JP2002367969A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ源に印加する高周波電力の高周波数
化を行っても、処理の均一性を確保し、またノイズによ
る誤作動を防止する。 【解決手段】 第１の真空容器１内の上部電極５に高周
波電力を印加してプラズマを発生するようにしたプラズ
マ処理装置において、第１の真空容器１の全体形状を被
処理基板７の中心を中心とする同心円形状から極端に異
なる部位を無くした形状として処理の均一性を確保し、
また第１の真空容器１内におけるプラズマ発生空間の周
囲をすべて接地された部材により包囲することで、周辺
での電界の発生を防止し、また第１の真空容器１に隣接
して接続された第２の真空容器１５の圧力を１Ｐａ以
下、または１０Ｐａ以上に設定することで、ノイズによ
る誤作動を防止するようにした。
化を行っても、処理の均一性を確保し、またノイズによ
る誤作動を防止する。 【解決手段】 第１の真空容器１内の上部電極５に高周
波電力を印加してプラズマを発生するようにしたプラズ
マ処理装置において、第１の真空容器１の全体形状を被
処理基板７の中心を中心とする同心円形状から極端に異
なる部位を無くした形状として処理の均一性を確保し、
また第１の真空容器１内におけるプラズマ発生空間の周
囲をすべて接地された部材により包囲することで、周辺
での電界の発生を防止し、また第１の真空容器１に隣接
して接続された第２の真空容器１５の圧力を１Ｐａ以
下、または１０Ｐａ以上に設定することで、ノイズによ
る誤作動を防止するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
ディスプレイパネルや太陽電池等の製造における薄膜形
成工程や微細加工工程等に用いられるプラズマ処理方法
及び装置に関するものである。
ディスプレイパネルや太陽電池等の製造における薄膜形
成工程や微細加工工程等に用いられるプラズマ処理方法
及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、プラズマ処理技術においては、デ
バイスの高機能化と処理コストの低減のために、高精度
化、高速化、大面積化、低ダメージ化を実現する取り組
みが盛んに行われている。
バイスの高機能化と処理コストの低減のために、高精度
化、高速化、大面積化、低ダメージ化を実現する取り組
みが盛んに行われている。
【０００３】中でも、微細加工に用いられるドライエッ
チングにおいては、デバイスの電気特性向上を目的とし
た新材料のエッチング、寸法精度の確保のために、低電
子温度プラズマを生成することが要求されている。その
ため、プラズマ生成手段として、高周波電力のさらなる
高周波数化が進んでいる。
チングにおいては、デバイスの電気特性向上を目的とし
た新材料のエッチング、寸法精度の確保のために、低電
子温度プラズマを生成することが要求されている。その
ため、プラズマ生成手段として、高周波電力のさらなる
高周波数化が進んでいる。
【０００４】従来のプラズマ処理装置の概略構成につい
て、図３を参照して説明する。２１はプラズマ処理を行
う第１の真空容器で、その内部に配設された基板保持台
２２上に被処理基板２３を載置してプラズマ処理を行う
ように構成されている。この第１の真空容器２１と連通
させて基板搬送を行う第２の真空容器２４が配設され、
第２の真空容器２４内に配設された搬送ロボット２５に
て第１の真空容器２１内に対して被処理基板２３を供給
・排出するように構成されている。第１の真空容器２１
と第２の真空容器２４の間には任意に空間的連通と遮蔽
を行うゲートバルブ２６が配設されている。
て、図３を参照して説明する。２１はプラズマ処理を行
う第１の真空容器で、その内部に配設された基板保持台
２２上に被処理基板２３を載置してプラズマ処理を行う
ように構成されている。この第１の真空容器２１と連通
させて基板搬送を行う第２の真空容器２４が配設され、
第２の真空容器２４内に配設された搬送ロボット２５に
て第１の真空容器２１内に対して被処理基板２３を供給
・排出するように構成されている。第１の真空容器２１
と第２の真空容器２４の間には任意に空間的連通と遮蔽
を行うゲートバルブ２６が配設されている。
【０００５】次に、動作を説明すると、第１の真空容器
２１内の基板保持台２２上に被処理基板２３を載置し、
ゲートバルブ２６にて遮蔽した後、第１の真空容器２１
内に反応ガスを導入するとともに真空排気してプラズマ
