TWI821763B - 用於處理基板之設備及使用其對準介電板之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於處理基板之設備。在一實施例中，用於處理基板之設備可包括：殼體，其上部開放，在內部具有處理空間；氣體供應單元，其向處理空間供應氣體；支撐單元，其具有在處理空間支撐基板的卡盤、和從上部觀察時以包圍卡盤的方式提供的下部電極；介電板單元，其具有在處理空間中與被支撐單元支撐的基板相向地配置的介電板；上部電極單元，其結合於介電板單元，具有與下部電極相向地配置的上部電極；對準單元，其對準介電板單元的水平方向配置；在殼體的上部提供從殼體向水平方向延伸並結合於上部電極單元的蓋；對準單元結合於蓋。

Description

用於處理基板之設備及使用其對準介電板之方法
本發明係關於用於處理基板之設備及使用其對準介電板之方法，更詳細地，係關於一種利用電漿處理基板的用於處理基板之設備及使用其對準介電板之方法。
電漿係指由離子或自由基以及電子等構成的離子化的氣體狀態，藉助於極高的溫度或強電場或高頻電磁場（Electromagnetic Fields；RF）而產生。半導體元件製造製程包括利用電漿去除基板上的膜的拋光或蝕刻製程。拋光或蝕刻製程藉由電漿含有的離子及自由基粒子與基板上的膜碰撞或反應而執行。利用電漿處理基板的製程以多種方式執行。其中，處理基板的邊緣區域的斜面蝕刻裝置向基板的邊緣區域傳遞電漿來處理基板的邊緣區域。
斜面蝕刻裝置向基板邊緣供應激發為電漿狀態的製程氣體來蝕刻處理基板。為了防止對除基板邊緣區域之外其餘區域的蝕刻處理，以絕緣體提供的介電板位於基板的上部。為了只處理基板的邊緣區域，重要的是調節介電板與基板的相對位置。
不過，為此而單獨配備用於移動介電板的結構物，這在構成現有斜面蝕刻裝置內部時會發生空間制約，並存在斜面蝕刻裝置的體積增大的問題。
[技術課題]
本發明一個目的在於提供一種能夠高效調節絕緣體與基板的相對位置的用於處理基板之設備及使用其對準介電板之方法。
另外，本發明一個目的在於提供一種能夠進一步提高對基板邊緣區域的電漿處理效率的用於處理基板之設備及使用其對準介電板之方法。
本發明要解決的課題並非限定於上述課題，本發明所屬技術領域的技藝人士可從本說明書及圖式而明確理解未提及的課題。 [技術方案]
本發明提供用於處理基板之設備。在一實施例中，用於處理基板之設備可包括：殼體，前述殼體上部開放，在內部具有處理空間；氣體供應單元，前述氣體供應單元向處理空間供應氣體；支撐單元，前述支撐單元具有在處理空間支撐基板的卡盤和從上部觀察時以包圍卡盤的方式提供的下部電極；介電板單元，前述介電板單元具有在處理空間中與被支撐單元支撐的基板相向地配置的介電板；上部電極單元，前述上部電極單元結合於介電板單元，具有與下部電極相向地配置的上部電極；對準單元，前述對準單元對準介電板單元的水平方向配置；其中，在殼體的上部，可提供從殼體向水平方向延伸並結合於上部電極單元的蓋；對準單元可結合於蓋。
在一實施例中，對準單元可包括：主體，前述主體結合於蓋；多個對準螺栓，前述對準螺栓能夠插入於在主體上形成的螺紋，能夠向水平方向推動上部電極單元。
在一實施例中，主體可為能夠加裝於蓋或拆卸的形態。
在一實施例中，蓋可為環狀，對準螺栓可以蓋的中心為基準對稱。
在一實施例中，蓋與上部電極單元可藉由螺栓結合。
在一實施例中，可還包括：檢視口，前述檢視口貫通介電板單元；對準標誌，前述對準標誌以在預設位置與檢視口對應的方式在支撐單元上提供。
在一實施例中，當從上部觀察時，檢視口可在不與蓋重疊的位置提供。
在一實施例中，介電板單元和上部電極單元可結合於溫度調節板。
在一實施例中，介電板單元可還包括：第一底座，前述第一底座配置於介電板與溫度調節板之間；上部電極單元可還包括：第二底座，前述第二底座從上部觀察時包圍第一底座，配置於上部電極與溫度調節板之間。
在一實施例中，氣體供應單元可包括：氣體通道，前述氣體通道在第一底座與第二底座相互隔開的空間形成；第一氣體供應部，前述第一氣體供應部向氣體通道供應激發為電漿的製程氣體；其中，氣體通道的吐出端可朝向被支撐單元支撐的基板的邊緣區域。
在一實施例中，氣體供應單元可包括：氣體流路，前述氣體流路在介電板內提供；第二氣體供應部，前述第二氣體供應部向氣體流路供應非活性氣體；其中，前述氣體流路的吐出端可以朝向被支撐單元支撐的基板的中央區域的方式形成。
