JP2020064896A - ウェーハの搬送装置及び搬送方法 - Google Patents
ウェーハの搬送装置及び搬送方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020064896A JP2020064896A JP2018194154A JP2018194154A JP2020064896A JP 2020064896 A JP2020064896 A JP 2020064896A JP 2018194154 A JP2018194154 A JP 2018194154A JP 2018194154 A JP2018194154 A JP 2018194154A JP 2020064896 A JP2020064896 A JP 2020064896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- suction
- electrostatic chuck
- contact
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 23
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 16
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
静電チャックにウェーハを搬入する時は、プラズマが発生していないためウェーハをアースに接続させるために搬送手段をアースに接続させて、ウェーハを静電チャックに吸着させている(例えば、特許文献2参照)。
よって、ウェーハを吸引保持し、静電チャックの吸着面に搬入する搬送装置においては、デバイスに影響が無いようにウェーハの上面を吸引保持しつつウェーハをアースに接続させ、静電チャックに搬送して吸着させる、又は、静電チャックの吸着面が保持するウェーハをデバイスに影響が無いようにして吸引保持して搬出という課題がある。
なお、ウェーハWはシリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。
図2において、ウェーハWは、既に研削加工が施された上面Waを上側に向けた状態で載置テーブル10に載置された状態になっている。なお、図2以降の各図においては、ウェーハWのデバイスD及び分割予定ラインSを省略して示している。
図2に示す搬送装置2は、ウェーハWの上面Waにエアを噴射させ生成された負圧でウェーハWを吸引保持する吸引保持手段20と、吸引保持手段20が保持したウェーハWを図3に示す静電チャックに搬送する移動手段21と、を備えている。
なお、アースピン25を可撓性及び導電性を有する給電ケーブルや伸縮性及び導電性を有するバネ状の給電コイルとすることで、ウェーハWと接触したアースピン25自体が変形して静電チャック3の吸着面31aに対して上下方向に移動可能となっていてもよい。
その後、移動手段21が吸引保持手段20を+Z方向へと上昇させることで、搬送装置2によってウェーハWが載置テーブル10から搬出される。
なお、本実施形態のように、アースピン25が静電チャック3の吸着面31aに対して上下方向に移動可能となっている場合には、吸引保持手段20がセンタリングされたウェーハWを吸引保持している状態において、アースピン25はウェーハWに接触していてもよい。一方、アースピン25が静電チャック3の吸着面31aに対して上下方向に移動可能となっていない場合には、アースピン25の最下端とウェーハWの上面Waとの間には所定の隙間が形成される。
図3に示す減圧環境でウェーハWにプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチング装置1は、例えば、ウェーハWを静電吸着保持する吸着面31aを有する静電チャック3と、静電チャック3が配設された室内を減圧する減圧手段64を備える減圧室6と、を備えている。
ウェーハWは、搬送装置2によってプラズマエッチング装置1の静電チャック3に搬入される。なお、静電チャック3を備えるプラズマエッチング装置1は、本実施形態のような容量結合型プラズマ方式(CCP)の例に限定されるものではなく、誘電コイルにプラズマ発生用の高周波電力を印加し、誘電コイルに形成された磁場との相互作用により真空雰囲気とした減圧室内の処理ガスをプラズマ化する誘導結合型プラズマ方式(ICP)、又は所定波長のマイクロ波の組み合わせで電子がサイクロトロン共振することを利用してプラズマを発生させる電子サイクロトロン共振プラズマ方式(ECR)のものであってもよい。
また、第一の開閉バルブ389aが開かれて吸着面31aが吸引源381に連通されてから、吸引源381が作動することで、吸引源381が生み出す吸引力が吸着面31aに伝達される。
なお、本実施形態のように、アースピン25が静電チャック3の吸着面31aに対して上下方向に移動可能となっている場合には、図5に示すように、アースピン25はウェーハWの上面WaのデバイスDに影響しない領域Wa2に既に接触していてもよい。
また、センタリングピン202の下面は、基台200の中心側より外周側が下がった傾斜面202bを形成しているため、ウェーハWが垂直落下する際に、ウェーハWの外周縁Wdが傾斜面202bを擦ることがないため、ゴミが発生しない。
上記のように静電チャック3がウェーハWを静電吸着保持した後、エア供給源28が、高圧エアの非接触保持部201に対する供給を停止することで、吸引保持手段20からウェーハWに作用していた吸引力が無くなる。その後、移動手段21により吸引保持手段20が吸着面31aで吸着保持されたウェーハWの上方から離間し、センタリングピン202が板バネ24が蓄えていた付勢力により元の状態に戻る。
なお、減圧室6が真空雰囲気となることで、静電チャック3によるウェーハWの吸引保持は不可となるため、第一の開閉バルブ389aが閉じられて、吸着面31aの吸引力が無くなる。
ここで、搬送装置2は予めウェーハW2の厚みについての情報(設定値)を認識しているので、該設定値から吸引保持手段20の停止させる適切な高さ位置が定められることで、過度に吸引保持手段20が降下してウェーハW2のデバイスDに非接触保持部201が接触してしまいデバイスDが破損するといった事態が生じないようになる。
以下に、図3に示す搬送装置2を用いて、図8に示すウェーハWを静電吸着している静電チャック3からウェーハWを搬出する搬送方法を実施する場合の各工程について説明する。
図9に示すように、移動手段21により吸引保持手段20が減圧室6(図9においては不図示)内の静電チャック3に吸着保持されているウェーハW上へと移動され、基台200の中心が静電チャック3で吸着保持されたウェーハWの中心と略合致するように位置合わせが行われる。
なお、図9に示すように、センタリングピン202の最下端が静電チャック3の吸着面31aに接触した状態で、ウェーハWの外周縁Wdとセンタリングピン202の傾斜面202bとが接触しないように傾斜面202bが形成されているとよい。
吸引保持手段20のセンタリングピン202は、板バネ24によって基台200の下面に対して上方向に移動可能であるため、非接触保持部201がウェーハWを適切に非接触で吸引保持できる所定の高さ位置まで、吸引保持手段20を静電チャック3によって妨げられることなくウェーハWに対して近づけることができる。