処理が最も精度良くできる圧力に調圧し、第１の真空容
器２１内に配設されたプラズマ発生源（図示せず）に対
して高周波電力を印加してプラズマを発生させ、所望の
プラズマ処理を行い、プラズマ処理が終了した後、高周
波電力、反応ガスの供給を止め、一旦真空排気を行い、
その後被処理基板２３を第１の真空容器２１から搬出す
る。
２１内の基板保持台２２上に被処理基板２３を載置し、
ゲートバルブ２６にて遮蔽した後、第１の真空容器２１
内に反応ガスを導入するとともに真空排気してプラズマ
処理が最も精度良くできる圧力に調圧し、第１の真空容
器２１内に配設されたプラズマ発生源（図示せず）に対
して高周波電力を印加してプラズマを発生させ、所望の
プラズマ処理を行い、プラズマ処理が終了した後、高周
波電力、反応ガスの供給を止め、一旦真空排気を行い、
その後被処理基板２３を第１の真空容器２１から搬出す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなプラズマ処理装置においては、プラズマ処理を行
う第１の真空容器２１及びゲートバルブ２６など、プラ
ズマ発生空間を遮蔽している部材の形状に関して、図３
に示すように、被処理基板２３の中心を中心とする同心
円形状に対して極端に形状の異なる部位が存在してお
り、そのためプラズマを低電子温度化するために印加周
波数の高周波数化を進めると、被処理基板２３の周辺の
電界ばらつきが大きくなり、これがエッチング特性など
のプラズマ処理特性に影響し、同一の被処理基板２３内
での均一な値が得られないという問題があった。
ようなプラズマ処理装置においては、プラズマ処理を行
う第１の真空容器２１及びゲートバルブ２６など、プラ
ズマ発生空間を遮蔽している部材の形状に関して、図３
に示すように、被処理基板２３の中心を中心とする同心
円形状に対して極端に形状の異なる部位が存在してお
り、そのためプラズマを低電子温度化するために印加周
波数の高周波数化を進めると、被処理基板２３の周辺の
電界ばらつきが大きくなり、これがエッチング特性など
のプラズマ処理特性に影響し、同一の被処理基板２３内
での均一な値が得られないという問題があった。
【０００７】また、上記のようなプラズマ処理装置にお
いて、印加周波数の高周波数化を行うと、プラズマ処理
を行う第１の真空容器２１の周辺に電界が発生し、その
電界の発生がノイズ源となり、装置を構成する電子部品
が誤動作するという問題があった。
いて、印加周波数の高周波数化を行うと、プラズマ処理
を行う第１の真空容器２１の周辺に電界が発生し、その
電界の発生がノイズ源となり、装置を構成する電子部品
が誤動作するという問題があった。
【０００８】その原因を鋭意調査した結果、プラズマ処
理を行う第１の真空容器２１に接続されている部材が電
気的にフローティングとなっていることにより、外部に
電界が漏れていることが原因であることが判明した。
理を行う第１の真空容器２１に接続されている部材が電
気的にフローティングとなっていることにより、外部に
電界が漏れていることが原因であることが判明した。
【０００９】本発明は、上記従来の問題に鑑み、プラズ
マ源に印加する高周波電力の高周波数化を行っても、処
理の均一性を確保でき、またノイズによる誤作動を防止
できるプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的
としている。
マ源に印加する高周波電力の高周波数化を行っても、処
理の均一性を確保でき、またノイズによる誤作動を防止
できるプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的
としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理方
法は、第１の真空容器内にガスを導入しつつ真空排気し
て所定の圧力に維持し、第１の真空容器を接地するとと
もに、真空容器内に配置した電極に高周波電力を印加し
てプラズマを発生するプラズマ処理方法において、プラ
ズマ生成時の電界強度分布を、第１の真空容器と第１の
真空容器に電気的に接続された部材の形状、配置により
制御するものであり、プラズマ源である電極に印加する
高周波電力の高周波数化を行った場合に、プラズマ生成
時の電界強度分布を制御できて処理の均一性を確保する
ことができる。
法は、第１の真空容器内にガスを導入しつつ真空排気し
て所定の圧力に維持し、第１の真空容器を接地するとと
もに、真空容器内に配置した電極に高周波電力を印加し