另外，本發明提供對準介電板之方法。在一實施例中，對準介電板之方法可在處理空間內處理基板之前或之後，將介電板對準到相對於支撐單元預設的位置，而且，當介電板未對準預設位置時，可擰緊對準螺栓中任意一個，使上部電極單元左右移動而使介電板對準到預設位置。
在一實施例中，對準單元可加裝於蓋或拆卸。
在一實施例中，蓋與上部電極單元可藉由螺栓結合，在處理空間內處理基板期間，蓋可與上部電極單元完全結合，在對準介電板期間，蓋可與上部電極單元鬆弛結合。
在一實施例中，預設位置可為在處理空間內處理基板期間介電板對準到支撐單元所放置之位置的位置。
在一實施例中，可擰緊對準螺栓中任意一個，以使貫通介電板單元的檢視口與對應於檢視口而在支撐單元上提供的對準標誌位於同一直線上。 發明效果
根據本發明一實施例，可高效處理基板。
另外，根據本發明一實施例，可均勻地執行對基板的電漿處理。
另外，根據本發明一實施例，可進一步提高對基板邊緣區域的電漿處理效率。
本發明的效果不限於上述效果，本發明所屬技術領域的技藝人士可從本說明書及圖式而明確理解未提及的效果。
下面參考圖式，對本發明的實施例進行詳細說明，以便本發明所屬技術領域的一般技藝人士能夠容易地實施。但是，本發明可以多種不同形態體現，不限定於在此說明的實施例。另外，在詳細說明本發明的較佳實施例方面，在判斷認為對相關公知功能或構成的具體說明可能不必要地混淆本發明的要旨時，省略其詳細說明。另外，對於發揮類似功能和作用的部分，在全體圖式中使用相同的標記。
另外，當提到「包括」某構成要素時，只要沒有特別反對的記載，不排除其他構成要素，意指可還包括其他構成要素。具體地，「包括」或「具有」等術語應理解為是要指定存在說明書上記載的特徵、數字、步驟、動作、構成要素、部件或他們的組合，不預先排除存在或添加一個或一個以上的其他特徵、數字、步驟、動作、構成要素、部件或他們的組合的可能性。
只要在上下文未明確表示不同，單數的表達包括複數的表達。另外，為了更明確說明，圖式中的要素的形狀和尺寸等會誇張。
圖1係簡要示出本發明一實施例的用於處理基板之設備的圖。參照圖1，用於處理基板之設備1具有設備前端模組（equipment front end module；EFEM）20和處理模組30。設備前端模組20和處理模組30沿一個方向配置。
設備前端模組20具有載入埠（load port）10和移送框架21。載入埠10沿第一方向11配置於設備前端模組20的前方。載入埠10具有多個支撐部6。各個支撐部6沿第二方向12配置成一列，安放有收納將向製程提供的基板W和製程處理完畢的基板W的承載架4（例如載片盒、晶圓傳送盒等）。在承載架4中收納將向製程提供的基板W和製程處理完畢的基板W。移送框架21配置於載入埠10與處理模組30之間。移送框架21包括配置於其內部並在載入埠10與處理模組30間移送基板W的第一移送機器人25。第一移送機器人25沿著沿第二方向12配備的移送軌道27移動，在承載架4與處理模組30間移送基板W。
處理模組30包括負載鎖定腔室40、傳輸腔室50及製程腔室60。處理模組30可從設備前端模組20接到移送的基板W並處理基板W。
負載鎖定腔室40鄰接移送框架21配置。作為一個示例，負載鎖定腔室40可配置於傳輸腔室50與設備前端模組20之間。負載鎖定腔室40提供將向製程提供的基板W在移送到製程腔室60之前或製程處理完畢的基板W在移送到設備前端模組20之前等待的空間。
傳輸腔室50可傳送基板W。傳輸腔室50鄰接負載鎖定腔室40配置。傳輸腔室50從上部觀察時具有多邊形的主體。參照圖1，傳輸腔室50從上部觀察時具有五角形的主體。在主體的外側，沿著主體外周配置有負載鎖定腔室40和多個製程腔室60。在主體的各側壁上形成有供基板W進出的通路（未示出），通路連接傳輸腔室50與負載鎖定腔室40或製程腔室60。在各通路上提供對通路進行開閉而使內部密閉的門（未示出）。在傳輸腔室50的內部空間，配置有在負載鎖定腔室40與製程腔室60間移送基板W的第二移送機器人53。第二移送機器人53將在負載鎖定腔室40等待的未處理的基板W移送到製程腔室60，或將製程處理完畢的基板W移送到負載鎖定腔室40。而且，為了向多個製程腔室60依次提供基板W，可在製程腔室60間移送基板W。如圖1所示，當傳輸腔室50具有五角形的主體時，在與設備前端模組20鄰接的側壁分別配置有負載鎖定腔室40，在其餘側壁連續配置有製程腔室60。傳輸腔室50不僅根據所述形狀，而且可根據要求的製程模組而以多樣形態提供。
