JPH04253356A - プッシャーピン付き静電チャック - Google Patents
プッシャーピン付き静電チャックInfo
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
電チャックに関する。
囲気にてプラズマエッチング等の各種処理を行っている
。この真空雰囲気での被処理体の固定は、静電チャック
を用いて行っている。いわゆるモノポール型の静電チャ
ックによる被処理体の吸着原理は下記の通りである。 載置台表面には、2枚の絶縁層の間に一方の電極を形成
した静電チャックシートが設けられ、この一方の電極と
離れた位置に他方の電極が設けられる。例えばプラズマ
エッチング装置では、他方の電極を接地して載置台に高
周波電力を供給すると、被処理体に臨んでプラズマが生
成され、このプラズマを通して被処理体が接地されるこ
とになる。また、一方の電極に高電圧を印加すると、被
処理体と一方の電極に正,負の電荷を生じさせ、この間
に働くクーロン力によって被処理体を載置台側に吸着保
持するものである。
出は搬送アーム等によって行われるが、この搬送アーム
に対して被処理体を受け渡すために、静電チャック上に
載置された被処理体をプッシャーピンにより押し上げ、
被処理体と静電チャックとの間に搬送アームを挿入でき
るようにしている。
クによりウエハの搬入出を行なっていると、静電チャツ
クが破壊することが判明した。本発明者はこの原因につ
いて探求した結果、次のことが原因であると考えられた
。
を吸着保持した状態での処理が終了した後には、プラズ
マの生成,静電チャックへの電圧印加がそれぞれ解除さ
れ、その後プッシャーピンを駆動して、被処理体を静電
チャックより引き離す駆動が行われる。この際、プラズ
マ生成を解除し、静電チャックへの電圧の印加を解除し
た後にあっては、被処理体は電気的にフローティング状
態であるので、被処理体には電荷が残留して帯電された
状態となっている。従って、静電チャックへの電圧印加
を解除した後にあっても、被処理体は静電チャックに吸
引された状態が維持されることになる。このような状態
にて、プッシャーピンを押し上げ駆動し、吸着状態にあ
る被処理体を静電チャックより無理やり引き離し駆動す
ると、プッシャーピンの端面と被処理体の対向面との間
に電界集中が生じ、放電によって静電チャックが破損し
てしまうという事実が確認された。
電チャックへの電圧の印加を解除した後にも引続き被吸
着体の帯電が維持するような場合にあっても、プッシャ
ーピンによって被吸着体を静電チャックより引き離す以
前に、被吸着体を除電することのできる比較的簡易な構
成のプッシャーピン付き静電チャックを提供することに
ある。
形成した一方の電極上に絶縁体を介して被吸着体を載置
し、この被吸着体と離れた位置に他方の電極を配置し、
一方の電極に高電圧を印加すると共に被吸着体を他方の
電極により異電位に設定し、クーロン力により上記被吸
着体を一方の電極に吸引保持し、電圧印加解除後にプッ
シャーピンを駆動して、上記被吸着体を引き離すプッシ
ャーピン付き静電チャックにおいて、上記プッシャーピ
ンにより上記被吸着体を除電可能に構成し、上記プッシ
ャーピンにより上記被吸着体を引き離す前に、帯電され
た上記被吸着体を除電することを特徴とする。
できるように構成しているので、この被吸着体を静電チ
ャックより引き離す前に、プッシャーピンを被処理体に
接触させることで、帯電状態にある被吸着体を予め除電
することができる。従って、その後プッシャーピンの駆
動により被吸着体を静電チャックより引き離す際には、
被吸着体には何等の吸着力が作用していないため、無理
なく被吸着体を押し上げ駆動でき、静電チャックの破損
を防止できる。
ピンが被吸着体と接触する近傍位置で、プッシャーピン
の移動速度を充分遅くすることで、プッシャーピンによ
る被吸着体の除電を確実に行うことができる。
ーピンが被吸着体と接触した際に、除電経路途中のスイ
ッチをオンすることで、プッシャーピンが被吸着体に接
触する以前での被吸着体との間の放電を確実に防止でき
る。
用されるプッシャーピン付き静電チャックに適用した一
実施例について、図面を参照して具体的に説明する。
着保持する静電チャック10は、上下2枚の絶縁層とし
てのポリイミドシート12,14の間に、導電層として
の導電性シート16を介在配置することで構成している
。この静電チャック10には、上面より下面に貫通する
3つの穴18(同図では2つのみ図示)が設けられ、後
述するプッシャーピン40を挿通可能としている。また
、前記静電チャック10における導電性シート16には
、図示しない給電経路を介してDC電源が接続され、こ
の導電性シート16に高電圧を印加することで、後述す
る動作に従い前記ウエハ1と導電性シート16との間に
クーロン力を作用させ、ウエハ1を静電チャック10に
吸着保持するように構成している。
ー20の表面に載置固定される。この第1のサセプター
20は例えばアルミ製であり、その表面の静電チャック
10の周囲には、フォーカスリング22を配設している
。この第1のサセプター20は、その下面側にて第2の
サセプター24に着脱自在に固定されている。この第2
のサセプター24は、同様にアルミ製であり、冷却ジャ
ケット26を内蔵することで、第1のサセプター20お
よび静電チャック10を介してウエハ1を例えば−50
℃〜−100℃程度に冷却している。尚、ウエハ1への
熱伝導性を高めるために、第1のサセプター20,第2
のサセプター24の間にガス例えばHeを導入し、さら
に、ウエハ1と静電チャック10との間にガス例えばO
2 を導入することも可能である。また、前記第1,第
2のサセプター20,26の側面および底面を覆うよう
に絶縁セラミック28が設けられている。
部チャンバー30と下部チャンバー32とから構成され
る。前記下部チャンバー32は、静電チャック10およ
びフォーカスリング22の表面のみをチャンバー室内に
露出するように、前記絶縁セラミック28の側面および
底面を覆う有底筒状に形成されている。一方、前記上部
チャンバー30は、第1のサセプター20の上面側を覆
い、かつ、下部チャンバー32の側壁周囲を覆うように
筒状に形成され、その下端側が前記下部チャンバー32
と連結固定されている。
サセプター24,絶縁セラミック28および下部チャン
バー32には、前記静電チャック10の穴18と対向す