てプラズマを発生するプラズマ処理方法において、プラ
ズマ生成時の電界強度分布を、第１の真空容器と第１の
真空容器に電気的に接続された部材の形状、配置により
制御するものであり、プラズマ源である電極に印加する
高周波電力の高周波数化を行った場合に、プラズマ生成
時の電界強度分布を制御できて処理の均一性を確保する
ことができる。
【００１１】特に、第１の真空容器内に配置した電極
に、５０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の周波数の高周波
電力を印加する場合により大きな効果が発揮される。
に、５０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の周波数の高周波
電力を印加する場合により大きな効果が発揮される。
【００１２】また、本発明のプラズマ処理装置は、接地
された第１の真空容器と、第１の真空容器内を真空排気
する排気手段と、第１の真空容器内にガスを導入するガ
ス導入手段と、第１の真空容器内にプラズマを発生する
電極と、電極に高周波電力を印加する高周波電源とを備
えたプラズマ処理装置において、第１の真空容器と第１
の真空容器を閉じた空間とする付属部材とを含めた第１
の真空容器の全体形状を、被処理基板の中心を中心とす
る同心円形状から極端に異なる部位を無くした形状とし
たものであり、高周波電力の高周波数化を行った場合
に、プラズマ生成時の電界強度分布を均一化できて処理
の均一性を確保することができる。
された第１の真空容器と、第１の真空容器内を真空排気
する排気手段と、第１の真空容器内にガスを導入するガ
ス導入手段と、第１の真空容器内にプラズマを発生する
電極と、電極に高周波電力を印加する高周波電源とを備
えたプラズマ処理装置において、第１の真空容器と第１
の真空容器を閉じた空間とする付属部材とを含めた第１
の真空容器の全体形状を、被処理基板の中心を中心とす
る同心円形状から極端に異なる部位を無くした形状とし
たものであり、高周波電力の高周波数化を行った場合
に、プラズマ生成時の電界強度分布を均一化できて処理
の均一性を確保することができる。
【００１３】なお、上記同心円形状から極端に異なる部
位とは、中心からの平均半径に対する最小半径部位や最
大半径部位の半径差が平均半径の２５％を越える部位を
意味するものとする。２５％以下なら、電界強度分布に
対する影響を抑制できて処理の均一性を確保することが
できる。
位とは、中心からの平均半径に対する最小半径部位や最
大半径部位の半径差が平均半径の２５％を越える部位を
意味するものとする。２５％以下なら、電界強度分布に
対する影響を抑制できて処理の均一性を確保することが
できる。
【００１４】また、本発明の他のプラズマ処理装置は、
接地された第１の真空容器と、第１の真空容器内を真空
排気する排気手段と、第１の真空容器内にガスを導入す
るガス導入手段と、第１の真空容器内にプラズマを発生
する電極と、電極に高周波電力を印加する高周波電源と
を備えたプラズマ処理装置において、第１の真空容器内
におけるプラズマ発生空間の周囲をすべて接地された部
材により包囲したものであり、プラズマ源に印加する高
周波電力の高周波数化を行っても、第１の真空容器の周
辺に発生する電界強度を抑制・制御でき、異常な電界に
起因するノイズによる誤作動を防止できる。
接地された第１の真空容器と、第１の真空容器内を真空
排気する排気手段と、第１の真空容器内にガスを導入す
るガス導入手段と、第１の真空容器内にプラズマを発生
する電極と、電極に高周波電力を印加する高周波電源と
を備えたプラズマ処理装置において、第１の真空容器内
におけるプラズマ発生空間の周囲をすべて接地された部
材により包囲したものであり、プラズマ源に印加する高
周波電力の高周波数化を行っても、第１の真空容器の周
辺に発生する電界強度を抑制・制御でき、異常な電界に
起因するノイズによる誤作動を防止できる。
【００１５】また、例えば被処理基板の搬送等を行うた
めに、第１の真空容器に隣接して接続された第２の真空
容器を備えている場合には、第１の真空容器と第２の真
空容器の連通開口を任意のタイミングで遮蔽する遮蔽部
材を、遮蔽時に第１の真空容器と同電位となるようにす
るのが好適である。
めに、第１の真空容器に隣接して接続された第２の真空
容器を備えている場合には、第１の真空容器と第２の真
空容器の連通開口を任意のタイミングで遮蔽する遮蔽部
材を、遮蔽時に第１の真空容器と同電位となるようにす
るのが好適である。
【００１６】また、第１の真空容器と遮蔽部材と間のシ