そこで、ウェーハWのデバイスDに影響しない領域Wa2にアースピン25が接触した状態で、導通手段26のスイッチ261が入れられて、アースピン25がアースに導通される。その結果、ウェーハWから負(−)電荷が除去されていく。そして、ウェーハWに対する除電が充分に行われることで、電荷除去工程が完了する。
電荷除去工程を実施した後、図10に示すように、第二の開閉バルブ389bが開かれた状態でエア源382からエア流路389にエアが供給される。該エアは、静電チャック3の吸着面31aから上方に向かって噴出し、このエアの噴出圧力でウェーハWを吸着面31aから押し上げ、吸着面31aとウェーハWとの間に残存する真空吸着力を排除し、ウェーハWを静電チャック3から確実に離脱可能とする。
図11に示すように、移動手段21が吸引保持手段20を+Z方向へと上昇させて静電チャック3の吸着面31aから離間させることで、搬送装置2によって、ウェーハWが静電チャック3から搬出される。また、センタリングピン202が、板バネ24が蓄えていた付勢力により元の状態に戻ろうとし、各センタリングピン202の傾斜面202b間の水平方向における距離が元の距離まで縮まろうとするため、センタリングピン202の傾斜面202bが吸着面31aから浮き上がったウェーハWの外周縁Wdに接触することで、基台200の中心とウェーハWの中心とが正確に合致するようにウェーハWがセンタリングピン202によってガイドされる(センタリングされる)。
そして、移動手段21により、ウェーハWを吸引保持する吸引保持手段20が減圧室6(図11においては不図示)外へと移動される。
2:搬送装置 20:吸引保持手段 200:基台 200c:連通路
201:非接触保持部 201a:エア供給路 201b:エア噴出口
202:センタリングピン 202b:センタリングピンの傾斜面
21:移動手段 220:連結部材 221:アーム部
24:板バネ 25:アースピン 26: 導通手段 28:エア供給源
1:プラズマエッチング装置
4:ガス噴出ヘッド 40:軸受け 41:ガス拡散空間 41a:ガス導入路 41b:ガス吐出路 43:エアシリンダ 45:反応ガス供給源 47:整合器 48:高周波電源
3:静電チャック 30:基軸部 30a:軸受け 31:ウェーハ吸着部 31a:吸着面 34:電極 36:直流電源 360:スイッチ 37:配線
38a:連通路 381:吸引源 389:エア流路 389a:第一の開閉バルブ
382:エア源 389b:第二の開閉バルブ
39:冷却水供給手段 39a:冷却水通水路
6:減圧室 62:搬入出口 62a:シャッター 62b:シャッター可動手段
64:減圧手段 64a:排気口
Claims (4)
- 非接触でウェーハを吸引保持し、静電チャックの吸着面にウェーハを搬入する、又は該静電チャックの吸着面が保持するウェーハを搬出する搬送装置であって、
ウェーハの上面にエアを噴射させ生成された負圧でウェーハを吸引保持する吸引保持手段と、
該吸引保持手段が保持したウェーハを該静電チャックに搬送する移動手段と、を備え、
該吸引保持手段は、該移動手段に連結される基台と、該基台に配設しウェーハにエアを噴射させ負圧を生成し非接触でウェーハを吸引保持する非接触保持部と、該基台の中心を中心として等角度で該基台に配設する少なくとも3つのセンタリングピンと、該センタリングピンを該吸着面に対し上方向に移動可能に支持し該センタリングピンを下方向に付勢する板バネと、ウェーハのデバイスに影響しない領域に接触させアースに導通されるアースピンと、該アースピンをアースに導通させる導通手段と、備え、
該センタリングピンの下面は、該基台の中心側より外周側が下がった傾斜面を形成する搬送装置。 - 前記アースピンは、前記静電チャックの吸着面に対して上下方向に移動可能な請求項1記載の搬送装置。
- 請求項1記載の搬送装置を用いて静電チャックにウェーハを搬入する搬送方法であって、
前記非接触保持部からエアを噴射させウェーハを非接触で保持し前記センタリングピンでウェーハをセンタリングして前記吸引保持手段がウェーハを保持する保持工程と、
該吸引保持手段が保持したウェーハの下面と該静電チャックの吸着面とを接触させ、ウェーハのデバイスに影響しない領域に前記アースピンを接触させ、該アースピンをアースに導通させ、該静電チャックの電極に直流電圧を印加させ、該吸着面でウェーハを吸着する吸着工程と、
該吸引保持手段を該吸着面から離間させる離間工程と、を備える搬送方法。 - 請求項1記載の搬送装置を用いて静電チャックからウェーハを搬出する搬送方法であって、
該静電チャックの吸着面が保持するウェーハのデバイスに影響しない領域にアースに導通する前記アースピンを接触させウェーハの電荷を除去する電荷除去工程と、
該電荷除去工程後、前記非接触保持部からエアを噴射させウェーハを吸引保持する保持工程と、
該静電チャックの吸着面から該吸引保持手段を離間する方向に移動させ、ウェーハの外周縁に前記センタリングピンを接触させウェーハをセンタリングするセンタリング工程と、を備える搬送方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018194154A JP7189722B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | ウェーハの搬送装置及び搬送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018194154A JP7189722B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | ウェーハの搬送装置及び搬送方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020064896A true JP2020064896A (ja) | 2020-04-23 |
JP7189722B2 JP7189722B2 (ja) | 2022-12-14 |
Family
ID=70387536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018194154A Active JP7189722B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | ウェーハの搬送装置及び搬送方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7189722B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112652682A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-13 | 赣州虔沿达科技有限公司 | 一种光伏组件自动上串机上料装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7351769B2 (ja) | 2020-02-25 | 2023-09-27 | ダイハツ工業株式会社 | 排気ターボ過給機 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677304A (ja) * | 1992-04-06 | 1994-03-18 | Hitachi Ltd | ウエハ搬送装置 |
JP2014170923A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-09-18 | Samco Inc | ベルヌーイハンド及び半導体製造装置 |
