件523。此外，基板載具120可包括一第二被動磁性元件124。舉例來說，第二被動磁性元件124可以是鐵磁材料的一棒(bar)或一桿(rod)，鐵磁材料可以是基板載具120的一部分。或者，第二被動磁性元件124可與基板載具120一體形成(integrally formed)。
在一些元件中，多個主動磁性元件523的至少一主動磁性元件經配置以提供與基板載具120的第二被動磁性元件124相互作用的一磁力。特別地，第二被動磁性元件124與第一引導子結構520的多個主動磁性元件523可經配置以提供一磁浮力以懸浮基板載具120，如指向第一引導子結構520的垂直箭頭所示。換言之，多個主動磁性元件523經配置以提供一磁力作用於第二被動磁性元件124上，由此作用於基板載具120上。因此，多個主動磁性元件523可非接觸式懸浮基板載具120。
根據一些實施例，第一驅動子結構510可包括多個另外主動磁性元件513。另外主動磁性元件513可經配置以沿一輸送方向(例如沿x方向)驅動基板載具120。多個另外主動磁性元件513可形成第一驅動子結構510以在由多個主動磁性元件523懸浮的同時移動基板載具120。如第5A、5B圖所示，基板載具120可包括一第一被動磁性元件123(例如是經配置成與第一驅動子結構510的另外主動磁性元件513相互作用的一鐵磁材料棒)。第一被動磁性元件123可連接至基板載具120或係與基板載具120一體形成。
另外主動磁性元件513可經配置以與第一被動磁性元件123相互作用以沿輸送方向提供一力。舉例來說，第一被動磁性元件123可包括多個永久磁體，此些永久磁體係以交替的極性排列。第一被動磁性元件123的成果磁場(resulting magnetic field)可與多個另外主動磁性元件513相互作用以移動懸浮中的基板載具120。
為了利用多個主動磁性元件523懸浮基板載具120及/或利用多個另外主動磁性元件513移動基板載具120，可控制主動磁性元件以提供可調整的磁場。可調整的磁場可以是一靜態或動態的磁場。根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，如本文所述的主動磁性元件可經配置以產生一磁場以提供例如沿一垂直方向延伸的(例如是第5A、5B圖所示之y方向)一磁浮力。或者，如本文所述的主動磁性元件可經配置以提供沿一橫向方向延伸的磁力。特別地，如本文所述的主動磁性元件可以是或包括一元件，此元件選自於一電磁裝置(electromagnetic device)、一螺線管(solenoid)、一線圈(coil)、一超導磁體(superconducting magnet)或上述之任何組合構成的一群組。
如第5A及5B圖所示，第一引導子結構520可沿基板載具120的輸送方向(即第5A及5B圖中所示的第一方向或x方向)延伸。特別地，第一引導子結構520可具有沿第一方向延伸的一線性形狀。第一軌道配置(例如第一引導子結構520和第一驅動子結構510)的長度沿第一方向可介於1~30 m。為了說明的目的，第5A及5B圖中的水平箭頭表示第一驅動子結構510的一可能的驅動力以例如沿第一軌道配置由左到右(反向亦然)移動基板載具120。
如第5A及5B圖中所示，二個或多個主動磁性元件523’可由一基板載具控制器530啟動以產生用以懸浮基板載具120的磁場。舉例而言，在操作期間，基板載具120可懸掛在第一引導子結構520下方而沒有機械接觸。應當理解的是，第二被動磁性元件124可在輸送方向上實質上沿第二被動磁性元件124的長度具有磁性。主動磁性元件523’產生的磁場與第二被動磁性元件124的磁性相互作用以提供如第5A及5B圖中的垂直箭頭所示之一第一磁浮力和一第二磁浮力。可提供基板載具120的非接觸式懸浮、輸送及對準。在第5A圖中，二個主動磁性元件523’提供由垂直箭頭表示的一磁力。磁力抵抗重力以懸浮基板載具120。基板載具控制器530可經配置以被單獨控制二個主動磁性元件523’以將基板載具120維持在一懸浮狀態。
在一些實施例中，一個或多個另外主動磁性元件513’可由基板載具控制器530控制。另外主動磁性元件513’與第一被動磁性元件123相互作用。舉例來說，第一被動磁性元件123可以包括一組交替的永久磁體，以產生如第5A圖中的水平箭頭示所示的一驅動力。例如，被同時控制以提供驅動力的另外主動磁性元件513’的數量可介於1~3或更多。因此，在一第一位置處，基板載具120位於第一組的主動磁性元件下方，而在另一不同位置處，基板位於另外的不同組的主動磁性元件下方。一般來說，基板載具控制器530經配置以控制此些主動磁性元件為各自的位置提供一懸浮力。舉例來說，當基板載具120移動同時，其後的主動磁性元件可提供懸浮力。因此，基板載具120可以從一組主動磁性元件輸送至另一組的主動磁性元件。