ール部に導電手段を設けると、簡単な構成で第１の真空
容器と遮蔽部材を同電位にして上記効果を得ることがで
きる。
ール部に導電手段を設けると、簡単な構成で第１の真空
容器と遮蔽部材を同電位にして上記効果を得ることがで
きる。
【００１７】また、本発明の別のプラズマ処理装置は、
接地された第１の真空容器と、第１の真空容器内を真空
排気する排気手段と、第１の真空容器内にガスを導入す
るガス導入手段と、第１の真空容器内にプラズマを発生
する電極と、電極に高周波電力を印加する高周波電源と
を備えたプラズマ処理装置において、第１の真空容器に
隣接して接続された第２の真空容器の圧力を１Ｐａ以
下、または１０Ｐａ以上に設定したものであり、第２の
真空容器内の電界の発生を抑制・制御できてノイズによ
る誤作動を防止できる。
接地された第１の真空容器と、第１の真空容器内を真空
排気する排気手段と、第１の真空容器内にガスを導入す
るガス導入手段と、第１の真空容器内にプラズマを発生
する電極と、電極に高周波電力を印加する高周波電源と
を備えたプラズマ処理装置において、第１の真空容器に
隣接して接続された第２の真空容器の圧力を１Ｐａ以
下、または１０Ｐａ以上に設定したものであり、第２の
真空容器内の電界の発生を抑制・制御できてノイズによ
る誤作動を防止できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理装置
をドライエッチング装置に適用した一実施形態につい
て、図１、図２を参照して説明する。
をドライエッチング装置に適用した一実施形態につい
て、図１、図２を参照して説明する。
【００１９】図１、図２において、１はエッチング処理
を行う第１の真空容器であり、接地されている。第１の
真空容器１には真空排気手段２が接続され、またエッチ
ングガスを供給するガス導入手段３に接続されたガス導
入口４が形成されている。第１の真空容器１内の上部に
は、上部電極５が配設され、プラズマ生成用の１００Ｍ
Ｈｚの高周波電源６が接続されている。
を行う第１の真空容器であり、接地されている。第１の
真空容器１には真空排気手段２が接続され、またエッチ
ングガスを供給するガス導入手段３に接続されたガス導
入口４が形成されている。第１の真空容器１内の上部に
は、上部電極５が配設され、プラズマ生成用の１００Ｍ
Ｈｚの高周波電源６が接続されている。
【００２０】第１の真空容器１内の下部には、被処理基
板７を静電吸着する基板保持台８が配設されている。基
板保持台８には、電極９が配設され、プラズマ生成用の
５００ｋＨｚの高周波電源１０と静電吸着用の電源１１
ａ、１１ｂが接続されている。また、基板保持台８には
処理終了後に被処理基板７を突き上げる突き上げ手段１
２が配設され、その駆動機構１３が設けられている。
板７を静電吸着する基板保持台８が配設されている。基
板保持台８には、電極９が配設され、プラズマ生成用の
５００ｋＨｚの高周波電源１０と静電吸着用の電源１１
ａ、１１ｂが接続されている。また、基板保持台８には
処理終了後に被処理基板７を突き上げる突き上げ手段１
２が配設され、その駆動機構１３が設けられている。
【００２１】第１の真空容器１の一側には、第１の真空
容器１内に対して被処理基板７を適宜供給・排出するた
めの第２の真空容器１５が連通開口１４を介して互いに
連通させて配設されている。第２の真空容器１５の第１
の真空容器１との連通部には、任意に連通開口１４の開
放と遮蔽を行う遮蔽部材としてのゲートバルブ１６が配
設されている。ゲートバルブ１６には、導電性の真空シ
ール１７が設けられており、この真空シール１７にて第
１の真空容器１からのガス漏れを遮断するだけでなく、
ゲートバルブ１６と第１の真空容器１が同電位、即ち接
地状態となるように構成されている。第２の真空容器１
５内には、被処理基板７の第１の真空容器１内に対する
供給・排出を行う搬送ロボット１８が配設されている。
容器１内に対して被処理基板７を適宜供給・排出するた
めの第２の真空容器１５が連通開口１４を介して互いに
連通させて配設されている。第２の真空容器１５の第１
の真空容器１との連通部には、任意に連通開口１４の開
放と遮蔽を行う遮蔽部材としてのゲートバルブ１６が配
設されている。ゲートバルブ１６には、導電性の真空シ
ール１７が設けられており、この真空シール１７にて第
１の真空容器１からのガス漏れを遮断するだけでなく、
ゲートバルブ１６と第１の真空容器１が同電位、即ち接
地状態となるように構成されている。第２の真空容器１
