CN117859195A - 基板处理设备及介电板对准方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板处理设备。在一实施例中，基板处理设备可以包括：壳体，其上部开放，在其内部具有处理空间；气体供应单元，其向处理空间供应气体；支撑单元，其具有在处理空间支撑基板的卡盘和从上部观察时以包围卡盘的方式提供的下部电极；介电板单元，其具有与在处理空间被支撑单元支撑的基板相向地配置的介电板；上部电极单元，其结合于介电板单元，具有与下部电极相向地配置的上部电极；以及对准单元，其对准介电板单元的水平方向配置；在壳体的上部提供从壳体向水平方向延伸并结合于上部电极单元的盖；对准单元结合于盖。

Description

基板处理设备及介电板对准方法

技术领域

本发明涉及基板处理设备及介电板对准方法，更详细地涉及一种利用等离子体处理基板的基板处理设备及介电板对准方法。

背景技术

等离子体是指由离子、自由基、电子等构成的离子化的气体状态，通过极高的温度或强电场或高频电磁场(RF Electromagnetic Fields)而生成。半导体元件制造制程包括利用等离子体去除基板上的膜质的灰化(ashing)或蚀刻(etching)制程。灰化或蚀刻制程通过等离子体所含有的离子和自由基粒子与基板上的膜质发生碰撞或反应而执行。利用等离子体处理基板的制程以多种方式执行。其中，处理基板的边缘区域的倾斜蚀刻(beveletch)设备向基板的边缘区域传递等离子体来处理基板的边缘区域。

倾斜蚀刻设备向基板的边缘供应被激发为等离子体状态的制程气体来蚀刻处理基板。为了防止基板中除边缘区域之外的其余区域被蚀刻处理，作为绝缘体提供的介电板位于基板的上部。为了只处理基板的边缘区域，调节介电板与基板的相对位置是重要的。

不过，为此若另行配备用于移动介电板的结构物，则构成现有的倾斜蚀刻设备内部会受到空间制约，存在倾斜蚀刻设备的体积增大的问题。

发明内容

技术课题

本发明一个目的在于提供一种能够高效调节绝缘体与基板的相对位置的基板处理设备及介电板对准方法。

另外，本发明一个目的在于提供一种能够进一步提高对于基板的边缘区域的等离子体处理效率的基板处理设备及介电板对准方法。

本发明要解决的课题并非限定于上述课题，对于未提及的课题，本发明所属技术领域的技术人员可以从本说明书及附图明确理解。

解决技术课题的技术方案

本发明提供基板处理设备。在一实施例中，基板处理设备可以包括：壳体，所述壳体的上部开放，在其内部具有处理空间；气体供应单元，所述气体供应单元向处理空间供应气体；支撑单元，所述支撑单元具有在处理空间支撑基板的卡盘和从上部观察时以包围卡盘的方式提供的下部电极；介电板单元，所述介电板单元具有与在处理空间被支撑单元支撑的基板相向地配置的介电板；上部电极单元，所述上部电极单元结合于介电板单元，具有与下部电极相向地配置的上部电极；以及对准单元，所述对准单元对准介电板单元的水平方向配置；在壳体的上部可以提供从壳体向水平方向延伸并结合于上部电极单元的盖；对准单元可以结合于盖。

在一实施例中，对准单元可以包括：主体，所述主体结合于盖；复数个对准螺栓，所述对准螺栓被提供为能够插入于在主体上形成的螺纹，并且能够在水平方向上推动上部电极单元。

在一实施例中，主体可以被提供为能够装卸于盖的形态。

在一实施例中，盖可以被提供为环状，对准螺栓可以以盖的中心为基准对称。

在一实施例中，盖与上部电极单元可以螺栓结合。

在一实施例中，可以还包括：检视口，所述检视口贯通介电板单元；对准标记，所述对准标记以在预设位置与检视口对应的方式被提供在支撑单元上。

在一实施例中，从上部观察时，检视口可以被提供在不与盖重叠的位置。

在一实施例中，介电板单元和上部电极单元可以结合于温度调节板。

在一实施例中，介电板单元可以还包括：第一底座，所述第一底座配置于介电板与温度调节板之间；上部电极单元可以还包括：第二底座，所述第二底座在上部观察时包围第一底座，配置于上部电极与温度调节板之间。

