KR20240028151A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20240028151A
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유광성
이종찬
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피에스케이 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 처리 공간에 플라즈마로 여기되는 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판의 중앙 영역을 지지하는 척과, 링 형상으로 형성된 엣지 전극을 포함하고, 상기 엣지 전극은, 상기 척의 외측에서 상기 척을 감싸는 바디부; 및 상기 바디부의 외측으로 돌출되게 형성된 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부에는 상기 돌출부를 관통하고, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 홀이 형성될 수 있다.

Description

기판 처리 장치{AN APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 기판 상의 박막을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.
플라즈마를 이용하여 기판을 처리할 때, 플라즈마가 발생하는 영역이 클수록 해당 영역에서의 압력 제어가 어렵다. 또한, 플라즈마가 발생하는 영역이 클수록 해당 영역에서의 가스의 유동을 제어하기 어려운 문제가 발생한다. 이에 따라, 플라즈마가 발생하는 영역에서의 가스의 균일성이 떨어진다. 결과적으로 플라즈마가 발생하는 영역에서의 압력 제어와, 가스의 유동을 제어하기 힘든 경우 해당 가스를 공정 요구 조건에 따라 여기시키기 어렵다. 즉, 플라즈마가 발생하는 영역이 클수록 플라즈마의 밀도(density)가 감소한다. 플라즈마의 밀도가 감소하는 경우, 투입 시간 대비 기판의 처리 효율이 떨어진다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 가장자리 영역에서 밀도가 높은 플라즈마를 발생시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 플라즈마가 발생하는 영역에서 압력 및 가스의 유동을 효율적으로 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 처리 공간에 플라즈마로 여기되는 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판의 중앙 영역을 지지하는 척과, 링 형상으로 형성된 엣지 전극을 포함하고, 상기 엣지 전극은, 상기 척의 외측에서 상기 척을 감싸는 바디부; 및 상기 바디부의 외측으로 돌출되게 형성된 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부에는 상기 돌출부를 관통하고, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 홀이 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부와 상기 바디부는 일체로 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부는 상기 바디부의 둘레 방향을 따라 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 외주면은 상기 하우징의 측벽까지 연장될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 하우징의 바닥벽에는 상기 처리 공간의 분위기가 배기되는 배기 홀이 형성되고, 상기 처리 공간의 분위기는 상기 홀과 상기 배기 홀을 거쳐 배기될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 상면은 상기 바디부의 상면과 동일한 높이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부는 상기 바디부의 상단에 형성되고, 상기 돌출부의 상면과 상기 바디부의 상면은 서로 단차지게 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 상면은 상기 바디부의 상면보다 하측에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 상면은 경사지게 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 상면은 상기 하우징의 측벽을 향할수록 하향 경사지게 형성될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판의 중앙 영역을 지지하는 척; 및 링 형상으로 형성되고, 상기 가장자리 영역의 하측에 배치되는 엣지 전극을 포함하고, 상기 엣지 전극은, 상기 척의 외측에서 상기 척을 감싸는 바디부; 및 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 관통 홀이 형성되고, 상기 바디부의 외측으로 돌출되게 형성된 돌출부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부와 상기 바디부는 일체로 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 상면은 상기 바디부의 상면과 동일한 높이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 상면과 상기 바디부의 상면의 높이는 서로 상이할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 상면은 상기 바디부의 상면보다 하측에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 상면은 경사지게 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 상면은 상기 바디부와 가까워질수록 상향 경사지게 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 플라즈마 소스는 상기 가장자리 영역의 상측에 배치되는 상부 엣지 전극을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 가장자리 영역의 상측에 배치되는 상부 엣지 전극을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판의 중앙 영역을 지지하는 척; 및 링 형상으로 형성되고, 상기 가장자리 영역의 하측에 배치되는 엣지 전극을 포함하고, 상기 엣지 전극은, 상기 척의 외측에서 상기 척을 감싸는 바디부; 및 상기 바디부의 외측으로 돌출되게 형성된 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부에는 상기 돌출부를 관통하고, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 홀이 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부와 상기 바디부는 일체로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 가장자리 영역에 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 가장자리 영역에서 밀도가 높은 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마가 발생하는 영역에서 압력 및 가스의 유동을 효율적으로 제어할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 A 부분을 확대한 사시도이다.