５内には、被処理基板７の第１の真空容器１内に対する
供給・排出を行う搬送ロボット１８が配設されている。
【００２２】次に、以上の構成のドライエッチング装置
の動作を説明する。まず、ゲートバルブ１６が作動する
ことにより、第１の真空容器１と第２の真空容器１５が
連通開口１４を介して空間的に連通する。そこで、搬送
ロボット１８と基板保持台８に設けられた突き上げ手段
１２を用いて被処理基板７を基板保持台８に設置し、静
電吸着用の電源１１ａ、１１ｂにて静電吸着する。その
後、ゲートバルブ１６が作動して連通開口１４を遮蔽す
る。ここで、ゲートバルブ１６は導電性の真空シール１
７にて、第１の真空容器１と同電位、即ち接地状態とな
る。
の動作を説明する。まず、ゲートバルブ１６が作動する
ことにより、第１の真空容器１と第２の真空容器１５が
連通開口１４を介して空間的に連通する。そこで、搬送
ロボット１８と基板保持台８に設けられた突き上げ手段
１２を用いて被処理基板７を基板保持台８に設置し、静
電吸着用の電源１１ａ、１１ｂにて静電吸着する。その
後、ゲートバルブ１６が作動して連通開口１４を遮蔽す
る。ここで、ゲートバルブ１６は導電性の真空シール１
７にて、第１の真空容器１と同電位、即ち接地状態とな
る。
【００２３】次に、ガス導入口４よりエッチングガスで
あるＡｒガスを２００ｃｃ／分にて導入しつつ、第１の
真空容器１内を０．５Ｐａに調圧し、高周波電源１０か
ら基板保持台８に１ｋＷ、高周波電源６から上部電極５
に２ｋＷの高周波電力を印加することにより、第１の真
空容器１内にプラズマを発生させ、所望のドライエッチ
ングが達成される。
あるＡｒガスを２００ｃｃ／分にて導入しつつ、第１の
真空容器１内を０．５Ｐａに調圧し、高周波電源１０か
ら基板保持台８に１ｋＷ、高周波電源６から上部電極５
に２ｋＷの高周波電力を印加することにより、第１の真
空容器１内にプラズマを発生させ、所望のドライエッチ
ングが達成される。
【００２４】また、第１の真空容器１には、装置の使い
勝手を良くするための様々なユニットが付設されてい
る。例えば、プラズマ生成の状況を外部から観察するた
めの覗き窓や、プラズマの発光強度をＣＣＤ等のセンサ
ーでモニターするユニット、メンテナンス性を向上する
ために、ガス導入口４と上部電極５を蓋構造としてその
蓋を簡便に開閉するためのヒンジユニット、真空容器１
内の真空度をモニターする真空計ユニット等が付設され
ている。これらのユニットにおいて、ステンレス、アル
ミ、銅などから成り、抵抗が１×１０10Ω以下のものを
使用する際には、すべて電気的に真空容器１と同電位、
即ち接地された状態としている。
勝手を良くするための様々なユニットが付設されてい
る。例えば、プラズマ生成の状況を外部から観察するた
めの覗き窓や、プラズマの発光強度をＣＣＤ等のセンサ
ーでモニターするユニット、メンテナンス性を向上する
ために、ガス導入口４と上部電極５を蓋構造としてその
蓋を簡便に開閉するためのヒンジユニット、真空容器１
内の真空度をモニターする真空計ユニット等が付設され
ている。これらのユニットにおいて、ステンレス、アル
ミ、銅などから成り、抵抗が１×１０10Ω以下のものを
使用する際には、すべて電気的に真空容器１と同電位、
即ち接地された状態としている。
【００２５】かくして、真空容器１及びゲートバルブ１
６を含めて付設ユニットのすべてを接地状態として、プ
ラズマ空間を接地された部材で包囲しているため、真空
容器１の外部には殆ど電界が発生せず、周囲の電子機器
が誤動作することはない。経験例としては、約３０ｃｃ
以上の容積の部材を真空容器１に付設する際に、接地す
ることによって、電界を接地しない時の５分の１まで低
減できるという結果を得ている。
６を含めて付設ユニットのすべてを接地状態として、プ
ラズマ空間を接地された部材で包囲しているため、真空
容器１の外部には殆ど電界が発生せず、周囲の電子機器
が誤動作することはない。経験例としては、約３０ｃｃ
以上の容積の部材を真空容器１に付設する際に、接地す
ることによって、電界を接地しない時の５分の１まで低
減できるという結果を得ている。
【００２６】また、図２に示すように、第１の真空容器
１及びゲートバルブ１６等の真空と大気を隔離する構成
部材の平面形状を、被処理基板７の中心を中心とする同
心円形状と極端に異なる部位を無くし、ほぼ点対称な形
状の構造としているため、第１の真空容器１の内部の電
界が均一となり、エッチング性能、特にエッチングレー
トが同心円状になるという極めて制御性の高い結果が得
