TW202410261A - 用於處理基板之設備 - Google Patents

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Abstract

本發明概念提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括殼體，具有處理空間；支撐單元，經組態以支撐在處理空間中的基板；以及氣體供應單元，經組態以將激發成為電漿的氣體供應至處理空間，且其中支撐單元包括：卡盤，支撐基板的中心區域；以及邊緣電極，以環狀形成，且其中，邊緣電極包括：主體部，在卡盤的外側處環繞卡盤；以及突出部，形成為突出至主體部的外側，且在突出部形成有貫穿突出部的孔，且孔排出處理空間的大氣。

Description

用於處理基板之設備
[相關申請案之交叉參考]
本申請案主張申請於韓國智慧財產局在2022年8月24日之韓國專利申請案第10-2022-0106291號的優先權，其全部內容為了所有目的併入本文作為參考。
本文描述的本發明的實施例關於一種基板處理設備，更具體地，關於一種使用電漿的基板處理設備。
電漿是指由離子、自由基和電子組成的離子化氣態。電漿是由非常高的溫度、強磁場或高頻電磁場產生。半導體元件製造製程包括使用電漿來去除基板上的薄膜的蝕刻或灰化製程。灰化製程或蝕刻製程是藉由電漿中包含的離子和自由基粒子與基板上的膜碰撞或反應來執行的。
當使用電漿處理基板時，隨著產生電漿的區域增加，相應區域中的壓力控制是困難的。此外，隨著產生電漿的區域增加，更難以控制相應區域中的氣流。因此，產生電漿的區域的氣體均勻性會降低。如此一來，若是難以控制壓力和氣流，將難以在產生電漿的區域中根據處理需求激發相應的氣體。亦即，隨的產生電漿的區域增加，電漿密度會下降。當電漿密度下降，以輸入時間相比，基板的處理效率下降。
本發明構思的實施例提供一種用於有效處理基板的基板處理設備。
本發明構思的實施例提供一種用於在基板的邊緣區域處產生高密度電漿的基板處理設備。
本發明構思的實施例提供一種用於有效地控制在產生電漿的區域處的壓力及氣流的基板處理設備。
本發明構思的技術目標並不限於上述目標，且其他未提及的技術目標將通過以下描述，使本發明構思所屬技術領域中具有通常知識者清楚地理解。
本發明構思提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括具有處理空間的外殼；經組態以支撐在所述處理空間處的基板的支撐單元；以及經組態以將激發成為電漿的氣體供應至所述處理空間的氣體供應單元，且其中所述支撐單元包括：支撐所述基板的中心區域的卡盤；以及以環狀形成的邊緣電極，且其中，所述邊緣電極包括：在所述卡盤的外側處環繞所述卡盤的主體部；以及形成為突出至所述主體部的外側的突出部，且在所述突出部形成有貫穿所述突出部的孔，且所述孔排出所述處理空間的大氣（atmosphere）。
在一實施例中，所述突出部與所述主體部一體成形。
在一實施例中，所述突出部沿著所述主體部的圓周方向形成。
在一實施例中，所述突出部的外周延伸到所述殼體的側壁。
在一實施例中，在所述殼體處形成有排氣孔，用以排出所述處理空間的所述大氣，且所述處理空間的所述大氣在通過所述孔及所述排氣孔時被排出。
在一實施例中，所述突出部的頂面位於與所述主體部的頂面為相同的高度處。
在一實施例中，所述突出部形成在所述主體部的頂端處，且所述突出部的頂面與所述主體部的所述頂端相對於彼此形成為階梯狀。
在一實施例中，所述突出部的所述頂面位在低於所述主體部的所述頂面處。
在一實施例中，所述突出部的頂面傾斜的形成。
在一實施例中，所述突出部的所述頂面朝向所述殼體的所述側壁向下傾斜的形成。
本發明構思提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括具有處理空間的外殼；經組態以支撐在所述處理空間處的基板的支撐單元；以及用於在被支撐於所述支撐單元上的基板的邊緣區域產生電漿的電漿源，且其中，所述支撐單元包括：支撐所述基板的中心區域的卡盤；以及以環狀形成且位於所述邊緣區域下方的邊緣電極，且其中，所述邊緣電極包括：在所述卡盤的外側處環繞所述卡盤的主體部；以及具有用於排出所述處理空間的大氣的通孔的突出部，且所述突出部突出至所述主體部的外側。
在一實施例中，所述突出部與所述主體部一體成形。
在一實施例中，所述突出部的頂面位於與所述主體部的頂面為實質上相同的高度處。
在一實施例中，所述突出部的頂面位於與所述主體部的頂面為不同的高度處。
在一實施例中，所述突出部的所述頂面位在低於所述主體部的所述頂面處。
在一實施例中，所述突出部的頂面傾斜的形成。
在一實施例中，所述突出部的所述頂面朝向所述主體部向上傾斜的形成。