製程腔室60可與傳輸腔室50鄰接配置。製程腔室60沿著傳輸腔室50的外周配置。製程腔室60可提供多個。在各個製程腔室60內，可執行對基板W的製程處理。製程腔室60從第二移送機器人53接到移送的基板W並執行製程處理，將製程處理完畢的基板W提供給第二移送機器人53。在各個製程腔室60中進行的製程處理可彼此不同。
下面對製程腔室60中執行電漿製程的用於處理基板之設備進行詳細描述。另外，下面說明的用於處理基板之設備以構成得能夠對製程腔室60中的基板邊緣區域執行電漿處理製程的情形為例進行說明。但不限於此，以下說明的用於處理基板之設備也可相同或類似地應用於實現對基板處理的多樣腔室。另外，用於處理基板之設備可相同或類似地應用於執行對基板的電漿處理製程的多樣腔室。
圖2係示出圖1的製程腔室中提供的用於處理基板之設備的一實施例的圖。參照圖2，在製程腔室60中提供的用於處理基板之設備利用電漿在基板W上執行既定的製程。作為一個示例，用於處理基板之設備可拋光或蝕刻基板W上的膜。膜可為多晶矽膜、矽氧化膜及氮化矽膜等多樣種類的膜。另外，膜可為自然氧化膜或化學產生的氧化膜。另外，膜可為在處理基板W的過程中產生的副產物（By-Product）。另外，膜可為基板W上附著及/或殘留的雜質。
用於處理基板之設備可執行對基板W的電漿製程。例如，用於處理基板之設備可供應製程氣體，並使得從供應的製程氣體產生電漿來處理基板W。用於處理基板之設備可供應製程氣體，並使得從供應的製程氣體產生電漿來處理基板W的邊緣區域。下面，用於處理基板之設備以對基板W的邊緣區域執行蝕刻處理的斜面蝕刻裝置為例進行說明。
用於處理基板之設備可包括殼體100、支撐單元300、介電板單元500、上部電極單元600、溫度調節板700、氣體供應單元800及對準單元200。
殼體100可在內部具有處理空間102。在殼體100的一面可形成有開口（未示出）。在一示例中，可在殼體100任意一個側面形成有開口。基板W可藉由在殼體100上形成的開口而載入殼體100的處理空間102或載出。開口可藉助於諸如門（未示出）的開閉構件而開閉。
在一示例中，殼體100為上部開放的形態。殼體100可形成藉助於如後所述的蓋650、上部電極單元600及介電板單元500而密閉的空間。殼體100的開口若藉助於開閉構件而開閉，則殼體100的處理空間102可與外部隔離。另外，殼體100的處理空間102的氣氛可在與外部隔離後調整為近乎真空的低壓。另外，殼體100可為包括金屬的材質。另外，殼體100的表面可用絕緣性材質塗覆。
另外，在殼體100的底面可形成有排氣孔104。在處理空間102中產生的電漿P或向處理空間102供應的氣體G1、G2可藉由排氣孔104排出到外部。另外，在利用電漿P處理基板W的過程中產生的副產物可藉由排氣孔104排出到外部。另外，排氣孔104可與排氣管線（未示出）連接。排氣管線可與提供減壓的減壓構件連接。減壓構件可藉由排氣管線而向處理空間102提供減壓。
支撐單元300可在處理空間102支撐基板W。支撐單元300可包括卡盤310、電源構件320、絕緣環330、下部電極350及驅動構件370。
卡盤310可具有支撐基板W的支撐面。卡盤310從上部觀察時可具有圓形。卡盤310從上部觀察時可具有小於基板W的直徑。因此，被卡盤310支撐的基板W的中央區域可安放於卡盤310的支撐面，基板W的邊緣區域可不與卡盤310的支撐面接觸。
在卡盤310內部可提供加熱裝置（未示出）。加熱裝置（未示出）可加熱卡盤310。加熱裝置可為加熱器。另外，在卡盤310上可形成有冷卻流路312。冷卻流路312可在卡盤310的內部形成。在冷卻流路312上可連接有冷卻流體供應管線314和冷卻流體排出管線316。冷卻流體供應管線314可與冷卻流體供應源318連接。冷卻流體供應源318可存儲冷卻流體及/或向冷卻流體供應管線314供應冷卻流體。另外，向冷卻流路312供應的冷卻流體可藉由冷卻流體排出管線316排出到外部。冷卻流體供應源318存儲及/或供應的冷卻流體可為冷卻液或冷卻氣體。另外，在卡盤310上形成的冷卻流路312的形狀不限於圖2所示的形狀，可多樣地變形。另外，使卡盤310冷卻的構成不限於供應冷卻流體的構成，也可以能夠使卡盤310冷卻的多樣構成（例如冷卻板等）提供。
電源構件320可向卡盤310供應電力。電源構件320可包括電源322、適配器324及電源線326。電源322可為偏置電源。電源322可以電源線326為介質而與卡盤310連接。另外，適配器324可在電源線326上提供，執行阻抗匹配。