られる。
１及びゲートバルブ１６等の真空と大気を隔離する構成
部材の平面形状を、被処理基板７の中心を中心とする同
心円形状と極端に異なる部位を無くし、ほぼ点対称な形
状の構造としているため、第１の真空容器１の内部の電
界が均一となり、エッチング性能、特にエッチングレー
トが同心円状になるという極めて制御性の高い結果が得
られる。
【００２７】また、第２の真空容器１５においても、同
様に接地することによって電界の発生を防止できる。し
かし、接地された第１の真空容器１と接続しかつ第２の
真空容器１５自体も接地している場合が最も電界が発生
しにくく、さらに第２の真空容器１５の真空度を１Ｐａ
以下、もしくは１０Ｐａ以上とすることで、全く電界が
発生しないことが判明した。これは、ＤＣ印加時の、圧
力・電極間距離に応じて放電が発生するパッシェンの法
則に類似した結果と言える。
様に接地することによって電界の発生を防止できる。し
かし、接地された第１の真空容器１と接続しかつ第２の
真空容器１５自体も接地している場合が最も電界が発生
しにくく、さらに第２の真空容器１５の真空度を１Ｐａ
以下、もしくは１０Ｐａ以上とすることで、全く電界が
発生しないことが判明した。これは、ＤＣ印加時の、圧
力・電極間距離に応じて放電が発生するパッシェンの法
則に類似した結果と言える。
【００２８】エッチングが終了した後、プラズマ生成用
の高周波電源６、１０の作動を停止し、反応ガスの導入
を停止し、真空排気手段２にて真空排気を行いながら、
突き上げ手段１２で被処理基板７を基板保持台８から剥
離させ、ゲートバルブ１６を作動させて連通開口１４を
開放し、搬送ロボット１８にて被処理基板７を排出して
所定の処理を終了する。
の高周波電源６、１０の作動を停止し、反応ガスの導入
を停止し、真空排気手段２にて真空排気を行いながら、
突き上げ手段１２で被処理基板７を基板保持台８から剥
離させ、ゲートバルブ１６を作動させて連通開口１４を
開放し、搬送ロボット１８にて被処理基板７を排出して
所定の処理を終了する。
【００２９】以上のように本実施形態によれば、第１の
真空容器１の周辺に発生する電界強度を抑制・制御する
ことにより、異常な電界に起因するノイズによる電子部
品の誤動作を防止し、またエッチング特性において同一
の被処理基板内で均一な値を得ることができる。
真空容器１の周辺に発生する電界強度を抑制・制御する
ことにより、異常な電界に起因するノイズによる電子部
品の誤動作を防止し、またエッチング特性において同一
の被処理基板内で均一な値を得ることができる。
【００３０】なお、以上の実施形態において、（１）第
１の真空容器１を接地し、ゲートバルブ１６を含めて付
設される部材を同電位とし、また第１の真空容器１及び
ゲートバルブ１６などのプラズマ生成空間を遮蔽する部
材の形状を、ほぼ被処理基板７の中心を中心とする同心
円形状と極端に異なる部位がなく、ほぼ点対称形とする
ことと、（２）第１の真空容器１に隣接して接続されて
いる第２の真空容器１５の真空度を１Ｐａ以下、もしく
は１０Ｐａ以上とすることとは、それぞれ単独で実施し
ても十分な効果が得られることが確認されている。同時
に実施することがより好ましいことは言うまでもない。
１の真空容器１を接地し、ゲートバルブ１６を含めて付
設される部材を同電位とし、また第１の真空容器１及び
ゲートバルブ１６などのプラズマ生成空間を遮蔽する部
材の形状を、ほぼ被処理基板７の中心を中心とする同心
円形状と極端に異なる部位がなく、ほぼ点対称形とする
ことと、（２）第１の真空容器１に隣接して接続されて
いる第２の真空容器１５の真空度を１Ｐａ以下、もしく
は１０Ｐａ以上とすることとは、それぞれ単独で実施し
ても十分な効果が得られることが確認されている。同時
に実施することがより好ましいことは言うまでもない。
【００３１】以上の実施形態の説明では、ドライエッチ
ング装置を例にして説明したが、プラズマＣＶＤ装置、
スパッタリング装置、アッシング装置等にも本発明を適
用してその効果を奏することができる。
ング装置を例にして説明したが、プラズマＣＶＤ装置、
スパッタリング装置、アッシング装置等にも本発明を適
用してその効果を奏することができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理方法及び装置によ
れば、以上のようにプラズマ生成用の高周波電力の高周
波数化を行っても、真空容器周辺に発生する電界強度を
抑制・制御することができ、異常な電界に起因するノイ