在一實施例中，所述電漿源包括位於所述邊緣區域上方的頂緣電極。
本發明構思提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括具有處理空間的外殼；經組態以支撐在所述處理空間處的基板的支撐單元；以及經組態以將氣體供應至被支撐於所述支撐單元上的基板的邊緣區域的氣體供應單元；以及位於所述邊緣區域上方的頂緣電極，且其中，所述支撐單元包括：支撐所述基板的中心區域的卡盤；以及以環狀形成且位於所述邊緣區域的下方的邊緣電極，且其中，所述邊緣電極包括：在所述卡盤的外側處環繞所述卡盤的主體部；以及形成為突出至所述主體部的外側的突出部，且在所述突出部形成有貫穿所述突出部的孔，且所述孔排出所述處理空間的大氣。
在一實施例中，所述突出部與所述主體部一體成形。
根據本發明構思的實施例，可以有效地處理基板。
根據本發明構思的實施例，可以在基板的邊緣區域處產生均勻的電漿。
根據本發明構思的實施例，可以在基板的邊緣區域處產生高密度電漿。
根據本發明構思的實施例，可以有效控制產生電漿的區域處的壓力及氣流。
本發明構思的效果並不限於上述效果，且其他未提及的效果將通過以下描述，使本發明構思所屬技術領域中具有通常知識者清楚地理解。
將參照圖式更完整地描述例示性實施例。提供這些實施例使得本發明將是徹底且完整的，並且將對本案所屬技術領域中具有通常知識者充分傳達本發明的範圍。例如具體組件、設備和方法的示例等許多具體細節將被闡述，以提供本發明實施例的徹底理解。對本案所屬技術領域中具有通常知識者而言顯而易見的是，不需要採用具體細節，例示性實施例可以用許多不同形式來實施，且不應被解釋為限制本發明的範圍。在一些例示性實施例中，不再詳細描述已知的製程、已知的裝置結構以及已知的技術。
本文中使用的術語僅用於描述特定例示性實施例為目的，且不意於作為限制。除非在上下文中另有明確說明，本文中所使用單數形式的「一（a）」、「一（an）」以及「所述（the）」亦可以旨在包含複數形式。用語「包括（comprises）」，包括（comprising）」「包含（including）」、及「具有（having）」是相容的，而指定所說明的特徵、數量、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一個或多個其他特徵、數量、步驟、操作、元件及/或部件的存在或附加。除非有明確指定執行順序，本文所描述的方法、步驟、製程及操作不應被解釋為必須要求其按討論或說明的特定順序執行。也應被理解的是，可以採取額外的或替代的步驟。
當元件或層被稱為「在…上（on）」、「接合至（engaged to）」、「連接至（connected to）」或「耦接至（coupled to）」另一元件或層時，可為直接「在…上（on）」、「接合至（engaged to）」、「連接至（connected to）」或「耦接至（coupled to）」另一元件或層，或是可以存在中間元件或中間層。相反地，當一個元件是「直接在…上（directly on）」、「直接接合至（directly engaged to）」、「直接連接至（directly connected to）」或「直接耦接至（directly coupled to）」另一元件或層時，將不存在中間元件或層。其他用以描述元件之間關係的表達，應被相似地解釋（例如「之間（between）」相對於「直接之間（directly between）」、「相鄰（adjacent to）」相對於「直接相鄰（directly adjacent to）」）。當本文使用用語「及/或（and/or）」，將包括一個或多個相關列出項目的任何和所有組合。
儘管本文中可以使用用語第一、第二、第三等來描述各種元件、構件、區域、層及/或部分，這些元件、構件、區域、層及/或部分不應被這些用語限制。這些用語可以僅用來區分一個元件、構件、區域、層或部分與另一個元件、構件、區域、層或部分。除非上下文明確指出，否則當本文使用諸如「第一（first）」、「第二（second）」及其他數值項的用語時，並不意於暗示其序列或順序。因此，在不脫離例示性實施例的教導的情況下，下文中所描述的第一元件、構件、區域、層或部分也可以被稱為第二元件、構件、區域、層或部分。
諸如「內（inner）」、「外（outer）」、「下面（beneath）」、「下方（below）」、「下位（lower）」、「上面（above）」、「上方（upper）」等空間相關用語，可用於此作為描述的目的，並從而描述在圖示中一元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了圖式中描繪的方位之外，空間相關用語可以旨在包含使用或操作中裝置的不同方位。例如，若將圖式中的裝置翻轉，描述在其他元件或特徵「下方（below）」或「之下（beneath）」的元件將被定向為在其他元件或特徵的「上方（above）」。因此，例示性用語「下方（below）」可同時包含上方與下方的方位。裝置可以被轉向其他方位（例如，旋轉90度或其他方位），且在此使用的空間相關描述用語應據此作相應的解釋。