在一实施例中，气体供应单元可以包括：气体通道，所述气体通道形成在第一底座与第二底座相互隔开的空间；第一气体供应部，所述第一气体供应部向气体通道供应被激发为等离子体的制程气体；其中，气体通道的吐出端可以对着被支撑单元支撑的基板的边缘区域。

在一实施例中，气体供应单元可以包括：气体流路，所述气体流路被提供在介电板内；第二气体供应部，所述第二气体供应部向气体流路供应非活性气体；其中，所述气体流路的吐出端可以以对着被支撑单元支撑的基板的中央区域的方式形成。

另外，本发明提供介电板对准方法。在一实施例中，介电板对准方法可以在处理空间内处理基板之前或之后，相对于支撑单元，将介电板对准到预设位置，如果介电板未对准预设位置，则可以拧紧对准螺栓中的任意一个，使上部电极单元左右移动来使介电板对准到预设位置。

在一实施例中，对准单元可以被提供为装卸于盖。

在一实施例中，盖与上部电极单元可以螺栓结合，在处理空间内处理基板期间，盖可以与上部电极单元完全结合，在对准介电板期间，盖可以与上部电极单元松弛结合。

在一实施例中，预设位置可以是在处理空间内处理基板期间介电板对准到支撑单元被放置的位置的位置。

在一实施例中，可以拧紧对准螺栓中的任意一个，以使贯通介电板单元的检视口和对应于检视口提供在支撑单元上的对准标记位于一直线上。

发明效果

根据本发明一实施例，可以高效处理基板。

另外，根据本发明一实施例，可以均匀地执行对于基板的等离子体处理。

另外，根据本发明一实施例，可以进一步提高对于基板的边缘区域的等离子体处理效率。

本发明的效果不限于上述效果，对于未提及的效果，本发明所属技术领域的技术人员可以从本说明书及附图明确理解。

附图说明

图1是概要地示出本发明一实施例的基板处理设备的图。

图2是示出向图1的制程腔室提供的基板处理设备的一实施例的图。

图3是示出本发明一实施例的基板处理设备的状态的图。

图4至图6是分别示出根据本发明一实施例对准介电板的状态的图。

图7是示出本发明另一实施例的基板处理设备的状态的图。

具体实施方式

下面参照附图，对本发明的实施例进行详细说明，以便本发明所属技术领域的一般技术人员能够容易地实施。但是，本发明可以以多种不同形态体现，不限定于在此说明的实施例。另外，在详细说明本发明的优选实施例时判断为对相关公知功能或构成的具体说明不必要地混淆本发明的要旨时，省略其详细说明。另外，对于发挥类似功能和作用的部分，在所有附图中使用相同的附图标记。

另外，当提到“包括”某构成要素时，只要没有特别相反的记载，不排除其他构成要素，意指可以还包括其他构成要素。具体地，“包括”或“具有”等术语应被理解为是要指定存在说明书上记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或他们的组合，不预先排除存在或添加一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或他们的组合的可能性。

只要在上下文未明确表示不同，单数的表达包括复数的表达。另外，为了更明确说明，附图中的要素的形状和尺寸等会被夸张地显示。

图1是概要地示出本发明一实施例的基板处理设备的图。参照图1，基板处理设备1具有设备前端模块(equipment front end module，EFEM)20和处理模块30。设备前端模块20和处理模块30沿一个方向配置。

设备前端模块20具有加载端口(load port)10和移送框架21。加载端口10沿第一方向11配置于设备前端模块20的前方。加载端口10具有复数个支撑部6。各个支撑部6沿第二方向12配置成一列，并且安放有收纳将要向制程提供的基板W和制程处理完毕的基板W的承载架4(例如载片盒、前开式晶圆传送盒(FOUP)等)。在承载架4中收纳将要向制程提供的基板W和制程处理完毕的基板W。移送框架21配置于加载端口10与处理模块30之间。移送框架21包括配置于其内部并在加载端口10与处理模块30之间移送基板W的第一移送机器人25。第一移送机器人25在沿着第二方向12配备的移送轨道27上移动，在承载架4与处理模块30之间移送基板W。

处理模块30包括负载锁定腔室40、传输腔室50及制程腔室60。处理模块30可以从设备前端模块20接收移送的基板W并处理基板W。

负载锁定腔室40邻接移送框架21配置。作为一个示例，负载锁定腔室40可以配置于传输腔室50与设备前端模块20之间。负载锁定腔室40提供将要向制程提供的基板W在移送到制程腔室60之前或制程处理完毕的基板W在移送到设备前端模块20之前等待的空间。

