KR102380271B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102380271B1
KR102380271B1 KR1020210103038A KR20210103038A KR102380271B1 KR 102380271 B1 KR102380271 B1 KR 102380271B1 KR 1020210103038 A KR1020210103038 A KR 1020210103038A KR 20210103038 A KR20210103038 A KR 20210103038A KR 102380271 B1 KR102380271 B1 KR 102380271B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
dielectric plate
upper electrode
temperature control
base
Prior art date
Application number
KR1020210103038A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210122209A (ko
Inventor
김건종
윤태환
이종찬
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스케이 주식회사 filed Critical 피에스케이 주식회사
Priority to KR1020210103038A priority Critical patent/KR102380271B1/ko
Publication of KR20210122209A publication Critical patent/KR20210122209A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102380271B1 publication Critical patent/KR102380271B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 척 및 상부에서 바라볼 때 상기 척을 감싸도록 제공되는 하부 전극을 가지는 지지 유닛과; 상기 하우징에 설치되는 온도 조절 플레이트와; 상기 온도 조절 플레이트에 결합되며, 상기 처리 공간에서 상기 지지 유닛에 지지된 기판과 대향되게 배치되는 유전체 판을 가지는 유전체 판 유닛과; 상기 온도 조절 플레이트에 결합되며, 상기 하부 전극과 대향되게 배치되는 상부 전극을 가지는 상부 전극 유닛을 포함하고, 상기 유전체 판 유닛은, 상기 유전체 판과 상기 온도 조절 플레이트 사이에 배치되는 제1베이스를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 기판 상의 막질을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막질과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정은 다양한 방식으로 수행된다. 그 중 기판의 가장자리 영역을 처리하는 베벨 에치 장치는 기판의 가장자리 영역에 플라즈마를 전달하여 기판의 가장자리 영역을 처리한다.
도 1은 일반적인 베벨 에치 장치의 일부를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일반적인 베벨 에치 장치(A)는 척(1100), 하부 절연체(1200), 유전체 판(1300), PEZ 링(1400), 그리고 쿨링 플레이트(1500)를 포함한다.
척(1100)은 기판(W)이 안착되는 안착면을 가진다. 하부 절연체(1200)는 상부에서 바라볼 때 척(1100)을 감싸도록 제공된다. 유전체 판(1300)은 척(1100)에 안착된 기판(W)의 상면과 대향되는 위치에 배치된다. PEZ 링(1400)은 상부에서 바라볼 때, 유전체 판(1300)을 감싸도록 제공된다. PEZ 링(1400)에는 가스 유로가 형성되고, 가스 유로에는 플라즈마 상태로 여기되는 공정 가스(G)가 흐른다. 또한, PEZ 링(1400)에 형성된 가스 유로의 토출 단은 기판(W)의 가장자리 영역을 향한다. 이에, 가스 유로에서 토출된 공정 가스(G)는 기판(W)의 가장자리 영역을 향해 흐르고, 이에, 기판(W)의 가장자리 영역 상의 박막은 플라즈마가 전달되어 처리된다. 또한, 상술한 유전체 판(1300), PEZ 링(1400)은 기판(W)을 처리하는 과정에서 온도가 과도하게 높아지는 것을 억제하기 위해 쿨링 플레이트(1500)에 결합된다. 쿨링 플레이트(1500)는 냉열을 발생시켜 기판(W) 처리 과정에서 유전체 판(1300), 그리고 PEZ 링(1400)의 온도 상승을 최소화 한다.
그러나, 이와 같은 베벨 에치 장치(A)를 이용하여 기판(W)의 가장자리 영역을 처리하는 경우, 기판(W)에 요구되는 처리 조건에 따라 그 처리 레이트(예컨대, 에칭 레이트)를 변경하기 어렵다. 유전체 판(1300), 그리고 PEZ 링(1400)이 가지는 기능 특성을 고려할 때, 기판(W)의 종류에 따라 다른 형상이나 재질로 변경하기 어렵기 때문이다.
또한, 일반적으로 유전체 판(1300)과 쿨링 플레이트(1500)는 서로 상이한 재질로 제공된다. 일반적으로 유전체 판(1300)은 세라믹 재질로 제공되고, 쿨링 플레이트(1500)는 금속 재질로 제공된다. 이 경우, 유전체 판(1300)과 쿨링 플레이트(1500)는 재질 특성에 따라서, 그 열 팽창률이 서로 상이하기 때문에 기판(W)을 처리하는 과정에서 유전체 판(1300)과 쿨링 플레이트(1500) 사이에 뒤틀림이 발생할 수 있다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 가장자리 영역에 대한 플라즈마 처리 효율을 더욱 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 처리 레이트를 변경할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 척 및 상부에서 바라볼 때 상기 척을 감싸도록 제공되는 하부 전극을 가지는 지지 유닛과; 상기 하우징에 설치되는 온도 조절 플레이트와; 상기 온도 조절 플레이트에 결합되며, 상기 처리 공간에서 상기 지지 유닛에 지지된 기판과 대향되게 배치되는 유전체 판을 가지는 유전체 판 유닛과; 상기 온도 조절 플레이트에 결합되며, 상기 하부 전극과 대향되게 배치되는 상부 전극을 가지는 상부 전극 유닛을 포함하고, 상기 유전체 판 유닛은, 상기 유전체 판과 상기 온도 조절 플레이트 사이에 배치되는 제1베이스를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1베이스는, 상기 유전체 판과 상이한 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1베이스는, 상기 온도 조절 플레이트와 동일한 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1베이스의 열 팽창률은, 상기 유전체 판의 열 팽창률보다 상기 온도 조절 플레이트의 열 팽창률에 가까울 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 상부 전극 유닛은, 상부에서 바라볼 때 상기 제1베이스를 감싸며, 상기 상부 전극과 상기 온도 조절 플레이트 사이에 배치되는 제2베이스를 포함하고, 상기 제1베이스와 상기 제2베이스는 서로 이격되어 상기 가스 공급 유닛이 공급하는 가스가 흐르는 가스 채널을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 가스 채널로 플라즈마로 여기되는 공정 가스를 공급하는 제1가스 공급부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2베이스는, 상기 온도 조절 플레이트와 동일한 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2베이스의 열 팽창률은, 상기 상부 전극의 열 팽창률보다 상기 온도 조절 플레이트의 열 팽창률에 가까울 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 채널의 토출 단은, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역을 향하도록 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 유전체 판에는, 상기 가스 공급 유닛이 공급하는 가스가 흐르는 가스 유로가 형성되고, 상기 가스 유로의 토출 단은, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 중앙 영역을 향하도록 형성되는 기판 처리 장치.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 가스 유로로 비활성 가스를 공급하는 제2가스 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다.