る位置に、前記プッシャーピン40を挿通するための穴
20a,24a,28a,32aがそれぞれ形成されて
いる。
バー32で構成されるチャンバー室内は真空引きが可能
であり、かつ、エッチングガスが導入可能である。尚、
本実施例では、上部チャンバー30を接地し、第1,第
2のサセプター20,24にRF電力を供給することに
よって対向電極を構成し、RIE方式のプラズマエッチ
ング装置を構成している。また、上部チャンバー30を
接地することで、これを静電チャツク用の他方の電極と
して兼用し、プラズマ生成時にはこのプラズマを通して
ウエハを接地することができ、前記静電チャック12に
高電圧を印加することでいわゆるモノポール型の静電チ
ャックを構成し、ウエハ10を静電チャツク12上に吸
着できる。さらに、前記ウエハ1と対向する位置であっ
て、前記上部チャンバー30の外側上方にて永久磁石を
回転し、ウエハ1の近傍にその面と平行な磁場を形成す
ることで、マグネトロンエッング装置を構成している。 そして、チャンバー室内を真空引きした状態にて、エッ
チングガスを導入し、上記対向電極間にエッチングガス
によるプラズマを生成している。さらに、ウエハ1の近
傍に水平磁場を形成することで、イオンの飛翔方向がウ
エハ1表面に垂直となり、異方性の高いエッチングが実
現できる。
説明する。
記静電チャック10の表面より上方に突出するように上
下動可能である。このプッシャーピン40の下側の固定
端44と、前記下部チャンバー32との間には、ベロー
ズ46が設けられ、プッシャーピン40の上下動経路を
大気に対して気密構造としている。このプッシャーピン
40の固定端44は、上下動プレート48に連結され、
この上下動プレート48の駆動に伴って上下動可能であ
る。前記上下動プレート48は、駆動源例えばパルスモ
ータ50と結合され、このパルスモータ50の回転力を
例えばボールねじ構造等により直線駆動力に変換し、前
記上下動プレート48の上下動を可能としている。この
パルスモータ50に対しては、モータ駆動部52からの
パルスが入力され、このパルスにしたがってモータ50
が回転駆動される。プッシャーピン40の下死点より何
パルス後に、プッシャーピン40の先端42がウエハ1
に接触するか否かが予め分っており、このパルス駆動に
より先端42がウエハ1の裏面と接触した状態にて一旦
停止され、その後ウエハ1を静電チャック10より引き
離すように押し上げ駆動される。
プッシャーピン40によりウエハ1の除電を行うように
構成したことである。すなわち、前記プッシャーピン4
0,固定端44および上下動プレート48はそれぞれ導
電性の金属にて形成され、上下動プレート48はスイッ
チ60を介して接地されている。このスイッチ60は、
前記パルスモータ50の駆動により、プッシャーピン4
0がウエハ1の裏面と接触して停止した後にON駆動さ
れ、このスイッチ60がONされることによりプッシャ
ーピン40を接地し、ウエハ1の除電が可能となってい
る。
バー30に設けられているゲールバルブ(図示せず)を
開放し、搬送アームによってウエハ1を静電チャック1
0の上方に配置する。その後、パルスモータ駆動により
プッシャーピン40が静電チャック10の上方に突出駆
動され、このプッシャーピン40の先端42にウエハ1
が載置される。その後パルスモータ50を逆回転駆動し
、プッシャーピン40を下方に押し下げ駆動することで
、ウエハ1を静電チャック10上に配置できる。このよ
うにしてウエハ1のセッテングが終了した後に、対向電
極へのRFパワーの印加,エッチングガスの導入,永久
磁石の回転駆動による水平磁場の形成等により、プラズ
マエッチング工程が開始されることになる。また、静電
チャック10の導電性シート16に対して高電圧を印加
し、一方ウエハ1はプラズマを通して上部チャンバー3
0と導通するので接地させることができ、ウエハ1,導
電性シート16間にクーロン力に作用させて静電チャッ
ク10表面にウエハ1を吸着保持できる。
稼動が停止され、すなわちプラズマの生成が解除され、
さらに静電チャック10の導電性シート16に対する高
電圧の印加が解除される。そして、この後にプッシャー
ピン40の押し上げ駆動が開始される。
際して、まずモータ駆動部50により所定数のパルスが
パルスモータ50に入力される。この所定数のパルスと
は、プッシャーピン40の先端42が、静電チャック1
0に載置されているウエハ1の裏面に接触するまでの駆
動に要するパルスである。この際のプッシャーピン40
の押し上げ駆動の間は、プッシャーピン40の除電経路
途中に配置されているスイッチ60はOFFされている
。そして、上記のパルス駆動によりプッシャーピン40
の先端42がウエハ1の裏面と接触した位置にて、プッ
シャーピン40の押し上げ駆動が停止され、その後スイ
ッチ60がONされる。ここで、前記ウエハ1には電荷
が残留し、かつ、電気的にフローティング状態にあるの
で帯電状態が維持されている。そこで、スイッチ60を
ONすることにより、プッシャーピン40,固定端44
,上下動プレート48およびスイッチ60を経由するこ
とでウエハ1の除電経路を構成する。従って、ウエハ1
に蓄積されている電荷は上記除電経路を経由して除去さ
れ、ウエハ1のチャージアップが解消されることになる
。このようなウエハ1の除電動作後に、再度モータ駆動
部52よりパルスモータ50に向けてパルスが入力され
、ウエハ1を搬送アームに受け渡す位置までプッシャー
ピン40を押し上げ駆動することになる。この際、ウエ
ハ1は予めチャージアップが解消されているので、ウエ
ハ1と静電チャック10との間には何等の吸着力も作用
せず、プッシャーピン40の押し上げ駆動によりウエハ
1を静電チャック10より円滑に引き離すことが可能と
なる。従って、静電チャック10には何等のダメージも
生ずることはない。
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可
能である。
接触したことを検知する手段としてセンサ等を用いるこ
ともできる。また、本発明は、上記実施例のような処理
用チャックとして用いるものに限らず、真空雰囲気での
搬送用チャック等各種の分野に適用可能である。
電チャックへの電圧の印加解除後にあって、かつ、被吸
着体に電荷が蓄積することによりチャージアップしてい
る場合に、プッシャーピンによって被吸着体を静電チャ
