JP2001148378A - プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法 - Google Patents
プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法Info
- Publication number
- JP2001148378A JP2001148378A JP33149699A JP33149699A JP2001148378A JP 2001148378 A JP2001148378 A JP 2001148378A JP 33149699 A JP33149699 A JP 33149699A JP 33149699 A JP33149699 A JP 33149699A JP 2001148378 A JP2001148378 A JP 2001148378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- processing
- path
- gate valve
- current path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理対象の可搬性を確保しつつ、プラズマを
均一化する。 【解決手段】 ｚ方向に移動可能なピン状導体４８をイ
ンサート型ゲートバルブ３７に接近させるとともに、イ
ンサート型ゲートバルブ３７の内側の形状に沿って配置
することにより、インサート型ゲートバルブ３７の部分
でも、筐体隔壁４４の部分と同様に電流を流すようにし
て、電流の流れを均一化する。
均一化する。 【解決手段】 ｚ方向に移動可能なピン状導体４８をイ
ンサート型ゲートバルブ３７に接近させるとともに、イ
ンサート型ゲートバルブ３７の内側の形状に沿って配置
することにより、インサート型ゲートバルブ３７の部分
でも、筐体隔壁４４の部分と同様に電流を流すようにし
て、電流の流れを均一化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装
置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法に関し、
半導体装置、液晶表示装置またはプラズマディスプレイ
装置などを製造する場合に適用して好適なものである。
置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法に関し、
半導体装置、液晶表示装置またはプラズマディスプレイ
装置などを製造する場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造プロセスでは、半導体
ウエハ上に成膜したり、微細加工を行ったりするため
に、プラズマ処理装置が用いられる。ここで、プラズマ
処理装置で処理を行う場合、半導体ウエハをプラズマ処
理装置に出し入れする必要がある。このため、従来のプ
ラズマ処理装置では、プラズマ処理装置の筐体（チャン
バ壁）に開口部を設け、この開口部を通して半導体ウエ
ハを出し入れするようにしていた。そして、プラズマ処
理装置に半導体ウエハを搬入した後、開口部に設けられ
たゲートバルブを閉じることにより、プラズマ処理装置
内部の気密性を保つようにしていた。
ウエハ上に成膜したり、微細加工を行ったりするため
に、プラズマ処理装置が用いられる。ここで、プラズマ
処理装置で処理を行う場合、半導体ウエハをプラズマ処
理装置に出し入れする必要がある。このため、従来のプ
ラズマ処理装置では、プラズマ処理装置の筐体（チャン
バ壁）に開口部を設け、この開口部を通して半導体ウエ
ハを出し入れするようにしていた。そして、プラズマ処
理装置に半導体ウエハを搬入した後、開口部に設けられ
たゲートバルブを閉じることにより、プラズマ処理装置
内部の気密性を保つようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマ処理装置では、ゲートバルブを閉じた時に、ゲ
ートバルブの先端の形状が筐体の内壁の形状と一致しな
いために、ゲートバルブの挿入部分に凹部が発生し、こ
の凹部の空間にプラズマが入り込む。このため、プラズ
マの軸対称性が崩れ、半導体ウエハの成膜性や加工性が
損なわれるという問題があった。さらに、凹部でデポジ
ションが起こり、このデポジションによる生成物が剥が
れて、パーティクル汚染を引き起こすという問題もあっ
た。
プラズマ処理装置では、ゲートバルブを閉じた時に、ゲ
ートバルブの先端の形状が筐体の内壁の形状と一致しな
いために、ゲートバルブの挿入部分に凹部が発生し、こ
の凹部の空間にプラズマが入り込む。このため、プラズ
マの軸対称性が崩れ、半導体ウエハの成膜性や加工性が
損なわれるという問題があった。さらに、凹部でデポジ
ションが起こり、このデポジションによる生成物が剥が
れて、パーティクル汚染を引き起こすという問題もあっ
た。
【０００４】また、従来のプラズマ処理装置では、ゲー
トバルブの開閉を行うために、ゲートバルブが電気的に
浮遊状態にある。このため、ゲートバルブの部分で電流
の流れが妨げられ、筐体壁を流れる電流が不均一とな
る。この結果、プラズマの軸対称性が崩れ、プラズマ処
理時における半導体ウエハ上の成膜性や加工性が損なわ
れるという問題もあった。
トバルブの開閉を行うために、ゲートバルブが電気的に
浮遊状態にある。このため、ゲートバルブの部分で電流
の流れが妨げられ、筐体壁を流れる電流が不均一とな
る。この結果、プラズマの軸対称性が崩れ、プラズマ処
理時における半導体ウエハ上の成膜性や加工性が損なわ
れるという問題もあった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、処理対象の可搬
性を維持しつつ、プラズマを均一化することが可能なプ
ラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御
方法を提供することである。
性を維持しつつ、プラズマを均一化することが可能なプ
ラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御
方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明によれば、プラズマを発生させるプラズ
マ発生手段と、前記プラズマの軸対称性を制御する軸対
称性制御手段とを備えている。
ために、本発明によれば、プラズマを発生させるプラズ
マ発生手段と、前記プラズマの軸対称性を制御する軸対
称性制御手段とを備えている。
【０００７】これにより、処理対象の可搬性を維持しつ
つ、プラズマを均一化することが可能となり、プラズマ
処理によるウエハの成膜性や加工性を向上させることが
可能となる。
つ、プラズマを均一化することが可能となり、プラズマ
処理によるウエハの成膜性や加工性を向上させることが
可能となる。
【０００８】また、軸対称性制御手段は、処理対象の搬
送経路におけるプラズマ形状を制御するプラズマ形状制
御手段と、処理対象の搬送経路における電流経路を生成
する電流経路生成手段とを備えることが好ましい。
送経路におけるプラズマ形状を制御するプラズマ形状制
御手段と、処理対象の搬送経路における電流経路を生成
する電流経路生成手段とを備えることが好ましい。
【０００９】これにより、処理対象の可搬性を損なうこ
となく、プラズマの侵入経路を制御することが可能とな
るとともに、電流の均一性を確保することが可能とな
り、プラズマ処理時の作業性を損なうことなく、プラズ
マ処理を高精度に行うことが可能となる。
となく、プラズマの侵入経路を制御することが可能とな
るとともに、電流の均一性を確保することが可能とな
り、プラズマ処理時の作業性を損なうことなく、プラズ
マ処理を高精度に行うことが可能となる。