기판을 처리하는 방법의 일 실시 예로, 상기 제1베이스는, 복수로 제공되고, 복수로 제공되는 상기 제1베이스들은 서로 상이한 형상 및/또는 상이한 재질을 가지고, 상기 처리 공간에 반입되고, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 플라즈마를 전달하여 기판의 가장자리 영역을 에칭 처리하되, 상기 처리 공간에서 처리되는 기판이 제1기판인 경우 상기 제1베이스들 중 선택된 어느 하나를 상기 유전체 판과 상기 온도 조절 플레이트 사이에 설치하고, 상기 처리 공간에서 처리되는 기판이 상기 제1기판과 상이한 제2기판인 경우 상기 제1베이스들 중 선택된 다른 하나를 상기 유전체 판과 상기 온도 조절 플레이트 사이에 설치하여 상기 기판의 가장자리 영역에 대한 에칭 레이트를 변경할 수 있다.
기판을 처리하는 방법의 일 실시 예로, 상기 제2베이스는, 복수로 제공되고, 복수로 제공되는 상기 제2베이스들은 서로 상이한 형상 및/또는 상이한 재질을 가지고, 상기 처리 공간에 반입되고, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 플라즈마를 전달하여 기판의 가장자리 영역을 에칭 처리하되, 상기 처리 공간에서 처리되는 기판이 제1기판인 경우 상기 제2베이스들 중 선택된 어느 하나를 상기 상부 전극과 상기 온도 조절 플레이트 사이에 설치하고, 상기 처리 공간에서 처리되는 기판이 상기 제1기판과 상이한 제2기판인 경우 상기 제2베이스들 중 선택된 다른 하나를 상기 상부 전극과 상기 온도 조절 플레이트 사이에 설치하여 상기 기판의 가장자리 영역에 대한 에칭 레이트를 변경할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 대한 플라즈마 처리를 균일하게 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 가장자리 영역에 대한 플라즈마 처리 효율을 더욱 높일 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 베벨 에치 장치의 일부를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3는 도 2의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 4은 도 3의 기판 처리 장치가 플라즈마 처리 공정을 수행하는 일 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치가 플라즈마 처리 공정을 수행하는 다른 실시 예를 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다.
설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.
처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다. 처리 모듈(30)은 설비 전방 단부 모듈(20)로부터 기판(W)을 반송 받아 기판(W)을 처리할 수 있다.
로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.
트랜스퍼 챔버(50)는 기판(W)을 반송할 수 있다. 트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 2를 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 2와 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정 모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.
프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)와 인접하게 배치될 수 있다. 프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리를 수행할 수 있다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다.
이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상술한다. 또한, 이하에서 설명하는 기판 처리 장치(1000)는 프로세스 챔버(60) 중 기판의 가장자리 영역에 대한 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있도록 구성되는 것을 예로 들어 설명한다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 이하에서 설명하는 기판 처리 장치(1000)는 기판에 대한 처리가 이루어지는 다양한 챔버에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1000)는 기판에 대한 플라즈마 처리 공정이 수행되는 다양한 챔버에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
도 3는 도 2의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 프로세스 챔버(60)에 제공되는 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 막질을 식각 또는 애싱할 수 있다. 막질은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막질일 수 있다. 또한, 막질은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. 또한, 막질은 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생한 부산물(By-Product)일 수 있다. 또한, 막질은 기판(W) 상에 부착 및/또는 잔류하는 불순물일 수 있다.
기판 처리 장치(1000)는 기판(W)에 대한 플라즈마 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(1000)는 공정 가스를 공급하고, 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판(W)을 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(1000)는 공정 가스를 공급하고, 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 이하에서는, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 에칭 처리를 수행하는 베벨 에치 장치인 것을 예로 들어 설명한다.
기판 처리 장치(1000)는 하우징(100), 지지 유닛(300), 유전체 판 유닛(500), 상부 전극 유닛(600), 온도 조절 플레이트(700), 가스 공급 유닛(800), 그리고 제어기(900)를 포함할 수 있다.
하우징(100)은 내부에 처리 공간(102)을 가질 수 있다. 하우징(100)의 일 면에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 하우징(100)에 형성된 개구를 통하여 하우징(100)의 처리 공간(102)으로 반입 되거나, 반출될 수 있다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐 될 수 있다. 하우징(100)의 개구가 개폐 부재에 의해 개폐되면 하우징(100)의 처리 공간(102)은 외부로부터 격리될 수 있다. 또한, 하우징(100)의 처리 공간(102)의 분위기는 외부로부터 격리된 이후 진공에 가까운 저압으로 조정될 수 있다. 또한, 하우징(100)은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 하우징(100)은 그 표면이 절연성 재질로 코팅될 수 있다.