絕緣環330可以從上部觀察時具有環狀的方式提供。絕緣環330可以從上部觀察時包圍卡盤310的方式提供。例如，絕緣環330可具有環狀。另外，絕緣環330可錯層以使內側區域的上面高度與外側區域的上面高度互不相同。例如，可以絕緣環330的內側區域的上面高度高於外側區域的上面高度的方式錯層。若基板W放到卡盤310具有的支撐面上，則絕緣環330內側區域的上面和外側區域的上面中，內側區域的上面可與基板W的底面相互接觸。另外，若基板W放到卡盤310具有的支撐面，則絕緣環330內側區域的上面和外側區域的上面中，外側區域的上面可與基板W的底面相互隔開。絕緣環330可在卡盤310與如後所述的下部電極350之間提供。由於在卡盤310中提供偏置電源，因而可在卡盤310與如後所述的下部電極350之間提供絕緣環330。絕緣環330可為具有絕緣性的材質。
下部電極350可配置於被卡盤310支撐的基板W的邊緣區域下部。下部電極350可以從上部觀察時具有環狀的方式提供。下部電極350從上部觀察時可包圍絕緣環330。下部電極350的上面與絕緣環330外側上面可高度彼此相同。下部電極350的下面與絕緣環330下面可高度彼此相同。另外，下部電極350的上面可比卡盤310的中央部上面低。另外，下部電極350可與被卡盤310支撐的基板W底面相互隔開。例如，下部電極350可與被卡盤310支撐的基板W邊緣區域底面彼此隔開。
下部電極350可與如後所述的上部電極620相向配置。下部電極350可配置於如後所述的上部電極620的下部。下部電極350可接地。下部電極350可引起施加於卡盤310的偏置電源的耦合以增加電漿密度。因此，可提高對基板W邊緣區域的處理效率。
驅動構件370可使卡盤310升降。驅動構件370可包括驅動器372和軸374。軸374可與卡盤310結合。軸374可與驅動器372連接。驅動器372可以軸374為介質而使卡盤310沿上下方向升降。
介電板單元500可包括介電板520和第一底座510。另外，介電板單元500可結合於後述的溫度調節板700。
介電板520從上部觀察時可具有圓形。在一示例中，介電板520的下面可為扁平形狀。介電板520在處理空間102中可與被支撐單元300支撐的基板W相向地配置。例如，介電板520可配置於支撐單元300的上部。介電板520可為包括陶瓷的材質。在介電板520上可形成有與如後所述的氣體供應單元800的第一氣體供應部810連接的氣體流路。另外，氣體流路的吐出端可構成得使第一氣體供應部810供應的第一氣體G1供應到被支撐單元300支撐的基板W的中央區域。另外，氣體流路的吐出端可構成得使第一氣體G1供應到被支撐單元300支撐的基板W的中央區域上面。
第一底座510可配置於介電板520與後述溫度調節板700之間。第一底座510可結合於後述溫度調節板700，介電板520可結合於第一底座510。因此，介電板520可以第一底座510為介質而結合於溫度調節板700。
在一示例中，第一底座510的上面的直徑可小於介電板520的下面。第一底座510的上面可具有扁平形狀。另外，第一底座510的下面可具有錯層形狀。例如，第一底座510的邊緣區域的下面可形成錯層，以使其高度低於中央區域的下面。另外，第一底座510的下面和介電板520的上面可具有能相互組合的形狀。在一示例中，第一底座510可為包括金屬的材質。例如，第一底座510可為包括鋁的材質。
上部電極單元600可包括第二底座610和上部電極620。另外，上部電極單元600可結合於後述溫度調節板700。
上部電極620可與如上所述的下部電極350彼此相向。上部電極620可配置於下部電極350的上部。上部電極620可配置於被卡盤310支撐的基板W的邊緣區域上部。上部電極620可接地。
上部電極620從上部觀察時可具有包圍介電板520的形狀。例如，上部電極620可為環狀。上部電極620可與介電板520隔開而形成隔開空間。隔開空間可形成供後述第二氣體供應部830供應的第二氣體G2流動的氣體通道中的一部分。氣體通道的吐出端可構成得使第二氣體G2能夠向被支撐單元300支撐的基板W的邊緣區域供應。另外，氣體通道的吐出端可構成得使第二氣體G2向被支撐單元300支撐的基板W的邊緣區域上面供應。
第二底座610可配置於上部電極620與後述溫度調節板700之間。第二底座610可結合於後述溫度調節板700，上部電極620可結合於第二底座610。因此，上部電極620可以第二底座610為介質而結合於溫度調節板700。