도 4는 도 2의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버에서 플라즈마 처리 공정을 수행하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 10은 도 1의 다른 실시예에 따른 프로세스 챔버들을 개략적으로 보여주는 도면들이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
이하에서는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module, EFEM)(20)과 처리 모듈(30)을 가진다. 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다.
이하에서는, 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)이 배치된 방향을 제1방향(11)이라 정의한다. 또한, 위에서 바라볼 때, 제1방향(11)과 수직한 방향을 제2방향(12)이라 정의한다. 또한, 제1방향(11) 및 제2방향(12)을 포함한 평면에 모두 수직한 방향을 제3방향(13)이라 정의한다. 예컨대, 제3방향(13)은 지면에 대해 수직한 방향일 수 있다.
전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(Load Port, 10)와 반송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 복수 개의 지지부(6)는 제2방향(12)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 각각의 지지부(6)에는 용기(4)가 안착될 수 있다. 일 실시예에 의한 용기(4)는 카세트, 또는 FOUP 등을 포함할 수 있다. 용기(4)에는 공정에 사용될 예정인 기판과 공정 처리가 완료된 기판이 수납될 수 있다.
반송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 반송 프레임(21)은 내부 공간을 가진다. 반송 프레임(21)의 내부 공간은 대체로 대기압 분위기로 유지될 수 있다. 반송 프레임(21)의 내부에는 제1반송 로봇(25)이 배치된다. 제1반송 로봇(25)은 제2방향(12)으로 배치된 반송 레일(27)을 따라 이동하여 용기(4)와 처리 모듈(30) 간에 기판을 반송할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 처리 모듈(30)은 로드 포트(10)에 놓인 용기(4)에 수납된 기판을 전달받아 기판의 가장자리 영역의 박막을 제거하는 처리 공정을 수행할 수 있다. 처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함할 수 있다.
로드락 챔버(40)는 전방 단부 모듈(20)에 인접하게 배치된다. 예컨대, 로드락 챔버(40)는 반송 프레임(21)과 트랜스퍼 챔버(50) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 사용될 기판이 프로세스 챔버(60)로 반송되기 전, 또는 소정의 공정 처리가 완료된 기판이 전방 단부 모듈(20)로 반송되기 전에 대기하는 내부 공간을 가진다. 로드락 챔버(40)의 내부 공간은 대기압 분위기와 진공압 분위기 사이에서 전환될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(50)는 기판을 반송한다. 일 실시예에 의하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60) 간에 기판을 반송할 수 있다. 트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 위에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 가질 수 있다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수 개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(50)의 내부는 대체로 진공압 분위기로 유지될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들 간에 기판을 반송하는 제2반송 로봇(53)이 배치된다. 제2반송 로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미 처리 기판을 프로세스 챔버(60)로 반송하거나, 소정의 공정 처리가 완료된 기판을 프로세스 챔버(60)로부터 로드락 챔버(40)로 반송할 수 있다. 또한, 제2반송 로봇(53)은 복수 개의 프로세스 챔버(60)들 간에 기판을 반송할 수 있다.
프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)와 인접하게 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수 개 구비될 수 있다. 복수 개의 프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)들에서는 기판에 대한 소정의 공정 처리가 수행된다. 프로세스 챔버(60)는 제2반송 로봇(53)으로부터 기판을 인수하여 기판에 대한 소정의 공정 처리를 수행하고, 공정 처리가 완료된 기판을 제2반송 로봇(53)에 인계할 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)들에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다.
이하에서는, 프로세스 챔버(60)들 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버(60)를 예로 들어 설명한다. 일 실시예에 의하면, 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버(60)는 기판 상의 막질을 식각 또는 애싱(Ashing)할 수 있다. 막질은 폴리 실리콘 막, 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막을 포함할 수 있다. 선택적으로, 막질은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. 막질은 기판을 처리하는 과정에서 발생되는 불순물(Byproduct)일 수 있다. 선택적으로, 막질은 기판의 상면과 하면에 부착 및/또는 잔류하는 불순물일 수 있다.
또한, 이하에서 설명하는 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버(60)는 기판 처리 장치(1)의 프로세스 챔버(60)들 중 기판의 가장자리 영역 상의 막질을 제거하는 베벨 에치(Bevel Etch) 공정을 수행하도록 구성되는 챔버일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 이하에서 설명하는 기판 처리 장치(1)의 프로세스 챔버(60)는 기판을 처리하는 다양한 공정을 수행하는 챔버에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 또한, 이하에서 설명하는 프로세스 챔버(60)는 기판에 대한 플라즈마 처리 공정이 수행되는 다양한 챔버에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 일 실시예에 의한 프로세스 챔버(60)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 형성된 막질을 제거하는 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 프로세스 챔버(60)는 가스를 공급하고, 공급된 가스를 여기시켜 발생한 플라즈마를 이용하여 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다.
프로세스 챔버(60)는 하우징(100), 지지 유닛(200), 유전체 유닛(300), 상부 전극 유닛(500), 그리고 가스 공급 유닛(700)을 포함할 수 있다.
하우징(100)은 챔버일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 하우징(100)은 진공 챔버일 수 있다. 하우징(100)은 내부에 처리 공간(102)을 가진다. 처리 공간(102)은 기판(W)이 처리되는 공간으로 기능한다. 하우징(100)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성된다. 기판(W)은 개구(미도시)를 통해 처리 공간(102)으로 반입되거나, 처리 공간(102)으로부터 반출될 수 있다. 비록 도시되지 않았으나, 개구(미도시)는 도어 어셈블리(미도시)에 의해 선택적으로 개폐될 수 있다.
하우징(100)의 바닥면에는 배기 홀(106)이 형성된다. 배기 홀(106)은 배기 라인(108)과 연결될 수 있다. 배기 라인(108)은 음압을 가하는 감압 부재(미도시)와 연결될 수 있다.
도 3은 도 2의 A 부분을 확대한 사시도이다. 이하에서는, 도 2와 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 지지 유닛에 대해 상세히 설명한다.
지지 유닛(200)은 처리 공간(102)에 위치한다. 지지 유닛(200)은 처리 공간(102)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 척(210), 전원 부재(220), 링 부재(230), 그리고 엣지 전극(250)을 포함할 수 있다.
척(210)은 처리 공간(102)에서 기판(W)을 지지한다. 척(210)은 위에서 바라볼 때, 대체로 원 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에 의하면, 척(210)의 상면은 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 이에, 척(210)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역은 척(210)의 상면에 안착되고, 기판(W)의 가장자리 영역은 척(210)의 상면과 맞닿지 않을 수 있다. 즉, 기판(W)의 중앙 영역이 척(210)에 안착된 상태에서, 기판(W)의 가장자리 영역은 척(210)의 바깥 영역에 위치할 수 있다.
척(210)의 내부에는 리프트 핀(280)이 위치할 수 있다. 리프트 핀(280)은 기판(W)을 승강시킬 수 있다. 또한, 척(210)에는 구동 부재(290)가 결합할 수 있다. 구동 부재(290)는 척(210)을 승강시킬 수 있다.
척(210)의 내부에는 도시되지 않은 히터가 배치될 수 있다. 히터(미도시)는 척(210)을 가열하여 척(210)에 지지된 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 또한, 척(210)의 내부에는 도시되지 않은 냉각 유로가 형성될 수 있다. 냉각 유로(미도시)의 내부에는 냉각 유체가 유동할 수 있다. 냉각 유체는 냉각 유로(미도시)의 내부를 유동하면서 척(210)을 냉각시키고, 이를 통해 척(210)에 지지된 기판(W)의 온도가 조절될 수 있다. 척(210)을 냉각시키는 구성은 냉각 유체를 공급하는 구성에 한정되지 않고, 척(210)을 냉각시킬 수 있는 다양한 구성(예컨대, 냉각 플레이트 등)으로 변형될 수 있다.
전원 부재(220)는 척(210)에 전력을 공급한다. 전원 부재(220)는 전원(222), 정합기(224), 그리고 전원 라인(226)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 의한 전원(222)은 바이어스(bias) 전원일 수 있다. 또한, 전원(222)은 RF 전원일 수 있다. 전원(222)은 전원 라인(226)을 매개로 척(210)과 연결될 수 있다. 정합기(224)는 전원 라인(226)에 설치되어 임피던스 매칭을 수행할 수 있다.
링 부재(230)는 링 형상을 가질 수 있다. 링 부재(230)는 척(210)과 후술하는 엣지 전극(250)의 사이에 배치될 수 있다. 링 부재(230)는 척(210)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 링 부재(230)는 위에서 바라볼 때, 척(210)의 외주면을 감싸도록 배치될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 링 부재(230)의 상면은 단차지게 형성될 수 있다. 예컨대, 링 부재(230)의 내측부 상면은 외측부 상면보다 그 높이가 높을 수 있다. 일 실시예에 의하면, 링 부재(230)의 내측부 상면은 척(210)의 상면과 대응되는 높이에 위치할 수 있다. 또한, 링 부재(230)의 외측부 상면은 척(210)의 상면보다 낮은 높이에 위치할 수 있다. 이에, 척(210)의 상면에 안착된 기판(W)의 가장자리 영역은 링 부재(230)의 내측부 상면에 지지될 수 있다. 즉, 링 부재(230)의 내측부 상면은 기판(W)의 가장자리 영역의 하면을 지지할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 링 부재(230)의 상면은 대체로 평평할 수 있다.
엣지 전극(250)은 링 형상으로 형성될 수 있다. 엣지 전극(250)은 위에서 바라볼 때, 링 부재(230)를 감싸도록 배치될 수 있다. 엣지 전극(250)은 플라즈마 소스로 기능한다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다. 엣지 전극(250)은 바디부(252)와 돌출부(254)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 바디부(252)와 돌출부(254)는 일체로 형성될 수 있다. 또한, 바디부(252)와 돌출부(254)의 재질은 동일할 수 있다.
바디부(252)는 위에서 바라볼 때, 척(210)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 엣지 전극(250)은 기판(W)의 가장자리 영역 하측에 배치될 수 있다. 바디부(252)는 링 형상을 가질 수 있다. 바디부(252)는 링 부재(230)의 외주면을 감싸도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 바디부(252)의 내주면은 링 부재(230)의 외주면을 감싸도록 배치될 수 있다. 이에, 바디부(252)는 척(210)의 외측에서, 척(210)을 감쌀 수 있다. 또한, 바디부(252)의 외주면은 하우징(100)의 측벽으로부터 일정 거리 이격되게 배치될 수 있다.
바디부(252)의 외주면과 하우징(100)의 측벽 사이에 형성된 공간(이하, 이격 공간)은 처리 공간(102)의 분위기가 배기되는 공간으로 기능할 수 있다. 구체적으로, 이격 공간(104)은 처리 공간(102) 내에 공급된 가스가 배기되는 공간으로 기능할 수 있다. 또한, 이격 공간(104)은 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생하여 처리 공간(102)을 부유하는 불순물(Byproduct) 등을 배출하는 공간으로 기능할 수 있다. 또한, 이격 공간(104)은 처리 공간(102)의 압력을 조절하기 위한 공간으로 기능할 수 있다. 이격 공간(104)의 상부(upper portion)에는 후술하는 홀(256)이 위치할 수 있다. 또한, 이격 공간(104)의 하부(lower portion)에는 전술한 배기 홀(106)이 위치할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 바디부(252)의 상면은 링 부재(230)의 외측부 상면과 대응되는 높이로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 바디부(252)의 상면과 링 부재(230)의 외측부 상면의 높이는 다를 수 있다.
돌출부(254)는 링 형상을 가질 수 있다. 돌출부(254)는 바디부(252)와 일체로 형성될 수 있다. 돌출부(254)는 바디부(252)의 둘레 방향을 따라 형성될 수 있다. 돌출부(254)는 바디부(252)로부터 돌출되게 형성될 수 있다. 돌출부(254)는 바디부(252)의 외측으로부터 돌출되게 형성될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 돌출부(254)는 하우징(100)의 측벽을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 돌출부(254)의 외주면은 하우징(100)의 측벽까지 연장될 수 있다. 예컨대, 돌출부(254)의 외주면은 하우징(100)의 내측벽과 면접할 수 있다. 선택적으로, 돌출부(254)의 외주면은 하우징(100)의 내부에 배치된 라이너(미도시)와 면접할 수 있다. 위에서 바라볼 때, 돌출부(254)의 내주면은 바디부(252)의 외주면과 중첩될 수 있다. 또한, 위에서 바라볼 때, 돌출부(254)는 전술한 이격 공간(104)과 중첩될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 돌출부(254)는 바디부(252)의 상부(upper portion)에 형성될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 돌출부(254)의 상면은 바디부(252)의 상면과 대응되는 높이로 배치될 수 있다. 예컨대, 돌출부(254)의 상면과 바디부(252)의 상면은 동일 평면 상에 위치할 수 있다.