在第二位置，如第5圖所示，二個主動磁性元件523’提供由左垂直箭頭所示的一第一磁力和由右垂直箭頭所示的一第二磁力。基板載具控制器530可經配置以控制二個主動磁性元件523’以提供在垂直方向(例如是第5B圖中所示的y方向)上的對準。附加地或替代地，基板載具控制器530可經配置以控制二個磁性元件523'以提供對準，其中載具可以在x-y平面中旋轉。兩個對準運動都可以在圖2中示例性地看到。通過比較虛線基板載具的位置和用實線畫出的基板載具的位置，
應當理解的是，基板載具控制器530可經配置以控制主動磁性元件523’在一垂直方向上將基板載具120平移地對準例如本文所述的遮罩載具120。此外，藉由控制主動磁性元件，基板載具120可被定位於一目標垂直位置中。基板載具120可在基板載具控制器530的控制下維持在目標垂直位置。此外，基板載具控制器530可經配置以控制主動磁性元件523’以將基板載具120相對於一第一旋轉軸(例如是與基板表面垂直的一旋轉軸，如第5B圖中所示之在z方向上延伸的一旋轉軸)成一角度地對準。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，設備可經配置以提供對準，特別是例如在一垂直方向上將基板載具120相對於遮罩載具140非接觸式對準，對準範圍介於0.1~3mm。此外，在垂直方向上的對準精度，特別是一非接觸對準精度(contactless alignment precision)可為50μm或更小，例如是1~10μm(如5μm)。此外，將裝置定位的一旋轉對準精度(rotational alignment precision)，特別是一非接觸旋轉對準精度(contactless rotational alignment precision)可為3°或更小。
如上所述，第一驅動子結構510的一個或多個另外主動磁性元件513’經配置以沿第一軌道112的延伸方向(例如是x方向)提供一驅動力。應當理解的是，基板載具控制器530可經配置以控制一個或多個另外主動磁性元件513’以提供在一輸送方向(例如第5A、5B圖中的x方向)上的對準。基板載具120在輸送方向(例如是x方向)上的對準可具有沿第一軌道112的長度延伸的對準範圍。具體地，輸送方向中的對準精度(特別是非接觸對準精度)可為50μm或更低，例如是5μm或30μm。
本文所述之設備的實施例提供基板載具之懸浮移動，以允許在一輸送方向和/或一垂直方向上將基板高精度定位。此外，本文所述之設備的實施例透過例如水平及/或垂直及/或旋轉的對準來改善基板載具相對於遮罩載具之對準。
參照至第6圖，其繪示具有係為第一磁性引導子結構的一第一引導子結構520和係為第一磁性驅動子結構的一第一驅動子結構510的裝置之側視示意圖。此外，第6圖繪示裝置可具有一第二引導子結構522(例如是第二磁性引導子結構)和一第二驅動子結構512(例如是第二磁性驅動子結構)。如第6圖所示，應當理解的是，關於第5A圖和第5B圖中所描述的第一軌道配置的選擇性特徵係準用 (mutatis mutandis) 於第二軌道配置。具體地，關於第5A圖和第5B圖所描述，遮罩載具140可一第一被動磁性元件142和一第二被動磁性元件144。此外，關於第5A圖和第5B圖所描述，第二引導子結構522可包括多個主動磁性元件523，而第二驅動子結構512可包括多個另外主動磁性元件513。類似於用以控制基板載具120之懸浮和輸送的基板載具控制器530，可提供用以控制遮罩載具140之懸浮和輸送的一遮罩載具控制器。特別地，控制遮罩載具140之懸浮和輸送的原理比照適用對應關於第5A和5B圖所描述之控制基板載具12之的懸浮和輸送的原理。
第7圖繪示根據本文所述實施例之用於基板之真空處理的一系統700之示意圖。
系統700包括根據本文所述實施例之用於基板的真空處理裝置、基板載具120和遮罩載具140。在一些實施例中，第一軌道配置110經配置以輸送基板載具120和遮罩載具140，且/或第二軌道配置130經配置於輸送基板載具120和遮罩載具140。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，系統700包括具有根據本文所述之任何實施例的設備的一真空腔室(例如是一真空處理腔室701)。此外，系統700包括具有一輸送配置的至少一另外腔室702。此至少一另外腔室702可為一旋轉模組、一輸送模組或上述之組合。在旋轉模組中，設置於其上的軌道配置和載具可繞一旋轉軸(例如是一垂直旋轉軸)旋轉。舉例來說，載具可從系統700的左側輸送至系統700的右側，反之亦然。輸送模組可包括交叉軌道，使得載具可以沿不同方向(例如是互相垂直的方向)輸送通過輸送模組。真空處理腔室701可經配置以被沉積有機材料。真空處理腔室701中具有一沉積源225，特別是一蒸發源。如第7圖所示，沉積源225可設置於一軌道或一線性引導件722上。 線性引導件722可經配置以使沉積源225平移運動。此外，可提供用於沉積源225之平移運動的一驅動器。 具體地，可提供用於沉積源225之非接觸輸送的一輸送設備。
