JP2024076315A - 冷却プレート及びこれを含むプラズマ処理チャンバ - Google Patents
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Abstract
【課題】ウィンドウを覆う領域を縮小しながらウィンドウの全領域へ空気が流れるようにする冷却プレート、及びこれを含むプラズマ処理チャンバを提供する。【解決手段】本発明による上部でプラズマ処理空間を密閉するウィンドウを冷却するための冷却プレートは、前記ウィンドウの中心の一部領域を覆う円板状に設けられるボディと、前記ボディに気体が流入する流入口と、前記ボディから前記気体が前記ウィンドウへ吐出される排出口と、を含む。前記流入口と排出口との間には、前記気体が流れる流路と、前記流路から前記ウィンドウに向かう傾斜路とが形成される。【選択図】図2
Description
本発明は、上部でプラズマ処理空間を密閉するウィンドウを冷却するための冷却プレート、及びこれを含むプラズマ処理チャンバに関する。
半導体製造工程は、基板(例えば、ウェーハ)上に半導体素子を製造するための工程であって、例えば露光、蒸着、エッチング、イオン注入、洗浄などを含む。それぞれの製造工程を行うために、半導体製造工場のクリーンルーム内に各工程を行う半導体製造設備が備えられ、半導体製造設備に投入された基板に対する工程処理が行われる。
半導体製造過程において、プラズマを用いた工程、例えばエッチング、蒸着などが広く用いられている。プラズマ処理工程は、プラズマ処理空間において基板が下部に装着され、プラズマ処理のためのガスが供給されるとともに、上部に位置したアンテナによって電圧が印加されることにより行われる。プラズマ処理空間を密閉させるが、アンテナによって電圧が印加されるためのウィンドウが上部に設置される。ただし、アンテナに印加される電力によってウィンドウの温度が一定のレベル以上上昇する場合、プラズマ分布及び基板に影響を与える可能性があるから、ウィンドウを一定の温度に保つための装置が必要である。
従来技術の場合、ウィンドウの全領域を覆うプレートに空気を注入してウィンドウを冷却する方法が用いられたが、プレートにより電磁波信号の伝達に歪みが発生してエネルギー伝達効率が低下するなど、限界があった。
本発明は、ウィンドウを覆う領域を縮小しながらウィンドウの全領域に空気が流れるようにする冷却プレート、及びこれを含むプラズマ処理チャンバを提供することを目的とする。
本発明による上部でプラズマ処理空間を密閉するウィンドウを冷却するための冷却プレートは、前記ウィンドウの中心の一部領域を覆う円板状に設けられるボディと、前記ボディに気体が流入する流入口と、前記ボディから前記気体が前記ウィンドウに吐出される排出口と、を含む。前記流入口と前記排出口との間には、前記気体が流れる流路と、前記流路から前記ウィンドウに向かう傾斜路が形成される。
本発明によれば、前記気体が前記傾斜路に沿って流れながらコアンダ効果によって前記ウィンドウの上面へ誘導されるように前記傾斜路が形成される。
本発明によれば、前記傾斜路によって前記ウィンドウと前記ボディとの間で前記気体の流れる断面積が狭くなるように形成される。
本発明によれば、前記傾斜路は、前記ウィンドウに向かって突出した曲線状に設けられる。
本発明によれば、前記流入口は前記ボディの上面に位置する。
本発明によれば、前記排出口は前記ボディの外側に位置する。
本発明によれば、前記排出口は、前記ボディの外側に形成された支持部同士の間の空間によって複数形成される。
本発明による上部でプラズマ処理空間を密閉するウィンドウを冷却するための冷却プレートは、前記ウィンドウの縁部の一部を覆うリング状に設けられるボディと、前記ボディに気体が流入する流入口と、前記ボディから前記気体が前記ウィンドウへ吐出される排出口と、を含む。前記流入口と前記排出口との間には、前記気体が流れる流路と、前記流路から前記ウィンドウに向かう傾斜路とが形成される。
本発明によるプラズマ処理チャンバは、上部が開口し、プラズマ処理空間を形成するハウジングと、前記ハウジングの開放された上部を覆うように設置される上部モジュールと、前記ハウジングの内部に設置され、基板を支持する支持ユニットと、前記ハウジングの内部に設置され、前記基板を処理するためのプロセスガスを前記ハウジングの内部に提供するシャワーヘッドユニットと、を含む。前記上部モジュールは、上部で前記プラズマ処理空間を密閉するウィンドウと、前記ウィンドウを冷却する冷却プレートと、前記冷却プレートの上部に位置して前記プラズマ処理空間にプラズマを形成するアンテナ部材と、を含む。前記冷却プレートは、前記ウィンドウの中心の一部領域を覆う円板状に設けられる内側ボディと、前記ウィンドウの縁部の一部を覆うリング状に設けられる外側ボディと、前記内側ボディ及び外側ボディに気体が流入する流入口と、前記内側ボディ及び外側ボディから前記気体が前記ウィンドウへ吐出される排出口と、を含む。前記流入口と前記排出口との間には、前記気体が流れる流路と、前記流路から前記ウィンドウに向かう傾斜路が形成される。