传输腔室50可以搬送基板W。传输腔室50邻接负载锁定腔室40配置。从上部观察时传输腔室50具有多边形的主体。参照图1，从上部观察时传输腔室50具有五边形的主体。在主体的外侧，沿着主体外周配置有负载锁定腔室40和复数个制程腔室60。在主体的各侧壁上形成有供基板W进出的通路(未图示)，通路连接传输腔室50与负载锁定腔室40或制程腔室60。在各通路上提供对通路进行开闭而使内部密闭的门(未图示)。在传输腔室50的内部空间，配置有在负载锁定腔室40与制程腔室60之间移送基板W的第二移送机器人53。第二移送机器人53将在负载锁定腔室40等待的未处理的基板W移送到制程腔室60，或将制程处理完毕的基板W移送到负载锁定腔室40。而且，为了向复数个制程腔室60依次提供基板W，可以在制程腔室60之间移送基板W。如图1所示，当传输腔室50具有五边形的主体时，在与设备前端模块20邻接的侧壁分别配置有负载锁定腔室40，在其余侧壁连续配置有制程腔室60。除了所述形状外，根据所要求的制程模块，传输腔室50可以被提供为多样形态。

制程腔室60可以与传输腔室50邻接配置。制程腔室60沿着传输腔室50的外周配置。制程腔室60可以被提供复数个。在各个制程腔室60内，可以执行对基板W的制程处理。制程腔室60从第二移送机器人53接收移送的基板W并执行制程处理，将制程处理完毕的基板W提供给第二移送机器人53。在各个制程腔室60中进行的制程处理可以彼此不同。

下面，对制程腔室60中执行等离子体制程的基板处理设备进行详细描述。另外，下面说明的基板处理设备以构成为能够对制程腔室60中的基板边缘区域执行等离子体处理制程的情形为例进行说明。但不限于此，以下说明的基板处理设备也可以相同或类似地应用于实现对基板处理的多样腔室。另外，基板处理设备可以相同或类似地应用于执行对基板的等离子体处理制程的多样腔室。

图2是示出向图1的制程腔室提供的基板处理设备的一实施例的图。参照图2，在制程腔室60中提供的基板处理设备利用等离子体在基板W上执行规定的制程。作为一个示例，基板处理设备可以灰化或蚀刻基板W上的膜质。膜质可以为多晶硅膜、硅氧化膜、氮化硅膜等多样种类的膜质。另外，膜质也可以为自然氧化膜或化学产生的氧化膜。另外，膜质也可以为在处理基板W的过程中产生的副产物(By-Product)。另外，膜质也可以为附着和/或残留在基板W上的杂质。

基板处理设备可以执行对基板W的等离子体制程。例如，基板处理设备可以供应制程气体，并从供应的制程气体产生等离子体来处理基板W。基板处理设备可以供应制程气体，并从供应的制程气体产生等离子体来处理基板W的边缘区域。下面，以基板处理设备是对基板W的边缘区域执行蚀刻处理的倾斜蚀刻设备为例进行说明。

基板处理设备可以包括壳体100、支撑单元300、介电板单元500、上部电极单元600、温度调节板700、气体供应单元800及对准单元200。

壳体100可以在其内部具有处理空间102。在壳体100的一面可以形成有开口(未图示)。在一示例中，可以在壳体100的任意一个侧面形成有开口。基板W可以通过形成在壳体100上的开口搬入壳体100的处理空间102或搬出。开口可以被诸如门(未图示)的开闭构件而开闭。

在一示例中，壳体100被提供为上部开放的形态。壳体100可以利用后述的盖650、上部电极单元600及介电板单元500形成密闭的空间。如果壳体100的开口被开闭构件开闭，则壳体100的处理空间102可以与外部隔离。另外，在与外部隔离后，壳体100的处理空间102的气氛可以被调整为近乎真空的低压。另外，壳体100可以被提供为包括金属的材质。另外，壳体100的表面可以被绝缘性材质涂覆。

另外，在壳体100的底面可以形成有排气孔104。在处理空间212中产生的等离子体P或向处理空间212供应的气体G1、G2可以通过排气孔104排出到外部。另外，在利用等离子体P处理基板W的过程中产生的副产物可以通过排气孔104排出到外部。另外，排气孔104可以与排气管线(未图示)连接。排气管线可以与提供减压的减压构件连接。减压构件可以通过排气管线向处理空间102提供减压。