可提供經配置以使沉積源225沿線性引導件722平移運動的一源支撐件731。源支撐件731可支撐一蒸發坩鍋721及設置於蒸發坩鍋721上的一分配組件726。因此，蒸發坩堝721中產生的蒸氣可向上移動並從分配組件726的一個或多個出口流出。因此，分配組件726係經配置以將蒸發的有機材料(特別是蒸發源材料的羽狀物(plume))從分配組件提供至基板。
如第7圖所示，真空處理腔室701可具有數個閘閥715，真空處理腔室701可經閘閥715連接至一相鄰的另外腔室702例如是一路由模組(routing module)或相鄰的服務模組(service module)。特別地，閘閥715允許對相鄰的另外腔室進行真空密封，且可被打開和關閉以將基板及/或遮罩移入或移出真空處理腔室701。
在本揭露中，「真空處理腔室」應當理解為一真空腔室或一真空沉積腔室。此處使用之「真空」用語可理解為在真空技術上，具有小於如10 mbar的真空壓力。如本文所述之真空腔室中的壓力可介於約10-5 mbar至約10-8 mbar之間，特別是介於10-5 mbar至10-7 mbar之間，且更特別地介於約10-6 mbar至約10-7 mbar之間。根據一些實施例，真空腔室中的壓力可被認為是真空腔室中蒸發材料的分壓(partial pressure)或總壓(total pressure，當僅蒸發材料作為待沉積沉於真空腔室中的組分存在時，分壓與總壓可近似於相同)。在一些實施例中，真空腔室中的總壓可介於約10-4 mbar至約10-7 mbar的範圍內，特別是在真空腔室中存在除了蒸發材料之外的第二組分的情況下(例如是一氣體或其類似物)。
參照至第7圖，根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，二個基板(例如是一第一基板10A和一第二基板10B)可被支撐於各別的輸送軌道(例如本文所述之各別的第一軌道配置110)上。此外，可提供二個軌道(例如是本文所述之二個第二軌道配置120)以將遮罩載具140設置於其上。具體地，用於輸送基板載具120和/或遮罩載具140的軌道可依據如關於第1~6圖所描述的方式配置。
在一些實施例中，基板的塗佈可包括透過各別的遮罩遮蔽基板，例如是透過一邊緣延伸遮罩或一陰影遮罩(shadow mask)。根據一些實施例，如第7圖所示，數個遮罩(例如是對應第一基板10A的一第一遮罩20A和對應第二基板10B的一第二遮罩20B)係設置於遮罩載具140中以維持在一預定位置。
根據一些實施例(其可與本文所描述之其他實施例結合)，基板係由基板載具120所支撐，基板載具120經連接元件724連接至一對準系統750。對準系統750可經配置以相對於遮罩調整基板的位置。具體地，對準系統750可以如第3、4A和4B圖所描述的方式配置。應當理解的是，基板可相對於遮罩移動以在有機材料的沉積期間將基板與遮罩適當地對準。因此，遮罩可相對基板定位，或遮罩與基板可相對於彼此定位。本文所述的對準系統可允許在沉積處理期間於遮蔽過程適當地對準，其可利於達到腔室中的OLED顯示器製造。
相對於彼此對準的遮罩與基板之實例包括數個對準單元，例如是關於第3、4A、4B及5圖所描述的對準裝置，其可允許定義出一平面(此平面係實質上平行於基板的平面和遮罩的平面)的至少二個方向上進行相對的對準。舉例來說，可至少在x方向和y方向(即，定義出上述平行平面的二個卡式座標(Cartesian)之方向)進行對準。典型地，遮罩和基板可實質上相互平行。特別地，對準可進一步在實質上垂直於基板平面和遮罩平面的方向上進行。因此，對準單元經配置以至少進行X-Y對準，且特別用以進行遮罩和基板相對於彼此的X-Y-Z對準。一具體實施例，其可與本文所描述之其他實施例結合，係將基板在x方向、y方向及z方向上對準至可在真空處理腔室中維持靜止的一遮罩。
第8圖繪示根據本文所述之實施例的用於輸送真空腔室中的基板載四和遮罩載具之方法800的流程圖。方法800可利用根據本揭露之設備及系統。
方法800包括在流程框810中，進行非接觸式輸送第一軌道配置上的基板載具及第二軌道配置上的遮罩載具，而在流程框820中，進行非接觸式輸送第二軌道配置上的基板載具及在第一軌道配置上的遮罩載具。