本発明によれば、ウィンドウの一部領域を覆うボディにおける流入口と排出口との間に傾斜路を形成して、コアンダ効果(Coanda effect)によって気体がウィンドウの表面を流れるようにすることにより、ウィンドウを覆う領域を縮小しながらウィンドウの全領域へ空気が流れるようにすることができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施し得るように詳細に説明する。本発明は、種々の異なる形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、明細書全体にわたり、同一又は類似の構成要素に対しては同一の参照符号を付す。
また、幾つかの実施形態において、同一の構成を有する構成要素については、同一の符号を用いて代表的な実施形態でのみ説明し、それ以外の他の実施形態では、代表的な実施形態とは異なる構成についてのみ説明する。
明細書全体において、ある部分が他の部分と「連結(又は結合)」されているとするとき、これは、「直接的に連結(又は結合)」されている場合だけでなく、別の部材を挟んで「間接的に連結(又は結合)」されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
他に定義されない限り、技術的又は科学的用語を含めてここで使用されるすべての用語は、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって一般に理解されるのと同じ意味を持っている。一般的に使用される辞書に定義されている用語は、関連技術の文脈上の意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本出願で明確に定義しない限り、理想的又は過度に形式的な意味で解釈されない。
図1は、本発明によるプラズマ処理チャンバ100の概略構造を示す。図1を参照すると、プラズマ処理チャンバ100は、ハウジング(housing)110、基板支持ユニット120、プラズマ生成ユニット130、シャワーヘッドユニット(shower head unit)140、第1ガス供給ユニット150、第2ガス供給ユニット160、ウォールライナー(wall liner)170、バッフルユニット(baffle unit)180、及び上部モジュール190を含んで構成できる。
プラズマ処理チャンバ100は、真空環境でエッチング工程(例えば、ドライエッチング工程(dry etching process))を用いて基板W(例えば、ウェーハ)を処理する。プラズマ処理チャンバ100は、例えばプラズマプロセス(Plasma process)を用いて基板Wを処理することができる。
ハウジング110は、プラズマプロセスが行われるプラズマ処理空間を提供する。このようなハウジング110は、その下部に排気孔111を備えることができる。
排気孔111は、ポンプ112が取り付けられた排気ライン113に連結できる。このような排気孔111は、排気ライン113を介して、プラズマプロセス過程で発生した反応副産物とハウジング110の内部に残留するガスをハウジング110の外部へ排出することができる。この場合、ハウジング110の内部空間(プラズマ処理空間)は所定の圧力に減圧できる。
ハウジング110は、その側壁に開口部114が形成できる。開口部114は、ハウジング110の内部に対して基板Wが出入りする通路として機能することができる。このような開口部114は、ドアアセンブリ115によって開閉されるように構成できる。
ドアアセンブリ115は、外側ドア115a及びドア駆動器115bを含んで構成できる。外側ドア115aは、ハウジング110の外壁に設けられる。このような外側ドア115aは、ドア駆動器115bを介して上下方向(Z方向)に移動することができる。ドア駆動器115bは、モータ、油圧シリンダ、空気圧シリンダなどを用いて作動することができる。
基板支持ユニット120は、ハウジング110の内部下側領域に設置される。このような基板支持ユニット120は、静電気力を利用して基板Wを支持することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されない。基板支持ユニット120は、機械的クランピング(mechanical clamping)や真空などの様々な方式で基板Wを支持することも可能である。