支撑单元300可以在处理空间102支撑基板W。支撑单元300可以包括卡盘310、电源构件320、绝缘环330、下部电极350及驱动构件370。

卡盘310可以具有支撑基板W的支撑面。从上部观察时卡盘310可以具有圆形。从上部观察时卡盘310可以具有小于基板W的直径。因此，被卡盘310支撑的基板W的中央区域可以安放于卡盘310的支撑面，基板W的边缘区域可以不与卡盘310的支撑面接触。

在卡盘310内部可以提供加热机构(未图示)。加热机构(未图示)可以加热卡盘310。加热机构可以为加热器。另外，在卡盘310上可以形成有冷却流路312。冷却流路312可以形成在卡盘310的内部。在冷却流路312上可以连接有冷却流体供应管线314和冷却流体排出管线316。冷却流体供应管线314可以与冷却流体供应源318连接。冷却流体供应源318可以存储冷却流体和/或向冷却流体供应管线314供应冷却流体。另外，向冷却流路312供应的冷却流体可以通过冷却流体排出管线316排出到外部。冷却流体供应源318存储和/或供应的冷却流体可以为冷却水或冷却气体。另外，在卡盘310上形成的冷却流路312的形状不限于图2所示的形状，可以多样地变形。另外，使卡盘310冷却的构成不限于供应冷却流体的构成，也可以被提供为能够使卡盘310冷却的多样构成(例如冷却板等)。

电源构件320可以向卡盘310供应电力。电源构件320可以包括电源322、适配器324及电源线326。电源322可以为偏置电源。电源322可以以电源线326为介质与卡盘310连接。另外，适配器324可以在电源线326上被提供以执行阻抗匹配。

从上部观察时绝缘环330可以被提供为具有环状。从上部观察时绝缘环330可以被提供为包围卡盘310。例如，绝缘环330可以具有环状。另外，绝缘环330可以构成为台阶状，以使内侧区域的顶面高度与外侧区域的顶面高度互不相同。例如，可以构成为台阶状，以使绝缘环330的内侧区域的顶面高度高于外侧区域的顶面高度。若基板W安放到卡盘310具有的支撑面，则绝缘环330的内侧区域的顶面和外侧区域的顶面中的内侧区域的顶面可以与基板W的底面相互接触。另外，若基板W安放到卡盘310具有的支撑面，则绝缘环330的内侧区域的顶面和外侧区域的顶面中的外侧区域的顶面可以与基板W的底面相互隔开。绝缘环330可以被提供在卡盘310与后述的下部电极350之间。由于在卡盘310中提供偏置电源，因而可以在卡盘310与后述的下部电极350之间提供绝缘环330。绝缘环330可以被提供为具有绝缘性的材质。

下部电极350可以配置于被卡盘310支撑的基板W的边缘区域下部。从上部观察时下部电极350可以被提供为具有环状。从上部观察时下部电极350可以被提供为包围绝缘环330。下部电极350的顶面可以被提供为与绝缘环330的外侧顶面相同的高度。下部电极350的底面可以被提供为与绝缘环330的底面相同的高度。另外，下部电极350的顶面可以被提供为比卡盘310的中央部顶面低。另外，下部电极350可以被提供为与被卡盘310支撑的基板W底面相互隔开。例如，下部电极350可以被提供为与被卡盘310支撑的基板W边缘区域底面彼此隔开。

下部电极350可以被配置为与后述的上部电极620相向。下部电极350可以配置于后述的上部电极620的下部。下部电极350可以接地。下部电极350可以诱导施加于卡盘310的偏置电源的耦合以增加等离子体密度。因此，可以提高对基板W的边缘区域的处理效率。

驱动构件370可以使卡盘310升降。驱动构件370可以包括驱动器372和轴374。轴374可以与卡盘310结合。轴374可以与驱动器372连接。驱动器372可以以轴374为介质使卡盘310沿上下方向升降。

介电板单元500可以包括介电板520和第一底座510。另外，介电板单元500可以结合于后述的温度调节板700。

从上部观察时介电板520可以具有圆形。在一示例中，介电板520的底面可以被提供为平坦形状。介电板520可以配置为与在处理空间102中被支撑单元300支撑的基板W相向。例如，介电板520可以配置于支撑单元300的上部。介电板520可以被提供为包括陶瓷的材质。在介电板520上可以形成有与后述的气体供应单元800的第一气体供应部810连接的气体流路。另外，气体流路的吐出端可以构成为使第一气体供应部810供应的第一气体G1供应到被支撑单元300支撑的基板W的中央区域。另外，气体流路的吐出端可以构成为使第一气体G1供应到被支撑单元300支撑的基板W的中央区域顶面。