當在例示性實施例的說明中使用如「相同的（same）」、「等同的（identical）」或「相等的（equal）」等用語時，應理解，可能存在一些不精確性。因此，當稱一個元件或一個數值相同於另一元件或等於另一數值時，應理解，一個元件或數值是在製造容差及/或操作容差範圍（例如，±10%）內相同於另一元件或另一數值。
當在本說明書中結合數值使用用語「約（about）」或「實質上（substantially）」時，其旨在使相關聯的數值包括所述數值的製造容差及/或操作容差（例如，±10%）。此外，當用語「大致上（generally）」及「實質上」與幾何形狀結合使用時，應理解，其旨在不要求幾何形狀的精確性，但所述形狀的寬容度在本發明的範圍內。
除非另外定義，在本文中使用的全部用語（包括技術及科學用語）具有與例示性實施例揭露所屬之技術領域中具有通常知識者所通常理解的相同涵義。能進一步理解的是這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有與相關技術的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本文中特別定義。
在下文中，將參照圖1至圖10詳細描述本發明構思的實施例。
圖1為示意性地示出了根據本發明構思的實施例的基板處理設備。參照圖1，基板處理設備1具有設備前端模組（EFEM）20及處理模組30。設備前端模組20與處理模組30設置在一個方向上。
下文中，設置設備前端模組20及處理模組30的方向被定義為第一方向11。另外，當從頂部觀察時，垂直於第一方向11的方向被定義為第二方向12。另外，垂直於包含第一方向11及第二方向12的平面的方向被定義為第三方向13。例如，第三方向13可為垂直於地面的方向。
設備前端模組20具有裝載口（load port）10和傳送框架21。裝載口10具有多個支撐部6。各個支撐部6在第二方向12上配置成一列。載體4可以被安置在各個支撐部6上。根據實施例，載體4可以包含盒、FOUP或其類似物。載體4可以容納將要被提供到製程中的基板和完成製程處理的基板。
傳送框架21配置在裝載口10和處理模組30之間。傳送框架21具有內部空間。傳送框架21的內部空間可以維持在大氣壓力氣氛。第一傳送機器人25配置在傳送框架21的內部。第一傳送機器人25可以沿著在第二方向12上設置的傳送軌道27移動，從而在載體4和處理模組30之間傳送基板。
根據一實施例，處理模組30可以藉由接收儲存在放置於裝載口10中的載體4的基板，執行在基板的邊緣區域移除薄膜的處理製程。處理模組30可以包括裝載鎖定室40、傳送室50和處理室60。
裝載鎖定室40相鄰於設備前端模組20配置。例如，裝載鎖定室40可以配置在傳送室50和設備前端模組20之間。裝載鎖定室40具有內部空間，作為將要被提供到製程中的基板被傳送到處理室60之前的等待空間或者提供完成製程處理的基板被傳送到設備前端模組20之前的等待空間。裝載鎖定室40的內部空間可以在大氣壓力氣氛與真空壓力氣氛之間轉換。
傳送室50傳送基板。根據一實施例，傳送室50可以在裝載鎖定室40與處理室60之間傳送基板。傳送室50與裝載鎖定室40相鄰地配置。當從頂部觀察時，傳送室50可以具有多邊形的主體。裝載鎖定室40和多個處理室60可以沿著主體的周圍，配置在主體的外側。
傳送室50的內部可以維持在真空壓力氣氛。在傳送室50的內部，第二傳送機器人53放置在裝載鎖定室40與處理室60之間，用以傳送基板。第二傳送機器人53可以將在裝載鎖定室40中等待的未處理的基板傳送到處理室60，或者將完成製程處理的基板傳送到裝載鎖定室40。另外，第二傳送機器人53可以在多個處理室60之間傳送基板。
處理室60相鄰於傳送室50配置。可提供複數個處理室60。複數個處理室60可沿著傳送室50的周圍配置。在複數個處理室60中的每一個，對基板執行預定的製程處理。處理室60能夠從第二傳送機器人53接收基板，並在基板上執行預定的製程處理，並且將完成製程處理的基板提供給第二傳送機器人53。在各個處理室60中執行的製程處理可以彼此不同。
下文中，在處理室60當中執行電漿處理製程的處理室60將作為實例描述。根據一實施例，執行電漿處理製程的處理室60可以對基板上的膜執行蝕刻或灰化。該膜可為多晶矽膜、氧化矽膜和氮化矽膜等各種類型的膜。可選地，該膜可為天然氧化膜或化學生成的氧化膜。該膜可為在處理基板的過程中產生的雜質。可選地，該膜可為黏附及/或殘留在基板的頂面及底面的雜質。