根據本文所述之實施例，用於輸送真空腔室中的基板載具和遮罩載具之方法可透過使用電腦程式、軟體、電腦軟體產品及相關控制器來執行，其可具有一中央處理單元(CPU)、一記憶體、一使用者介面和與所述設備的相應部件通訊的輸入及輸出設備。
本揭露提供用於基板載具的一第一軌道配置和用於遮罩載具的一第二軌道配置，此二者在至少一維度(dimension)上具有相同的尺寸。換言之，遮罩載具適配合於第一軌道配置中，而基板載具適配於第二軌道配置中。第一軌道配置和第二軌道配置可靈活地使用在使載具精確且平穩地輸送通過真空系統。固持裝置允許基板相對於遮罩之精確對準，反之亦然。可實現腔室中的製程結果(例如是生產出高解析度的OLED裝置)。
雖然上述內容係針對本揭露的實施例作說明，但可在不脫離本揭露的實質範圍之情況下對本揭露的其他和另外的實施例作修改，且本發明的範圍係由申請專利範圍為準。
10‧‧‧基板
10A‧‧‧第一基板
10B‧‧‧第二基板
12、22‧‧‧第一端
14、24‧‧‧第二端
20‧‧‧遮罩
20A‧‧‧第一遮罩
20B‧‧‧第二遮罩
110‧‧‧第一軌道配置
112‧‧‧第一軌道
114‧‧‧第二軌道
120‧‧‧基板載具
122‧‧‧支撐表面
123、142‧‧‧第一被動磁性元件
124、144‧‧‧第二被動磁性元件
130‧‧‧第二軌道配置
132‧‧‧另外第一軌道
134‧‧‧另外第二軌道
140‧‧‧遮罩載具
142‧‧‧第一被動磁性元件
144‧‧‧第二被動磁性元件
200、300、400‧‧‧設備
201‧‧‧腔室壁
225‧‧‧沉積源
310‧‧‧固持配置
412‧‧‧第一固持裝置
422‧‧‧第二固持裝置
510‧‧‧第一驅動子結構
512‧‧‧第二驅動子結構
513、513’‧‧‧另外主動磁性元件
520‧‧‧第一引導子結構
522‧‧‧第二引導子結構
523、523’‧‧‧主動磁性元件
530‧‧‧基板載具控制器
700‧‧‧系統
701‧‧‧真空處理腔室
702‧‧‧另外腔室
715‧‧‧閘閥
721‧‧‧蒸發坩堝
722‧‧‧線性引導件
724‧‧‧連接元件
726‧‧‧分配組件
731‧‧‧源支撐件
750‧‧‧對準系統
800‧‧‧方法
810、820‧‧‧流程框
D‧‧‧第一距離
D’‧‧‧第二距離
G1‧‧‧第一間隙
G1’‧‧‧另外第一間隙
G2‧‧‧第二間隙
G2’‧‧‧另外第二間隙
H‧‧‧第一尺寸
H’‧‧‧另外第一尺寸
可透過參考實施例來對以上簡要概述進行更具體的說明以詳細理解本揭露的所述特徵。所附圖式係有關於本揭露之實施例且係下文中描述： 　　第1A圖繪示根據本文所述實施例之一第一軌道配置和一基板載具之示意圖。 　　第1B圖繪示根據本文所述實施例之一第二軌道配置和一遮罩載具之示意圖。 　　第2圖繪示根據本文所述實施例之用於基板之真空處理的一設備之示意圖。 　　第3A圖繪示根據本文所述實施例之用於基板之真空處理並具有一固持配置的一設備之示意圖。 　　第3B圖繪示根據本文所述實施例之用於基板之真空處理並具有一固持配置的一設備之示意圖。 　　第4A、4B圖繪示根據本文所述另外的實施例之用於基板之真空處理並具有一固持配置的一設備之示意圖。 　　第5A、5B圖繪示根據本文所述實施例之用於載具之輸送的一輸送配置之示意圖。 　　第6圖繪示根據本文所述另外的實施例之用於基板之真空處理的一設備之示意圖。 　　第7圖繪示根據本文所述實施例之用於基板之真空處理的一系統之示意圖。 　　第8圖繪示根據本文所述實施例之在一真空腔室內輸送一基板載具和一遮罩載具的方法之流程圖。

Claims (20)

  1. 一種用於一基板(10)之真空處理的一裝置(200, 300)，包括： 一真空腔室； 一第一軌道配置(110)，經配置以輸送一基板載具(120)，且包括經配置以在該基板(10)的第一端支撐該基板載具(120)的一第一部分和經配置以在與該基板的第一端相對之該基板(10)的一第二端支撐該基板載具(120)的一第二部分； 一第二軌道配置(130)，經配置以輸送一遮罩載具(140)，且包括經配置以在一遮罩(20)的第一端支撐該遮罩載具(140)的一另外第一部分和經配置以在與該遮罩(20)的第一端相對之該遮罩(20)的第二端支撐該遮罩載具(140)的一另外第二部分，其中在該第一軌道配置的該第一部分和該第二部分之間的一第一距離(D)與在該第二軌道配置的該另外第一部分和該另外第二部分之間的一第二距離(D’)係實質上相同；以及 一固持配置，經配置以將該基板載具(120)和該遮罩載具(140)相對於彼此定位。