【００１０】また、前記伝導経路生成手段は、前記電流
の高周波特性による表皮効果に基づいて、前記電流経路
を制御することが好ましい。
の高周波特性による表皮効果に基づいて、前記電流経路
を制御することが好ましい。
【００１１】これにより、導体の表面部分のみを用いて
電流経路を生成することが可能となり、電流経路を生成
する際の装置上の負担を軽減することが可能となる。
電流経路を生成することが可能となり、電流経路を生成
する際の装置上の負担を軽減することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１は、本発明が適用されるクラスターツ
ールの概略構成の一例を示す平面図である。図１におい
て、クラスタツールは、処理対象としてのウエハＷに対
して成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の各種の処
理を行う処理システム１と、この処理システム１に対し
てウエハＷを搬入、搬出させる搬送システム２とを備え
ている。
ールの概略構成の一例を示す平面図である。図１におい
て、クラスタツールは、処理対象としてのウエハＷに対
して成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の各種の処
理を行う処理システム１と、この処理システム１に対し
てウエハＷを搬入、搬出させる搬送システム２とを備え
ている。
【００１４】処理システム１には、各種処理を行う処理
チャンバ３ａ〜３ｄおよび真空引き可能な移載室６が設
けられ、処理チャンバ３ａ〜３ｄおよび移載室６は、ゲ
ートバルブ５ａ〜５ｄを介して連結されている。
チャンバ３ａ〜３ｄおよび真空引き可能な移載室６が設
けられ、処理チャンバ３ａ〜３ｄおよび移載室６は、ゲ
ートバルブ５ａ〜５ｄを介して連結されている。
【００１５】搬送システム２には、搬送アーム１６を移
動させる搬送ステージ１３およびキャリアカセット２０
ａ〜２０ｄを載置するカセットステージ１４が設けら
れ、搬送ステージ１３の一端には、ウエハＷの位置決め
を行う方向位置決め装置としてのオリエンタ１５が設け
られている。
動させる搬送ステージ１３およびキャリアカセット２０
ａ〜２０ｄを載置するカセットステージ１４が設けら
れ、搬送ステージ１３の一端には、ウエハＷの位置決め
を行う方向位置決め装置としてのオリエンタ１５が設け
られている。
【００１６】処理システム１および搬送システム２は真
空引き可能なロードロック室９ａ、９ｂを介して連結さ
れ、ロードロック室９ａ、９ｂは、ゲートバルブ１１
ａ、１１ｂを介して移載室６と連結されるとともに、ゲ
ートバルブ１２ａ、１２ｂを介して搬送ステージ１３と
連結されている。
空引き可能なロードロック室９ａ、９ｂを介して連結さ
れ、ロードロック室９ａ、９ｂは、ゲートバルブ１１
ａ、１１ｂを介して移載室６と連結されるとともに、ゲ
ートバルブ１２ａ、１２ｂを介して搬送ステージ１３と
連結されている。
【００１７】処理チャンバ３ａ〜３ｄには、ウエハＷを
載置するサセプタ４ａ〜４ｄがそれぞれ設けられ、ウエ
ハＷに対して成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の
各種の処理を行う。
載置するサセプタ４ａ〜４ｄがそれぞれ設けられ、ウエ
ハＷに対して成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の
各種の処理を行う。
【００１８】移載室６内には、屈伸及び旋回自在に構成
された移載アーム７およびウエハＷを保持するエンドエ
フェクタ８が設けられ、移載アーム７は、各処理チャン
バ３ａ〜３ｄとロードロック室９ａ、９ｂとの間でウエ
ハＷの受け渡しを行う。
された移載アーム７およびウエハＷを保持するエンドエ
フェクタ８が設けられ、移載アーム７は、各処理チャン
バ３ａ〜３ｄとロードロック室９ａ、９ｂとの間でウエ
ハＷの受け渡しを行う。
【００１９】ロードロック室９ａ、９ｂには、ウエハ載
置台１０ａ、１０ｂおよび図示しない真空ポンプが設け
られ、移載アーム７がウエハ載置台１０ａ、１０ｂに載
置されたウエハＷを処理チャンバ３ａ〜３ｄに搬送する
ことにより、処理システム１を大気中に開放することな
く、処理システム１および搬送システム２との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うことができる。
置台１０ａ、１０ｂおよび図示しない真空ポンプが設け
られ、移載アーム７がウエハ載置台１０ａ、１０ｂに載
置されたウエハＷを処理チャンバ３ａ〜３ｄに搬送する
ことにより、処理システム１を大気中に開放することな
く、処理システム１および搬送システム２との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２０】カセットステージ１４にはカセット載置台
１９が設けられ、カセット載置台１９にはキャリアカセ
ット２０ａ〜２０ｄが載置される。各キャリアカセット
２０ａ〜２０ｄには、例えば、最大２５枚のウエハＷを
等間隔で多段に載置して収容することができる。
１９が設けられ、カセット載置台１９にはキャリアカセ
ット２０ａ〜２０ｄが載置される。各キャリアカセット
２０ａ〜２０ｄには、例えば、最大２５枚のウエハＷを
等間隔で多段に載置して収容することができる。
【００２１】搬送ステージ１３には、ウエハＷを搬送し
て受け渡しを行う搬送アーム１６および搬送ステージ１
３の中心部を長さ方向に沿って延びる案内レール１８が
設けられ、この案内レール１８には、エンドエフェクタ
１７を備える搬送アーム１６がスライド移動可能に支持
されている。
て受け渡しを行う搬送アーム１６および搬送ステージ１
３の中心部を長さ方向に沿って延びる案内レール１８が
設けられ、この案内レール１８には、エンドエフェクタ
１７を備える搬送アーム１６がスライド移動可能に支持
されている。
【００２２】このクラスターツールでは、ロードロック
室９ａ、９ｂ、移載室６および処理チャンバ３ａ〜３ｄ
がそれぞれ独立して真空引き可能になっており、ロード
ロック室９ａ、９ｂ→移載室６→処理チャンバ３ａ〜３
ｄの順に真空度を高めることができる。そして、各キャ
リアカセット２０ａ〜２０ｄに収容されているウエハＷ
を処理チャンバ３ａ〜３ｄに搬入する場合、まず、各キ
ャリアカセット２０ａ〜２０ｄに収容されているウエハ
Ｗを搬送アーム１６によりロードロック室９ａ、９ｂに
搬入する。次に、ロードロック室９ａ、９ｂに搬入され
たウエハＷを移載アーム７により移載室６に搬入し、移
載室６に搬入されたウエハＷを移載アーム７により処理
チャンバ３ａ〜３ｄに搬入する。
室９ａ、９ｂ、移載室６および処理チャンバ３ａ〜３ｄ
がそれぞれ独立して真空引き可能になっており、ロード
ロック室９ａ、９ｂ→移載室６→処理チャンバ３ａ〜３
ｄの順に真空度を高めることができる。そして、各キャ
リアカセット２０ａ〜２０ｄに収容されているウエハＷ
を処理チャンバ３ａ〜３ｄに搬入する場合、まず、各キ
ャリアカセット２０ａ〜２０ｄに収容されているウエハ
Ｗを搬送アーム１６によりロードロック室９ａ、９ｂに
搬入する。次に、ロードロック室９ａ、９ｂに搬入され
たウエハＷを移載アーム７により移載室６に搬入し、移
載室６に搬入されたウエハＷを移載アーム７により処理
チャンバ３ａ〜３ｄに搬入する。
【００２３】これにより、ウエハＷを処理チャンバ３ａ
〜３ｄに出し入れする際においても、処理チャンバ３ａ
〜３ｄ内が大気にさらされることを防止することが可能
となり、処理チャンバ３ａ〜３ｄ内が大気により汚染さ
れたり、大気中のパーティクルが処理チャンバ３ａ〜３
ｄ内に侵入したりすることを防止することが可能となる
ことから、高精度のプロセス処理を実現することが可能
となる。
〜３ｄに出し入れする際においても、処理チャンバ３ａ