另外，下文中描述執行電漿處理製程的處理室60可為經組態以執行斜面蝕刻製程（Bevel Etch process），以去除基板處理設備1的處理室60中的基板的邊緣區域上的膜。然而，本發明不限於此，且下文中描述的基板處理設備1的處理室60可以以相同或相似的方式應用於對基板執行處理的各種腔室中。另外，下文中描述的處理室60可以以相同或相似的方式應用於對基板執行電漿處理製程的各種腔室中。
圖2為示意性地示出了根據圖1的實施例的處理室。參照圖2，根據一實施例的處理室60可以執行用電漿去除移除形成在基板W上的膜的製程。例如，處理室60能夠提供氣體，並使用藉由激發所提供的氣體產生的電漿處理基板W的邊緣區域。
處理室60可以包括殼體100、支撐單元200、介電單元300、頂部電極單元500以及氣體供應單元700。
殼體100可為腔室。根據一實施例，殼體100可為真空室。殼體100在其中具有處理空間102。處理空間102當作處理基板W的空間。殼體100的側壁上可以形成有開口（未示出）。基板W可以通過開口（未示出）被搬入處理空間102或者被搬出處理空間102。儘管未示出，開口（未示出）可以藉由門組件（未示出）來開閉。
排氣孔106形成在殼體100的底面上。排氣孔106可以連接到排氣管線108。排氣管線可以連接到提供負壓的減壓構件（未示出）。
圖3為圖2的A部分的放大透視圖。下文中，將根據參照圖2及圖3的一實施例的支撐單元詳細說明。
支撐單元200位於處理空間102中。支撐單元200在處理空間102中支撐基板W。支撐單元200可以包括卡盤210、電源構件220、環構件230以及邊緣電極250。
卡盤210在處理空間102中支撐基板W。自頂部觀察時，卡盤210可以具有實質上圓形形狀。根據一實施例，卡盤210的頂面可以具有小於基板W的直徑。因此，由卡盤210支撐的基板W的中心區域可以位於卡盤210的頂面上，且基板W的邊緣區域可以不接觸卡盤210的頂面。也就是說，在基板W的中間區域被安置在卡盤210上的狀態下，基板W的邊緣區域可以位於卡盤210的外部區域。
升降銷280可以位於卡盤210中。升降銷280可以提升及降低基板W。另外，驅動構件290可以耦接至卡盤210。驅動構件290可以提升及降低基板W。
未示出的加熱器可以位於卡盤210中。加熱器（未示出）可以加熱卡盤210，以調整支撐在卡盤210上的基板W的溫度。此外，未示出的冷卻液通道可以形成在卡盤210中。冷卻液可以在冷卻液通道（未示出）中流動。當冷卻液流經冷卻液通道（未示出）時，冷卻液冷卻卡盤210，從而控制由卡盤210支撐的基板W的溫度。冷卻卡盤210的組態不限於供應冷卻流體的組態，且可以被修改為能夠冷卻卡盤210的各種組態（例如，冷卻板等）。
電源構件220向卡盤210提供電力。電源構件220可以包括電源222、匹配器224及電源線226。根據一實施例的電源222可以為偏置電源。此外，電源222可以為RF電源。電源222可以藉由電源線226連接至卡盤210。匹配器224可以安裝在電源線226上以執行阻抗匹配。
環構件230可以具有環形形狀。環構件230可以設置在卡盤210與隨後描述的邊緣電極250之間。環構件230可以沿著卡盤210的周圍設置。從頂部觀察時，環構件230可以設置以圍繞卡盤210的外周面。根據一實施例，環構件230的頂面可為階梯狀。例如，環構件230的內部區域的頂面可以具有高於環構件230的外部區域的頂面的高度。根據一實施例，環構件230的內部區域的頂面可以位於對應於卡盤210的頂面的高度。此外，環構件230的外部區域的頂面可以位於低於卡盤210的頂面的高度。因此，安置在卡盤210頂面上的基板W的邊緣區域可以被支撐在環構件230的內部區域的頂面上。也就是說，環構件230的內部區域的頂面可以支撐基板W的邊緣區域的底面。然而，本發明構思並不限於此，且環構件230的頂面可以為大致上平坦。
邊緣電極250可以形成為具有環形形狀。從頂部觀察時，邊緣電極250可以環繞環構件230設置。邊緣電極250可以當作電漿源。此將隨後詳細描述。邊緣電極250可以包括主體部252及突出部254。根據一實施例，主體部252與突出部254為一體成形。此外，主體部252與突出部254的材料可為相同的。
從頂部觀察時，主體部252可以設置在由卡盤210所支撐的基板W的邊緣區域。根據一實施例，邊緣電極250可以設置在基板W的邊緣區域的下方。主體部252可以具有環形形狀。主體部252可以設置以圍繞環構件230的外周面。具體而言，主體部252的內周面可以設置以圍繞環構件230的外周面。因此，主體部252可以在卡盤210外側圍繞卡盤210。此外，主體部252的外周面可以藉由預定距離與殼體100的側壁隔開。