第二底座610從上部觀察時可具有環狀。第二底座610的上面和下面可具有扁平形狀。從上部觀察時第二底座610可具有包圍第一底座510的形狀。在一示例中，第二底座610的內側面可具有與第一底座510的外側面組合的形狀。第二底座610可與第一底座510隔開。第二底座610可與第一底座510隔開而形成隔開空間。隔開空間可形成供後述第二氣體供應部830供應的第二氣體G2流動的氣體通道中的一部分。另外，第二底座610可為包括金屬的材質。例如，第二底座610可為包括鋁的材質。
溫度調節板700可與介電板單元500和上部電極單元600結合。溫度調節板700可以如後所述的蓋650為介質而與殼體100結合。溫度調節板700可產生熱。例如，溫度調節板700可產生熱或冷。溫度調節板700可從後述控制器900接收信號而產生熱。溫度調節板700可產生熱或冷並控制使得介電板單元500和上部電極單元600的溫度能夠比較恆定地保持。例如，溫度調節板700可產生冷並最大限度抑制介電板單元500和上部電極單元600的溫度在處理基板W的過程中過度升高。
氣體供應單元800可向處理空間102供應氣體。氣體供應單元800可向處理空間102供應第一氣體G1和第二氣體G2。氣體供應單元800可包括第一氣體供應部810和第二氣體供應部830。
第一氣體供應部810可向處理空間102供應第一氣體G1。第一氣體G1可為氮氣等非活性氣體。第一氣體供應部810可向被卡盤310支撐的基板W的中央區域供應第一氣體G1。第一氣體供應部810可包括第一氣體供應源812、第一氣體供應管線814及第一閥816。第一氣體供應源812可存儲第一氣體G1及/或向第一氣體供應管線814供應第一氣體G1。第一氣體供應管線814可與在介電板520上形成的流路連接。第一閥816可設置於第一氣體供應管線814。第一閥816可以開啟/關閉閥或流量調節閥提供。第一氣體供應源812供應的第一氣體G1可藉由在介電板520上形成的流路而供應到基板W上面中央區域。
第二氣體供應部830可向處理空間102供應第二氣體G2。第二氣體G2可為激發成電漿狀態的製程氣體。第二氣體供應部830可藉由氣體通道向基板W的邊緣區域供應第二氣體G2，前述氣體通道由在被卡盤310支撐的基板W的邊緣區域上部提供的介電板520、第一底座510、上部電極620及第二底座610相互隔開而形成。第二氣體供應部830可包括第二氣體供應源832、第二氣體供應管線834及第二閥836。第二氣體供應源832可存儲第二氣體G2及/或向第二氣體供應管線834供應第二氣體G2。第二氣體供應管線834是發揮氣體通道功能的隔開空間，可供應第二氣體G2。第二閥836可設置於第二氣體供應管線834。第二閥836可以開啟/關閉閥或流量調節閥提供。第二氣體供應源832供應的第二氣體G2可藉由第二流路602供應到基板W上面邊緣區域。
控制器900可控制用於處理基板之設備。控制器900可控制用於處理基板之設備，以便可執行以下執行的電漿處理製程。例如，控制器900可控制氣體供應單元800、溫度調節板700及支撐單元300。例如，控制器900可在從第一氣體供應部810及/或第二氣體供應部830供應氣體時，控制支撐單元300和氣體供應單元800，以使電源322向卡盤310供電，在被卡盤310支撐的基板W邊緣區域產生電漿P。
對準單元200對準介電板單元500的水平方向配置。在一示例中，對準單元200結合於蓋650。在蓋650上結合有上部電極單元600。蓋650在殼體100的上部提供，從殼體100朝向殼體100內部空間沿水平方向延伸。在一示例中，殼體100為上部開放的圓筒形，蓋650為環狀。在一示例中，蓋650可為與殼體100相同的材質。在一示例中，蓋650和殼體100可接地。
在一示例中，蓋650的底面可位於比溫度調節板700上面高的位置。
在一示例中，對準單元200具有主體210和對準螺栓220。主體210結合於蓋650。在一示例中，主體210為能夠附著於蓋650或拆卸的形態。因此，當對準介電板單元500的水平方向配置時，附著主體210後在殼體100內處理基板W期間，主體210可為從蓋650拆卸的狀態。在一示例中，主體210結合於蓋650的內徑。主體210的底面以與溫度調節板700上面隔開的方式結合。