또한, 하우징(100)의 바닥면에는 배기 홀(104) 형성될 수 있다. 처리 공간(212)에서 발생된 플라즈마(P) 또는 처리 공간(212)으로 공급되는 가스(G1, G2)들은 배기 홀(104)을 통해 외부로 배기될 수 있다. 또한, 플라즈마(P)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생되는 부산물들은 배기 홀(104)을 통해 외부로 배기될 수 있다. 또한, 배기 홀(104)은 배기 라인(미도시)과 연결될 수 있다. 배기 라인은 감압을 제공하는 감압 부재와 연결될 수 있다. 감압 부재는 배기 라인을 통해 처리 공간(102)에 감압을 제공할 수 있다.
지지 유닛(300)은 처리 공간(102)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(300)은 척(310), 전원 부재(320), 절연 링(330), 하부 전극(350), 그리고 구동 부재(370)를 포함할 수 있다.
척(310)은 기판(W)을 지지하는 지지면을 가질 수 있다. 척(310은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다. 척(310)은 상부에서 바라볼 때, 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 이에, 척(310)에 지지되는 기판(W)의 중앙 영역은 척(310)의 지지면에 안착되고, 기판(W)의 가장자리 영역은 척(310)의 지지면과 맞닿지 않을 수 있다.
척(310) 내부에는 가열 수단(미도시)이 제공될 수 있다. 가열 수단(미도시)은 척(310)을 가열할 수 있다. 가열 수단은 히터일 수 있다. 또한, 척(310)에는 냉각 유로(312)가 형성될 수 있다. 냉각 유로(312)는 척(310)의 내부에 형성될 수 있다. 냉각 유로(312)에는 냉각 유체 공급 라인(314), 그리고 냉각 유체 배출 라인(316)이 연결될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(314)은 냉각 유체 공급원(318)과 연결될 수 있다. 냉각 유체 공급원(318)은 냉각 유체를 저장 및/또는 냉각 유체 공급 라인(314)으로 냉각 유체를 공급할 수 있다. 또한, 냉각 유로(312)에 공급된 냉각 유체는 냉각 유체 배출 라인(316)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 냉각 유체 공급원(318)이 저장 및/또는 공급하는 냉각 유체는 냉각 수 이거나, 냉각 가스일 수 있다. 또한, 척(310)에 형성되는 냉각 유로(312)의 형상은 도 3에 도시된 형상으로 한정되는 것은 아니며 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 척(310)을 냉각시키는 구성은 냉각 유체를 공급하는 구성에 한정되는 것은 아니고, 척(310)을 냉각 시킬 수 있는 다양한 구성(예컨대, 냉각 플레이트 등)으로 제공될 수도 있다.
전원 부재(320)는 척(310)에 전력을 공급할 수 있다. 전원 부재(320)는 전원(322), 정합기(324), 그리고 전원 라인(326)을 포함할 수 있다. 전원(322)은 바이어스 전원일 수 있다. 전원(322)은 전원 라인(326)을 매개로 척(310)과 연결될 수 있다. 또한, 정합기(324)는 전원 라인(326)에 제공되어, 임피던스 매칭을 수행할 수 있다.
절연 링(330)은 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 절연 링(330)은 상부에서 바라볼 때, 척(310)을 감싸도록 제공될 수 있다. 예컨대, 절연 링(330)은 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 절연 링(330)은 내측 영역의 상면 높이와 외측 영역의 상면 높이가 서로 상이하도록 단차질 수 있다. 예컨대, 절연 링(330)의 내측 영역의 상면 높이가 외측 영역의 상면 높이보다 높도록 단차질 수 있다. 기판(W)이 척(310)이 가지는 지지면에 안착되면, 절연 링(330)의 내측 영역의 상면과 외측 영역의 상면 중 내측 영역의 상면은 기판(W)의 저면과 서로 접촉될 수 있다. 또한, 기판(W)이 척(310)이 가지는 지지면에 안착되면, 절연 링(330)의 내측 영역의 상면과 외측 영역의 상면 중 외측 영역의 상면은 기판(W)의 저면과 서로 이격될 수 있다. 절연 링(330)은 척(310)과 후술하는 하부 전극(350) 사이에 제공될 수 있다. 척(310)에는 바이어스 전원이 제공되기 때문에, 척(310)과 후술하는 하부 전극(350) 사이에는 절연 링(330)이 제공될 수 있다. 절연 링(330)은 절연성을 가지는 재질로 제공될 수 있다.
하부 전극(350)은 척(310)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역 하부에 배치될 수 있다. 하부 전극(350)은 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 하부 전극(350)은 상부에서 바라볼 때 절연 링(330)을 감싸도록 제공될 수 있다. 하부 전극(350)의 상면은 절연 링(330)의 외측 상면과 서로 같은 높이로 제공될 수 있다. 하부 전극(350)의 하면은 절연 링(330)의 하면과 서로 같은 높이로 제공될 수 있다. 또한, 하부 전극(350)의 상면은 척(310)의 중앙 부 상면보다 낮게 제공될 수 있다. 또한, 하부 전극(350)은 척(310)에 지지된 기판(W)의 저면과 서로 이격되도록 제공될 수 있다. 예컨대, 하부 전극(350)은 척(310)에 지지된 기판(W) 가장자리 영역의 저면과 서로 이격되도록 제공될 수 있다.