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置(200, 300)，其中該第一軌道配置(110)和該第二軌道配置(130)在一第一方向上延伸，其中該第一軌道配置(110)配置以至少在該第一方向上輸送該基板載具(120)，且其中該第二軌道配置(130)經配置以至少在該第一方向上輸送該遮罩載具(140)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之裝置(200, 300)，其中該第一部分和該另外第一部分係設置於由該第一方向與垂直於該第一方向的另一方向所定義的一第一平面，且其中該第二部分和該另外第二部分係設置於由該第一方向與一其他方向所定義的一第二平面。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之裝置(200, 300)，其中該第一方向係一水平方向，且該其他方向係另一水平方向或一垂直方向。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之裝置(200, 300)，其中該第一距離(D)和該第二距離(D’)係定義為垂直於該第一方向和該其他方向的一方向。
  6. 如申請專利範圍第2至5項中任一項所述之裝置(200, 300)，更包括經配置以在該第一方向上非接觸式移動該基板載具(12)和該遮罩載具(140)的一驅動結構，其中該驅動結構包括包含該第一部分和該另外第一部分。
  7. 如申請專利範圍第2至5項中任一項所述之裝置(200, 300)，更包括經配置以在該真空腔室中非接觸式懸浮該基板載具(120)和該遮罩載具(140)的一引導結構，其中該引導結構包含該第二部分和該另外第二部分。
  8. 如申請專利範圍第6項的任一項所述之裝置(200, 300)，更包括經配置以在該真空腔室中非接觸式懸浮該基板載具(120)和該遮罩載具(140)的一引導結構，其中該引導結構包含該第二部分和該另外第二部分。
  9. 如申請專利範圍第2至5項中任一項所述之裝置(200, 300)，其中該固持配置(310)經配置以在不同於該第一方向的一方向上將該基板載具(120)和該遮罩載具(140)相對於彼此定位。
  10. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之裝置(200, 300)，其中該固持配置(310)係設置於該真空腔室的一頂壁和一底壁中的至少一者。
  11. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之裝置(200, 300)，其中該固持配置(310)係設置於與該第一軌道配置(110)或該第二軌道配置(130)相鄰的該真空腔室的一第一側壁。
  12. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之裝置(200, 300)，其中該固持配置(310)係至少部分地設置於該第一軌道配置(110)與該第二軌道配置(130)之間。
  13. 如申請專利範圍第1項的任一項所述之裝置(200, 300)，其中該固持配置(310)係至少部分地設置於該第一軌道配置(110)與該第二軌道配置(130)之間。
  14. 如申請專利範圍第6項的任一項所述之裝置(200, 300)，其中該固持配置(310)係至少部分地設置於該第一軌道配置(110)與該第二軌道配置(130)之間。
  15. 如申請專利範圍第7項的任一項所述之裝置(200, 300)，其中該固持配置(310)係至少部分地設置於該第一軌道配置(110)與該第二軌道配置(130)之間。
  16. 如申請專利範圍第9項的任一項所述之裝置(200, 300)，其中該固持配置(310)係至少部分地設置在該第一軌道配置(110)與該第二軌道配置(130)之間。
  17. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之裝置(200, 300)，其中該固持配置(310)包括用於將該基板載具(120)與該遮罩載具(140)相對於彼此定位的一或複數個壓電制動器。
  18. 一種用於一基板之真空處理的系統，包括： 一如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之裝置(200, 300)； 該基板載具(120)；以及 該遮罩載具(140)。
  19. 如申請專利範圍第13項所述之系統(700)，其中該第一軌道配置(110)經配置以輸送該基板載具(120)和該遮罩載具(140)，且其中該第二軌道配置(130)經配置以輸送該基板載具(120)和該遮罩載具(140)。