돌출부(254)에는 복수 개의 홀(256)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 홀(256)은 돌출부(254)의 상면과 하면을 관통할 수 있다. 즉, 홀(256)은 관통 홀일 수 있다. 홀(256)은 돌출부(254)의 둘레 방향을 따라 일정 간격 이격되어 형성될 수 있다. 또한, 홀(256)은 돌출부(254)의 둘레 방향을 따라 복수의 열로 형성될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 홀(256)은 원형의 횡단면을 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 홀(256)은 돌출부(254)에 슬릿(Slit) 형태로 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 바디부(252)와 돌출부(254) 중 적어도 어느 하나는 접지될 수 있다. 이에, 엣지 전극(250)은 플라즈마 소스로 기능할 수 있다. 엣지 전극(250)은 후술하는 상부 엣지 전극(510)과 함께 처리 공간(102)에 공급된 가스를 여기시켜 기판(W)의 가장자리 영역에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스로 기능할 수 있다.
도 2를 참조하면, 유전체 유닛(300)은 유전체 판(310)과 제1베이스(320)를 포함할 수 있다. 유전체 판(310)의 하면은 척(210)의 상면과 대향하도록 배치될 수 있다. 유전체 판(310)의 상면은, 그 중앙 영역의 높이가 가장자리 영역의 높이보다 상대적으로 높도록 단차지게 형성될 수 있다. 유전체 판(310)의 하면은 대체로 편평한 형상으로 형성될 수 있다.
유전체 판(310)에는 후술하는 제1가스 공급부(720)와 연결되는 가스 유로가 형성될 수 있다. 가스 유로의 토출단은 위에서 바라볼 때, 척(210)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역과 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 예컨대, 가스 유로의 토출단을 통해 토출되는 제1가스는 척(210)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역으로 공급될 수 있다.
제1베이스(320)는 유전체 판(310)과 하우징(100)의 상벽 사이에 배치될 수 있다. 제1베이스(320)의 직경은 위에서 아래를 향할수록 점진적으로 커질 수 있다. 제1베이스(320)의 상면 직경은 유전체 판(310)의 하면의 직경보다 상대적으로 작을 수 있다. 제1베이스(320)의 하면 직경은 유전체 판(310)의 상면 직경과 대응될 수 있다. 제1베이스(320)의 상면은 편평한 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1베이스(320)의 하면은 유전체 판(310)의 상면과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
상부 전극 유닛(500)은 상부 엣지 전극(510)과 제2베이스(520)를 포함할 수 있다. 상부 엣지 전극(510)은 위에서 바라볼 때, 척(210)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역과 중첩되게 배치될 수 있다. 상부 엣지 전극(510)은 정면에서 바라볼 때, 기판(W)의 상측에 배치될 수 있다.
상부 엣지 전극(510)은 접지될 수 있다. 전술한 바와 같이, 상부 엣지 전극(510)은 접지되어 엣지 전극(250)과 함께 플라즈마 소스로 기능한다. 예컨대, 상부 엣지 전극(510)은 기판(W)의 가장자리 영역에 공급된 가스를 여기시켜 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스일 수 있다.
상부 엣지 전극(510)은 링 형상으로 형성될 수 있다. 상부 엣지 전극(510)은 위에서 바라볼 때, 유전체 판(310)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 상부 엣지 전극(510)은 유전체 판(310)과 일정 거리 이격되게 배치될 수 있다. 상부 엣지 전극(510)과 유전체 판(310)의 사이에는 이격 공간이 형성될 수 있다. 이격 공간은 가스가 흐르는 채널로 기능할 수 있다. 예컨대, 이격 공간은 후술하는 제2가스 공급부(740)로부터 공급되는 제2가스가 흐르는 가스 채널 중 일부로 기능할 수 있다. 이격 공간의 토출단은 상부에서 바라볼 때, 척(210)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역과 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 예컨대, 이격 공간의 토출단을 통해 토출되는 가스는 척(210)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급될 수 있다.
제2베이스(520)는 척(210)의 상측에 배치될 수 있다. 제2베이스(520)는 상부 엣지 전극(510)의 위치를 고정시킬 수 있다. 제2베이스(520)는 상부 엣지 전극(510)과 하우징(100)의 상벽 사이에 배치될 수 있다. 제2베이스(520)는 링 형상을 가질 수 있다. 제2베이스(520)는 제1베이스(320)와 이격되게 배치될 수 있다. 제2베이스(520)는 제1베이스(320)와 서로 이격되어 이격 공간을 형성할 수 있다. 이격 공간은 가스가 흐르는 채널로 기능할 수 있다. 예컨대, 이격 공간은 후술하는 제2가스 공급부(740)로부터 공급되는 제2가스가 흐르는 가스 채널 중 일부로 기능할 수 있다.