ックより引き離す以前に、このプッシャーピンを利用し
て被吸着体を予め除電することができるので、被吸着体
を円滑に引き離し駆動でき、静電チャックの破損を防止
することによりその長寿命化を確保できる。
略断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 載置台表面に形成した一方の電極上に
絶縁体を介して被吸着体を載置し、この被吸着体と離れ
た位置に他方の電極を配置し、一方の電極に高電圧を印
加すると共に被吸着体を他方の電極により異電位に設定
し、クーロン力により上記被吸着体を一方の電極に吸引
保持し、電圧印加解除後にプッシャーピンを駆動して、
上記被吸着体を引き離すプッシャーピン付き静電チャッ
クにおいて、上記プッシャーピンにより上記被吸着体を
除電可能に構成し、上記プッシャーピンにより上記被吸
着体を引き離す前に、帯電された上記被吸着体を除電す
ることを特徴とするプッシャーピン付き静電チャック。 - 【請求項2】 請求項1において、上記プッシャーピ
ンによる上記被吸着体の引き離し駆動時に、上記被吸着
体と接触する近傍位置にて上記プッシャーピンの駆動速
度を変化させるプッシャーピン駆動部を設けたプッシャ
ーピン付き静電チャック。 - 【請求項3】 2において、上記プッシャーピンの除
電経路途中にスイッチを設け、上記プッシャーピンが上
記被吸着体と接触した時にスイッチをオンして除電可能
としたプッシャーピン付き静電チャック。
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---|---|---|---|
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0601788A2 (en) * | 1992-12-02 | 1994-06-15 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck usable in high density plasma |
JPH06326180A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着体の離脱装置 |
JPH06326177A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の離脱方法 |
JPH077072A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Anelva Corp | 静電チャック装置における基板の脱着方法および脱着機構 |
JPH0722497A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体製造装置 |
EP0720217A2 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-03 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Electrostatic chuck and method of operating the same |
EP0783175A2 (en) * | 1995-12-28 | 1997-07-09 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for dechucking substrates |
JPH1116994A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 静電吸着した試料を離脱する方法 |
WO1999029001A2 (en) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate |
JPH11354610A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板搬送装置および基板搬送方法 |
JP2001506808A (ja) * | 1996-12-19 | 2001-05-22 | ラム・リサーチ・コーポレーション | ウェハ昇降システムによるウェハ放電制御 |
US6793767B2 (en) * | 2000-11-09 | 2004-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer stage including electrostatic chuck and method for dechucking wafer using the wafer stage |
JP2004531883A (ja) * | 2001-03-30 | 2004-10-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウェハ持ち上げ装置およびその実装方法 |
JP2007180074A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Olympus Corp | 静電気検出装置および基板検査装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102241646B1 (ko) * | 2020-09-21 | 2021-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판 지지 장치 |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP2811291A patent/JP3230821B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5539609A (en) * | 1992-12-02 | 1996-07-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck usable in high density plasma |
EP0601788A3 (en) * | 1992-12-02 | 1995-05-24 | Applied Materials Inc | Electrostatic holder can be used in high-density plasma. |