하부 전극(350)은 후술하는 상부 전극(620)과 대향되도록 배치될 수 있다. 하부 전극(350)은 후술하는 상부 전극(620)의 하부에 배치될 수 있다. 하부 전극(350)은 접지될 수 있다. 하부 전극(350)은 척(310)에 인가되는 바이어스 전원의 커플링을 유도하여 플라즈마 밀도를 증가시킬 수 있다. 이에, 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
구동 부재(370)는 척(310)을 승강시킬 수 있다. 구동 부재(370)는 구동기(372)와 축(374)을 포함 할 수 있다. 축(374)은 척(310)과 결합될 수 있다. 축(374)은 구동기(372)와 연결될 수 있다. 구동기(372)는 축(374)을 매개로 척(310)을 상하 방향으로 승강 시킬 수 있다.
유전체 판 유닛(500)은 유전체 판(520), 그리고 제1베이스(510)를 포함할 수 있다. 또한, 유전체 판 유닛(500)은 후술하는 온도 조절 플레이트(700)에 결합될 수 있다.
유전체 판(520)은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다. 또한, 유전 체 판(520)의 상면은 그 중앙 영역의 높이가 가장자리 영역의 높이보다 높도록 단차질 수 있다. 또한, 유전체 판(520)의 하면은 편평한 형상으로 제공될 수 있다. 유전체 판(520)은 처리 공간(102)에서 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)과 대향되게 배치될 수 있다. 유전체 판(520)은 지지 유닛(300)의 상부에 배치될 수 있다. 유전체 판(520)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 유전체 판(520)에는 후술하는 가스 공급 유닛(800)의 제1가스 공급부(810)와 연결되는 가스 유로가 형성될 수 있다. 또한, 가스 유로의 토출단은 제1가스 공급부(810)가 공급하는 제1가스(G1)가 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역으로 공급되도록 구성될 수 있다. 또한, 가스 유로의 토출단은 제1가스(G1)가 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역 상면으로 공급되도록 구성될 수 있다.
제1베이스(510)는 유전체 판(520)과 후술하는 온도 조절 플레이트(700) 사이에 배치될 수 있다. 제1베이스(510)는 후술하는 온도 조절 플레이트(700)에 결합되고, 유전체 판(520)은 제1베이스(510)에 결합될 수 있다. 이에, 유전체 판(520)은 제1베이스(510)를 매개로 온도 조절 플레이트(700)에 결합될 수 있다.
제1베이스(510)는 위에서 아래 방향으로 갈수록 그 직경이 점차 커질 수 있다. 제1베이스(510)의 상면은 유전체 판(520)의 하면 보다 그 직경이 작을 수 있다. 제1베이스(510)의 상면은 편평한 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1베이스(510)의 하면은 단차진 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1베이스(510)의 가장자리 영역의 하면은 중앙 영역의 하면보다 그 높이가 낮도록 단차질 수 있다. 또한, 제1베이스(510)의 하면과 유전체 판(520)의 상면은 서로 조합 가능한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 유전체 판(520)의 중앙 영역은 제1베이스(510)의 중앙 영역에 삽입될 수 있다. 또한, 제1베이스(510)는 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1베이스(510)는 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
상부 전극 유닛(600)은 제2베이스(610), 그리고 상부 전극(620)을 포함할 수 있다. 또한, 상부 전극 유닛(600)은 후술하는 온도 조절 플레이트(700)에 결합될 수 있다.
상부 전극(620)은 상술한 하부 전극(350)과 서로 대향될 수 있다. 상부 전극(620)은 하부 전극(350)의 상부에 배치될 수 있다. 상부 전극(620)은 척(310)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역 상부에 배치될 수 있다. 상부 전극(620)은 접지될 수 있다.
상부 전극(620)은 상부에서 바라볼 때 유전체 판(520)을 감싸는 형상을 가질 수 있다. 상부 전극(620)은 유전체 판(520)과 이격되도록 제공될 수 있다. 상부 전극(620)은 유전체 판(520)과 이격되어 이격 공간을 형성할 수 있다. 이격 공간은 후술하는 제2가스 공급부(830)가 공급하는 제2가스(G2)가 흐르는 가스 채널 중 일부를 형성할 수 있다. 가스 채널의 토출단은 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역으로 제2가스(G2)가 공급될 수 있도록 구성될 수 있다. 또한, 가스 채널의 토출단은 제2가스(G2)가 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역 상면으로 공급되도록 구성될 수 있다.
제2베이스(610)는 상부 전극(620)과 후술하는 온도 조절 플레이트(700) 사이에 배치될 수 있다. 제2베이스(610)는 후술하는 온도 조절 플레이트(700)에 결합되고, 상부 전극(620)은 제2베이스(610)에 결합될 수 있다. 이에, 상부 전극(620)은 제2베이스(610)를 매개로 온도 조절 플레이트(700)에 결합될 수 있다.
제2베이스(610)는 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가질 수 있다. 제2베이스(610)의 상면, 그리고 하면은 편평한 형상을 가질 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제2베이스(610)는 제1베이스(510)를 감싸는 형상을 가질 수 있다. 제2베이스(610)는 위에서 아래 방향으로 갈수록 그 내경이 점차 커질 수 있다. 제2베이스(610)는 제1베이스(510)와 이격되도록 제공될 수 있다. 제2베이스(610)는 제1베이스(510)와 이격되어 이격 공간을 형성할 수 있다. 이격 공간은 후술하는 제2가스 공급부(830)가 공급하는 제2가스(G2)가 흐르는 가스 채널 중 일부를 형성할 수 있다. 또한, 제2베이스(610)는 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 제2베이스(610)는 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
온도 조절 플레이트(700)는 유전체 판 유닛(500), 그리고 상부 전극 유닛(600)과 결합될 수 있다. 온도 조절 플레이트(700)는 하우징(100)에 설치될 수 있다. 온도 조절 플레이트(700)는 열을 발생시킬 수 있다. 예컨대, 온도 조절 플레이트(700)는 온열 또는 냉열을 발생시킬 수 있다. 온도 조절 플레이트(700)는 후술하는 제어기(900)로부터 신호를 전달 받아 열을 발생시킬 수 있다. 온도 조절 플레이트(700)는 온열 또는 냉열을 발생시켜, 유전체 판 유닛(500), 그리고 상부 전극 유닛(600)의 온도가 비교적 일정하게 유지될 수 있도록 제어할 수 있다. 예컨대, 온도 조절 플레이트(700)는 냉열을 발생시켜, 유전체 판 유닛(500), 그리고 상부 전극 유닛(600)의 온도가 기판(W)을 처리하는 과정에서 과도하게 높아지는 것을 최대한 억제할 수 있다.