在一示例中，主體210的剖面具有與蓋650水平的水平部和從水平部折彎的折彎部。例如，主體210的剖面為「┐」字形狀。在折彎部沿與水平部平行的方向形成有螺紋。對準螺栓220能夠插入於在折彎部形成的螺紋。對準螺栓220的一端能夠選擇性地與上部電極單元600接觸。對準單元200使結合於蓋650的上部電極單元600沿水平方向細微移動，對準在上部電極單元600結合的介電板單元500的水平方向配置。在一示例中，對準螺栓220的一端能夠選擇性地與第二底座接觸。對準螺栓220的一端隨著擰緊對準螺栓220而可沿水平方向推動第二底座。在一示例中，對準螺栓220為多個。在一示例中，對準螺栓220從上部觀察時以蓋650的中心為基準對稱。例如，對準螺栓220從上部觀察時兩個間隔180度。因此，任一對準螺栓220隨著擰緊對準螺栓220而將第二底座向右推，另一對準螺栓220隨著擰緊對準螺栓220而將第二底座向左推。不同於此，對準螺栓220的個數可大於2個，從上部觀察時具有相同的角度間隔。
在一示例中，蓋650和上部電極單元600以能夠選擇性地提供蓋650與上部電極單元600間的結合力的方式提供。例如，蓋650和上部電極單元600藉助於螺栓120而結合。不同於此，蓋650和上部電極單元600可藉助於能夠可變地提供彼此間結合力的其他裝置而結合。因此，當對準介電板單元500的水平方向配置時，相對較弱地提供蓋650與上部電極單元600間的結合力，以使對準螺栓220的一端可推動上部電極單元600，當在處理空間102內處理基板W時，使蓋650與上部電極單元600間的結合力較強，從而可密閉處理空間102，使處理空間102成為真空狀態。
在如上所述的示例中，說明了蓋650以獨立於殼體100的部件提供的情形，但不同於此，蓋650可與殼體100一體提供。
圖3係示出本發明一實施例的用於處理基板W之設備的狀態的圖。在一示例中，可在介電板單元500提供檢視口515，在支撐單元300提供對準標誌315。
檢視口515貫通介電板單元500。從上部觀察時檢視口515在不與蓋650重疊的位置提供。因此，使操作者可藉由檢視口515肉眼觀察處理空間102裡面。對準標誌315在預設位置與檢視口515對應地提供。在一示例中，預設位置係在處理空間102內處理基板W期間支撐單元300的位置。在一示例中，對準標誌315可為在支撐單元300上的槽。不同於此，對準標誌315可為操作者可肉眼確認的多樣形態。當操作者可藉由檢視口515肉眼確認對準標誌315時，判斷為介電板單元500對準到正確位置。當無法肉眼確認對準標誌315時，調節對準螺栓220而使介電板單元500沿水平方向移動，以使檢視口515和對準標誌315位於同一直線上。
下面參照圖4至圖6，對本發明的對準介電板520之方法進行說明。
在一示例中，在處理空間102內處理基板W之前或之後，可將介電板520對準到針對支撐單元300而預設的位置。在處理空間102內處理基板W之前或之後，在處理空間102內未提供基板W的狀態下對準介電板520。在一示例中，基板W的處理是對基板W邊緣區域進行蝕刻處理的斜面蝕刻。
首先，如圖4所示，在處理空間102內處理基板W之前或之後，為了對介電板單元500或上部電極單元600進行維護，可從殼體100上去除介電板單元500和上部電極單元600。此時，蓋650可與介電板單元500和上部電極單元600一同去除。或者不同於此，蓋650可不去除。
然後，如圖5所示，使蓋650、介電板單元500及上部電極單元600結合於殼體100。然後，將對準單元200結合於蓋650。介電板單元500的位置是用於對基板W邊緣區域進行蝕刻處理的重要要素。特別是當介電板520的位置未放到正確位置時，基板W的邊緣區域可能會以基板W的中心為基準而不均勻蝕刻。因此，重要的是介電板520以基板W的中心為基準對準到正確位置。不過，在不處理基板W期間，基板W不位於處理空間102內，因而以基板W所放置的支撐單元300為基準，對準介電板520的水平位置。在一示例中，在處理空間102內處理基板W期間，以支撐單元300所放置的位置為基準，對準介電板520的水平位置。
例如，如圖5所示，在介電板520未對準到預設位置的情況下，操作者從上部藉由檢視口515肉眼觀察處理空間102時，無法確認對準標誌315。此時，操作者擰緊對準螺栓220中任意一個，當從上部觀察上部電極單元600時，可使介電板520左右移動而對準到預設位置。此時，蓋650和上部電極單元600為鬆馳結合的狀態。如圖6所示，當可藉由檢視口515確認對準標誌315時，判斷為介電板520對準到預設的正確位置。若介電板520對準到預設位置，則將蓋650和上部電極單元600完全結合。在一示例中，將在蓋650與上部電極單元600間提供的螺栓擰結實。在一示例中，操作者可將在蓋650與上部電極單元600間提供的螺栓擰緊的同時，持續確認介電板520是否對準到預設的正確位置。
在一示例中，介電板520對準完成後從蓋650分離對準單元200。
在如上所述的示例中說明了在介電板單元500提供檢視口515，操作者藉由檢視口515肉眼確認在處理空間102內部提供的對準標誌315的位置，使介電板520沿水平方向對準的情形。但不同於此，如圖7所示，將附著有傳感器S2並與基板W相同形狀的夾具J投入處理空間102內，將與在處理空間102內提供的傳感器S1及其位置關係發送給在處理空間102外部提供的控制部，可將介電板520沿水平方向對準。
在如上所述的示例中，說明了溫度調節板700獨立提供的情形。但不同於此，溫度調節板700可不獨立提供，第二底座610和溫度調節板700可以一體方式提供。
根據本發明，當為了處理基板的邊緣區域而使介電板位於基板的上部時，具有可對準介電板520的水平方向位置的優點。
根據本發明，用於對準介電板520水平方向位置的對準單元200具有能附著、拆卸的優點。
在如上所述示例中，以用於處理基板之設備對基板W邊緣區域執行蝕刻製程的情形為例進行了說明，但不限於此。如上所述的實施例可相同或類似地應用於要求對基板W邊緣區域的處理的多樣設備及製程。
上述示例中說明的用於處理基板之設備產生電漿P的方法可為電感耦合電漿（Inductive coupled plasma；ICP）方式。另外，上述用於處理基板之設備產生電漿P的方法可為電容耦合電漿（Capacitor couple plasma；CCP）方式。另外，用於處理基板之設備可全部利用ICP方式和CCP方式，或利用在ICP方式和CCP方式中選擇的方式來產生電漿P。另外，除了如上所述的方法之外，用於處理基板之設備也可藉由公知的產生電漿P的方法來處理基板W的邊緣區域。
以上詳細說明是對本發明進行舉例。另外，前述內容未出並說明本發明的較佳實施形態，本發明可在多樣的不同組合、變更及環境下使用。即，可在與本說明書中公開的發明的概念範圍、前述公開內容均等的範圍及/或本行業的技術或知識範圍內進行變更或修訂。前述實施例說明了用於體現本發明技術思想所需的最佳狀態，也可進行本發明具體應用領域和用途所要求的多樣變更。因此，以上發明內容並非要將本發明限定於公開的實施形態。另外，附帶的申請專利範圍應解釋為也包括其他實施形態。
1:設備 4:承載架 6:支撐部 10:載入埠 11:第一方向 12:第二方向 20:設備前端模組 21:移送框架 25:第一移送機器人 27:移送軌道 30:處理模組 40:負載鎖定腔室 50:傳輸腔室 53:第二移送機器人 60:製程腔室 100:殼體 102:處理空間 104:排氣孔 120:螺栓 200:對準單元 210:主體 220:對準螺栓 300:支撐單元 310:卡盤 312:冷卻流路 314:冷卻流體供應管線 315:對準標誌 316:冷卻流體排出管線 318:冷卻流體供應源 320:電源構件 322:電源 324:適配器 326:電源線 330:絕緣環 350:下部電極 370:驅動構件 372:驅動器 374:軸 500:介電板單元 510:第一底座 515:檢視口 520:介電板 600:上部電極單元 610:第二底座 620:上部電極 650:蓋 700:溫度調節板 800:氣體供應單元 810:第一氣體供應部 812:第一氣體供應源 814:第一氣體供應管線 816:第一閥 830:第二氣體供應部 832:第二氣體供應源 834:第二氣體供應管線 836:第二閥 900:控制器 W:基板
圖1係簡要示出本發明一實施例的用於處理基板之設備的圖。 圖2係示出圖1的製程腔室中提供的用於處理基板之設備的一實施例的圖。 圖3係示出本發明一實施例的用於處理基板之設備的狀態的圖。 圖4至圖6係分別示出根據本發明一實施例對準介電板的狀態的圖。 圖7係示出本發明另一實施例的用於處理基板之設備的狀態的圖。
100:殼體
102:處理空間
104:排氣孔
120:螺栓
200:對準單元
210:主體
220:對準螺栓
300:支撐單元
310:卡盤
312:冷卻流路
314:冷卻流體供應管線
315:對準標誌
316:冷卻流體排出管線
318:冷卻流體供應源
320:電源構件
322:電源
324:適配器
326:電源線
330:絕緣環