第一底座510可以配置于介电板520与后述的温度调节板700之间。第一底座510可以结合于后述的温度调节板700，介电板520可以结合于第一底座510。因此，介电板520可以以第一底座510为介质结合于温度调节板700。

在一示例中，第一底座510的顶面的直径可以小于介电板520的底面。第一底座510的顶面可以具有平坦形状。另外，第一底座510的底面可以具有台阶形状。例如，第一底座510的边缘区域的底面的高度可以低于中央区域的底面而形成台阶状。另外，第一底座510的底面和介电板520的顶面可以具有可以相互组合的形状。在一示例中，第一底座510可以被提供为包括金属的材质。例如，第一底座510可以被提供为包括铝的材质。

上部电极单元600可以包括第二底座610和上部电极620。另外，上部电极单元600可以结合于后述的温度调节板700。

上部电极620可以与上述的下部电极350彼此相向。上部电极620可以配置于下部电极350的上部。上部电极620可以配置于被卡盘310支撑的基板W的边缘区域上部。上部电极620可以接地。

从上部观察时上部电极620可以具有包围介电板520的形状。在一示例中，上部电极620可以被提供为环状。上部电极620可以与介电板520隔开而形成隔开空间。隔开空间可以形成供后述的第二气体供应部830供应的第二气体G2流动的气体通道中的一部分。气体通道的吐出端可以构成为使第二气体G2能够向被支撑单元300支撑的基板W的边缘区域供应。另外，气体通道的吐出端可以构成为使第二气体G2向被支撑单元300支撑的基板W的边缘区域顶面供应。

第二底座610可以配置于上部电极620与后述的温度调节板700之间。第二底座610可以结合于后述温度调节板700，上部电极620可以结合于第二底座610。因此，上部电极620可以以第二底座610为介质结合于温度调节板700。

从上部观察时第二底座610可以具有环状。第二底座610的顶面和底面可以具有平坦形状。从上部观察时第二底座610可以具有包围第一底座510的形状。在一示例中，第二底座610的内侧面可以具有与第一底座510的外侧面组合的形状。第二底座610可以被提供为与第一底座510隔开。第二底座610可以与第一底座510隔开而形成隔开空间。隔开空间可以形成供后述的第二气体供应部830供应的第二气体G2流动的气体通道中的一部分。另外，第二底座610可以被提供为包括金属的材质。例如，第二底座610可以被提供为包括铝的材质。

温度调节板700可以与介电板单元500和上部电极单元600结合。温度调节板700可以以后述的盖650为介质与壳体100结合。温度调节板700可以产生热。例如，温度调节板700可以产生温热或冷热。温度调节板700可以从后述的控制器900接收信号而产生热。温度调节板700可以产生温热或冷热来控制介电板单元500和上部电极单元600的温度能够比较恒定地保持。例如，温度调节板700可以产生冷热来最大限度抑制介电板单元500和上部电极单元600的温度在处理基板W的过程中过度升高。

气体供应单元800可以向处理空间102供应气体。气体供应单元800可以向处理空间102供应第一气体G1和第二气体G2。气体供应单元800可以包括第一气体供应部810和第二气体供应部830。

第一气体供应部810可以向处理空间102供应第一气体G1。第一气体G1可以为氮气等非活性气体。第一气体供应部810可以向被卡盘310支撑的基板W的中央区域供应第一气体G1。第一气体供应部810可以包括第一气体供应源812、第一气体供应管线814及第一阀816。第一气体供应源812可以存储第一气体G1和/或向第一气体供应管线814供应第一气体G1。第一气体供应管线814可以与形成在介电板520上的流路连接。第一阀816可以设置于第一气体供应管线814。第一阀816可以被提供为开启/关闭阀或流量调节阀。第一气体供应源812供应的第一气体G1可以通过形成在介电板520上的流路供应到基板W顶面中央区域。