가스 공급 유닛(800)은 처리 공간(102)으로 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(800)은 처리 공간(102)으로 제1가스(G1), 그리고 제2가스(G2)를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(800)은 제1가스 공급부(810), 그리고 제2가스 공급부(830)를 포함할 수 있다.
제1가스 공급부(810)는 처리 공간(102)으로 제1가스(G1)를 공급할 수 있다. 제1가스(G1)는 질소 등의 비활성 가스일 수 있다. 제1가스 공급부(810)는 척(310)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역으로 제1가스(G1)를 공급할 수 있다. 제1가스 공급부(810)는 제1가스 공급원(812). 제1가스 공급 라인(814), 그리고 제1밸브(816)를 포함할 수 있다. 제1가스 공급원(812)은 제1가스(G1)를 저장 및/또는 제1가스 공급 라인(814)으로 공급할 수 있다. 제1가스 공급 라인(814)은 유전체 판(520)에 형성된 유로와 연결될 수 있다. 제1밸브(816)는 제1가스 공급 라인(814)에 설치될 수 있다. 제1밸브(816)는 온/오프 밸브이거나, 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다. 제1가스 공급원(812)이 공급하는 제1가스(G1)는 유전체 판(520)에 형성된 유로를 통해 기판(W) 상면 중앙 영역으로 공급될 수 있다.
제2가스 공급부(830)는 처리 공간(102)으로 제2가스(G2)를 공급할 수 있다. 제2가스(G2)는 플라즈마 상태로 여기되는 공정 가스 일 수 있다. 제2가스 공급부(830)는 척(310)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역 상부에 제공되는 유전체 판(520), 제1베이스(510), 상부 전극(620), 그리고 제2베이스(610)가 서로 이격되어 형성하는 가스 채널을 통해 기판(W)의 가장자리 영역으로 제2가스(G2)를 공급할 수 있다. 제2가스 공급부(830)는 제2가스 공급원(832), 제2가스 공급 라인(834), 그리고 제2밸브(836)를 포함할 수 있다. 제2가스 공급원(832)은 제2가스(G2)를 저장 및/또는 제2가스 공급 라인(834)으로 공급할 수 있다. 제2가스 공급 라인(814)은 가스 채널로 기능하는 이격 공간으로 제2가스(G2)를 공급할 수 있다. 제2밸브(836)는 제2가스 공급 라인(834)에 설치될 수 있다. 제2밸브(836)는 온/오프 밸브이거나, 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다. 제2가스 공급원(832)이 공급하는 제2가스(G2)는 제2유로(602)를 통해 기판(W) 상면 가장자리 영역으로 공급될 수 있다.
제어기(900)는 기판 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 제어기(900)는 이하에서 수행하는 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(900)는 가스 공급 유닛(800), 온도 조절 플레이트(700), 그리고 지지 유닛(300)을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(900)는 제1가스 공급부(810) 및/또는 제2가스 공급부(830)에서 가스를 공급시 전원(322)이 척(310)에 전력을 인가하여 척(310)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역에서 플라즈마(P)를 발생시키도록 지지 유닛(300), 그리고 가스 공급 유닛(800)을 제어할 수 있다.
도 4은 도 3의 기판 처리 장치가 플라즈마 처리 공정을 수행하는 일 실시 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W)의 가장자리 영역에서 플라즈마(P)를 발생시켜, 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W)의 가장자리 영역을 처리하는 베벨 에치 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(1000)는 기판(W)의 가장자리 영역을 처리시 제1가스 공급부(810)가 기판(W)의 중앙 영역으로 제1가스(G1)를 공급하고, 제2가스 공급부(830)가 기판(W)의 가장자리 영역으로 제2가스(G2)를 공급할 수 있다. 제2가스 공급부(830)가 공급하는 제2가스(G2)는 공정 가스이므로, 플라즈마(P) 상태로 여기되어 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 가장자리 영역 상의 박막은 플라즈마(P)에 의해 에칭 처리될 수 있다. 또한, 기판(W)의 중앙 영역으로 공급되는 제1가스(G1)는 비활성 가스이고, 제1가스(G1)는 제2가스(G2)가 기판(W)의 중앙 영역으로 유입되는 것을 방지하여, 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 처리 효율을 보다 높일 수 있도록 한다. 또한, 기판(W)에 대한 처리를 수행하는 동안 유전체 판 유닛(500), 그리고 상부 전극 유닛(600)의 온도가 과도하게 높아지는 것을 억제할 수 있도록 온도 조절 플레이트(700)는 냉열을 발생시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 유전체 판(520)과 온도 조절 플레이트(700) 사이에 제1베이스(510)가 배치된다. 제1베이스(510)는 유전체 판(520)과 상이한 재질로 제공되고, 온도 조절 플레이트(700)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 즉, 제1베이스(510)의 열 팽창률은 유전체 판(520)의 열 팽창률보다 온도 조절 플레이트(700)의 열 팽창률에 더 가까울 수 있다. 즉, 유전체 판(520)과 온도 조절 플레이트(700) 사이에 제1베이스(510)가 배치되면서, 온도 조절 플레이트(700)가 발생시키는 냉열 등에 의해, 온도 조절 플레이트(700), 그리고 유전체 판(520) 사이에 뒤틀림이 발생되는 것을 최소화 할 수 있다. 온도 조절 플레이트(700)와 직접적으로 맞닿는 제1베이스(510)가 온도 조절 플레이트(700)와 유사한 재질로 제공되기 때문이다.