350:下部電極
370:驅動構件
372:驅動器
374:軸
500:介電板單元
510:第一底座
520:介電板
600:上部電極單元
610:第二底座
620:上部電極
650:蓋
700:溫度調節板
800:氣體供應單元
810:第一氣體供應部
812:第一氣體供應源
814:第一氣體供應管線
816:第一閥
830:第二氣體供應部
832:第二氣體供應源
834:第二氣體供應管線
836:第二閥
900:控制器
W:基板

Claims (13)

  1. 一種用於處理基板之設備，包括：殼體，前述殼體上部開放，在內部具有處理空間；氣體供應單元，前述氣體供應單元向前述處理空間供應氣體；支撐單元，前述支撐單元具有在前述處理空間支撐基板的卡盤、和從上部觀察時以包圍前述卡盤的方式提供的下部電極；介電板單元，前述介電板單元具有與在前述處理空間中被前述支撐單元支撐的基板相向地配置的介電板；上部電極單元，前述上部電極單元結合於前述介電板單元，具有與前述下部電極相向地配置的上部電極；以及對準單元，前述對準單元對準前述介電板單元的水平方向配置；其中，在前述殼體的上部，提供從前述殼體向前述水平方向延伸並結合於前述上部電極單元的蓋；前述對準單元結合於前述蓋，前述對準單元包括：主體，前述主體結合於前述蓋；多個對準螺栓，前述對準螺栓能夠插入於在前述主體上形成的螺紋，能夠向前述水平方向推動前述上部電極單元，其中，前述主體為能夠加裝於前述蓋或拆卸的形態。
  2. 如請求項1所述之用於處理基板之設備，其中，前述蓋為環狀，前述對準螺栓以前述蓋的中心為基準對稱。
  3. 如請求項1所述之用於處理基板之設備，其中，前述蓋與前述上部電極單元藉由螺栓結合。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之用於處理基板之設備，其進一步包括： 檢視口，前述檢視口貫通前述介電板單元；對準標誌，前述對準標誌以在預設位置與前述檢視口對應的方式在前述支撐單元上提供。
  5. 如請求項4所述之用於處理基板之設備，其中，當從上部觀察時，前述檢視口在不與前述蓋重疊的位置提供。
  6. 如請求項1所述之用於處理基板之設備，其中，前述介電板單元和前述上部電極單元結合於溫度調節板。
  7. 如請求項6所述之用於處理基板之設備，其中，前述介電板單元進一步包括：第一底座，前述第一底座配置於前述介電板與前述溫度調節板之間；前述上部電極單元進一步包括：第二底座，前述第二底座從上部觀察時包圍前述第一底座，配置於前述上部電極與前述溫度調節板之間。
  8. 如請求項7所述之用於處理基板之設備，其中，前述氣體供應單元包括：氣體通道，前述氣體通道在前述第一底座與前述第二底座相互隔開的空間形成；第一氣體供應部，前述第一氣體供應部向前述氣體通道供應激發為電漿的製程氣體；其中，前述氣體通道的吐出端朝向被前述支撐單元支撐的基板的邊緣區域。
  9. 如請求項7所述之用於處理基板之設備，其中，前述氣體供應單元包括：氣體流路，前述氣體流路在前述介電板內提供；第二氣體供應部，前述第二氣體供應部向前述氣體流路供應非活性氣體；前述氣體流路的吐出端以朝向被前述支撐單元支撐的基板的中央區域的方式形成。
  10. 一種對準介電板之方法，前述對準介電板之方法利用如請求項1所述之用於處理基板之設備來對準前述介電板，其中，在前述處理空間內處理基板之前或之後，將前述介電板對準到相對於前述支撐單元的預設位置，而且當前述介電板未對準前述預設位置時，擰緊前述對準螺栓中任意一個，使前述上部電極單元左右移動以使前述介電板對準到前述預設位置，其中，前述對準單元之前述主體能夠加裝於前述蓋或拆卸。
  11. 如請求項10所述之對準介電板之方法，其中，前述蓋與前述上部電極單元藉由螺栓結合，在前述處理空間內處理前述基板期間，前述蓋與前述上部電極單元完全結合，在對準前述介電板期間，前述蓋與前述上部電極單元鬆弛結合。
  12. 如請求項10所述之對準介電板之方法，其中，前述預設位置係在前述處理空間內處理前述基板期間前述介電板對準到前述支撐單元所放置之位置的位置。
  13. 如請求項10至12中任一項所述之對準介電板之方法，其中，擰緊前述對準螺栓中任意一個，以使貫通前述介電板單元的檢視口與對應於前述檢視口而在前述支撐單元上提供的對準標誌位於同一直線上。
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