基板支持ユニット120は、静電気力を利用して基板Wを支持する場合、チャックボディ(chuck body)121と静電チャック(electrostatic chuck)122とを含むことができる。
チャックボディ121は、静電チャック122を下部で支持する。チャックボディ121は、例えば、アルミニウム成分を素材として製作され、アルミニウムベースプレート(Al base plate)として提供され得る。
静電チャック122は、静電気力を利用して、その上部に定着される基板Wを支持するものである。このような静電チャック122は、セラミック成分を素材として製作され、セラミックプレート(ceramic plate)又はセラミックパック(ceramic puck)として提供でき、チャックボディ121上に固定されるようにチャックボディ121に結合することができる。
チャックボディ121とその上に形成される静電チャック122との間には、接合層(bonding layer)が形成でき、接合層を保護するために、その外郭には保護層が設置できる。
静電チャック122は、駆動部材(図示せず)を用いてハウジング110の内部で上下方向(Z方向)に移動可能に設けられてもよい。静電チャック122は、このように上下方向に移動可能に設けられる場合、基板Wを、より均一なプラズマ分布を示す領域に位置させることが可能となる。静電チャック122の内部には下部電極127が備えられ、プラズマ処理チャンバ100の処理空間にプラズマを形成することができる。
リングアセンブリ123は、静電チャック122の縁を包むように設けられる。このようなリングアセンブリ123は、リング状に設けられ、基板Wの縁領域を支持するように構成できる。リングアセンブリ123は、フォーカスリング(focus ring)123a及び絶縁リング123bを含んで構成できる。
フォーカスリング123aは、絶縁リング123bの内側に形成され、静電チャック122を包むように設けられる。このようなフォーカスリング123aは、シリコン材質で作られ、プラズマを基板Wに集中させることができる。
絶縁リング123bは、フォーカスリング123aの外側に設けられ、フォーカスリング123aを包む。このような絶縁リング123bは、クォーツ(quartz)材質で作られる。
一方、リングアセンブリ123は、フォーカスリング123aの縁に密着して形成されるエッジリング(edge ring)(図示せず)をさらに含むことができる。エッジリングは、プラズマによって静電チャック122の側面が損傷するのを防ぐために形成できる。
第1ガス供給ユニット150は、リングアセンブリ123の上部又は静電チャック122の縁部分に残留する異物を除去するために、第1ガスを供給するものである。このような第1ガス供給ユニット150は、第1ガス供給源151及び第1ガス供給ライン152を含んで構成できる。
第1ガス供給源151は、第1ガスとして窒素ガス(N2ガス)を供給することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されない。第1ガス供給源151は、他のガスや洗浄剤などを供給することも可能である。
第1ガス供給ライン152は、静電チャック122とリングアセンブリ123との間に設けられる。第1ガス供給ライン152は、例えば、静電チャック122とフォーカスリング123aとの間に連結されるように形成できる。
一方、第1ガス供給ライン152は、フォーカスリング123aの内部に設けられ、静電チャック122とフォーカスリング123aとの間に連結されるように折り曲げられて形成されることも可能である。
加熱部材124及び冷却部材125は、ハウジング110の内部でエッチング工程が行われているときに基板Wが工程温度を維持することができるように設けられる。加熱部材124は、このために熱線として提供されてもよく、冷却部材125は、このために冷媒の流れる冷却ラインとして提供されてもよい。
加熱部材124及び冷却部材125は、基板Wが工程温度を維持することを可能にするために、静電チャック122の内部に設置できる。一例として、加熱部材124は、静電チャック122の内部に設置されてもよく、冷却部材125は、チャックボディ121の内部に設置されてもよい。
一方、冷却部材125は、冷却装置(chiller)126を用いて冷媒の供給を受けることができる。冷却装置126は、ハウジング110の外部に設置できる。
プラズマ生成ユニット130は、放電空間に残留するガスからプラズマを発生させるものである。ここで、放電空間は、ハウジング110の内部空間のうち、静電チャック122の上部に位置する空間を意味する。