이와 유사하게, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상부 전극(620)과 온도 조절 플레이트(700) 사이에 제2베이스(610)가 배치된다. 제2베이스(610)는 상부 전극(620)과 상이한 재질로 제공되고, 온도 조절 플레이트(700)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 즉, 제2베이스(610)의 열 팽창률은 상부 전극(620)의 열 팽창률보다 온도 조절 플레이트(700)의 열 팽창률에 더 가까울 수 있다. 즉, 상부 전극(620)과 온도 조절 플레이트(700) 사이에 제2베이스(610)가 배치되면서, 온도 조절 플레이트(700)가 발생시키는 냉열 등에 의해, 온도 조절 플레이트(700), 그리고 상부 전극(620) 사이에 뒤틀림이 발생되는 것을 최소화 할 수 있다. 온도 조절 플레이트(700)와 직접적으로 맞닿는 제2베이스(610)가 온도 조절 플레이트(700)와 유사한 재질로 제공되기 때문이다.
이하에서는 도 4와 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 도 4은 도 3의 기판 처리 장치가 플라즈마 처리 공정을 수행하는 일 실시 예를 보여주는 도면이고, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치가 플라즈마 처리 공정을 수행하는 다른 실시 예를 보여주는 도면이다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 온도 조절 플레이트(700)와 유전체 판(520), 그리고 상부 전극(620) 사이에 배치되는 제1베이스(510) 및/또는 제2베이스(610)를 변경하여 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 처리 레이트, 예컨대 에칭 레이트를 변경할 수 있다.
제1베이스(510)는 복수로 제공될 수 있다. 복수로 제공되는 제1베이스(510)들은 서로 상이한 형상 및/또는 상이한 재질을 가질 수 있다. 또한, 제2베이스(610)는 복수로 제공될 수 있다. 복수로 제공되는 제2베이스(610)들은 서로 상이한 형상 및/또는 상이한 재질을 가질 수 있다. 사용자는 제1베이스(510)들 중 어느 하나를 온도 조절 플레이트(700)에 결합하고, 제2베이스(610)들 중 어느 하나를 온도 조절 플레이트(700)에 결합함으로써, 기판(W)에 대한 에칭 레이트를 변경할 수 있다.
예컨대, 처리 공간(102)에 기판(W)이 반입되고, 지지 유닛(300)에 지지된 제1기판(W1)의 가장자리 영역에 플라즈마(P)를 전달하여 제1기판(W1)의 가장자리 영역을 에칭 처리하는 경우, 제1베이스(510)들 중 선택된 어느 하나를 온도 조절 플레이트(700)와 유전체 판(520) 사이에 설치하고, 제2베이스(610)들 중 선택된 어느 하나를 온도 조절 플레이트(700)와 상부 전극(620) 사이에 설치할 수 있다. 이와 달리, 제2기판(W2)의 가장자리 영역에 플라즈마(P)를 전달하여 제2기판(W2)의 가장자리 영역을 에칭 처리하는 경우, 제1베이스(510)들 중 선택된 다른 하나를 온도 조절 플레이트(700)와 유전체 판(520) 사이에 설치하고, 제2베이스(610)들 중 선택된 다른 하나를 온도 조절 플레이트(700)와 상부 전극(620) 사이에 설치할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치(1000)에 제공되는 제1베이스(510) 및/또는 제2베이스(610)를 변경하여 기판(W)에 대한 플라즈마 처리 조건을 변경할 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이 제1기판(W1)을 처리시, 제1기판(W1)이 가장자리 영역에 대한 높은 에칭 레이트가 요구되는 경우, 유전체 판(520) 및/또는 상부 전극(620) 사이의 간격이 제1간격(D1)이 될 수 있도록 하는 제1베이스(510)와 제2베이스(610)를 기판 처리 장치(1000)에 제공할 수 있다. 또한, 도 5에 도시된 바와 같이 제1기판(W1)과 상이한 제2기판(W2)을 처리시, 제2기판(W2)이 가장자리 영역에 대한 다소 낮은 에칭 레이트가 요구되는 경우 유전체 판(520) 및/또는 상부 전극(620) 사이의 간격이 제2간격(D2)이 될 수 있도록 하는 제1베이스(510)와 제2베이스(610)를 기판 처리 장치(1000)에 제공할 수 있다. 제2간격(D2)은 제1간격(D1)보다 좁은 간격일 수 있다.
제1베이스(510), 그리고 제2베이스(610)의 교체에 따른 처리 조건 변경은, 상술한 바와 같은 간격 변경에 국한되는 것은 아니고 다양하게 변형 될 수 있다. 예컨대, 기판(W)에 요구되는 처리 조건에 따라, 제1베이스(510), 그리고 제2베이스(610)의 재질을 달리하여 기판(W)에 대한 처리 레이트를 변경할 수 있다. 제1베이스(510)와 제2베이스(610)는 서로 이격되고, 그 이격 공간이 공정 가스가 흐르는 가스 채널 중 일부를 이루고 있어 제1베이스(510) 및 제2베이스(610)의 재질은 플라즈마(P)의 발생에 영향을 주는 인자에 해당하기 때문이다.