〜３ｄ内が大気にさらされることを防止することが可能
となり、処理チャンバ３ａ〜３ｄ内が大気により汚染さ
れたり、大気中のパーティクルが処理チャンバ３ａ〜３
ｄ内に侵入したりすることを防止することが可能となる
ことから、高精度のプロセス処理を実現することが可能
となる。
【００２４】図２（ａ）は、本発明の一実施例に係るプ
ロセスモジュールおよび搬送モジュールの概略構成を示
す側面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ面から見た
平面図である。図２において、搬送モジュール３１に
は、屈伸及び旋回自在に構成された移載アーム３２、ウ
エハＷを保持するエンドエフェクタ３３、無限軌道真空
対応ロボット３４、非接触搬送および非接触給電を行う
スライダ３５ａ、３５ｂおよび、搬送モジュール３１内
を真空引きするヌード型ターボ分子ポンプ３６が設けら
れている。
ロセスモジュールおよび搬送モジュールの概略構成を示
す側面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ面から見た
平面図である。図２において、搬送モジュール３１に
は、屈伸及び旋回自在に構成された移載アーム３２、ウ
エハＷを保持するエンドエフェクタ３３、無限軌道真空
対応ロボット３４、非接触搬送および非接触給電を行う
スライダ３５ａ、３５ｂおよび、搬送モジュール３１内
を真空引きするヌード型ターボ分子ポンプ３６が設けら
れている。
【００２５】プロセスモジュール４０には、円筒状のガ
スシャワーヘッド兼上部電極４１と円筒状のサセプタ兼
下部電極４５とが互いに対向して設けられるとともに、
プロセスモジュール４０内を真空引きするヌード型ター
ボ分子ポンプ４３ａ、４３ｂ、ピン状導体４８および駆
動手段４９が設けられ、プラズマ処理が行われる空間は
筐体隔壁４４により囲まれている。ガスシャワーヘッド
兼上部電極４１は高周波電源４２ａに接続され、ガス４
６をプロセスモジュール４０内に供給するとともに、ガ
ス４６をプラズマ化する。ここで、ガス４６を効率よく
プラズマ化し、高密度のプラズマ４７を発生させるた
め、高周波電源４２ａの周波数は、例えば、１３．５６
ＭＨｚに設定することができる。
スシャワーヘッド兼上部電極４１と円筒状のサセプタ兼
下部電極４５とが互いに対向して設けられるとともに、
プロセスモジュール４０内を真空引きするヌード型ター
ボ分子ポンプ４３ａ、４３ｂ、ピン状導体４８および駆
動手段４９が設けられ、プラズマ処理が行われる空間は
筐体隔壁４４により囲まれている。ガスシャワーヘッド
兼上部電極４１は高周波電源４２ａに接続され、ガス４
６をプロセスモジュール４０内に供給するとともに、ガ
ス４６をプラズマ化する。ここで、ガス４６を効率よく
プラズマ化し、高密度のプラズマ４７を発生させるた
め、高周波電源４２ａの周波数は、例えば、１３．５６
ＭＨｚに設定することができる。
【００２６】サセプタ兼下部電極４５は高周波電源４２
ｂに接続され、プロセスモジュール４０内に搬送された
ウエハＷを載置するとともに、プラズマ４７中のイオン
または電子をサセプタ兼下部電極４５に引き込む。ここ
で、プラズマ４７中のイオンまたは電子を効率よく引き
込むために、高周波電源４２ｂの周波数は、例えば、８
００ｋＨｚに設定することができる。
ｂに接続され、プロセスモジュール４０内に搬送された
ウエハＷを載置するとともに、プラズマ４７中のイオン
または電子をサセプタ兼下部電極４５に引き込む。ここ
で、プラズマ４７中のイオンまたは電子を効率よく引き
込むために、高周波電源４２ｂの周波数は、例えば、８
００ｋＨｚに設定することができる。
【００２７】筐体隔壁４４は、円筒状のサセプタ兼下部
電極４５に対応させて円筒状に形成され、ガスシャワー
ヘッド兼上部電極４１と円筒状のサセプタ兼下部電極４
５との間で発生したプラズマ４７を筐体隔壁４４で閉じ
込めることにより、プラズマ４７の軸対称性を保持する
ことができる。また、筐体隔壁４４は導電性を有し、プ
ラズマ処理により発生する高周波電流のリターン回路を
形成する。
電極４５に対応させて円筒状に形成され、ガスシャワー
ヘッド兼上部電極４１と円筒状のサセプタ兼下部電極４
５との間で発生したプラズマ４７を筐体隔壁４４で閉じ
込めることにより、プラズマ４７の軸対称性を保持する
ことができる。また、筐体隔壁４４は導電性を有し、プ
ラズマ処理により発生する高周波電流のリターン回路を
形成する。
【００２８】さらに、筐体隔壁４４には開口部５０が設
けられ、この開口部５０を通して移載アーム３２をプロ
セスモジュール４０内に挿入することができる。これに
より、搬送モジュール３１から搬送されたウエハＷをサ
セプタ兼下部電極４５上に載置したり、処理後のウエハ
Ｗをサセプタ兼下部電極４５上から搬出することができ
る。
けられ、この開口部５０を通して移載アーム３２をプロ
セスモジュール４０内に挿入することができる。これに
より、搬送モジュール３１から搬送されたウエハＷをサ
セプタ兼下部電極４５上に載置したり、処理後のウエハ
Ｗをサセプタ兼下部電極４５上から搬出することができ
る。
【００２９】筐体隔壁４４の開口部５０にはインサート
型ゲートバルブ３７が設置され、インサート型ゲートバ
ルブ３７を閉じることにより開口部５０を塞ぐことがで
きる。また、インサート型ゲートバルブ３７には凸部３
８が設けられ、この凸部３８の形状は、インサート型ゲ
ートバルブ３７を閉じた時に、筐体隔壁４４の内側の円
筒面に略一致するように形成することができる。これに
より、開口部５０の空間にプラズマ４７が入り込むこと
を防止して、プラズマ４７の軸対称性を維持することが
可能となる。この結果、ウエハＷのデポジションまたは
エッチングが不均一となったり、開口部５０の空間でデ
ポジションが起こり、そのデポジションによる生成物が
剥がれて、パーティクル汚染を引き起こしたりすること
を防止することが可能となる。
型ゲートバルブ３７が設置され、インサート型ゲートバ
ルブ３７を閉じることにより開口部５０を塞ぐことがで
きる。また、インサート型ゲートバルブ３７には凸部３
８が設けられ、この凸部３８の形状は、インサート型ゲ
ートバルブ３７を閉じた時に、筐体隔壁４４の内側の円
筒面に略一致するように形成することができる。これに
より、開口部５０の空間にプラズマ４７が入り込むこと
を防止して、プラズマ４７の軸対称性を維持することが
可能となる。この結果、ウエハＷのデポジションまたは
エッチングが不均一となったり、開口部５０の空間でデ
ポジションが起こり、そのデポジションによる生成物が
剥がれて、パーティクル汚染を引き起こしたりすること
を防止することが可能となる。
【００３０】インサート型ゲートバルブ３７にはＯリン
グ３９が設けられ、真空引きを行う際のプロセスモジュ
ール４０内の気密性を向上させることができる。
グ３９が設けられ、真空引きを行う際のプロセスモジュ
ール４０内の気密性を向上させることができる。
【００３１】ピン状導体４８は、インサート型ゲートバ
ルブ３７の凸部３８の近辺に配列して設けられ、プラズ
マ処理により発生した高周波電流をピン状導体４８に沿
って流すことができる。これにより、インサート型ゲー
トバルブ３７が挿入される開口部５０における高周波電
流の流れの不均一性を解消することが可能となり、プラ
ズマ４７の軸対称性を維持することが可能となる。
ルブ３７の凸部３８の近辺に配列して設けられ、プラズ
マ処理により発生した高周波電流をピン状導体４８に沿
って流すことができる。これにより、インサート型ゲー
トバルブ３７が挿入される開口部５０における高周波電
流の流れの不均一性を解消することが可能となり、プラ
ズマ４７の軸対称性を維持することが可能となる。
【００３２】ここで、ピン状導体４８は、筐体隔壁４４
における電流の流れが均一となるように配置することが
好ましい。このため、ピン状導体４８をなるべくインサ
ート型ゲートバルブ３７に接近させるとともに、インサ
ート型ゲートバルブ３７の内側の形状に沿って配置する
ことが好ましい。また、ピン状導体４８の方向はｚ方向
に向けることが好ましい。これにより、開口部５０にお
ける電流の流れを、筐体隔壁４４の電流の流れと一致さ
せることが可能となる。
における電流の流れが均一となるように配置することが
好ましい。このため、ピン状導体４８をなるべくインサ
ート型ゲートバルブ３７に接近させるとともに、インサ
ート型ゲートバルブ３７の内側の形状に沿って配置する
ことが好ましい。また、ピン状導体４８の方向はｚ方向
に向けることが好ましい。これにより、開口部５０にお
ける電流の流れを、筐体隔壁４４の電流の流れと一致さ
せることが可能となる。
【００３３】駆動手段４９はピン状導体４８をｚ方向に
移動させる。すなわち、プロセスモジュール３１と搬送
モジュール４０との間でウエハＷの受け渡しする際に
は、ピン状導体４８を駆動手段４９に引き込むことによ
り、ピン状導体４８がウエハＷの受け渡しの邪魔になら
ないようにする。また、ウエハＷのプラズマ処理を行う
場合には、ピン状導体４８を駆動手段４９から突出さ
せ、ピン状導体４８の先端をインサート型ゲートバルブ
３７の凸部３８の上側に一致させるとともに、ピン状導
体４８の電位を筐体隔壁４４の電位に一致させる。
移動させる。すなわち、プロセスモジュール３１と搬送
モジュール４０との間でウエハＷの受け渡しする際に
は、ピン状導体４８を駆動手段４９に引き込むことによ
り、ピン状導体４８がウエハＷの受け渡しの邪魔になら
ないようにする。また、ウエハＷのプラズマ処理を行う
場合には、ピン状導体４８を駆動手段４９から突出さ
せ、ピン状導体４８の先端をインサート型ゲートバルブ
３７の凸部３８の上側に一致させるとともに、ピン状導
体４８の電位を筐体隔壁４４の電位に一致させる。
【００３４】図３（ａ）は、図２のゲートバルブ３７の
部分を拡大して示す側面図である。図３（ａ）におい
て、ゲートバルブ３７は、筐体隔壁４４の開口部５０に
挿入されたり、筐体隔壁４４の開口部５０から引き出さ
れたりする。このため、ゲートバルブ３７と筐体隔壁４
４との間には隙間５１が設けられ、ゲートバルブ３７を
開口部５０に挿入した時に、電気的に浮遊状態となる。
このため、プラズマ処理を行う場合には、ピン状導体４
８を突出させ、ピン状導体４８を筐体隔壁４４の上部に
突っ込ませることにより、開口部５０における電流経路
を生成する。
部分を拡大して示す側面図である。図３（ａ）におい
て、ゲートバルブ３７は、筐体隔壁４４の開口部５０に
挿入されたり、筐体隔壁４４の開口部５０から引き出さ
れたりする。このため、ゲートバルブ３７と筐体隔壁４
４との間には隙間５１が設けられ、ゲートバルブ３７を
開口部５０に挿入した時に、電気的に浮遊状態となる。
このため、プラズマ処理を行う場合には、ピン状導体４
８を突出させ、ピン状導体４８を筐体隔壁４４の上部に
突っ込ませることにより、開口部５０における電流経路
を生成する。
【００３５】次に、図２のプロセスモジュール３１およ
び搬送モジュール４１の動作について説明する。
び搬送モジュール４１の動作について説明する。
【００３６】まず、エンドエフェクタ３３に保持されて
いるウエハＷをプロセスモジュール４０に搬送する場
合、ピン状導体４８を駆動手段４９内に引き込み、ゲー
トバルブ３７を開口部５０から引き抜くことにより、ウ
エハＷの搬送路を確保する。次に、移載アーム３２をＹ
方向に動かして、チャンバ内に設けられたサセプタ兼下
部電極４５上にウエハＷを載置する。サセプタ兼下部電
極４５上にウエハＷが載置されると、ゲートバルブ３７
を開口部５０に挿入し、ピン状導体４８をＺ方向に突出
させ、ピン状導体４８を筐体隔壁４４の上部に突っ込ま
せることにより、開口部５０における電流経路を生成す
る。そして、ヌード型ターボ分子ポンプ４３ａ、４３ｂ
による真空引きを行いつつ、ガス４６をチャンバ内に導
入し、ガスシャワーヘッド兼上部電極４１およびサセプ
タ兼下部電極４５に高周波電力を与えることにより、プ
ラズマ４７を生成し、ウエハＷのプラズマ処理を行う。
この時、ゲートバルブ３７に設けられた凸部３８によ
り、プラズマ４７が開口部５０に入り込むことを抑制す
ることが可能となるとともに、ピン状導体４８により開
口部５０での電流経路が確保され、筐体隔壁４４を流れ
る電流を均一化することが可能となる。この結果、チャ
ンバ内で生成されたプラズマ４７を軸対称化することが
可能となり、ウエハＷに対するプラズマ処理の均一性を
向上させることが可能となる。
いるウエハＷをプロセスモジュール４０に搬送する場
合、ピン状導体４８を駆動手段４９内に引き込み、ゲー
トバルブ３７を開口部５０から引き抜くことにより、ウ
エハＷの搬送路を確保する。次に、移載アーム３２をＹ
方向に動かして、チャンバ内に設けられたサセプタ兼下
部電極４５上にウエハＷを載置する。サセプタ兼下部電
極４５上にウエハＷが載置されると、ゲートバルブ３７
を開口部５０に挿入し、ピン状導体４８をＺ方向に突出
させ、ピン状導体４８を筐体隔壁４４の上部に突っ込ま
せることにより、開口部５０における電流経路を生成す
る。そして、ヌード型ターボ分子ポンプ４３ａ、４３ｂ
による真空引きを行いつつ、ガス４６をチャンバ内に導
入し、ガスシャワーヘッド兼上部電極４１およびサセプ
タ兼下部電極４５に高周波電力を与えることにより、プ
ラズマ４７を生成し、ウエハＷのプラズマ処理を行う。
この時、ゲートバルブ３７に設けられた凸部３８によ
り、プラズマ４７が開口部５０に入り込むことを抑制す
ることが可能となるとともに、ピン状導体４８により開
口部５０での電流経路が確保され、筐体隔壁４４を流れ
る電流を均一化することが可能となる。この結果、チャ
ンバ内で生成されたプラズマ４７を軸対称化することが
可能となり、ウエハＷに対するプラズマ処理の均一性を
向上させることが可能となる。
【００３７】ここで、高周波によりプラズマ４７を生成
する場合、高周波電流は材料の表面を流れ、材料の内部
を流れることはほとんどない。従って、高周波の場合、
ピン状導体４８の内部をほとんど電流が流れないため、
ピン状導体４８をある程度以上太くしてもほとんど効果
に変わりがない。
する場合、高周波電流は材料の表面を流れ、材料の内部
を流れることはほとんどない。従って、高周波の場合、
ピン状導体４８の内部をほとんど電流が流れないため、
ピン状導体４８をある程度以上太くしてもほとんど効果
に変わりがない。
【００３８】図４（ａ）は表皮効果を示すグラフであ
る。ここで、表皮効果は以下の式で与えられる。
る。ここで、表皮効果は以下の式で与えられる。
【００３９】 Ｉｘ＝Ｉ０ｅｘｐ（−ｘ／ｐ）ｅｘｐ（ｊｘ／ｐ） Ｉｘ：表面から中心に向かってｘ（ｍ）の点の電流値
（Ａ） Ｉ０：円筒形金属体表面の電流値（Ａ） ｐ：電流値が表面から１／ｅに減少する深さ（ｍ） 図４（ｂ）は周波数に対するスキンデプスを示すグラフ
である。ここで、スキンデプスは以下の式で与えられ
る。
（Ａ） Ｉ０：円筒形金属体表面の電流値（Ａ） ｐ：電流値が表面から１／ｅに減少する深さ（ｍ） 図４（ｂ）は周波数に対するスキンデプスを示すグラフ
である。ここで、スキンデプスは以下の式で与えられ
る。
【００４０】 ｐ＝√（ρ×１０７）／｛２π√（μｒｆ）｝ μｒ：透磁率 ρ（Ω・ｃｍ）：体積固有抵抗 ｆ（Ｈｚ）：周波数 これにより、例えば、８００ｋＨｚのバイアスによりプ
ラズマを発生させ、ピン状導体４８をアルミニウムで形
成した場合、高周波電流は表面から０．０９ｍｍ程度の
範囲内を流れることがわかる。従って、ピン状導体４８
の半径を０．０９ｍｍ程度以上に設定しても、０．０９
ｍｍ程度に設定した時と効果はほとんど変わらない。こ
のため、ピン状導体４８の半径を０．０９ｍｍ程度とす