プラズマ生成ユニット130は、誘導結合型プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)ソースを用いてハウジング110の内部の放電空間にプラズマを発生させることができる。この場合、プラズマ生成ユニット130は、上部モジュール190に設置されるアンテナ(antenna)193と静電チャック122の下部電極127とを用いてプラズマを形成するための電圧を印加することができる。
しかし、本実施形態はこれに限定されない。プラズマ生成ユニット130は、容量結合型プラズマ(CCP:Capacitively Coupled Plasma)ソースを用いてハウジング110の内部の放電空間にプラズマを発生させることも可能である。
プラズマ生成ユニット130は、上部電源131と下部電源133とを含んで構成できる。
上部電源131は、上部電極、すなわちアンテナ193に電力を印加するものである。このような上部電源131は、プラズマの特性を制御するために提供できる。上部電源131は、例えば、イオン衝撃エネルギー(ion bombardment energy)を調節するように提供できる。
上部電源131は、図1に1つが示されているが、本実施形態において複数備えられてもよい。上部電源131が複数備えられる場合、プラズマ処理チャンバ100は、複数の上部電源と電気的に接続される第1マッチングネットワーク(図示せず)をさらに含むことができる。
第1マッチングネットワークは、それぞれの上部電源から入力される互いに異なるサイズの周波数電力をマッチングしてアンテナ193に印加することができる。
一方、上部電源131とアンテナ193とを連結する第1伝送線路132上には、インピーダンス整合を目的として第1インピーダンス整合回路(図示せず)が設けられてもよい。
第1インピーダンス整合回路は、無損失受動回路として作用して、上部電源131からアンテナ193へ電気エネルギーが効果的に(すなわち、最大に)伝達されるようにすることができる。
下部電源133は、下部電極、すなわち静電チャック122に電力を印加する。このような下部電源133は、プラズマを発生させるプラズマソースとして役目をするか、或いは上部電源131と共にプラズマの特性を制御する役目をすることができる。
下部電源133は、図1に1つが示されているが、上部電源131と同様に、本実施形態では複数備えられてもよい。下部電源133が複数備えられる場合、複数の下部電源と電気的に接続される第2マッチングネットワーク(図示せず)をさらに含むことができる。
第2マッチングネットワークは、それぞれの下部電源から入力される互いに異なる大きさの周波数電力をマッチングして静電チャック122に印加することができる。
一方、下部電源133と静電チャック122とを連結する第2伝送線路134上には、インピーダンス整合を目的として第2インピーダンス整合回路(図示せず)が設けられてもよい。
第2インピーダンス整合回路は、第1インピーダンス整合回路と同様に無損失受動回路として作用して、下部電源133から静電チャック122へ電気エネルギーが効果的に(すなわち、最大に)伝達されるようにすることができる。
シャワーヘッドユニット140は、静電チャック122とハウジング110の内部で上下に対向するように設置できる。このようなシャワーヘッドユニット140は、ハウジング110の内部にガスを噴射するために複数のガス噴射孔(gas feeding hole)141を備えることができ、静電チャック122よりもさらに大きい直径を有するように設けられることが可能である。
一方、シャワーヘッドユニット140は、シリコン成分を素材として製作でき、金属成分を素材として製作されることも可能である。
第2ガス供給ユニット160は、シャワーヘッドユニット140を介してハウジング110の内部へプロセスガス(第2ガス)を供給するものである。このような第2ガス供給ユニット160は、第2ガス供給源161及び第2ガス供給ライン162を含むことができる。
第2ガス供給源161は、基板Wの処理に用いられるエッチングガス(etching gas)をプロセスガスとして供給する。このような第2ガス供給源161は、エッチングガスとしてフッ素(fluorine)成分を含むガス(例えば、SF6、CF4などのガス)を供給することができる。
第2ガス供給源161は、1つが備えられ、エッチングガスをシャワーヘッドユニット140へ供給することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されない。第2ガス供給源161は、複数備えられ、プロセスガスをシャワーヘッドユニット140へ供給することも可能である。
第2ガス供給ライン162は、第2ガス供給源161とシャワーヘッドユニット140とを連結するものである。第2ガス供給ライン162は、第2ガス供給源161を介して供給されるプロセスガスをシャワーヘッドユニット140へ移送することにより、エッチングガスがハウジング110の内部に流入できるようにする。