예컨대, 제1기판(W1)을 처리하는 경우 제1재질을 가지는 제1베이스(510)를 기판 처리 장치(1000)에 제공할 수 있다. 이와 달리, 제1기판(W1)과 상이한 제2기판(W2)을 처리하는 경우 제2재질을 가지는 제1베이스(510)를 기판 처리 장치(1000)에 제공할 수 있다. 제1기판(W1)을 처리하는 경우 제1재질을 가지는 제2베이스(610)를 기판 처리 장치(1000)에 제공할 수 있다. 이와 달리, 제1기판(W1)과 상이한 제2기판(W2)을 처리하는 경우 제2재질을 가지는 제2베이스(610)를 기판 처리 장치(1000)에 제공할 수 있다.
또한, 기판(W)에 요구되는 처리 조건에 따라, 제1베이스(510), 그리고 제2베이스(610)의 형상을 달리하여, 상술한 가스 채널의 형상을 변경할 수 있다. 가스 채널의 형상이 변경되면, 가스 채널에 흐르는 공정 가스의 유동 경로도 변경되는데, 공정 가스의 유동 경로의 변경은 플라즈마(P)의 발생에 영향을 주는 인자에 해당하기 때문이다.
상술한 예에서는, 기판 처리 장치(1000)가 기판(W)의 가장자리 영역에 대하여 에치 공정을 수행하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 실시 예들은 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 처리가 요구되는 다양한 설비, 그리고 공정에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
상술한 예에서 설명한 기판 처리 장치(1000)가 플라즈마(P)를 발생시키는 방법은 ICP(Inductive coupled plasma) 방식일 수 있다. 또한, 상술한 기판 처리 장치(1000)가 플라즈마(P)를 발생시키는 방법은 CCP(Capacitor couple plasma) 방식일 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1000)는 ICP(Inductive coupled plasma) 방식, 그리고 CCP(Capacitor couple plasma) 방식을 모두 이용하거나, ICP(Inductive coupled plasma) 방식, 그리고 CCP(Capacitor couple plasma) 방식 중 선택된 방식을 이용하여 플라즈마(P)를 발생시킬 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1000)는 상술한 방법 이외에 공지된 플라즈마(P)를 발생시키는 방법을 통해 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수도 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
기판 처리 장치 : 1000
지지 유닛 : 300
척 : 310
절연 링 : 330
하부 전극 : 350
유전체 판 유닛 : 500
제1베이스 : 510
유전체 판 : 520
상부 전극 유닛 : 600
제2베이스 : 610
상부 전극 : 620
온도 조절 플레이트 : 700
가스 공급 유닛 : 800

Claims (8)

  1. 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 척에 지지된 기판의 상면과 마주하는 유전체 판; 상부에서 바라볼 때 상기 유전체 판을 감싸는 형상을 가지는 상부 전극; 및 상기 상부 전극과 서로 대향되는 하부 전극을 가지는 플라즈마 베벨 에치 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    서로 상이한 형상 및/또는 재질을 가지는 제1베이스들을 준비하는 단계;
    제1기판을 처리시 상기 제1베이스들 중 선택된 어느 하나를 이용하여 상기 유전체 판을 상기 하우징에 고정시키는 단계; 및
    상기 제1기판과 상이한 제2기판을 처리시 상기 제1베이스들 중 선택된 다른 하나를 이용하여 상기 유전체 판을 상기 하우징에 고정시키는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베벨 에치 장치는,
    상기 하우징에 설치되는 온도 조절 플레이트 - 상기 제1베이스의 온도 팽창률은, 상기 유전체 판의 열 팽창률보다 상기 온도 조절 플레이트의 열 팽창률에 가까움 - 를 더 포함하고,
    선택된 상기 제1베이스는,
    상기 온도 조절 플레이트와 상기 유전체 판 사이에 설치되는, 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1베이스들 중 선택된 어느 하나를 이용하여 상기 유전체 판을 고정시, 상기 유전체 판과 상기 척에 지지된 상기 기판 사이의 간격은 제1간격이고,
    상기 제1베이스들 중 선택된 다른 하나를 이용하여 상기 유전체 판을 고정시, 상기 유전체 판과 상기 척에 지지된 상기 기판 사이의 간격은 상기 제1간격과 상이한 제2간격인, 방법.
  4. 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 척에 지지된 기판의 상면과 마주하는 유전체 판; 상부에서 바라볼 때 상기 유전체 판을 감싸는 형상을 가지는 상부 전극; 및 상기 상부 전극과 서로 대향되는 하부 전극을 가지는 플라즈마 베벨 에치 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    서로 상이한 형상 및/또는 재질을 가지는 제2베이스들을 준비하는 단계;
    제1기판을 처리시 상기 제2베이스들 중 선택된 어느 하나를 이용하여 상기 상부 전극을 상기 하우징에 고정시키는 단계; 및
    상기 제1기판과 상이한 제2기판을 처리시 상기 제2베이스들 중 선택된 다른 하나를 이용하여 상기 상부 전극을 상기 하우징에 고정시키는 단계를 포함하는, 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 베벨 에치 장치는,
    상기 하우징에 설치되는 온도 조절 플레이트 - 상기 제2베이스의 온도 팽창률은, 상기 상부 전극의 열 팽창률보다 상기 온도 조절 플레이트의 열 팽창률에 가까움 - 를 더 포함하고,
    선택된 상기 제2베이스는,
    상기 온도 조절 플레이트와 상기 상부 전극 사이에 설치되는, 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제2베이스들 중 선택된 어느 하나를 이용하여 상기 상부 전극을 고정시, 상기 상부 전극과 상기 척에 지지된 상기 기판 사이의 간격은 제1간격이고,
    상기 제2베이스들 중 선택된 다른 하나를 이용하여 상기 상부 전극을 고정시, 상기 상부 전극과 상기 척에 지지된 상기 기판 사이의 간격은 상기 제1간격과 상이한 제2간격인, 방법.