ることにより、筐体隔壁４４と同等の電流経路を確保し
つつ、ピン状導体４８を小型・軽量化することができ、
ピン状導体４８をｚ方向に移動させる際の駆動装置４９
の負荷を軽減することが可能となる。
ラズマを発生させ、ピン状導体４８をアルミニウムで形
成した場合、高周波電流は表面から０．０９ｍｍ程度の
範囲内を流れることがわかる。従って、ピン状導体４８
の半径を０．０９ｍｍ程度以上に設定しても、０．０９
ｍｍ程度に設定した時と効果はほとんど変わらない。こ
のため、ピン状導体４８の半径を０．０９ｍｍ程度とす
ることにより、筐体隔壁４４と同等の電流経路を確保し
つつ、ピン状導体４８を小型・軽量化することができ、
ピン状導体４８をｚ方向に移動させる際の駆動装置４９
の負荷を軽減することが可能となる。
【００４１】なお、上述した実施例では、ゲートバルブ
３７の凸部３８の電流経路を確保するため、ゲートバル
ブ３７の凸部３８の近傍にピン状導体４８を配列する構
成について説明したが、これ以外の方法でもよい。
３７の凸部３８の電流経路を確保するため、ゲートバル
ブ３７の凸部３８の近傍にピン状導体４８を配列する構
成について説明したが、これ以外の方法でもよい。
【００４２】図３（ｂ）は、図３（ａ）のゲートバルブ
３７の他の実施例を示す側面図である。図３（ｂ）にお
いて、ゲートバルブ３７´には導電性のダイヤフラム５
４が設けられるとともに、ダイヤフラム５４に空気５３
を送るための経路５２が設けられている。ここで、ダイ
ヤフラム５４の導電性を確保するために、ダイヤフラム
５４自体を導電性材料で形成する方法の他、ダイヤフラ
ム５４の表面に導電性膜を形成するようにしてもよい。
３７の他の実施例を示す側面図である。図３（ｂ）にお
いて、ゲートバルブ３７´には導電性のダイヤフラム５
４が設けられるとともに、ダイヤフラム５４に空気５３
を送るための経路５２が設けられている。ここで、ダイ
ヤフラム５４の導電性を確保するために、ダイヤフラム
５４自体を導電性材料で形成する方法の他、ダイヤフラ
ム５４の表面に導電性膜を形成するようにしてもよい。
【００４３】プラズマ処理を行う場合には、ゲートバル
ブ３７を開口部５０´に挿入する。そして、ダイヤフラ
ム５４に空気５３を送り、ダイヤフラム５４を膨らませ
ることにより、隙間５１´をダイヤフラム５４で塞ぐと
ともに、ダイヤフラム５４と筐体隔壁４４´とを接触さ
せ、ゲートバルブ３７を筐体隔壁４４´に電気的に接続
する。
ブ３７を開口部５０´に挿入する。そして、ダイヤフラ
ム５４に空気５３を送り、ダイヤフラム５４を膨らませ
ることにより、隙間５１´をダイヤフラム５４で塞ぐと
ともに、ダイヤフラム５４と筐体隔壁４４´とを接触さ
せ、ゲートバルブ３７を筐体隔壁４４´に電気的に接続
する。
【００４４】一方、ゲートバルブ３７´を開口部５０´
から引き抜く際には、ダイヤフラム５４に送った空気５
３を抜き、ダイヤフラム５４を収縮させることにより、
ダイヤフラム５４と筐体隔壁４４´との接触を絶つ。
から引き抜く際には、ダイヤフラム５４に送った空気５
３を抜き、ダイヤフラム５４を収縮させることにより、
ダイヤフラム５４と筐体隔壁４４´との接触を絶つ。
【００４５】これにより、プラズマが開口部５０´およ
び隙間５１´に侵入することを抑制することが可能とな
るとともに、開口部５０´における電流経路を確保する
ことが可能となり、プラズマ処理の均一性を向上させる
ことが可能となる。なお、ダイヤフラム５４を膨らませ
るための経路５２には、空気５３などの気体のほかに、
オイルなどの液体を流すようにしてもよい。
び隙間５１´に侵入することを抑制することが可能とな
るとともに、開口部５０´における電流経路を確保する
ことが可能となり、プラズマ処理の均一性を向上させる
ことが可能となる。なお、ダイヤフラム５４を膨らませ
るための経路５２には、空気５３などの気体のほかに、
オイルなどの液体を流すようにしてもよい。
【００４６】なお、図３（ｂ）の実施例では、ダイヤフ
ラム５４および経路５２をゲートバルブ３７´側に設け
た場合について説明したが、ダイヤフラム５４および経
路５２を筐体側に設けるようにしてもよい。
ラム５４および経路５２をゲートバルブ３７´側に設け
た場合について説明したが、ダイヤフラム５４および経
路５２を筐体側に設けるようにしてもよい。
【００４７】また、上述した方法以外にも、例えば、ゲ
ートバルブ３７の凸部３８を導電性膜により覆われたベ
ローズで形成し、ゲートバルブ３７を閉じた後に、その
ベローズを膨らませる、そして、そのベローズを筐体隔
壁４４と接触させることにより、ゲートバルブ３７の凸
部３８における電流経路を確保するようにしてもよい。
ートバルブ３７の凸部３８を導電性膜により覆われたベ
ローズで形成し、ゲートバルブ３７を閉じた後に、その
ベローズを膨らませる、そして、そのベローズを筐体隔
壁４４と接触させることにより、ゲートバルブ３７の凸
部３８における電流経路を確保するようにしてもよい。
【００４８】また、上述した実施例では、平行平板型プ
ラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、マグネトロ
ンプラズマＣＶＤ装置、電子サイクロトロン共鳴により
発生する高電離プラズマを利用したＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ ＣｙｃｒｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）プラ
ズマＣＶＤ装置などに適用してもよい。また、プラズマ
エッチング装置、反応性イオンエッチング装置、反応性
イオンビームエッチング装置などに適用してもよい。
ラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、マグネトロ
ンプラズマＣＶＤ装置、電子サイクロトロン共鳴により
発生する高電離プラズマを利用したＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ ＣｙｃｒｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）プラ
ズマＣＶＤ装置などに適用してもよい。また、プラズマ
エッチング装置、反応性イオンエッチング装置、反応性
イオンビームエッチング装置などに適用してもよい。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ゲートバルブの先端の形状を筐体内壁の形状と一致させ
ることが可能となり、プラズマがゲートバルブの挿入部
分に発生した凹部に入り込むことを防止することが可能
となることから、プラズマの軸対称性を維持して、プラ
ズマ処理によるウエハの成膜性や加工性を向上させるこ
とが可能となる。
ゲートバルブの先端の形状を筐体内壁の形状と一致させ
ることが可能となり、プラズマがゲートバルブの挿入部
分に発生した凹部に入り込むことを防止することが可能
となることから、プラズマの軸対称性を維持して、プラ
ズマ処理によるウエハの成膜性や加工性を向上させるこ
とが可能となる。
【００５０】また、ウエハのプラズマ処理を行う場合に
は、ゲートバルブまたはその近傍に電流経路を生成する
ことが可能となり、電流を均一化することが可能となる
とともに、ウエハの出し入れを行う場合には、ゲートバ
ルブまたはその近傍に生成された電流経路を除去するこ
とが可能となり、ウエハの搬送路を確保することが可能
となる。
は、ゲートバルブまたはその近傍に電流経路を生成する
ことが可能となり、電流を均一化することが可能となる
とともに、ウエハの出し入れを行う場合には、ゲートバ
ルブまたはその近傍に生成された電流経路を除去するこ
とが可能となり、ウエハの搬送路を確保することが可能
となる。
【図１】本発明が適用されるクラスターツールの構成の
一例を示す平面図である。