EP0601788A2 (en) * | 1992-12-02 | 1994-06-15 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck usable in high density plasma |
US5583737A (en) * | 1992-12-02 | 1996-12-10 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck usable in high density plasma |
JPH06326180A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着体の離脱装置 |
JPH06326177A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の離脱方法 |
JPH077072A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Anelva Corp | 静電チャック装置における基板の脱着方法および脱着機構 |
JPH0722497A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体製造装置 |
US5815366A (en) * | 1994-12-28 | 1998-09-29 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Electrostatic chuck and the method of operating the same |
EP0720217A2 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-03 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Electrostatic chuck and method of operating the same |
EP0720217A3 (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-17 | Sumitomo Metal Ind | |
EP0783175A2 (en) * | 1995-12-28 | 1997-07-09 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for dechucking substrates |
EP0783175A3 (en) * | 1995-12-28 | 1998-07-15 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for dechucking substrates |
US5900062A (en) * | 1995-12-28 | 1999-05-04 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for dechucking substrates |
EP1435646A3 (en) * | 1996-12-19 | 2006-05-10 | Lam Research Corporation | Wafer electrical discharge control by wafer lifter system |
JP2001506808A (ja) * | 1996-12-19 | 2001-05-22 | ラム・リサーチ・コーポレーション | ウェハ昇降システムによるウェハ放電制御 |
EP1435646A2 (en) * | 1996-12-19 | 2004-07-07 | Lam Research Corporation | Wafer electrical discharge control by wafer lifter system |
JPH1116994A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 静電吸着した試料を離脱する方法 |
WO1999029001A2 (en) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate |
WO1999029001A3 (en) * | 1997-12-01 | 1999-09-02 | Applied Materials Inc | Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate |
JPH11354610A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板搬送装置および基板搬送方法 |
US6793767B2 (en) * | 2000-11-09 | 2004-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer stage including electrostatic chuck and method for dechucking wafer using the wafer stage |
US7258811B2 (en) | 2000-11-09 | 2007-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer stage including electrostatic chuck and method for dechucking wafer using the wafer stage |
JP2004531883A (ja) * | 2001-03-30 | 2004-10-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウェハ持ち上げ装置およびその実装方法 |
JP2007180074A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Olympus Corp | 静電気検出装置および基板検査装置 |
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