TW202307955A - 載置台及基板處理裝置 - Google Patents

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TW202307955A
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石田寿文
真壁正嗣
柏崎真克
俵和真
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之課題係抑制在貫穿孔之與升降銷的間隙發生異常放電，並且可易於進行升降銷之安裝。 載置部設有載置支撐之對象物的第1面及該第1面之背面的第2面，並形成有貫穿至第1面及第2面之貫穿孔。第1銷構件配置於貫穿孔，並可於貫穿孔之軸方向移動。第2銷構件相對於貫穿孔之第1銷構件而配置於第2面側，並可於軸方向移動。驅動部將第2銷構件於軸方向驅動。又，第1銷構件形成有第1面側之前端的寬度加大之蓋部。貫穿孔於第1面側之開口部具有當第1銷構件收納於貫穿孔時與蓋部嵌合之凹部。

Description

載置台及基板處理裝置
本發明係有關於載置台及基板處理裝置。
專利文獻1揭示一種技術，該技術係於載置基板之載置台形成配設有升降銷之貫穿孔，並於支撐基板之升降銷的頂部設置寬度加大之蓋部，而形成在使升降銷下降之狀態下，以蓋部封閉貫穿孔之狀態。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開公報2011–238825號
[發明欲解決之課題]
本發明提供抑制在貫穿孔之與升降銷的間隙發生異常放電，並且易於進行升降銷之安裝的技術。 [用以解決課題之手段]
本發明之一態樣的載置台具有載置部、第1銷構件、第2銷構件及驅動部。載置部設有載置支撐之對象物的第1面及該第1面之背面的第2面，並形成有貫穿至第1面及第2面之貫穿孔。第1銷構件配置於貫穿孔，並可於貫穿孔之軸方向移動。第2銷構件相對於貫穿孔之第1銷構件而配置於第2面側，並可於軸方向移動。驅動部將第2銷構件於軸方向驅動。又，第1銷構件形成有第1面側之前端的寬度加大之蓋部。貫穿孔於第1面側之開口部具有當第1銷構件收納於貫穿孔時與蓋部嵌合之凹部。 [發明之效果]
根據本發明可發揮以下效果：抑制在貫穿孔之與升降銷的間隙發生異常放電，並且易於進行升降銷之安裝。
以下，就揭示之載置台及基板處理裝置之一實施形態，依據圖式詳細地說明。本發明並非限定於本實施形態揭示之載置台及基板處理裝置。
已知有一種基板處理裝置，該基板處理裝置將基板載置於設置在處理容器之內部的載置台，令處理容器之內部為真空狀態，對基板進行蝕刻等電漿處理等之基板處理。此種基板處理裝置於載置台形成貫穿孔來收納升降銷，使升降銷上升，而使基板及配置於基板周圍之環構件從載置台上升來搬入搬出。
有時載置台在貫穿孔之與升降銷的間隙會發生問題。舉例而言，執行電漿程序時，有時會在間隙引發異常放電。是故，在專利文獻1，於升降銷之頂部設置寬度加大之蓋部，而形成在使升降銷下降之狀態下，以蓋部封閉貫穿孔之狀態。
於升降銷之頂部設有蓋部時，升降銷對貫穿孔僅可從載置台之載置基板的載置面側插入。因此，組裝載置台時，將升降銷從載置面側插入載置台之貫穿孔後，安裝於用以將升降銷升降之驅動部，這使得升降銷之安裝不易進行。
是故，吾人期待一種能抑制在貫穿孔之與升降銷的間隙發生異常放電，並且易於進行升降銷之安裝的技術。
[實施形態] [基板處理裝置之結構] 就實施形態作說明。以下，以令本發明之基板處理裝置為實施電漿處理之電漿處理裝置的情形為例來說明。圖1係顯示實施形態之基板處理裝置100的結構之一例的圖。圖1所示之基板處理裝置100係具有例如平行板電極之電容耦合電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)型電漿蝕刻裝置。
基板處理裝置100具有由例如表面經陽極氧化處理(鋁陽極氧化處理)之鋁構成且成形成圓筒形狀的處理容器102。處理容器102接地。於處理容器102內之底部設有用以載置半導體晶圓等基板W之大約圓柱狀載置台110。載置台110以由陶瓷等構成之環狀絕緣體112支撐。