一方、シャワーヘッドユニット140がセンター領域(center zone)、ミドル領域(middle zone)、エッジ領域(edge zone)などに分割される場合、第2ガス供給ユニット160は、シャワーヘッドユニット140の各領域へプロセスガスを供給するためにガス分配器(図示せず)とガス分配ライン(図示せず)とをさらに含むことができる。
ガス分配器は、第2ガス供給源161から供給されるプロセスガスをシャワーヘッドユニット140の各領域へ分配するものである。このようなガス分配器は、第2ガス供給ライン162を介して第2ガス供給源161に連結できる。
ガス分配ラインは、ガス分配器とシャワーヘッドユニット140の各領域とを連結するものである。ガス分配ラインは、これを介してガス分配器によって分配されたプロセスガスをシャワーヘッドユニット140の各領域へ移送することができる。
一方、第2ガス供給ユニット160は、蒸着ガス(deposition gas)を供給する第3ガス供給源(図示せず)をさらに含むこともできる。
第3ガス供給源は、基板Wパターンの側面を保護して異方性エッチングが可能となるようにシャワーヘッドユニット140へ供給するものである。このような第2ガス供給源は、C4F8、C2F4などのガスを蒸着ガスとして供給することができる。
ウォールライナーユニット170は、プロセスガスが励起される過程で発生するアーク放電、基板処理工程中に発生する不純物などからハウジング110の内側面を保護するためのものである。このようなウォールライナーユニット170は、ハウジング110の内部に上部と下部がそれぞれ開放された円筒状に設けられることができる。
ウォールライナーユニット170は、ハウジング110の内側壁に隣接するように設けられることができる。このようなウォールライナーユニット170は、その上部に支持リング171を備えることができる。支持リング171は、ウォールライナーユニット170の上部から外側方向(すなわち、第1方向10)に突設され、ハウジング110の上端に配置されてウォールライナーユニット170を支持することができる。
バッフルユニット180は、プラズマのプロセス副産物や未反応ガスなどを排気する役目をする。このようなバッフルユニット180は、ハウジング110の内側壁と静電チャック122との間に設置できる。バッフルユニット180は、環状のリング状に設けられてもよく、上下方向(すなわち、第3方向30)に貫通する複数の貫通孔を備えてもよい。バッフルユニット180は、貫通孔の個数及び形状に応じてプロセスガスの流れを制御することができる。
上部モジュール190は、ハウジング110の開放された上部を覆うように設置されるものである。このような上部モジュール190は、ウィンドウ191、冷却プレート192及びアンテナ193を含むことができる。
ウィンドウ191は、ハウジング110の内部空間を密閉させるためにハウジング110の上部を覆うように形成される。このようなウィンドウ191は、板(例えば、円板)状をしてもよく、絶縁物質(例えば、アルミナ(Al2O3))を素材として形成されてもよい。
ウィンドウ191は、誘電体ウィンドウ(dielectric window)を含んで形成できる。ウィンドウ191は、第2ガス供給ライン162が挿入されるための通孔が形成でき、ハウジング110の内部でプラズマプロセスが行われるときにパーティクル(particle)の発生を抑制するために、その表面にコーティング膜が形成できる。冷却プレート192は、ウィンドウ191に空気を流してウィンドウ191を冷却する。冷却プレート192の詳細構造は、図2~図10を参照して詳細に説明する。
アンテナ193は、ウィンドウ191及び冷却プレート192の上部に設置される。アンテナ193は、下部が開放された円筒状をしてもよく、ハウジング110と対応する直径を有するように設けられてもよい。アンテナ193は、ウィンドウ191に着脱可能に設けられてもよい。
アンテナ193は、上部電極として機能するものであって、閉ループを形成するように設けられるコイルが装着されたものである。このようなアンテナ193は、上部電源131から供給される電力に基づいてハウジング110の内部に磁場及び電場を生成することにより、シャワーヘッドユニット140を介して、ハウジング110の内部に流入したガスをプラズマで励起させる役目をする。
アンテナ193は、平板スパイラル(planar spiral)状のコイルを装着することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されない。コイルの構造や大きさなどは、当該技術分野における通常の知識を有する者によって多様に変更できる。