  20. 一種用於在一真空腔室輸送一基板載具(120)和一遮罩載具(140)的方法，包括： 在一第一軌道配置(110)上非接觸式輸送該基板載具(120)且在一第二軌道配置(130)上非接觸式輸送該遮罩載具(140)；以及 在該第二軌道配置(130)上非接觸式輸送該基板載具(120)且在該第一軌道配置(110)上非接觸式輸送該遮罩載具(140)。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI764206B (zh) * 2019-07-23 2022-05-11 日商佳能特機股份有限公司 對準機構、對準方法、成膜裝置及成膜方法
TWI821763B (zh) * 2021-08-25 2023-11-11 南韓商Ｐｓｋ有限公司 用於處理基板之設備及使用其對準介電板之方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111788330A (zh) * 2018-03-08 2020-10-16 堺显示器制品株式会社 成膜装置、蒸镀膜的成膜方法以及有机el显示装置的制造方法
KR102424400B1 (ko) 2018-09-13 2022-07-22 주식회사 엘지에너지솔루션 열수축성 튜브를 포함하는 배터리 모듈
JP7249142B2 (ja) * 2018-12-14 2023-03-30 キヤノントッキ株式会社 搬送キャリア、蒸着装置、および電子デバイスの製造装置
WO2020147929A1 (en) * 2019-01-15 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Transport system for transporting a carrier, vacuum processing system and method for transportation of a carrier
WO2020242611A1 (en) 2019-05-24 2020-12-03 Applied Materials, Inc. System and method for aligning a mask with a substrate
US11189516B2 (en) 2019-05-24 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Method for mask and substrate alignment
US11756816B2 (en) 2019-07-26 2023-09-12 Applied Materials, Inc. Carrier FOUP and a method of placing a carrier
US10916464B1 (en) 2019-07-26 2021-02-09 Applied Materials, Inc. Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
US11196360B2 (en) 2019-07-26 2021-12-07 Applied Materials, Inc. System and method for electrostatically chucking a substrate to a carrier
US10950441B1 (en) * 2019-09-03 2021-03-16 Kyoka Utsumi Mimura Low energy e-beam contact printing lithography
JP7162631B2 (ja) * 2020-03-13 2022-10-28 キヤノントッキ株式会社 基板キャリア、成膜装置、基板キャリアの搬送方法、及び成膜方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4920917A (en) * 1987-03-18 1990-05-01 Teijin Limited Reactor for depositing a layer on a moving substrate
US4942063A (en) * 1989-04-20 1990-07-17 North American Philips Corporation Method for controlling the thickness distribution of an interference filter