ズによる電子部品の誤動作を防止することができ、また
同一の被処理基板内でのプラズマ処理特性の均一性を確
保することができる。
れば、以上のようにプラズマ生成用の高周波電力の高周
波数化を行っても、真空容器周辺に発生する電界強度を
抑制・制御することができ、異常な電界に起因するノイ
ズによる電子部品の誤動作を防止することができ、また
同一の被処理基板内でのプラズマ処理特性の均一性を確
保することができる。
【図１】本発明のプラズマ処理装置を適用したドライエ
ッチング装置の一実施形態の概略構成を示す縦断面図で
ある。
ッチング装置の一実施形態の概略構成を示す縦断面図で
ある。
【図２】同実施形態の平面図である。
【図３】従来例のドライエッチング装置の平面図であ
る。
る。
１ 第１の真空容器 ２ 真空排気手段 ３ ガス導入手段 ５ 上部電極 ６ 高周波電源 ９ 電極 １０ 高周波電源 １５ 第２の真空容器 １６ ゲートバルブ（遮蔽部材） １７ 真空シール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前川 幸弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 住田 賢二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA61 BC04 BC06 CA47 CA65 DA01 DA02 EB01 EB42 EC21 4K030 FA03 JA09 JA14 JA18 KA08 KA10 KA11 LA16 LA18 5F004 AA01 AA16 BA04 BB13 BB22 BB29 BC05 BC06 BC08 CA02 CB09 DA23 5F045 AA08 CA13 EB08 EB09 EC05 EH14 EH20 EM05 EM10 EN04 GB06 GB08
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の真空容器内にガスを導入しつつ真
空排気して所定の圧力に維持し、第１の真空容器を接地
するとともに、真空容器内に配置した電極に高周波電力
を印加してプラズマを発生するプラズマ処理方法におい
て、プラズマ生成時の電界強度分布を、第１の真空容器
と第１の真空容器に電気的に接続された部材の形状、配
置により制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 第１の真空容器内に配置した電極に、５
０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の周波数の高周波電力を
印加することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理
方法。 - 【請求項３】 接地された第１の真空容器と、第１の真
空容器内を真空排気する排気手段と、第１の真空容器内
にガスを導入するガス導入手段と、第１の真空容器内に
プラズマを発生する電極と、電極に高周波電力を印加す
る高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、第
１の真空容器と第１の真空容器を閉じた空間とする付属
部材とを含めた第１の真空容器の全体形状を、被処理基
板の中心を中心とする同心円形状から極端に異なる部位
を無くした形状としたことを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項４】 接地された第１の真空容器と、第１の真
空容器内を真空排気する排気手段と、第１の真空容器内
にガスを導入するガス導入手段と、第１の真空容器内に
プラズマを発生する電極と、電極に高周波電力を印加す
る高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、第
１の真空容器内におけるプラズマ発生空間の周囲をすべ
て接地された部材により包囲したことを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項５】 第１の真空容器に隣接して接続された第
２の真空容器を備え、第１の真空容器と第２の真空容器
の連通開口を任意のタイミングで遮蔽する遮蔽部材を、
遮蔽時に第１の真空容器と同電位となるようにしたこと
を特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 第１の真空容器と遮蔽部材と間のシール
部に導電手段を設けたことを特徴とする請求項５記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項７】 接地された第１の真空容器と、第１の真
空容器内を真空排気する排気手段と、第１の真空容器内
にガスを導入するガス導入手段と、第１の真空容器内に
プラズマを発生する電極と、電極に高周波電力を印加す
る高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、第
１の真空容器に隣接して接続された第２の真空容器の圧
力を１Ｐａ以下、または１０Ｐａ以上に設定したことを
特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176442A JP2002367969A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176442A JP2002367969A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367969A true JP2002367969A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19017427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001176442A Pending JP2002367969A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002367969A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014033225A (ja) * | 2013-10-22 | 2014-02-20 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Citations (8)
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| JPH05160039A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-25 | Canon Inc | 半導体膜形成装置 |
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| JPH0722499A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-24 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置及び方法 |
| JPH0774159A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Anelva Corp | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JPH0820879A (ja) * | 1994-07-08 | 1996-01-23 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH11238597A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2001148378A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法 |
-
2001
- 2001-06-12 JP JP2001176442A patent/JP2002367969A/ja active Pending
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| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100420 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110105 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110322 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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