第二气体供应部830可以向处理空间102供应第二气体G2。第二气体G2可以为被激发成等离子体状态的制程气体。第二气体供应部830可以通过气体通道向基板W的边缘区域供应第二气体G2，所述气体通道由在被卡盘310支撑的基板W的边缘区域上部提供的介电板520、第一底座510、上部电极620及第二底座610相互隔开而形成。第二气体供应部830可以包括第二气体供应源832、第二气体供应管线834及第二阀836。第二气体供应源832可以存储第二气体G2和/或向第二气体供应管线834供应第二气体G2。第二气体供应管线814可以向发挥气体通道功能的隔开空间供应第二气体G2。第二阀836可以设置于第二气体供应管线834。第二阀836可以被提供为开启/关闭阀或流量调节阀。第二气体供应源832供应的第二气体G2可以通过第二流路602供应到基板W顶面边缘区域。

控制器900可以控制基板处理设备。控制器900可以以执行以下执行的等离子体处理制程的方式控制基板处理设备。例如，控制器900可以控制气体供应单元800、温度调节板700及支撑单元300。例如，控制器900可以在从第一气体供应部810和/或第二气体供应部830供应气体时，控制支撑单元300和气体供应单元800，以使电源322向卡盘310供电而在被卡盘310支撑的基板W边缘区域产生等离子体P。

对准单元200对准介电板单元500的水平方向配置。在一示例中，对准单元200结合于盖650。在盖650上结合有上部电极单元600。盖650被提供在壳体100的上部，从壳体100朝着壳体100内部空间沿水平方向延伸。在一示例中，壳体100被提供为其上部开放的圆筒形，盖650被提供为环状。在一示例中，盖650可以被提供为与壳体100相同的材质。在一示例中，盖650和壳体100可以接地。

在一示例中，盖650的底面可以位于比温度调节板700顶面高的位置。

在一示例中，对准单元200具有主体210和对准螺栓220。主体210结合于盖650。在一示例中，主体210被提供为能够装卸于盖650的形态。因此，在对准介电板单元500的水平方向配置时附着主体210，而在壳体100内处理基板W期间，主体210可以为从盖650脱离的状态。在一示例中，主体210结合于盖650的内径。主体210的底面以与温度调节板700顶面隔开的方式结合。

在一示例中，主体210的剖面具有与盖650水平的水平部和从水平部折弯的折弯部。例如，主体210的剖面为字形状。在折弯部沿与水平部平行的方向形成有螺纹。对准螺栓220能够插入于形成在折弯部的螺纹。对准螺栓220的一端能够选择性地与上部电极单元600接触。对准单元200使结合于盖650的上部电极单元600沿水平方向细微移动，对准与上部电极单元600结合的介电板单元500的水平方向配置。在一示例中，对准螺栓220的一端被提供为能够选择性地与第二底座接触。对准螺栓220的一端被提供为随着拧紧对准螺栓220而可以沿水平方向推动第二底座。在一示例中，对准螺栓220被提供为复数个。在一示例中，从上部观察时对准螺栓220以盖650的中心为基准对称。例如，从上部观察时两个对准螺栓220间隔180度。因此，任一个对准螺栓220随着拧紧对准螺栓220而将第二底座向右推，另一个对准螺栓220随着拧紧对准螺栓220而将第二底座向左推。不同于此，对准螺栓220的个数可以大于2个，从上部观察时具有相同的角度间隔。

在一示例中，盖650和上部电极单元600被提供为能够选择性地提供盖650与上部电极单元600之间的结合力。例如，盖650和上部电极单元600通过螺栓120结合。不同于此，盖650和上部电极单元600可以利用能够可变地提供彼此之间结合力的其他机构来结合。因此，在对准介电板单元500的水平方向配置时，相对较弱地提供盖650与上部电极单元600之间的结合力，以使对准螺栓220的一端可以推动上部电极单元600，在处理空间102内处理基板W时，使盖650与上部电极单元600之间的结合力增强，从而可以密闭处理空间102，使处理空间102成为真空状态。

在上述的示例中，说明了盖650被提供为与壳体100分体的部件的情形，但不同于此，盖650可以被提供为与壳体100一体。

图3是示出本发明一实施例的基板W处理设备的状态的图。在一示例中，可以在介电板单元500提供检视口515，在支撑单元300提供对准标记315。

检视口515贯通介电板单元500。从上部观察时检视口515被提供在不与盖650重叠的位置。因此，使操作者可以通过检视口515肉眼观察处理空间102的内部。对准标记315被提供为在预设位置与检视口515对应。在一示例中，预设位置是在处理空间102内处理基板W期间支撑单元300的位置。在一示例中，对准标记315可以在支撑单元300上被提供为槽。不同于此，对准标记315可以被提供为操作者可以肉眼确认的多样形态。当操作者可以通过检视口515肉眼确认对准标记315时，判断为介电板单元500对准到正确位置。当无法肉眼确认对准标记315时，调节对准螺栓220使介电板单元500沿水平方向移动，以使检视口515和对准标记315位于一直线上。