以下、本発明による冷却プレート192について説明する。冷却プレート192は、ウィンドウ191の温度を維持するためにウィンドウ191へ空気が流れるようにする。本発明は、ウィンドウを覆う領域を縮小しながらウィンドウ191の全領域へ空気が流れるようにする冷却プレート192を提供する。本発明による冷却プレート192は、内側冷却プレート210と外側冷却プレート220とを含むことができる。
図2を参照すると、内側冷却プレート210は、ウィンドウ191の中心領域の一部を覆うように構成され、外側冷却プレート220は、ウィンドウ191の縁領域の一部を覆うように構成される。内側冷却プレート210と外側冷却プレート220との間には空きスペースが存在するので、アンテナ193からの電磁気信号がプラズマ処理空間へ円滑に伝達されることができる。外側冷却プレート220と内側冷却プレート210は冷却プレートと呼ばれることがある。冷却プレート192は、外側冷却プレート220のみで構成されてもよく、内側冷却プレート210のみで構成されてもよく、外側冷却プレート220と内側冷却プレート210の両方を含むように構成されてもよい。
本発明によれば、ウィンドウ191の全体が覆われず、一部の領域が覆われるため、電磁波信号の伝達及び冷却効率が増大することができる。ただし、ウィンドウ191の全領域に気体が均一に流れるようにコアンダ効果(Coanda effect)によって気体がウィンドウ191の表面へ流れるように冷却プレート192が形成できる。コアンダ効果は、壁面の周囲を流れる流体に現れる現象であって、固体面上を流れる流体が固体面上に沿って流れ続けようとする性質を意味する。図3を参照すると、ウィンドウ191と冷却プレート192との間を流れる気体は、持続的にウィンドウ191の表面の周りを流れる性質を持つので、ウィンドウ191の一部の領域のみを覆うように冷却プレート192が形成された場合でも、気体がウィンドウ191の表面に沿って流れることができる。以下、コアンダ効果が適用された内側冷却プレート210及び外側冷却プレート220の構造について説明する。
内側冷却プレート210は、ウィンドウ191の中心の一部領域を覆う円板状に設けられるボディ212(内側ボディ)と、ボディ212に気体が流入する流入口214と、ボディ212から気体がウィンドウ191へ吐出される排出口216と、を含む。流入口214と排出口216との間には、気体が流れる流路210A、及び流路210Aからウィンドウ191に向かう傾斜路210Bが形成できる。
図4は内側冷却プレート210の外観を示し、図5は内側冷却プレート210の内部構造を説明するための図である。図6は、図5の内側冷却プレート210の断面部分A1を拡大した図である。図7は、内側冷却プレート210の背面を示す。
図4及び図5を参照すると、内側冷却プレート210のボディ212は、中心部が開放された円板状に設けられる。内側冷却プレート210の流入口214はボディ212の上面に位置する。図4及び図7に示すように、流入口214は、ボディ212から突出した突出部215に形成できる。流入口214に気体を供給する気体供給管(図示せず)が装着できる。内側冷却プレート210の排出口216はボディ212の外側に位置する。排出口216は、ボディ212とウィンドウ191との間の空間によって形成され、排出口216を介して気体が排出できる。内側冷却プレート210の排出口216は、ボディ212の外側に形成された支持部218同士の間の空間によって複数形成できる。
流入口214と排出口216は、互いに連結されて気体が流れるように構成される。図6に示すように、流入口214と排出口216との間には、気体が流れる流路210Aと、流路210Aからウィンドウ191に向かう傾斜路210Bが形成できる。流路210Aは、一定の形状に構成されて気体が一定に流動することができ、気体は、流路210Aから傾斜路210Bに沿って流れた後、排出口216を介して排出される。気体は、傾斜路210Bに沿って流れながらコアンダ効果によってウィンドウ191の上面に誘導されるように傾斜路210Bが形成される。傾斜路210Bによってウィンドウ191とボディ212との間で気体の流れる断面積が狭くなるように形成される。傾斜路210Bは、ウィンドウ191に向かって突出した曲線状に設けられることができる。すなわち、流入口214から流入した気体は、流路210Aに沿って一定に流動するが、傾斜路210Bに沿ってウィンドウ191の表面側に誘導された後、最終的に排出口216を介して排出される。排出口216から排出された気体は、コアンダ効果によってウィンドウ191の上部表面に沿って流れる。したがって、ウィンドウ191の全体が覆われていない場合でも、気体がウィンドウ191の全領域へ均一に流れて冷却することができる。これと類似したメカニズムが外側冷却プレート220にも適用できる。