一例を示す平面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の一実施例に係るプロセ
スモジュールおよび搬送モジュールの構成を示す側面
図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ面から見た平面
図である。
スモジュールおよび搬送モジュールの構成を示す側面
図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ面から見た平面
図である。
【図３】図３（ａ）は、図２のゲートバルブ３７の部分
を拡大して示す側面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のゲ
ートバルブ３７の他の実施例を示す側面図である。
を拡大して示す側面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のゲ
ートバルブ３７の他の実施例を示す側面図である。
【図４】図４（ａ）は表皮効果を示すグラフ、図４
（ｂ）は周波数に対するスキンデプスを示すグラフであ
る。
（ｂ）は周波数に対するスキンデプスを示すグラフであ
る。
１ 処理システム ２ 搬送システム ３ａ〜３ｄ 処理チャンバ ４ａ〜４ｄ サセプタ ５ａ〜５ｄ、１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂ ゲート
バルブ ６ 移載室 ７、３２ 移載アーム ８、１７、３３ エンドエフェクタ ９ａ、９ｂ ロードロック室 １０ａ、１０ｂ 載置台 １３ 搬送ステージ １４ カセットステージ １５ オリエンタ １６ 搬送アーム １８ 案内レール １９ カセット室 ２０ａ〜２０ｄ キャリアカセット ３１ 搬送モジュール ３４ ロボット ３５ａ、３５ｂ スライダ ３６、４３ａ、４３ｂ ヌード型ターボ分子ポンプ ３７、３７´ インサート型ゲートバルブ ３８ 凸部 ３９、３９´ Ｏリング ４０ プロセスモジュール ４１ ガスシャワーヘッド兼上部電極 ４２ａ、４２ｂ 高周波電源 ４４、４４´ 筐体隔壁 ４５ サセプタ兼下部電極 ４６ ガス ４７ プラズマ ４８ ピン状導体 ４９ 駆動手段 ５０、５０´ 開口部 ５１、５１´ 隙間 ５２ 経路 ５３ 空気 ５４ ベローズ
バルブ ６ 移載室 ７、３２ 移載アーム ８、１７、３３ エンドエフェクタ ９ａ、９ｂ ロードロック室 １０ａ、１０ｂ 載置台 １３ 搬送ステージ １４ カセットステージ １５ オリエンタ １６ 搬送アーム １８ 案内レール １９ カセット室 ２０ａ〜２０ｄ キャリアカセット ３１ 搬送モジュール ３４ ロボット ３５ａ、３５ｂ スライダ ３６、４３ａ、４３ｂ ヌード型ターボ分子ポンプ ３７、３７´ インサート型ゲートバルブ ３８ 凸部 ３９、３９´ Ｏリング ４０ プロセスモジュール ４１ ガスシャワーヘッド兼上部電極 ４２ａ、４２ｂ 高周波電源 ４４、４４´ 筐体隔壁 ４５ サセプタ兼下部電極 ４６ ガス ４７ プラズマ ４８ ピン状導体 ４９ 駆動手段 ５０、５０´ 開口部 ５１、５１´ 隙間 ５２ 経路 ５３ 空気 ５４ ベローズ
Claims (8)
- 【請求項１】 プラズマを発生させるプラズマ発生手段
と、 前記プラズマの軸対称性を制御する軸対称性制御手段と
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記軸対称性制御手段は、 処理対象の搬送経路におけるプラズマ形状を制御するプ
ラズマ形状制御手段と、 処理対象の搬送経路における電流経路を生成する電流経
路生成手段とを備えることを特徴とする請求項１記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記伝導経路生成手段は、電流の高周波
特性による表皮効果に基づいて、前記電流経路を生成す
ることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 高周波電力を発生させる高周波電力発生
手段と、 処理ガスを処理室内に導入する処理ガス導入手段と、 処理対象を前記処理室内に載置するサセプタと、 前記高周波電力を前記処理ガスに印加することにより、
前記処理ガスをプラズマ化するプラズマ化手段と、 前記プラズマの形状を軸対称化する筐体壁と、 前記処理対象を前記処理室内に出し入れするために前記
筐体壁に設けられた開口部と、 前記開口部にプラズマが侵入することを阻止するための
凸部を有するゲートバルブと、 前記ゲートバルブまたはその近傍での電流経路を生成す
る電流経路生成手段とを備えることを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - 【請求項５】 前記電流経路生成手段は、前記ゲートバ
ルブの内周に沿って配列されるピン状導体であることを
特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 前記電流経路生成手段は、前記ゲートバ
ルブと前記筐体壁とを電気的に接続するための膨縮可能
な導電性膜であることを特徴とする請求項４記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項７】 処理対象をプラズマ処理する処理部と前
記処理部に前記処理対象を搬送する搬送部とを備えるク
ラスターツールにおいて、 前記処理対象の搬送状態に基づいて、前記処理対象の搬
送経路におけるプラズマの侵入経路を制御する侵入経路
制御手段と、 前記処理対象の搬送状態に基づいて、前記処理対象の搬
送経路における電流経路を生成する電流経路生成手段と
を備えることを特徴とするクラスターツール。 - 【請求項８】 処理対象をプラズマ処理装置に搬送する
ステップと、 前記プラズマ処理装置内で発生するプラズマの形状を均
一化するための隔壁を形成するステップと、 前記プラズマ処理装置内の電流を均一化するための電流
経路を前記搬送経路において生成するステップと、 前記処理対象を前記プラズマ処理装置内でプラズマ処理
するステップとを備えることを特徴とするプラズマ制御
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33149699A JP2001148378A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法 |
| PCT/JP2000/007459 WO2001041182A1 (en) | 1999-11-22 | 2000-10-25 | Plasma processor, cluster tool, and method of controlling plasma |
| US09/739,623 US20010054484A1 (en) | 1999-11-22 | 2000-12-20 | Plasma processor, cluster tool, and method of controlling plasma |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33149699A JP2001148378A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001148378A true JP2001148378A (ja) | 2001-05-29 |
| JP2001148378A5 JP2001148378A5 (ja) | 2006-11-30 |
Family