WO2016052631A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 株式会社カネカ | 試料保持装置、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2016171292A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-23 | 株式会社ディスコ | 減圧処理装置 |
JP2016201490A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20170358475A1 (en) * | 2016-06-14 | 2017-12-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic chuck and plasma apparatus for processing substrates having the same |
-
2018
- 2018-10-15 JP JP2018194154A patent/JP7189722B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677304A (ja) * | 1992-04-06 | 1994-03-18 | Hitachi Ltd | ウエハ搬送装置 |
JP2014170923A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-09-18 | Samco Inc | ベルヌーイハンド及び半導体製造装置 |
WO2016052631A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 株式会社カネカ | 試料保持装置、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2016171292A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-23 | 株式会社ディスコ | 減圧処理装置 |
JP2016201490A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20170358475A1 (en) * | 2016-06-14 | 2017-12-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic chuck and plasma apparatus for processing substrates having the same |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112652682A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-13 | 赣州虔沿达科技有限公司 | 一种光伏组件自动上串机上料装置 |
CN112652682B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-11-04 | 江西清华泰豪三波电机有限公司 | 一种光伏组件自动上串机上料装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7189722B2 (ja) | 2022-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101876501B1 (ko) | 인-시츄 제거 가능한 정전 척 | |
KR100583562B1 (ko) | 가동 이송가능한 정전 기판 홀더 | |
JP6697346B2 (ja) | 吸着確認方法、離脱確認方法、及び減圧処理装置 | |
JP4786693B2 (ja) | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 | |
KR102444698B1 (ko) | 웨이퍼의 반출 방법 | |
US20150010381A1 (en) | Wafer processing chamber and method for transferring wafer in the same | |
US20060237138A1 (en) | Apparatuses and methods for supporting microelectronic devices during plasma-based fabrication processes | |
US20140150246A1 (en) | Apparatus and Method for Carrying Substrates | |
JPH08236604A (ja) | 静電チャックおよびその使用方法 | |
CN106340483B (zh) | 卡盘工作台和清洗装置 | |
JP7189722B2 (ja) | ウェーハの搬送装置及び搬送方法 | |
JPH04253356A (ja) | プッシャーピン付き静電チャック | |
US20120200980A1 (en) | Triboelectric charge controlled electrostatic clamp | |
JP2008028021A (ja) | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 | |
CN112795877B (zh) | 成膜装置 | |
JP6292934B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007258636A (ja) | ドライエッチング方法およびその装置 | |
US20210319988A1 (en) | Substrate support stage, plasma processing system, and method of mounting edge ring | |
US11037809B2 (en) | Transfer device and method for transferring substrate without unexpected rotation | |
US11094575B2 (en) | Simultaneous bonding approach for high quality wafer stacking applications | |
JP6011965B2 (ja) | プラズマダイシング方法及びプラズマダイシング装置 | |
JP3027781B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
TWI440123B (zh) | 用於承載基材之裝置與方法 | |
JP2002083860A (ja) | 基板の静電吸着装置および基板離脱方法 | |
TW202307955A (zh) | 載置台及基板處理裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210811 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7189722 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |