JP2009164040A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理時、プッシャピン25は絶縁体25を介して台座14から吊り下げられて電気的に浮いた状態であり、処理終了後、被処理体4を突き上げるときのみプッシャピン25にプッシャピンを昇降させる接地された昇降プレート29が接して接地する。
【選択図】図2
Description
また、第二電極3の下方には処理ガス供給系9が繋がれたガス分散板10とそのガス分散板10から処理室内にガスを放出するシャワープレート11が設置されている。
2.第一電極
3.第二電極
4.被処理体
5.マッチングボックス
6.プラズマ生成用高周波電源
7.電磁コイル
8.ヨーク
9.処理ガス供給系
10.ガス分散板
11.シャワープレート
12.静電吸着用誘電体
13.フォーカスリング
14.土台
15.絶縁板
16.サセプタ
17.上部カバー
18.下部カバー
19.昇降装置
20.第一フィルタ
21.直流電源
22.高周波バイアス電源
23.第二フィルタ
24.孔
25.プッシャピン
26.ベローズ
27.座
28.絶縁体
29.昇降プレート
30.突起
31.昇降プレート駆動機構
100.プッシャ昇降装置
200.試料台昇降稼動装置
300.プッシャピン
400.空間
500.試料台
600.被処理体
700.真空処理室
801.アース電位の金属
802.アース電位の金属
803.アース電位の金属
Claims (3)
- 真空処理室と、プラズマ生成用高周波電源と、被処理体が載置される試料台と、前記被処理体を前記試料台に静電吸着する静電吸着電源と、前記試料台を昇降させる駆動装置と、前記被処理体を昇降させるプッシャピン及び該プッシャピンを押し上げる昇降プレートとを有するプラズマ処理装置において、
前記プッシャピンは、誘電体もしくは、導電体で構成されるとともに、前記試料台に吊り下げられた座に絶縁体を介して取り付けられ、
前記昇降プレートは接地されており、前記被処理体を昇降させる際に、前記昇降プレートが前記プッシャピンに接触することで、前記プッシャピンを接地する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記プッシャピンの最下端は前記座よりも下方にあり、前記プッシャピンの最下端が前記昇降プレートと接触することで、前記プッシャピンを接地する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記昇降プレートは突起を有しており、前記突起が前記プッシャピンと接触することで、前記プッシャピンを接地する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008002195A JP5302541B2 (ja) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009164040A true JP2009164040A (ja) | 2009-07-23 |
JP5302541B2 JP5302541B2 (ja) | 2013-10-02 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008002195A Active JP5302541B2 (ja) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5302541B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7419161B2 (ja) | 2020-05-19 | 2024-01-22 | ボッシュ株式会社 | 排気ブレーキ制御方法及び排気ブレーキ装置 |
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JP5302541B2 (ja) | 2013-10-02 |
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