下面参照图4至图6，对本发明的介电板520对准方法进行说明。

在一示例中，在处理空间102内处理基板W之前或之后，可以相对于支撑单元300，将介电板520对准到预设位置。在处理空间102内处理基板W之前或之后，在处理空间102内未提供基板W的状态下对准介电板520。在一示例中，基板W的处理是对基板W边缘区域进行蚀刻处理的倾斜蚀刻。

首先，如图4所示，在处理空间102内处理基板W之前或之后，为了对介电板单元500或上部电极单元600进行维护，可以从壳体100上移除介电板单元500和上部电极单元600。此时，盖650可以与介电板单元500和上部电极单元600一同移除。或者不同于此，盖650可以不移除。

然后，如图5所示，使盖650、介电板单元500及上部电极单元600结合于壳体100。然后，将对准单元200结合于盖650。介电板单元500的位置是用于对基板W边缘区域进行蚀刻处理的重要要素。特别是，当介电板520的位置未放到正确位置时，基板W的边缘区域可能会以基板W的中心为基准被不均匀地蚀刻。因此，介电板520以基板W的中心为基准对准到正确位置是重要的。不过，在不处理基板W期间，基板W不位于处理空间102内，因而以基板W被放置的支撑单元300为基准，对准介电板520的水平位置。在一示例中，在处理空间102内处理基板W期间，以支撑单元300被放置的位置为基准，对准介电板520的水平位置。

例如，如图5所示，在介电板520未对准到预设位置的情况下，操作者从上部通过检视口515肉眼观察处理空间102时，无法确认对准标记315。此时，操作者拧紧对准螺栓220中的任意一个，从上部观察上部电极单元600时，可以使介电板520左右移动而对准到预设位置。此时，盖650和上部电极单元600处于松驰结合的状态。如图6所示，当可以通过检视口515确认对准标记315时，判断为介电板520对准到预设的正确位置。如果介电板520对准到预设位置，则将盖650和上部电极单元600完全结合。在一示例中，牢固地拧紧提供在盖650与上部电极单元600之间的螺栓。在一示例中，操作者可以拧紧提供在盖650与上部电极单元600之间的螺栓的同时，持续确认介电板520是否对准到预设的正确位置。

在一示例中，介电板520的对准完成后从盖650分离对准单元200。

在如上所述的示例中说明了在介电板单元500提供检视口515，操作者通过检视口515肉眼确认在处理空间102内部提供的对准标记315的位置，使介电板520沿水平方向对准的情形。但不同于此，如图7所示，将附着有传感器S2并与基板W相同形状的夹具J投入处理空间102内，将提供在处理空间102内的传感器S1及其位置关系发送给在处理空间102外部提供的控制部，可以将介电板520沿水平方向对准。

在上述的示例中说明了温度调节板700被提供为分体的情形。但不同于此，温度调节板700可以不分体，而是可以被提供为第二底座610和温度调节板700一体。

根据本发明，优点在于，为了处理基板的边缘区域而使介电板位于基板的上部时，可以对准介电板520的水平方向位置。

根据本发明，优点在于，用于对准介电板520的水平方向位置的对准单元200能够装卸。

在上述示例中，以基板处理设备对基板W的边缘区域执行蚀刻制程的情形为例进行了说明，但不限于此。上述实施例可以相同或类似地应用于要求对基板W的边缘区域进行处理的多样设备和制程。

上述示例中说明的基板处理设备产生等离子体P的方法可以为电感耦合等离子体(ICP：Inductive coupled plasma)方式。另外，上述基板处理设备产生等离子体P的方法可以为电容耦合等离子体(CCP：Capacitor couple plasma)方式。另外，基板处理设备可以利用ICP方式和CCP方式，或利用在ICP方式和CCP方式中选择的方式来产生等离子体P。另外，除了如上所述的方法之外，基板处理设备也可以利用公知的产生等离子体P的方法来处理基板W的边缘区域。