ID=18244302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33149699A Pending JP2001148378A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010054484A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001148378A (ja) |
| WO (1) | WO2001041182A1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367969A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| US6899787B2 (en) | 2001-06-29 | 2005-05-31 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing system with reduced feeding loss, and method for stabilizing the apparatus and system |
| JP2006219702A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ成膜装置 |
| KR100822462B1 (ko) | 2007-12-20 | 2008-04-16 | 아셈테크 주식회사 | 반도체 기판의 에싱장치 |
| JP2009530868A (ja) * | 2006-03-23 | 2009-08-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 大面積基板の均一性を改善する方法及び装置 |
| WO2010079756A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
| KR100994463B1 (ko) * | 2006-04-10 | 2010-11-16 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
| JP2011529136A (ja) * | 2008-07-23 | 2011-12-01 | ニュー パワー プラズマ カンパニー，リミティッド | 多重基板処理チャンバー及びこれを含む基板処理システム |
| KR101170626B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2012-08-03 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판처리장치 |
| KR20200049739A (ko) * | 2017-10-26 | 2020-05-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11049737B2 (en) | 2017-10-26 | 2021-06-29 | Semes Co. Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002176310A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Nippon Antenna Co Ltd | ２共振アンテナ |
| US6800172B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Interfacial structure for semiconductor substrate processing chambers and substrate transfer chambers and for semiconductor substrate processing chambers and accessory attachments, and semiconductor substrate processor |
| US6858264B2 (en) * | 2002-04-24 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
| US6814813B2 (en) * | 2002-04-24 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7647886B2 (en) | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
| US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| US7906393B2 (en) | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| JP2009088298A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP5490435B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブ装置 |
| JP5700632B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN104851772A (zh) * | 2015-04-03 | 2015-08-19 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种可升降陶瓷挡板结构 |
| TW201823613A (zh) * | 2016-08-22 | 2018-07-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有可膨脹密封件之真空腔室 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2644309B2 (ja) * | 1988-11-04 | 1997-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
| JP3033787B2 (ja) * | 1991-06-04 | 2000-04-17 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JPH07106093A (ja) * | 1993-03-16 | 1995-04-21 | Applied Materials Inc | 改良された弁クロージュアを有するプラズマチャンバ |
| GB2343550A (en) * | 1997-07-29 | 2000-05-10 | Silicon Genesis Corp | Cluster tool method and apparatus using plasma immersion ion implantation |
-
1999
- 1999-11-22 JP JP33149699A patent/JP2001148378A/ja active Pending
-
2000
- 2000-10-25 WO PCT/JP2000/007459 patent/WO2001041182A1/en active Application Filing
- 2000-12-20 US US09/739,623 patent/US20010054484A1/en not_active Abandoned
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367969A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| US6899787B2 (en) | 2001-06-29 | 2005-05-31 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing system with reduced feeding loss, and method for stabilizing the apparatus and system |