外側冷却プレート220は、ウィンドウ191の縁部の一部領域を覆うリング状に設けられるボディ222(外側ボディ)と、ボディ222に気体が流入する流入口224と、ボディ222から気体がウィンドウ191へ吐出される排出口226と、を含む。流入口224と排出口226との間には、気体が流れる流路220Aと、流路210Aからウィンドウ191に向かう傾斜路220Bとが形成される。
図8は、外側冷却プレート220の外観を示し、図9は、外側冷却プレート220の内部構造を説明するための図である。図10は、図9の外側冷却プレート220の断面部分A2を拡大した図である。図11は、外側冷却プレート220の背面を示す。
図8、図9及び図11を参照すると、外側冷却プレート220のボディ222は、ウィンドウ191の縁部に対応するリング状に設けられる。外側冷却プレート220の流入口224は、ボディ222の上面の中心に位置する。流入口224へ気体を供給する気体供給管(図示せず)が装着できる。外側冷却プレート220の排出口226はボディ222の内側に位置する。排出口226は、ボディ222とウィンドウ191との間の空間によって形成され、排出口226を介して気体が排出できる。外側冷却プレート220の排出口226は、ボディ222の内側に形成された支持部228同士の間の空間によって複数形成できる。
流入口224と排出口226は、互いに連結されて気体が流れるように構成される。図10に示すように、流入口224と排出口226との間には、気体が流れる流路220Aと、流路220Aからウィンドウ191に向かう傾斜路220Bとが形成できる。流路220Aは、一定の形状に構成され、気体が一定に流動することができ、気体は、流路220Aから傾斜路220Bに沿って流れた後、排出口226を介して排出される。気体は、傾斜路220Bに沿って流れながらコアンダ効果によってウィンドウ191の上面へ誘導されるように傾斜路220Bが形成される。傾斜路220Bによってウィンドウ191とボディ222との間で気体の流れる断面積が狭くなるように形成される。傾斜路220Bは、ウィンドウ191に向かって突出した曲線状に設けられることができる。すなわち、流入口224から流入した気体は、流路220Aに沿って一定に流動するが、傾斜路220Bに沿ってウィンドウ191の表面側へ誘導された後、最終的に排出口226を介して排出される。排出口226から排出された気体は、コアンダ効果によってウィンドウ191の上面に沿って流れる。したがって、ウィンドウ191の全体が覆われていない場合でも、気体がウィンドウ191の全領域へ均一に流れて冷却することができる。
図12は、本発明による冷却プレート192における気体の流動量に対するシミュレーション結果を示す。図10は、内側冷却プレート210における空気の流れに対する実験結果を示すが、類似した結果が外側冷却プレート220にも導出できることは自明である。図12に示すように、冷却プレート192の流路210Aから傾斜路210Bに沿って流れながら排出口216を介して排出された気体は、コアンダ効果によってウィンドウ191の表面に沿って流れることが確認された。このように、ウィンドウ191の一部領域を覆う形で構成される冷却プレート192を構成するが、内部にコアンダ効果を発生させる傾斜路210Bを構成することにより、電磁波の損失又は歪みを低減しつつウィンドウ191の均一な冷却性能が達成できる。
本実施形態及び本明細書に添付された図面は、本発明に含まれる技術的思想の一部を明確に示しているものに過ぎず、本発明の明細書及び図面に含まれている技術的思想の範囲内で当業者が容易に類推することが可能な変形例及び具体的な実施形態はいずれも、本発明の権利範囲に含まれることが自明であると言える。
したがって、本発明の思想は、説明された実施形態に限定されてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等又は等価的な変形がある全てのものは、本発明の思想の範疇に属するというべきである。
100 プラズマ処理チャンバ
110 ハウジング
120 基板支持ユニット
140 シャワーヘッドユニット
190 上部モジュール
191 ウィンドウ
192 冷却プレート
193 アンテナ
212、222 ボディ
214、224 流入口
216、226 排出口
110 ハウジング
120 基板支持ユニット
140 シャワーヘッドユニット
190 上部モジュール
191 ウィンドウ
192 冷却プレート
193 アンテナ
212、222 ボディ
214、224 流入口
216、226 排出口
Claims (20)
- 上部でプラズマ処理空間を密閉するウィンドウを冷却するための冷却プレートであって、
前記ウィンドウの中心の一部領域を覆う円板状に設けられるボディと、