形成在主體部252的外周面與殼體100側壁之間的空間（下文中稱為分離空間）可以當作處理空間102的大氣被排出的空間。具體而言，分離空間104可以當作提供至處理空間102的氣體被排出的空間。此外，分離空間104可以當作排出在處理基板W的過程中所產生漂浮在處理空間102中的雜質的空間。此外，分離空間104可以當作調整處理空間102的壓力的空間。隨後描述的孔256可以設置在分離空間104的上方。此外，前述的排氣孔106可以設置在分離空間104的下方。
根據一實施例，主體部252的頂面可以設置以具有對應於環構件230的外部區域的頂面的高度。然而，本發明構思並不限於此，主體部252的頂面的高度與環構件230的外部區域的頂面的高度可為不同。
突出部254可以具有環形形狀。突出部254可以與主體部252一體成形地形成。突出部254可以沿著主體部252的圓周方向形成。突出部254可以形成以自主體部252突出。突出部254可以形成以自主體部252的外側突出。根據一實施例，突出部254可以在朝向殼體100的側壁的方向上突出。根據一實施例，突出部254的外周面可以延伸至殼體100的側壁。例如，突出部254的外周面可以與殼體100的內側壁接觸。可選地，突出部254的外周面可以與設置在殼體100內的襯墊（未示出）接觸。從頂部觀察時，突出部254的內周面可以重疊於主體部252的外周面。此外，從頂部觀察時，突出部254可以重疊於前述分離空間104。
根據一實施例，突出部254可以形成於主體部252的頂部。根據一實施例，突出部254的頂面設置在對應於主體部252的頂面的高度。例如，突出部254的頂面與主體部252的頂面可以設置在相同的平面上。
突出部254中可以形成有複數個孔256。根據一實施例，孔256可以穿透突出部254的頂面及底面。也就是說，孔256可為通孔。孔256可以形成為沿著突出部254的圓周方向以預定間距彼此隔開。此外，孔256可以沿著突出部254的圓周方向形成為多列。根據一實施例，孔256可以具有圓形截面。然而，本發明構思並不限於此，且孔256可以在突出部254中形成為狹縫形狀。
在一實施例中，主體部252與突出部254中的至少一者可以接地。因此，邊緣電極250可以當作電漿源。邊緣電極250可以當作藉由與隨後描述的頂部邊緣電極510一起激發供應到處理空間102的氣體，而在基板W的邊緣區域中產生電漿的電漿源。
參照圖2，介電單元300可以包括介電板310及第一底座320。介電板310的底面可以設置以面向卡盤210的頂面。介電板310的頂面可以形成為階梯狀的，使得介電板310的中心區域的高度高於介電板310的邊緣區域的高度。介電板310的底面可以形成為大致上平坦的形狀。
可以在介電板310中形成連接至隨後描述的第一氣體供應單元720的氣流供應通道。從頂部觀察時，氣流通道的排氣端可以設置在對應於由卡盤210所支撐的基板W的中心區域的位置。例如，經由氣流通道的排氣端排出的第一氣體可以供應至由卡盤210所支撐的基板W的中心區域。
第一底座320可以設置在介電板310與殼體100的頂壁之間。第一底座320的直徑可以由頂部至底部逐漸增加。第一底座320的頂面的直徑可以相對地小於介電板310的底面的直徑。第一底座320的底面的直徑可以對應於介電板310的頂面的直徑。第一底座320的頂面可以具有平坦的形狀。此外，第一底座320的底面可以具有對應於介電板310的頂面的形狀。
頂部電極單元500可以包括頂部邊緣電極510及第二底座520。從頂部觀察時，頂部邊緣電極510可以設置以重疊於由卡盤210所支撐的基板W的邊緣區域。從前方觀察時，頂部邊緣電極510可以設置在基板W的上方。
頂部邊緣電極510可為接地的。如上所述，頂部邊緣電極510是接地並與邊緣電極250一起當作電漿源。例如，頂部邊緣電極510可以是藉由激發供應至基板W的邊緣區域的氣體而產生電漿的電漿源。
頂部邊緣電極510可以形成為環形形狀。從頂部觀察時，頂部邊緣電極510可以具有圍繞介電板310的形狀。頂部邊緣電極510可以藉由預定距離與介電板310隔開設置。分離空間可以形成在頂部邊緣電極510與介電板310之間。分離空間可以當作氣體流通過的通道。例如，分離空間可以當作氣體通道的一部分，由隨後描述之第二氣體供應單元740供應的第二氣體在氣體通道中流動。從頂部觀察時，分離空間的排出端可以設置在對應於由卡盤210所支撐的基板W的邊緣區域。例如，經由分離空間的排氣端排出的氣體可以供應至由卡盤210所支撐的基板W的邊緣區域。
第二底座520可以設置在卡盤210上方。第二底座520可以固定頂部邊緣電極510的位置。第二底座520可以設置在頂部邊緣電極510與殼體100的頂壁之間。第二底座520可以具有環形形狀。第二底座520可以與第一底座320隔開設置。第二底座520可以與第一底座320隔開以形成分離空間。分離空間可以當作氣體流通過的通道。例如，分離空間可以當作氣體通道的一部分，由隨後描述之第二氣體供應單元740供應的第二氣體在氣體通道中流動。
藉由結合頂部邊緣電極510與介電板310所形成的分離空間與藉由結合第二底座520與第一底座320所形成的分離空間可以彼此流體連通以當作氣體通道。從第二氣體供應單元740供應的第二氣體可以經由氣體通道供應至基板W的邊緣區域。
氣體供應單元700將處理氣體供應至處理空間102。氣體供應單元700可以包括第一氣體供應單元720及第二氣體供應單元740。
第一氣體供應單元720可以供應第一氣體至處理空間102。例如，第一氣體可為包括氮氣的惰性氣體。第一氣體供應單元720可以供應第一氣體到由卡盤210所支撐的基板W的中心區域。第一氣體供應單元720可以包括第一氣體供應源722、第一氣體供應線724及第一閥726。
第一氣體供應源722可以儲存第一氣體。第一氣體供應線724的一端可以連接至第一氣體供應源722，且第一氣體供應線724的另一端可以連接至形成在介電板310中的流體通道。第一閥726安裝在第一氣體供應線724中。第一閥726可為開/關閥或流量調節閥。第一氣體可以經由形成在介電板310中的流體通道供應至基板W的中心區域。
第二氣體供應單元740供應第二氣體至處理空間102。第二氣體供應單元740可以包括第二氣體供應源742、第二氣體供應線744及第二閥746。
第二氣體供應源742可以儲存第二氣體。根據一實施例，第二氣體可為激發為電漿狀態的處理氣體。第二氣體供應線744的一端可以連接至第二氣體供應源742，且第二氣體供應線744的另一端可以連接至前述的氣體通道。因此，第二氣體供應線744可以提供第二氣體至氣體通道。第二閥746安裝在第二氣體供應線744上。第二閥746可為開/關閥或流量調節閥。如上所述，第二氣體可以經由氣體通道供應至基板W的邊緣區域，氣體通道藉由結合頂部邊緣電極510、介電板310、第二底座520及第一底座320形成。
在上述的實施例中，卡盤210在垂直方向上移動，且介電板310與頂部邊緣電極510的位置是固定的，但本發明構思並不限於此。例如，卡盤210的位置可以是固定的，且介電板310可以經組態為可在垂直方向移動。此外，卡盤210與介電板310可以經組態為可在垂直方向移動。
此外，在上述實施中，曾描述邊緣電極250與頂部邊緣電極510接地的實例，但本發明構思並不限於此。邊緣電極250與頂部邊緣電極510中的任一者可以接地，且另一者可以與RF電源連接。此外，邊緣電極250與頂部邊緣電極510兩者都可以與RF電源連接。
圖4為示意性地示出了根據圖2的實施例在處理室中進行電漿處理製程。
參照圖4，根據本發明構思的實施例的處理室60可以藉由在基板W的邊緣區域產生電漿P來處理基板W的邊緣區域。例如，處理室60可以執行處理基板W的邊緣區域的斜面蝕刻製程。
當基板W被安裝在卡盤210的頂面時，氣體供應單元700供應氣體至基板W的中央區域及基板W的邊緣區域。經由氣體通道供應的第二氣體可以被激發為電漿P狀態以處理基板W的邊緣區域。例如，基板W的邊緣區域上的膜可以由電漿P蝕刻。
此外，當處理基板W時，流進處理空間102的氣體藉由形成在突出部254、分離空間104及排氣孔106處的孔256，均勻地排出處理空間102的外部。在排出氣體的製程中，可以確保處理空間102內流動氣體的均勻性。此外，藉由在處理基板W的同時排出處理空間102的大氣，可以均勻地控制處理空間102中的壓力。因此，電漿可以在處理空間102中均勻地產生，特別是在基板W的邊緣區域。
尤其，根據本發明構思的實施例，作為電漿源之邊緣電極250的突出部254在主體部252的頂部一體成形，而可以有效地限制在處理空間102中產生電漿的區域。因此，可以增加在基板W的邊緣區域所產生的電漿密度。
此外，根據本發明構思的實施例，主體部252的頂面與突出部254的頂面對應地形成，使得電漿可以在邊緣電極250上方均勻地形成。具體而言，由於邊緣電極250的突出部254延伸至殼體100的側壁，電漿可以產生至殼體100的側壁。也就是說，電漿可以從對應於邊緣電極250與頂部邊緣電極510的區域產生到殼體100的側壁。也就是說，電漿可以在長度方向上以高密度形成。因此，可以使用高密度且均勻的電漿處理基板W的邊緣區域。
圖5至圖10為示意性地示出了根據圖1的其他實施例的處理室。下文中，將參照圖5至圖10詳細描述根據本發明構思的實施例的處理室。除了額外的說明，下文描述的處理室60大部分與上述的處理室60的構造為相同或相似，因此省略對重複構造的說明。
參照圖5，根據本發明構思的實施例的突出部254可以在主體部252的中間部分一體成形地形成。參照圖6，根據本發明構思的實施例的突出部254可以在主體部252的底部部分一體成形地形成。主體部252與突出部254一體成形地形成。
根據參照圖5及圖6所描述本發明構思的實施例，由於突出部254形成在主體部252的中間部分或底部部分，突出部254頂側的氣流增加。因此，相對於圖2至圖4中所描述的處理室60，產生在基板W的邊緣區域的電漿密度降低。若以具有小密度的電漿處理基板或待蝕刻的基板W上的膜厚度較薄，則根據本發明構思的實施例的處理室60是有效的。
參照圖7，根據本發明構思的實施例的突出部254可與主體部252一體成形地形成。此外，根據本發明構思的實施例的突出部254可以形成在主體部252的頂端。突出部254的頂面可以形成為與主體部252的頂面隔開。例如，突出部254的頂面可以形成於相較於主體部252的頂面低的高度。參照圖8，根據本發明構思的實施例的突出部254可以與主體部252的頂端一體成形地形成。突出部254的頂面可以形成為與主體部252的頂面隔開。例如，突出部254的頂面可以行成為比主體部252的頂面更高的階梯狀。
當精細控制基板W的邊緣區域中的氣體流動時，則根據參照圖7及圖8所描述本發明構思的實施例的處理室60室是有效的。因此，可以有效控制形成在基板W的邊緣區域的電漿密度。
參照圖9，根據本發明構思的實施例的突出部254可以與主體部252的頂端一體成形地形成。突出部254的頂面可以形成為傾斜的。也就是說，如圖9所示，突出部254的頂面可以朝向殼體100的側壁向下傾斜。此外，突出部254的內頂端可以形成為對應於主體部252的外頂端的高度。然而，本發明構思並不以此為限，且突出部254的內頂端可以形成為從主體部252的外頂端呈階梯狀。
參照圖10，根據本發明構思的實施例的突出部254可以與主體部252一體成形地形成。此外，突出部254可以形成於主體部252的頂端。突出部254的內頂端可以形成於對應於主體部252的外頂端的高度。然而，本發明構思並不以此為限，且突出部254的內頂端可以形成為從主體部252的外頂端呈階梯狀。此外，突出部254的頂面可以形成為朝向殼體100的側壁向上傾斜。
根據參照圖7至圖10所描述的實施例，可以修改處理空間102中的氣體流動性，特別是基板W的邊緣區域中的氣體流動性以滿足製程要求。因此，基板W的邊緣區域中的電漿密度可以適當地改變。
在參照圖7至圖10所描述的實施例中，已描述突出部254形成在主體部252的頂端，但本發明構思並不以此為限。例如，根據圖7至圖10所描述的實施例描述的突出部254，可以形成在主體部252的頂部部分、中間部分及底部部分。
本發明構思並不限於前述效果，且本發明所屬技術領域具有通常知識者可以根據說明書和圖式，清楚地理解其他未提及的效果。
儘管現已示出及描述本發明構思較佳的實施例，本發明構思不限於上述特定的實施例，且應注意的是本發明所屬技術領域具有通常知識者理解，本發明構思在不脫離申請專利範圍中要求保護的本發明構思的本質的情況下，可以以各種方式實施本發明構思，且這些修改不應脫離本發明構思的技術精神或前景來解釋。
1:基板處理設備 4:載體 6:支撐部 10:裝載口 11:第一方向 12:第二方向 13:第三方向 20:設備前端模組 21:傳送框架 25:第一傳送機器人 27:傳送軌道 30:處理模組 40:裝載鎖定室 50:傳送室 53:第二傳送機器人 60:處理室 100:殼體 102:處理空間 104:分離空間 106:排氣孔 108:排氣管線 200:支撐單元 210:卡盤 220:電源構件 222:電源 224:匹配器 226:電源線 230:環構件 250:邊緣電極 252:主體部 254:突出部 256:孔 280:升降銷 290:驅動構件 300:介電單元 310:介電板 320:第一底座 500:頂部電極單元 510:頂部邊緣電極 520:第二底座 700:氣體供應單元 720:第一氣體供應單元 722:第一氣體供應源 724:第一氣體供應線 726:第一閥 740:第二氣體供應單元 742:第二氣體供應源 744:第二氣體供應線 746:第二閥 A:部分 P:電漿 W:基板
以上及其他目的及特徵將藉由參照以下圖式的以下描述變得顯而易見，其中除非另有說明，否則相同的元件符號在各個圖式中指代相同的部分。
圖1為示意性地示出了根據本發明構思的實施例的基板處理設備。
圖2為示意性地示出了根據圖1的實施例的處理室。
圖3為圖2的A部分的放大透視圖。
圖4為示意性地示出了根據圖2的實施例在處理室中進行電漿處理製程。
圖5至圖10為示意性地示出了根據圖1的其他實施例的處理室。
A:部分
W:基板
60:處理室
100:殼體
102:處理空間
104:分離空間
106:排氣孔
108:排氣管線
200:支撐單元
210:卡盤
220:電源構件
222:電源
224:匹配器
226:電源線
230:環構件
250:邊緣電極
252:主體部
254:突出部
256:孔
280:升降銷
290:驅動構件
300:介電單元
310:介電板
320:第一底座
500:頂部電極單元
510:頂部邊緣電極
520:第二底座
700:氣體供應單元
720:第一氣體供應單元
722:第一氣體供應源
724:第一氣體供應線
726:第一閥
740:第二氣體供應單元
742:第二氣體供應源
744:第二氣體供應線
746:第二閥

Claims (20)

  1. 一種基板處理設備，其包括： 殼體，其具有處理空間； 支撐單元，其經組態以支撐在所述處理空間處的基板；以及 氣體供應單元，其經組態以將激發成為電漿的氣體供應至所述處理空間， 其中，所述支撐單元包括： 卡盤，其支撐所述基板的中心區域；以及 邊緣電極，其以環狀形成， 其中，所述邊緣電極包括： 主體部，其在所述卡盤的外側處環繞所述卡盤；以及 突出部，其形成為突出至所述主體部的外側，且 在所述突出部處形成有貫穿所述突出部的孔，且所述孔排出所述處理空間的大氣。
  2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中，所述突出部與所述主體部一體成形。
  3. 如請求項2所述之基板處理設備，其中，所述突出部沿著所述主體部的圓周方向形成。
  4. 如請求項3所述之基板處理設備，其中，所述突出部的外周延伸到所述殼體的側壁。
  5. 如請求項4所述之基板處理設備，其中，在所述殼體處形成有排氣孔，用以排出所述處理空間的所述大氣，且 所述處理空間的所述大氣在通過所述孔及所述排氣孔時被排出。
  6. 如請求項1所述之基板處理設備，其中，所述突出部的頂面位於與所述主體部的頂面為相同的高度處。
  7. 如請求項1所述之基板處理設備，其中，所述突出部形成在所述主體部的頂端處，且 所述突出部的頂面與所述主體部的所述頂端相對於彼此形成為階梯狀。
  8. 如請求項7所述之基板處理設備，其中，所述突出部的所述頂面位在低於所述主體部的所述頂面處。
  9. 如請求項1所述之基板處理設備，其中，所述突出部的頂面傾斜的形成。
  10. 如請求項9所述之基板處理設備，其中，所述突出部的所述頂面朝向所述殼體的側壁向下傾斜的形成。
  11. 一種基板處理設備，其包括： 殼體，其具有處理空間； 支撐單元，其經組態以支撐在所述處理空間處的基板；以及 電漿源，其用於在被支撐於所述支撐單元上的所述基板的邊緣區域處產生電漿， 其中，所述支撐單元包括： 卡盤，其支撐所述基板的中心區域；以及 邊緣電極，其以環狀形成且位於所述邊緣區域下方， 其中，所述邊緣電極包括： 主體部，其在所述卡盤的外側處環繞所述卡盤；以及 突出部，其具有用於排出所述處理空間的大氣的通孔，且所述突出部突出至所述主體部的外側。
  12. 如請求項11所述之基板處理設備，其中，所述突出部與所述主體部一體成形。
  13. 如請求項12所述之基板處理設備，其中，所述突出部的頂面位於與所述主體部的頂面為實質上相同的高度處。
  14. 如請求項12所述之基板處理設備，其中，所述突出部的頂面位於與所述主體部的頂面為不同的高度處。
  15. 如請求項14所述之基板處理設備，其中，所述突出部的所述頂面位在低於所述主體部的所述頂面處。
  16. 如請求項12所述之基板處理設備，其中，所述突出部的頂面傾斜的形成。
  17. 如請求項16所述之基板處理設備，其中，所述突出部的所述頂面朝向所述主體部向上傾斜的形成。
  18. 如請求項11所述之基板處理設備，其中，所述電漿源包括位於所述邊緣區域上方的頂緣電極。
  19. 一種基板處理設備，其包括： 殼體，其具有處理空間； 支撐單元，其經組態以支撐在所述處理空間處的基板；以及 氣體供應單元，其經組態以將氣體供應至被支撐於所述支撐單元上的所述基板的邊緣區域；以及 頂緣電極，其位於所述邊緣區域上方， 其中，所述支撐單元包括： 卡盤，其支撐所述基板的中心區域；以及 邊緣電極，其以環狀形成且位於所述邊緣區域的下方， 其中，所述邊緣電極包括： 主體部，其在所述卡盤的外側處環繞所述卡盤；以及 突出部，其形成為突出至所述主體部的外側，且 在所述突出部處形成有貫穿所述突出部的孔，且所述孔排出所述處理空間的大氣。
  20. 如請求項19所述之基板處理設備，其中，所述突出部與所述主體部一體成形。
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