전술한 상부 엣지 전극(510) 및 유전체 판(310)이 서로 조합되어 형성한 이격 공간과 제2베이스(520)와 제1베이스(320)가 서로 조합되어 형성한 이격 공간은 서로 유체 연통하여 가스 채널로 기능할 수 있다. 제2가스 공급부(740)로부터 공급된 제2가스는 가스 채널을 통해 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급될 수 있다.
가스 공급 유닛(700)은 처리 공간(102)으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(700)은 제1가스 공급부(720)와 제2가스 공급부(740)를 포함할 수 있다.
제1가스 공급부(720)는 처리 공간(102)으로 제1가스를 공급할 수 있다. 예컨대, 제1가스는 질소를 포함하는 비활성 가스일 수 있다. 제1가스 공급부(720)는 척(210)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역으로 제1가스를 공급할 수 있다. 제1가스 공급부(720)는 제1가스 공급원(722), 제1가스 공급 라인(724), 그리고 제1밸브(726)를 포함할 수 있다.
제1가스 공급원(722)은 제1가스를 저장할 수 있다. 제1가스 공급 라인(724)의 일단은 제1가스 공급원(722)과 연결되고, 타단은 유전체 판(310)에 형성된 유로와 연결될 수 있다. 제1밸브(726)는 제1가스 공급 라인(724)에 설치된다. 제1밸브(726)는 온/오프 밸브 또는 유량 제어 밸브일 수 있다. 제1가스는 유전체 판(310)에 형성된 유로를 통해 기판(W)의 중앙 영역으로 공급될 수 있다.
제2가스 공급부(740)는 처리 공간(102)으로 제2가스를 공급한다. 제2가스 공급부(740)는 제2가스 공급원(742), 제2가스 공급 라인(744), 그리고 제2밸브(746)를 포함할 수 있다.
제2가스 공급원(742)은 제2가스를 저장할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제2가스는 플라즈마 상태로 여기되는 가스일 수 있다. 제2가스 공급 라인(744)의 일단은 제2가스 공급원(742)과 연결되고, 타단은 상술한 가스 채널과 연결될 수 있다. 이에, 제2가스 공급 라인(744)은 가스 채널로 제2가스를 공급할 수 있다. 제2밸브(746)는 제2가스 공급 라인(744)에 설치된다. 제2밸브(746)는 온/오프 밸브 또는 유량 제어 밸브일 수 있다. 전술한 바와 같이, 제2가스는 상부 엣지 전극(510), 유전체 판(310), 제2베이스(520), 그리고 제1베이스(320)가 서로 조합되어 형성한 가스 채널을 통해 기판(W)의 가장자리 영역에 공급될 수 있다.
위에서 설명한 실시예에서는 척(210)이 상하 방향으로 이동하고, 유전체 판(310)과 상부 엣지 전극(510)의 위치가 고정되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 척(210)의 위치는 고정되고, 유전체 판(310)은 상하 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다. 또한, 척(210)과 유전체 판(310) 모두가 상하 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다.
또한, 상술한 실시예에서는 엣지 전극(250)과 상부 엣지 전극(510)이 각각 접지되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 엣지 전극(250)과 상부 엣지 전극(510) 중 어느 하나는 접지되고, 다른 하나는 RF 전원과 연결될 수 있다. 또한, 엣지 전극(250)과 상부 엣지 전극(510)이 모두 RF 전원과 연결될 수 있다.
도 4는 도 2의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버에서 플라즈마 처리 공정을 수행하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 프로세스 챔버(60)는 기판(W)의 가장자리 영역에 플라즈마(P)를 발생시켜 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 예컨대, 프로세스 챔버(60)는 기판(W)의 가장자리 영역을 처리하는 베벨 에치 공정을 수행할 수 있다.
척(210)의 상면에 기판(W)이 안착되면, 가스 공급 유닛(700)은 기판(W)의 중앙 영역, 그리고 기판(W)의 가장자리 영역에 가스를 공급한다. 가스 채널을 통해 공급되는 제2가스는 플라즈마(P) 상태로 여기되어 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 막질은 플라즈마(P)에 의해 에칭 될 수 있다.