前記ボディに気体が流入する流入口と、
前記ボディから前記気体が前記ウィンドウへ吐出される排出口と、を含み、
前記流入口と前記排出口との間には、前記気体が流れる流路と、前記流路から前記ウィンドウに向かう傾斜路が形成される、冷却プレート。 - 前記気体が前記傾斜路に沿って流れながらコアンダ効果によって前記ウィンドウの上面へ誘導されるように前記傾斜路が形成される、請求項1に記載の冷却プレート。
- 前記傾斜路によって前記ウィンドウと前記ボディとの間で前記気体の流れる断面積が狭くなるように形成される、請求項1に記載の冷却プレート。
- 前記傾斜路は、前記ウィンドウに向かって突出した曲線状に設けられる、請求項1に記載の冷却プレート。
- 前記流入口は前記ボディの上面に位置する、請求項1に記載の冷却プレート。
- 前記排出口は前記ボディの外側に位置する、請求項1に記載の冷却プレート。
- 前記排出口は、前記ボディの外側に形成された支持部同士の間の空間によって複数形成される、請求項6に記載の冷却プレート。
- 上部でプラズマ処理空間を密閉するウィンドウを冷却するための冷却プレートであって、
前記ウィンドウの縁部の一部を覆うリング状に設けられるボディと、
前記ボディに気体が流入する流入口と、
前記ボディから前記気体が前記ウィンドウへ吐出される排出口と、を含み、
前記流入口と前記排出口との間には、前記気体が流れる流路と、前記流路から前記ウィンドウに向かう傾斜路とが形成される、冷却プレート。 - 前記気体が前記傾斜路に沿って流れながらコアンダ効果によって前記ウィンドウの上面へ誘導されるように前記傾斜路が形成される、請求項8に記載の冷却プレート。
- 前記傾斜路によって前記ウィンドウと前記ボディとの間で前記気体の流れる断面積が狭くなるように形成される、請求項8に記載の冷却プレート。
- 前記傾斜路は、前記ウィンドウに向かって突出した曲線状に設けられる、請求項8に記載の冷却プレート。
- 前記流入口は前記ボディの上面に位置する、請求項8に記載の冷却プレート。
- 前記排出口は前記ボディの内側に位置する、請求項8に記載の冷却プレート。
- 前記排出口は、前記ボディの内側に形成された支持部同士の間の空間によって複数形成される、請求項13に記載の冷却プレート。
- プラズマ処理チャンバであって、
上部が開口し、プラズマ処理空間を形成するハウジングと、
前記ハウジングの開放された上部を覆うように設置される上部モジュールと、
前記ハウジングの内部に設置され、基板を支持する支持ユニットと、
前記ハウジングの内部に設置され、前記基板を処理するためのプロセスガスを前記ハウジングの内部に提供するシャワーヘッドユニットと、を含み、
前記上部モジュールは、
上部で前記プラズマ処理空間を密閉するウィンドウと、
前記ウィンドウを冷却する冷却プレートと、
前記冷却プレートの上部に位置して前記プラズマ処理空間にプラズマを形成するアンテナ部材と、を含み、
前記冷却プレートは、
前記ウィンドウの中心の一部領域を覆う円板状に設けられる内側ボディと、
前記ウィンドウの縁部の一部を覆うリング状に設けられる外側ボディと、
前記内側ボディ及び前記外側ボディに気体が流入する流入口と、
前記内側ボディ及び前記外側ボディから前記気体が前記ウィンドウへ吐出される排出口と、を含み、
前記流入口と前記排出口との間には、前記気体が流れる流路と、前記流路から前記ウィンドウに向かう傾斜路とが形成される、プラズマ処理チャンバ。 - 前記気体が前記傾斜路に沿って流れながらコアンダ効果によって前記ウィンドウの上面へ誘導されるように前記傾斜路が形成される、請求項15に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記傾斜路によって前記ウィンドウと前記ボディとの間で前記気体の流れる断面積が狭くなるように形成される、請求項15に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記傾斜路は、前記ウィンドウに向かって突出した曲線状に設けられる、請求項15に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記内側ボディの前記流入口は、前記内側ボディの上面に位置し、
前記内側ボディの前記排出口は、前記内側ボディの外側に形成された支持部同士の間の空間によって複数形成される、請求項15に記載のプラズマ処理チャンバ。 - 前記外側ボディの前記流入口は、前記外側ボディの上面に位置し、
前記外側ボディの前記排出口は、前記外側ボディの内側に形成された支持部同士の間の空間によって複数形成される、請求項15に記載のプラズマ処理チャンバ。
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