| JP4680619B2 (ja) * | 2005-02-09 | 2011-05-11 | 株式会社アルバック | プラズマ成膜装置 |
| JP2006219702A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ成膜装置 |
| JP2009530868A (ja) * | 2006-03-23 | 2009-08-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 大面積基板の均一性を改善する方法及び装置 |
| KR100994463B1 (ko) * | 2006-04-10 | 2010-11-16 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
| KR100822462B1 (ko) | 2007-12-20 | 2008-04-16 | 아셈테크 주식회사 | 반도체 기판의 에싱장치 |
| JP2011529136A (ja) * | 2008-07-23 | 2011-12-01 | ニュー パワー プラズマ カンパニー，リミティッド | 多重基板処理チャンバー及びこれを含む基板処理システム |
| WO2010079756A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
| CN102272895A (zh) * | 2009-01-09 | 2011-12-07 | 株式会社爱发科 | 等离子体处理装置 |
| JPWO2010079756A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2012-06-21 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
| KR101289770B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 아루박 | 플라즈마 처리 장치 |
| KR101170626B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2012-08-03 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판처리장치 |
| KR20200049739A (ko) * | 2017-10-26 | 2020-05-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11049737B2 (en) | 2017-10-26 | 2021-06-29 | Semes Co. Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| KR102310460B1 (ko) * | 2017-10-26 | 2021-10-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010054484A1 (en) | 2001-12-27 |
| WO2001041182A1 (en) | 2001-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001148378A (ja) | プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法 | |
| CN114188207B (zh) | 基板处理设备 | |
| JP7320874B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| TW202004911A (zh) | 膜之蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
| US11594422B2 (en) | Film etching method for etching film | |
| KR20210121581A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2008235611A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2869384B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2019036513A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニット | |
| EP0220901B1 (en) | Apparatus for plasma assisted etching | |
| KR102299883B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP4126229B2 (ja) | プラズマ生成装置及び方法 | |
| US20080087220A1 (en) | Plasma Processing Apparatus and Multi-Chamber System | |
| US20090137128A1 (en) | Substrate Processing Apparatus and Semiconductor Device Producing Method | |
| KR20210020808A (ko) | 기판 처리 방법, 압력 제어 장치 및 기판 처리 시스템 | |
| US20240071783A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
| JP7329131B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| US20230145538A1 (en) | Support unit, and apparatus for treating substrate with the same | |
| KR102653253B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| US20230207290A1 (en) | Method of treating substrate | |
| KR100323598B1 (ko) | 플라즈마에칭방법 | |
| KR102052337B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2024014768A (ja) | 基板搬送システムおよび搬送モジュール | |
| KR20230104497A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| TW202327408A (zh) | 電漿產生單元及以該電漿產生單元處理基板的設備 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061018 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061018 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090811 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091208 |