載置台110具有可調整成預定溫度之溫度調整機構117。溫度調整機構117使如冷媒、傳熱氣體這樣的溫度調整流體循環於設置在例如載置台110內之流路118。
載置台110於上側中央部形成有用以載置基板W之凸狀基板載置部115。又，載置台110於基板載置部115之外周側形成有頂面比基板載置部115低之外周部116。基板載置部115之頂面作為載置基板W之第1載置面115a。外周部116之頂面作為載置聚焦環及蓋環等邊緣環119之第2載置面116a。於基板載置部115之上部設置靜電吸盤120時，靜電吸盤120之頂面作為第1載置面115a。以下，將基板載置部115與靜電吸盤120統一適宜地標示為「基板載置部115」。靜電吸盤120形成為電極122介於絕緣材之間的結構。靜電吸盤120從連接於電極122之圖中未示的直流電源被施加例如1.5kV之直流電壓。藉此，將基板W靜電吸附於靜電吸盤120。基板載置部115形成為徑比基板W之徑小。將基板W載置於基板載置部115時，基板W之周緣部從基板載置部115伸出。
邊緣環119於載置台110之上端周緣部配置成包圍載置於靜電吸盤120之第1載置面115a的基板W。邊緣環119於外周部116之第2載置面116a配置成該邊緣環119之內周面包圍基板載置部115之外周面。
絕緣體112、載置台110及靜電吸盤120形成有用以對載置於第1載置面115a之基板W的背面供應傳熱媒體(例如氦(He)氣等背面氣體)之氣體通路。藉由此傳熱媒體進行載置台110與基板W之間的熱傳達，而將基板W維持在預定溫度。
於載置台110，第1升降銷172設置成可從第1載置面115a升降自如。又，於載置台110，第2升降銷182設置成可從第2載置面116a升降自如。第1升降銷172以圖中未示之驅動部驅動，而可將基板W從第1載置面115a抬起。第2升降銷182以圖中未示之驅動部驅動，而可將邊緣環119從第2載置面116a抬起。
於載置台110之上方，上部電極130設置成與載置台110對向。形成於此上部電極130與載置台110之間的空間作為電漿生成空間。上部電極130經由絕緣性遮蔽構件131而被支撐於處理容器102之上部。
上部電極130主要以電極板132、及電極支撐體134構成。電極支撐體134將電極板132支撐成裝卸自如。電極板132以例如石英構成。電極支撐體134由例如表面經鋁陽極氧化處理之鋁等導電性材料構成。
電極支撐體134設有用以將來自處理氣體供應源142之處理氣體導入至處理容器102內之處理氣體供應部140。處理氣體供應源142藉由氣體供應管144連接於電極支撐體134之氣體導入口143。
在氣體供應管144，從上游側依序設有質量流量控制器(MFC)146、及開關閥148。此外，亦可設置FCS(Flow Control System：流量控制系統)取代MFC。
處理氣體供應源142供應用於基板處理之各種氣體。舉例而言，處理氣體供應源142供應用以電漿蝕刻之蝕刻氣體。此外，於圖1僅顯示一個由氣體供應管144、開關閥148、質量流量控制器146、處理氣體供應源142等構成之處理氣體供應系統，基板處理裝置100亦可具有複數之處理氣體供應系統。
於電極支撐體134設有例如大約圓筒狀之氣體擴散室135。從氣體供應管144導入之處理氣體從氣體導入口143流至氣體擴散室135。氣體擴散室135將處理氣體均等地擴散。於電極支撐體134之底部與電極板132形成有與處理容器102內部連通之多個氣體噴吐孔136。在氣體擴散室135擴散之處理氣體從多個氣體噴吐孔136均等地往電漿生成空間噴吐。如此，上部電極130具有用以供應處理氣體之噴淋頭的功能。
上部電極130具有可將電極支撐體134調整成預定溫度之電極支撐體溫度調整部137。電極支撐體溫度調整部137使溫度調整流體循環於設置在例如電極支撐體134內之流路138。
於處理容器102之底部連接有排氣管104。於排氣管104連接有排氣部105。排氣部105具有渦輪分子泵等真空泵。排氣部105將處理容器102內調整成預定減壓氣體環境。藉由排氣部105將處理容器102內調整成預定減壓氣體環境，而將處理容器102抽真空。