  7. 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 척에 지지된 기판의 상면과 마주하는 유전체 판; 상부에서 바라볼 때 상기 유전체 판을 감싸는 형상을 가지는 상부 전극; 상기 상부 전극과 서로 대향되는 하부 전극; 상기 척에 지지된 기판의 중앙 영역으로 비활성 가스를 공급하는 제1가스 공급부; 및 상기 척에 지지된 기판의 가장자리 영역으로 플라즈마 상태로 여기되는 공정 가스를 공급하는 제2가스 공급부를 포함하는 베벨 에치 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    서로 상이한 형상 및/또는 재질을 가지는 제1베이스들을 준비하는 단계;
    서로 상이한 형상 및/또는 재질을 가지는 제2베이스들을 준비하는 단계;
    상기 제1베이스들 중 선택된 어느 하나의 제1베이스를 이용하여 상기 유전체 판을 상기 하우징에 고정시키는 단계;
    상기 제2베이스들 중 선택된 어느 하나의 제2베이스를 이용하여 상기 상부 전극을 상기 하우징에 고정시키는 단계; 및
    상기 비활성 가스 및 상기 공정 가스를 공급하여 상기 척에 지지된 기판의 가장자리 영역을 처리하는 단계를 포함하는, 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 베벨 에치 장치는,
    상기 하우징에 설치되는 온도 조절 플레이트 - 상기 제1베이스의 온도 팽창률은, 상기 유전체 판의 열 팽창률보다 상기 온도 조절 플레이트의 열 팽창률에 가깝고, 상기 제2베이스의 온도 팽창률은, 상기 상부 전극의 열 팽창률보다 상기 온도 조절 플레이트의 열 팽창률에 가까움 - 를 더 포함하고,
    선택된 상기 제1베이스는,
    상기 온도 조절 플레이트와 상기 유전체 판 사이에 설치되고,
    선택된 상기 제2베이스는,
    상기 온도 조절 플레이트와 상기 상부 전극 사이에 설치되는, 방법.

KR1020210103038A 2020-03-30 2021-08-05 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102380271B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210103038A KR102380271B1 (ko) 2020-03-30 2021-08-05 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200038515A KR102396430B1 (ko) 2020-03-30 2020-03-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR1020210103038A KR102380271B1 (ko) 2020-03-30 2021-08-05 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200038515A Division KR102396430B1 (ko) 2020-03-30 2020-03-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210122209A KR20210122209A (ko) 2021-10-08
KR102380271B1 true KR102380271B1 (ko) 2022-03-30

Family

ID=77856515

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200038515A KR102396430B1 (ko) 2020-03-30 2020-03-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR1020210103038A KR102380271B1 (ko) 2020-03-30 2021-08-05 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200038515A KR102396430B1 (ko) 2020-03-30 2020-03-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11295933B2 (ko)
KR (2) KR102396430B1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102357066B1 (ko) * 2019-10-31 2022-02-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102116474B1 (ko) * 2020-02-04 2020-05-28 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN117836894A (zh) * 2021-08-23 2024-04-05 Psk有限公司 基板处理装置及基板处理方法
KR102596797B1 (ko) * 2021-11-02 2023-11-02 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230063746A (ko) * 2021-11-02 2023-05-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102606837B1 (ko) * 2021-11-02 2023-11-29 피에스케이 주식회사 상부 전극 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102675937B1 (ko) * 2022-05-09 2024-06-14 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200464038Y1 (ko) 2009-04-10 2013-02-19 램 리써치 코포레이션 클램핑된 모놀리식 샤워헤드 전극을 위한 포지셔닝 피쳐를 갖는 개스킷

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142449A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Kawasaki Steel Corp プラズマエッチング装置
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
KR100477988B1 (ko) * 2002-07-16 2005-03-22 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR101249247B1 (ko) * 2005-12-21 2013-04-01 참엔지니어링(주) 플라즈마 에칭 챔버
US7943007B2 (en) * 2007-01-26 2011-05-17 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher
WO2011076430A2 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 Wilhelm Beckmann Verfahren und vorrichtung zum ausbilden einer dielektrischen schicht auf einem substrat
KR20120009596A (ko) * 2010-07-19 2012-02-02 엘지디스플레이 주식회사 박막처리장치
WO2013051248A1 (ja) * 2011-10-07 2013-04-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200464038Y1 (ko) 2009-04-10 2013-02-19 램 리써치 코포레이션 클램핑된 모놀리식 샤워헤드 전극을 위한 포지셔닝 피쳐를 갖는 개스킷

Also Published As

Publication number Publication date
US11295933B2 (en) 2022-04-05
KR102396430B1 (ko) 2022-05-10
US20210305014A1 (en) 2021-09-30
KR20210122209A (ko) 2021-10-08
KR20210121581A (ko) 2021-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102380271B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102275757B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7320874B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102404571B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102580584B1 (ko) 기판 처리 장치 및 유전체 판 정렬 방법
US20230335381A1 (en) Substrate processing apparatus
KR102297382B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 방법
TWI787958B (zh) 基板處理設備及基板處理方法
KR102589182B1 (ko) 기판 처리 장치 및 유전체 판 정렬 방법
KR102675937B1 (ko) 기판 처리 장치
CN117836894A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR102265339B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230144399A (ko) 기판 처리 장치
KR20240011013A (ko) 기판 처리 장치
KR20230063746A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20240028151A (ko) 기판 처리 장치
JP2024076315A (ja) 冷却プレート及びこれを含むプラズマ処理チャンバ
KR20230063743A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right