以上的详细说明是对本发明的举例。另外，前述的内容示出并说明本发明的优选实施方式，本发明可以在多样的不同组合、变更及环境下使用。即，可以在与本说明书中公开的发明的概念范围内、前述的公开内容均等的范围内和/或本领域技术或知识范围内进行变更或修订。前述的实施例说明了用于体现本发明技术思想所需的最佳方式，也可以进行本发明具体应用领域和用途所要求的多样变更。因此，以上发明内容并非要将本发明限定于公开的实施方式。另外，附带的权利要求书范围应被解释为也包括其他实施方式。

Claims (16)

1.一种基板处理设备，用于处理基板，其中，包括：

壳体，所述壳体的上部开放，在其内部具有处理空间；

气体供应单元，所述气体供应单元向所述处理空间供应气体；

支撑单元，所述支撑单元具有在所述处理空间支撑基板的卡盘和从上部观察时以包围所述卡盘的方式提供的下部电极；

介电板单元，所述介电板单元具有与在所述处理空间被所述支撑单元支撑的基板相向地配置的介电板；

上部电极单元，所述上部电极单元结合于所述介电板单元，具有与所述下部电极相向地配置的上部电极；以及

对准单元，所述对准单元对准所述介电板单元的水平方向配置；

在所述壳体的上部提供从所述壳体向所述水平方向延伸并结合于所述上部电极单元的盖；

所述对准单元结合于所述盖。

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述对准单元包括：

主体，所述主体结合于所述盖；

复数个对准螺栓，所述对准螺栓被提供为能够插入于在所述主体上形成的螺纹，并且能够在所述水平方向上推动所述上部电极单元。

3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述主体被提供为能够装卸于所述盖的形态。

4.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述盖被提供为环状，所述对准螺栓被提供为以所述盖的中心为基准对称。

5.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述盖与所述上部电极单元螺栓结合。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理设备，其中，进一步包括：

检视口，所述检视口贯通所述介电板单元；

对准标记，所述对准标记以在预设位置与所述检视口对应的方式被提供在所述支撑单元上。

7.如权利要求6所述的基板处理设备，其中，从上部观察时，所述检视口被提供在不与所述盖重叠的位置。

8.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述介电板单元和所述上部电极单元结合于温度调节板。

9.如权利要求8所述的基板处理设备，其中，所述介电板单元进一步包括：

第一底座，所述第一底座配置于所述介电板与所述温度调节板之间；

所述上部电极单元进一步包括：

第二底座，所述第二底座在从上部观察时包围所述第一底座，配置于所述上部电极与所述温度调节板之间。

10.如权利要求9所述的基板处理设备，其中，所述气体供应单元包括：

气体通道，所述气体通道形成在所述第一底座与所述第二底座相互隔开的空间；

第一气体供应部，所述第一气体供应部向所述气体通道供应被激发为等离子体的制程气体；

所述气体通道的吐出端对着被所述支撑单元支撑的基板的边缘区域。

11.如权利要求9所述的基板处理设备，其中，所述气体供应单元包括：

气体流路，所述气体流路被提供在所述介电板内；

第二气体供应部，所述第二气体供应部向所述气体流路供应非活性气体；

所述气体流路的吐出端以对着被所述支撑单元支撑的基板的中央区域的方式形成。

12.一种介电板对准方法，所述介电板对准方法利用如权利要求2所述的基板处理设备来对准所述介电板，其中，

在所述处理空间内处理基板之前或之后，相对于所述支撑单元，将所述介电板对准到预设位置；

如果所述介电板未对准所述预设位置，则拧紧所述对准螺栓中的任意一个，使所述上部电极单元左右移动来使所述介电板对准到所述预设位置。

13.如权利要求12所述的介电板对准方法，其中，所述对准单元能够装卸于所述盖。

14.如权利要求12所述的介电板对准方法，其中，所述盖与所述上部电极单元螺栓结合；

在所述处理空间内处理所述基板期间，所述盖与所述上部电极单元完全结合；

在对准所述介电板期间，所述盖与所述上部电极单元松弛结合。

15.如权利要求12所述的介电板对准方法，其中，所述预设位置是在所述处理空间内处理所述基板期间所述介电板对准到所述支撑单元被放置的位置的位置。

16.如权利要求12至15中任一项所述的介电板对准方法，其中，拧紧所述对准螺栓中的任意一个，以使贯通所述介电板单元的检视口和对应于所述检视口提供在所述支撑单元上的对准标记位于一直线上。