於處理容器102之側壁設有搬入搬出口106。將基板W及邊緣環119經由搬入搬出口106，對處理容器102搬入搬出。於搬入搬出口106設有閘閥108。舉例而言，進行基板W之搬入時，閘閥108開啟。接著，圖中未示之搬運臂經由搬入搬出口106，搬入基板W，在與從載置台110上升的第1升降銷172之間進行基板W的交接。又，進行邊緣環119之搬入時，亦同樣地，閘閥108開啟。接著，圖中未示之搬運臂經由搬入搬出口106，搬入邊緣環119，在與從載置台110上升的第2升降銷182之間，進行邊緣環119之交接。基板W及邊緣環119之搬出以與搬入之際的順序相反之順序實施。
上部電極130以供電線連接有第1射頻電源150，第1匹配器152插入該供電線之中。第1射頻電源150可輸出具有50~150MHz範圍的頻率之電漿生成用射頻電力。如此，藉著對上部電極130施加射頻電力，可於處理容器102內形成呈較佳之解離狀態且高密度之電漿。藉此，可進行較低壓條件下之電漿處理。第1射頻電源150之輸出電力頻率以50~80MHz為佳，典型為調整成圖中所示之60MHz或其附近之頻率。
載置台110含有導電性材料而形成，具有作為下部電極之功能。載置台110以供電線連接有第2射頻電源160，第2匹配器162插入該供電線之中。第2射頻電源160可輸出具有數百kHz~十數MHz範圍的頻率之偏壓用射頻電力。第2射頻電源160之輸出電力頻率典型為調整成2MHz或13.56MHz等。
於載置台110連接有過濾從第1射頻電源150流入之射頻電流的高通濾波器(HPF)164。於上部電極130連接有過濾從第2射頻電源160流入至上部電極130之射頻電流的低通濾波器(LPF)154。
[升降銷與驅動部之一例] 如上述，在載置台110，第1升降銷172設置成從第1載置面115a升降自如，並且第2升降銷182設置成從第2載置面116a升降自如。升降第1升降銷172與第2升降銷182之結構大約相同。以下，就升降第1升降銷172之結構作說明。圖2係將實施形態之載置台110的結構之一例簡略化顯示的圖。於圖2顯示升降第1升降銷172之結構。
載置台110具有載置部200、第1升降銷172、驅動部202。於載置部200積層基台200a、支撐部200b而構成。此外，載置部200亦可包含其他層。又，載置部200亦可僅以基台200a構成。
載置部200設有載置支撐之對象物的第1面211及該第1面211之背面的第2面212。第1面211在基板載置部115，作為載置基板W之第1載置面115a，在外周部116，作為載置邊緣環119之第2載置面116a。此外，在基板載置部115設置靜電吸盤120時，於第1面211上配置靜電吸盤120。
載置部200對應第1升降銷172之配置位置，形成有貫穿至第1面211與第2面212之貫穿孔221。在圖2，貫穿孔221形成於上下方向。貫穿孔221分成貫穿基台200a之貫穿孔221a、貫穿支撐部200b之貫穿孔221b。貫穿孔221a與貫穿孔221b形成於同樣之位置而連通。在本實施形態，貫穿孔221a之口徑形成為稍大於貫穿孔221b。
載置台110具有溫度調整機構117時，於基台200a及支撐部200b中任一者設置溫度調整機構117。舉例而言，基台200a形成上述流路118。基台200a藉著使溫度調整流體循環於流路118，而調整成預定溫度。
第1升降銷172收納於貫穿孔221，並可於貫穿孔221之軸方向移動。在圖2，第1升降銷172可於上下方向移動。
第1升降銷172分割成第1銷構件231與第2銷構件232。第1銷構件231及第2銷構件232分別形成預定半徑之棒狀。在本實施形態，第1銷構件231之徑形成為稍大於第2銷構件232。
第1銷構件231形成為比貫穿孔221a之長度短。第1銷構件231收納於貫穿孔221a，並可於軸方向移動。基台200a以稍大於第1銷構件231之徑的徑，形成有貫穿孔221a。
第2銷構件232形成為比起貫穿孔221b之長度足夠長。第2銷構件232以將貫穿孔221b貫穿之方式收納於貫穿孔221a，並可於貫穿孔221a之軸方向移動。第2銷構件232之上端進入貫穿孔221a，而與第1銷構件231接觸，下端到達至貫穿孔221b之下方。支撐部200b以與第2銷構件232之徑相同程度或稍大之口徑形成有貫穿孔221b。支撐部200b於與第2銷構件232對向之貫穿孔221b的周面設有密封件等密封構件200c，而密封與第2銷構件232之間隙。
