JP2014033225A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器と、真空容器の下部を構成し、接地されたベースフランジと、真空容器内に設けられ、被加工試料を載置する下部電極と、下部電極を上下駆動する上下駆動機構と、下部電極が有す接地電位部に固定され、上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第1のカバーと、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第2のカバーとを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、円筒形状の第2のカバーが導体であることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
、アンテナ7と、第1高周波電源11と、第1整合器12と、第2高周波電源13と、第2整合器14と、フィルタ回路15と、第3高周波電源16と、第3整合器17と、位相調整ユニット18と、アンテナ外周リング19と、アンテナ蓋部21と、フィルタ回路22と、フィルタ回路25とを有している。また、下部電極2にはフィルタ回路23を介して、静電チャック電源24が接続されている。下部電極2は可動式であるために保護カバーとして下部電極2が有す接地電位部に固定され、円筒形状の第1のカバーである下部電極上カバー27,ベースフランジに固定され、円筒形状の第2のカバーである下部電極下カバー28が設置されている。プラズマと接する真空処理室1の側壁部は内外の二重壁構造となっており、側壁部の外壁は金属材料例えばアルミニウムで構成され、側壁部の内壁は耐プラズマ性保護膜で構成されている。ウエハ3はゲートバルブ29,プロセスバルブ26を通り下部電極2に設置される。
2 下部電極
3 ウエハ
4 フォーカスリング
5 ヨーク
6 コイル
7 アンテナ
8 ガス分散板
9 上部電極
10 ガス供給系
11 第1高周波電源
12 第1整合器
13 第2高周波電源
14 第2整合器
15,22,23,25 フィルタ回路
16 第3高周波電源
17 第3整合器
18 位相調整ユニット
19 アンテナ外周リング
21 アンテナ蓋部
24 静電チャック電源
26 プロセスバルブ
27 下部電極上カバー
28 下部電極下カバー
29 ゲートバルブ
Claims (2)
- 内部にプラズマが生成され、前記プラズマに晒される壁面に耐プラズマ性保護膜が形成されている真空容器と、プラズマ生成用高周波電力が供給される上部電極と、前記真空容器の外側に設けられ、磁場を生成する磁場形成手段と、前記真空容器の下部を構成し、接地されたベースフランジと、前記真空容器内に設けられるとともに前記上部電極と対向し、被加工試料を載置する下部電極と、前記下部電極を上下駆動する上下駆動機構と、前記下部電極が有する接地電位部に固定され、前記上下駆動機構を前記プラズマから遮蔽する円筒形状の第1のカバーと、前記ベースフランジに固定され前記上下駆動機構を前記プラズマから遮蔽する円筒形状の第2のカバーとを備えるプラズマ処理装置において、
前記第2のカバーは、導体からなり、直流アースとして用いられ、
前記第2のカバーのプラズマに晒される表面は、前記導体が露出していることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記第1のカバーは、導体からなり、直流アースとして用いられ、
前記第1のカバーのプラズマに晒される表面は、前記導体が露出し、
前記被加工試料を前記真空容器内に搬送させる通路である搬送通路と、前記搬送通路の前記真空容器内に近い開口部を開閉し、前記真空容器の内壁一部を構成するプロセスバルブと、前記搬送通路の前記プロセスバルブにより開閉される開口部と反対側にある開口部を開閉するゲートバルブをさらに備え、
前記プロセスバルブは、導体からなるとともに接地されて直流アースとして用いられ、
前記プロセスバルブのプラズマに晒される表面は、前記導体が露出していることを特徴とするプラズマ処理装置。
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Citations (11)
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---|---|---|---|---|
JPH07263528A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | ウエハ保持装置および保持方法 |
JP2000286242A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001093884A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2001118830A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JP2002367969A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2003257938A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング処理装置 |
JP2005109104A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2007103697A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2007250860A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 |
JP2008182081A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2009164040A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
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Patent Citations (11)
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---|---|---|---|---|
JPH07263528A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | ウエハ保持装置および保持方法 |
JP2000286242A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001093884A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2001118830A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JP2002367969A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2003257938A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング処理装置 |
JP2005109104A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2007103697A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2007250860A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 |
JP2008182081A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
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