또한, 기판(W)을 처리하는 동안에, 처리 공간(102)을 유동하는 가스들은 돌출부(254)에 형성된 홀(256)들, 이격 공간(104), 그리고 배기 홀(106)을 거쳐 처리 공간(102)의 외부로 균일하게 배기된다. 가스들을 배기하는 과정에서, 처리 공간(102) 내를 유동하는 가스들의 균일성을 확보할 수 있다. 또한, 기판(W)을 처리하는 동안에 처리 공간(102)의 분위기를 배기함으로써, 처리 공간(102) 내의 압력을 균일하게 제어할 수 있다. 이에 따라, 처리 공간(102) 내, 특히 기판(W)의 가장자리 영역에서 플라즈마가 균일하게 발생될 수 있다.
특히, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마 소스로 기능하는 엣지 전극(250)의 돌출부(254)가 바디부(252)의 상부에 일체로 형성되므로, 처리 공간(102) 내에 플라즈마가 발생하는 영역을 효율적으로 한정할 수 있다. 이에, 기판(W)의 가장자리 영역에서 발생하는 플라즈마의 밀도를 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 바디부(252)의 상면과 돌출부(254)의 상면이 대응되게 형성되므로, 엣지 전극(250)의 상측에서 플라즈마가 균일하게 형성될 수 있다. 구체적으로, 엣지 전극(250)의 돌출부(254)가 하우징(100)의 측벽까지 연장되므로 플라즈마가 하우징(100)의 측벽까지 플라즈마가 발생할 수 있다. 즉, 엣지 전극(250) 및 상부 엣지 전극(510)과 대응하는 영역으로부터 하우징(100)의 측벽까지 플라즈마가 발생할 수 있다. 즉, 플라즈마가 종 방향으로 밀도 높게 형성될 수 있다. 이에, 높은 밀도를 가지고 균일한 플라즈마를 이용하여 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다.
도 5 내지 도 10은 도 1의 다른 실시예에 따른 프로세스 챔버들을 개략적으로 보여주는 도면들이다. 이하에서는 도 5 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버들에 대해 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 프로세스 챔버(60)는 추가적으로 설명하는 경우 외에는, 전술한 프로세스 챔버(60)들의 구성과 대부분 동일 또는 유사하므로, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 돌출부(254)는 바디부(252)의 중부(middle portion)에 일체로 형성될 수 있다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 돌출부(254)는 바디부(252)의 하부(lower portion)에 형성될 수 있다. 바디부(252)는 돌출부(254)에 일체로 형성된다.
도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 돌출부(254)가 바디부(252)의 중부 또는 하부에 형성되므로, 돌출부(254)의 상측에서 가스의 유동이 증가한다. 이에, 기판(W)의 가장자리 영역에 발생하는 플라즈마의 밀도는 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 프로세스 챔버(60)보다 상대적으로 감소할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의한 프로세스 챔버(60)는 에칭 대상이 되는 기판(W) 상의 막질의 두께가 얇거나, 작은 밀도를 가지는 플라즈마로 기판(W)을 처리하는 경우에 효율적일 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 돌출부(254)는 바디부(252)와 일체로 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 돌출부(254)는 바디부(252)의 상단에 형성될 수 있다. 돌출부(254)의 상면은 바디부(252)의 상면과 단차지게 형성될 수 있다. 예컨대, 돌출부(254)의 상면은 바디부(252)의 상면보다 상대적으로 낮은 높이에 형성될 수 있다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 돌출부(254)는 바디부(252)의 상단에 일체로 형성될 수 있다. 돌출부(254)의 상면은 바디부(252)의 상면과 단차지게 형성될 수 있다. 예컨대, 돌출부(254)의 상면이 바디부(252)의 상면보다 높도록 단차지게 형성될 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 의한 프로세스 챔버(60)는 기판(W)의 가장자리 영역에서의 가스의 유동을 미세하게 제어하는 경우에 효율적일 수 있다. 이에, 기판(W)의 가장자리 영역에서 발생하는 플라즈마의 밀도를 효율적으로 제어할 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 돌출부(254)는 바디부(252)의 상단에 일체로 형성될 수 있다. 돌출부(254)의 상면은 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이, 돌출부(254)의 상면은 하우징(100)의 측벽을 향할수록 하향 경사지게 형성될 수 있다. 또한, 돌출부(254)의 내측 상단은 바디부(252)의 외측 상단과 대응되는 높이에 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 돌출부(254)의 내측 상단은 바디부(252)의 외측 상단과 단차지게 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 돌출부(254)는 바디부(252)에 일체로 형성될 수 있다. 또한, 돌출부(254)는 바디부(252)의 상단에 형성될 수 있다. 돌출부(254)의 내측 상단은 바디부(252)의 외측 상단과 상응하는 높이에 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 돌출부(254)의 내측 상단은 바디부(252)의 외측 상단과 단차지게 형성될 수 있다. 또한, 돌출부(254)의 상면은 하우징(100)의 측벽을 향하는 방향으로 갈수록 위 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.