貫穿孔221為了調整與第1銷構件231及第2銷構件232之接觸面的摩擦及電氣特性等，亦可沿著內側面設置套筒。舉例而言，貫穿孔221b亦可沿著內側面設置套筒。
驅動部202將第2銷構件232於軸方向驅動。驅動部202具有固持第1升降銷172之固持部202a。第2銷構件232之設有螺紋的安裝部232a設置於下端。第2銷構件232藉著使安裝部232a之螺紋結合於設置在固持部202a之螺紋槽，而固定於固持部202a。驅動部202以直流馬達、步進馬達、線性馬達等馬達、壓電致動器、空氣驅動機構等之驅動力，使固持部202a於上下方向驅動。隨著固持部202a之上下方向的驅動，第2銷構件232於上下方向驅動。驅動部202分別以適合基板W之搬運及邊緣環119之搬運的驅動精確度將第2銷構件232於上下方向驅動。舉例而言，驅動部202於將基板W抬起時，使第2銷構件232往上方移動。藉由第2銷構件232之往上方的移動，第1銷構件231被第2銷構件232推動，而往上方移動。藉此，第1銷構件231從第1面211突出，而將基板W抬起。又，驅動部202於將第1銷構件231收納於貫穿孔221時，將第2銷構件232於貫穿孔221之軸方向往第2面212側驅動，而使第2銷構件232與第1銷構件231之第2面212側的端部拉開間隔。藉此，第1銷構件231下降至貫穿孔221內而收納於貫穿孔221。
第1銷構件231形成有第1面211側之前端的寬度加大之蓋部231b。第1銷構件231具有銷本體部231a，且於第1面211側之端部具有外徑大於銷本體部231a之外徑的蓋部231b。銷本體部231a以貫穿孔221a之口徑以下的徑形成。舉例而言，銷本體部231a以貫穿孔221a之口徑以下的一定徑形成。蓋部231b以大於貫穿孔221a之口徑的徑形成。第1銷構件231由於蓋部231b為大於貫穿孔221a之口徑的徑，故僅可於貫穿孔221a收納至蓋部231b之下端的位置為止。
貫穿孔221a於第1面221側之開口部具有當第1銷構件231收納於貫穿孔221a時與蓋部231b嵌合之凹部221c。
凹部221c以蓋部231b之厚度以上的深度形成，而於第1銷構件231收納於貫穿孔221a時，蓋部231b之上端不致從第1面211突出。舉例而言，在本實施形態，蓋部231b之徑形成為從前端漸小。凹部221c之徑形成為從第1面211側漸小，而使面與蓋部231b貼合。即，蓋部231b形成為徑從前端往下側漸細之圓錐狀。凹部221c也以與蓋部231b同程度或稍大之尺寸，形成為徑往下側漸細之圓錐狀。藉此，將第1銷構件231收納於貫穿孔221a時，蓋部231b與凹部221c嵌合，第1面211與蓋部231b之頂面構成大致平坦之面。
第1銷構件231收納於貫穿孔221時，蓋部231b覆蓋貫穿孔221之第1面211側而形成為蓋上之狀態。由於如此，藉著以蓋部231b覆蓋貫穿孔221之第1面211側，可抑制氣體進入第1銷構件231與貫穿孔221之間的空間，故可減低放電風險。
在此，以往，第1升降銷172及第2升降銷182不分割，而以一個構件構成。然而，如以往般，第1升降銷172及第2升降銷182以一個構件構成時，第1升降銷172及第2升降銷182不易對載置台110安裝。由於第1升降銷172及第2升降銷182形成有前端之寬度加大的蓋部231b，故對於貫穿孔221僅可從第1面211側插入。第1升降銷172及第2升降銷182以一個構件構成時，從第1面211側插入載置台110之貫穿孔221後，安裝於驅動部202。要實現此種安裝，驅動部202需要自動將例如第1升降銷172及第2升降銷182之端部夾住的機構。
另一方面，本實施形態之載置台110係將第1升降銷172及第2升降銷182分割成第1銷構件231及第2銷構件232之結構。由於第1銷構件231與第2銷構件232僅接觸，故可個別安裝於載置台110。舉例而言，由於第1銷構件231形成有前端之寬度加大的蓋部231b，故對於貫穿孔221僅可從第1面211側插入。然而，本實施形態之載置台110係將第1銷構件231與第2銷構件232個別安裝，故可易於安裝。舉例而言將第2銷構件232之一端安裝於驅動部202後，將第2銷構件232之另一端從第2面212側插入載置台110之貫穿孔221。之後，將第1銷構件231從第1面211側插入載置台110之貫穿孔221。在本實施形態之載置台110，第1銷構件231不需固定於驅動部202。因此，本實施形態之載置台110可易於安裝第1升降銷172及第2升降銷182。
附帶一提，實施形態之載置台110使基板W及邊緣環119上升時，以驅動部202往第2銷構件232之上方移動，藉由第2銷構件232，將第1銷構件231往上方移動。又，載置台110使基板W及邊緣環119下降時，以驅動部202往第2銷構件232之下方移動，使第1銷構件231因自身重量而往下方移動。第1銷構件231與第2銷構件232僅接觸，未連接。因此，第1銷構件231在與貫穿孔221之摩擦很大時或被鈎住時，不再下降。
是故，為使第1銷構件231易於下降，第1銷構件231亦可含有密度高之高密度材料而構成。
圖3A~圖3F係將實施形態之第1銷構件231的結構之一例簡略化顯示的圖。如圖3A~圖3C所示，第1銷構件231亦可主要以材料231c形成銷本體部231a及蓋部231b，主要的材料231c包含高密度材料231d在內。舉例而言，主要的材料231c可舉例如Al(鋁)、Ti(鈦)、PEEK(聚醚醚酮)等樹脂為例。高密度材料231d可舉例如Fe(鐵)、W(鎢)、Al為例。舉例而言，令主要的材料231c為Al，令高密度材料231d為Fe。又，令主要的材料231c為Ti，令高密度材料231d為W。再者，令主要的材料231c為PEEK，令高密度材料231d為Al。
第1銷構件231亦可將材料231c與高密度材料231d接著或接合而構成。在圖3D，於材料231d之下部接著或接合高密度材料231d作為第1銷構件231。在圖3E，於棒狀高密度材料231d之周圍接著或接合材料231c作為第1銷構件231。
又，第1銷構件231亦可以高密度材料231d構成銷本體部231a。在圖3F，銷本體部231a整體以高密度材料231d構成。
如此，由於第1銷構件231係含有高密度材料231d而構成，故自身重量增加。藉此，載置台110可使第1銷構件231易於下降。
又，為使第1銷構件231易於下降，亦可為將第1銷構件231拉近至第2銷構件232側之結構。再者，亦可為第1銷構件231及第2銷構件232其中一者具有將另一者固持成能以同一直線狀移動之導件的結構。
圖4~圖6係將實施形態之第1銷構件231及第2銷構件232之結構的一例簡略化顯示之圖。於圖4~圖6簡略化顯示實施形態之載置台110的結構。於圖4~圖6顯示構成載置台110之載置部200及第1升降銷172。在圖4~圖6，載置部200顯示為一個構件。載置部200顯示有載置基板W作為支撐之對象物的第1面211。於第1面211形成點圖案，以點支撐基板W。對第1面211與基板W之間的空間供應傳熱氣體等氣體。載置部200形成有貫穿至第1面211與第2面212之貫穿孔221。
在圖4，於第1銷構件231與第2銷構件232設置磁鐵233a、233b，而以磁力將第1銷構件231與第2銷構件232拉近。舉例而言，第1銷構件231於第2銷構件232側設有N極磁鐵233a。第2銷構件232於第1銷構件231側設有S極磁鐵233b。
在圖5，以彈簧等彈性構件234連接第1銷構件231與第2銷構件232，而將第1銷構件231與第2銷構件232拉近。舉例而言，第1銷構件231之第2銷構件232側的端部與第2銷構件232之第1銷構件231側的端部以彈性構件234連接。彈性構件234亦可為橡膠等取代彈簧。又，於第1銷構件231及第2銷構件232其中一者設有將另一者固持成能以同一直線狀移動之導件235。在圖5，於第2銷構件232之上端部分，沿著側面設置導件235，而將第1銷構件231之下端部分以導件235包圍，而固持成能以同一直線狀移動。此外，亦可於第1銷構件231之下端部分，沿著側面設置導件235，而將第2銷構件232之上部部分以導件235包圍，而固持成能以同一直線狀移動。在圖4及圖6之結構，亦可設置導件235。
在圖6，以連結部24連結第1銷構件231與第2銷構件232，而將第1銷構件231與第2銷構件232拉近。舉例而言，第1銷構件231於第2銷構件232側之端部形成有連結用凹部241。凹部241之開口側形成窄小。第2銷構件232於第1銷構件231側之端部形成有連結用卡合部242。藉著使卡合部242卡合於凹部241，而連結第1銷構件231與第2銷構件232。連結部240亦可於凹部241與卡合部242卡合的部分設置彈簧等彈性構件243，而以反作用力對下方施加應力。
藉著使第1銷構件231及第2銷構件232具有圖4~圖6之結構，載置台110以驅動部202使第2銷構件232下降，藉此，將第1銷構件231往下方拉。如此，由於載置台110為將第1銷構件231拉至第2銷構件232側之結構，故可使第1銷構件231易於下降。此外，亦可磁鐵233a、233b中任一者為磁鐵，另一者為鐵(Fe)或鎳(Ni)等磁性體。又，磁鐵233a、233b中至少一者亦可為電磁鐵。為電磁鐵時，由於可轉換磁力及極性，故可以引力或斥力調整降下速度。又，由於有可能會有來自電磁鐵的漏磁場影響電漿生成的均一性，故以不使驅動部202運轉，進行電漿生成時，關閉電磁鐵之電源，不使磁力產生為理想。
此外，只要為具有將第1銷構件231往下方拉之力的構造，並不限實施形態所示之自身重量、磁力、彈簧及繩子。舉例而言，亦可為將電極埋入第1銷構件231及第2銷構件232之內部，使該電極帶有電荷，因而產生庫侖力或強生拉貝克(Johnsen-Rahbeck)力等靜電力，藉而將第1銷構件231拉至第2銷構件232側。
又，第1銷構件231亦可於第1面211側之前端設置定位用突起。圖7A~圖7C係說明實施形態之第1銷構件231的形狀之一例的圖。在圖7A，第1銷構件231於第1面211側的前端之寬度加大的蓋部231b之頂面的中央設有定位用半球狀突起231e。在圖7B，第1銷構件231於蓋部231b之頂面的中央設有定位用矩形突起231e。圖7C顯示將貫穿孔221之第1面211側以第1銷構件231覆蓋而蓋上的狀態。貫穿孔221於第1面211側設有凹部221c，而使第1銷構件231之頂面不致從第1面211突出。由於第1銷構件231設有突起231e，故可以良好精確度配置基板W及邊緣環119。亦可於基板W及邊緣環119對應銷構件231之位置，設置定位用凹部。藉此，可以良好精確度配置基板W及邊緣環119。
[效果] 如此，實施形態之載置台110具有載置部200、第1銷構件231、第2銷構件232、驅動部202。載置部200設有載置支撐之對象物(基板W、邊緣環119)的第1面211及該第1面211之背面的第2面212，並形成有貫穿至第1面211及第2面212之貫穿孔221。第1銷構件231配置於貫穿孔221，並可於貫穿孔221之軸方向移動。第2銷構件232相對於貫穿孔221之第1銷構件231而配置於第2面212側，並可於軸方向移動。驅動部202將第2銷構件232於軸方向驅動。又，第1銷構件231形成有第1面211側之前端的寬度加大之蓋部231b。貫穿孔221於第1面211側之開口部具有當第1銷構件231收納於貫穿孔221時與蓋部231b嵌合之凹部221c。藉此，載置台110可抑制在貫穿孔221之與升降銷(第1升降銷172、第2升降銷182)的間隙發生異常放電，並且可易於進行升降銷之安裝。
又，第1銷構件231亦可為被拉近至第2銷構件232側之結構。此時，載置台110中，由於驅動部202使第2銷構件232往第2面212側移動，因此可使第1銷構件231在貫穿孔221內穩定地往第2面212側移動。又，載置台110於將第1銷構件231收納於貫穿孔221內時，可使蓋部231b與凹部221c密合，而可抑制氣體進入第1銷構件231與貫穿孔221之間的空間。
又，第1銷構件231於第2銷構件232側設有第1磁鐵(磁鐵233a)。第2銷構件232於第1銷構件231側設有與第1磁鐵相吸之第2磁鐵(磁鐵233b)。藉此，載置台110之第2銷構件232與第1銷構件231並非以物理方式連接，而係第2銷構件232可將第1銷構件231拉近。