JP3018172B2 (ja) * 1998-08-12 2000-03-13 島根大学長 微細素子の形成方法及びその装置
TW591202B (en) * 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
JP2004183044A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
TWI598934B (zh) * 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4685404B2 (ja) * 2003-10-15 2011-05-18 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光素子の垂直蒸着方法，その装置，及び有機電界発光素子の垂直蒸着装置に使用される蒸着源
WO2006001282A1 (ja) * 2004-06-25 2006-01-05 Nikon Corporation 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
JP5081516B2 (ja) * 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
WO2012043487A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 シャープ株式会社 蒸着装置
JP2012140671A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Tokki Corp 成膜装置
WO2013039196A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法
KR20150002614A (ko) * 2012-04-05 2015-01-07 소니 주식회사 마스크 조정 유닛, 마스크 장치 및 마스크의 제조 장치 및 제조 방법
KR20140053625A (ko) * 2012-10-26 2014-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기물 증착 장치
WO2014176163A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-30 Applied Materials, Inc. Actively-aligned fine metal mask
JP6363333B2 (ja) * 2013-08-07 2018-07-25 シャープ株式会社 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5846287B1 (ja) * 2013-12-27 2016-01-20 大日本印刷株式会社 フレーム付き蒸着マスクの製造方法、引張装置、有機半導体素子の製造装置及び有機半導体素子の製造方法
JP6723246B2 (ja) * 2015-01-12 2020-07-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリアとマスクキャリアを支持するための保持装置、基板を支持する基板キャリアとマスクキャリアを位置合わせするための方法
US20170250379A1 (en) * 2016-11-28 2017-08-31 Applied Materials, Inc. Evaporation source having multiple source ejection directions

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI764206B (zh) * 2019-07-23 2022-05-11 日商佳能特機股份有限公司 對準機構、對準方法、成膜裝置及成膜方法
TWI821763B (zh) * 2021-08-25 2023-11-11 南韓商Ｐｓｋ有限公司 用於處理基板之設備及使用其對準介電板之方法

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Publication number Publication date
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