도 7 내지 도 10을 참조하여 설명한 실시예들에 의하면, 처리 공간(102) 내, 특히 기판(W)의 가장자리 영역에서의 가스의 유동성을 공정 요구 조건에 적합하도록 변형시킬 수 있다. 이에, 기판(W)의 가장자리 영역에서의 플라즈마의 밀도를 적절하게 변경시킬 수 있다.
도 7 내지 도 10을 참조하여 설명한 실시예들에서는, 돌출부(254)가 바디부(252)의 상단에 형성되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 7 내지 도 10에서 설명한 일 실시예에 따른 돌출부(254)는 상술한 바와 같이, 바디부(252)의 상부(upper portion), 중부(middle portion), 또는 하부(lower portion)에 형성될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
로드 포트 : 10
전방 단부 모듈 : 20
처리 모듈 : 30
로드락 챔버 : 40
프로세스 챔버 : 60
하우징 : 100
처리 공간 : 102
이격 공간 : 104
배기 홀 : 106
지지 유닛 : 200
척 : 210
링 부재 : 230
엣지 전극 : 250
바디부 : 252
돌출부 : 254
홀 : 256
유전체 유닛 : 300
상부 전극 유닛 : 500
상부 엣지 전극 : 510
가스 공급 유닛 : 700

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 하우징;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
    상기 처리 공간에 플라즈마로 여기되는 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    기판의 중앙 영역을 지지하는 척과, 링 형상으로 형성된 엣지 전극을 포함하고,
    상기 엣지 전극은,
    상기 척의 외측에서 상기 척을 감싸는 바디부; 및
    상기 바디부의 외측으로 돌출되게 형성된 돌출부를 포함하고,
    상기 돌출부에는 상기 돌출부를 관통하고, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 홀이 형성된 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 돌출부와 상기 바디부는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 바디부의 둘레 방향을 따라 형성되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 돌출부의 외주면은 상기 하우징의 측벽까지 연장되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 하우징에는 상기 처리 공간의 분위기가 배기되는 배기 홀이 형성되고,
    상기 처리 공간의 분위기는 상기 홀과 상기 배기 홀을 거쳐 배기되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면은 상기 바디부의 상면과 동일한 높이에 배치되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 바디부의 상단에 형성되고,
    상기 돌출부의 상면과 상기 바디부의 상면은 서로 단차지게 형성되는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면은 상기 바디부의 상면보다 하측에 위치하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면은 경사지게 형성되는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면은 상기 하우징의 측벽을 향할수록 하향 경사지게 형성되는 기판 처리 장치.
  11. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 하우징;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    기판의 중앙 영역을 지지하는 척; 및
    링 형상으로 형성되고, 상기 가장자리 영역의 하측에 배치되는 엣지 전극을 포함하고,
    상기 엣지 전극은,
    상기 척의 외측에서 상기 척을 감싸는 바디부; 및
    상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 관통 홀이 형성되고, 상기 바디부의 외측으로 돌출되게 형성된 돌출부를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 돌출부와 상기 바디부는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면은 상기 바디부의 상면과 동일한 높이에 배치되는 기판 처리 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면과 상기 바디부의 상면의 높이는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면은 상기 바디부의 상면보다 하측에 위치하는 기판 처리 장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면은 경사지게 형성되는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면은 상기 바디부와 가까워질수록 상향 경사지게 형성되는 기판 처리 장치.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 상기 가장자리 영역의 상측에 배치되는 상부 엣지 전극을 포함하는 기판 처리 장치.
  19. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 하우징;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 가장자리 영역의 상측에 배치되는 상부 엣지 전극을 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    기판의 중앙 영역을 지지하는 척; 및
    링 형상으로 형성되고, 상기 가장자리 영역의 하측에 배치되는 엣지 전극을 포함하고,
    상기 엣지 전극은,
    상기 척의 외측에서 상기 척을 감싸는 바디부; 및
    상기 바디부의 외측으로 돌출되게 형성된 돌출부를 포함하고,
    상기 돌출부에는 상기 돌출부를 관통하고, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 홀이 형성된 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 돌출부와 상기 바디부는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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