又，第1銷構件231之第2銷構件232側的端部與第2銷構件232之第1銷構件231側的端部以彈性構件234連接。藉此，載置台110之第2銷構件232可將第1銷構件231拉近。
又，第1銷構件231係含有密度高之高密度材料231d而構成。藉此，載置台110可使第1銷構件231易於下降。
又，第1銷構件231於以貫穿孔221之口徑以下的徑形成之銷本體部231a的第1面211側之前端，以大於貫穿孔221之口徑的徑形成蓋部231b。藉此，載置台110於將第1銷構件231收納於貫穿孔221時，可以蓋部231b覆蓋貫穿孔221之第1面211側，而封閉貫穿孔221，而可抑制氣體進入第1銷構件231與貫穿孔221之間的空間。
又，蓋部231b之徑從前端逐漸變小。凹部221c之徑從第1面211側逐漸變小，俾使得凹部221c的面與蓋部231b貼合。藉此，載置台110可使蓋部231b與凹部221c密接，而可抑制氣體進入第1銷構件231與貫穿孔221之間的空間。
又，第1銷構件231及第2銷構件232其中一者具有將另一者固持成能以同一直線狀移動的導件235。藉此，載置台110可將第1銷構件231與第2銷構件232以易以同一直線狀移動之狀態固持。
又，驅動部202於將第1銷構件231收納於貫穿孔221時，將第2銷構件232於軸方向往第2面212側驅動，而使第2銷構件232與第1銷構件231之第2面212側的端部拉開間隔。驅動部202於使第1銷構件231從貫穿孔221突出時，將第2銷構件232於軸方向往第1面211側驅動，而使第2銷構件232接觸第1銷構件231之第2面212側的端部。藉此，載置台110可使第1銷構件231從第1面211升降，而可穩定地升降載置於第1面211之對象物。
以上，就實施形態來說明，此次揭示之實施形態應視為所有點係例示，並非限制。實際上，上述實施形態可以多種形態實現。又，上述實施形態亦可在不脫離申請專利範圍及其旨趣下，以各種形態省略、置換、變更。
舉例而言，在上述實施形態，以令基板處理為電漿蝕刻之情形為例來說明。然而，並非限於此。基板處理只要為將對象物載置於載置台來實施之基板處理，何種基板處理皆可。
又，在上述實施形態，說明了令基板處理裝置100為電容耦合電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)型電漿處理裝置之情形。然而，並非限於此。基板處理裝置100只要為實施基板處理之裝置，何種裝置皆可。舉例而言，基板處理裝置100亦可為利用感應耦合型電漿(ICP：Inductively-coupled plasma)、電容耦合型電漿(CCP)、ECR電漿(electron-cyclotron-resonance plasma：電子迴旋共振電漿)、螺旋波激發電漿(HWP)、或表面波電漿(SWP)等之裝置。
又，在上述實施形態，以令基板W為半導體晶圓之情形為例來說明，但並非限於此。基板W可為任何基板。
此外，此次揭示之實施形態應視為所有點係例示，並非限制。實際上，上述實施形態可以多種形態實現。又，上述實施形態亦可在不脫離申請專利範圍及其旨趣下，以各種形態省略、置換、變更。
W:基板 100:基板處理裝置 102:處理容器 104:排氣管 105:排氣部 106:搬入搬出口 110:載置台 112:絕緣體 115:基板載置部 115a:第1載置面 116:外周部 116a:第2載置面 117:溫度調整機構 118:流路 119:邊緣環 120:靜電吸盤 122:電極 130:上部電極 131:絕緣性遮蔽構件 132:電極板 134:電極支撐體 135:氣體擴散室 136:氣體噴吐孔 137:電極支撐體溫度調整部 138:流路 140:處理氣體供應部 142:處理氣體供應源 143:氣體導入口 144:氣體供應管 146:質量流量控制器 148:開關閥 150:第1射頻電源 152:第1匹配器 154:低通濾波器 160:第2射頻電源 162:第2匹配器 164:高通濾波器 172:第1升降銷 182:第2升降銷 200:載置部 200a:基台 200b:支撐部 200c:密封構件 202:驅動部 202a:固持部 211:第1面 212:第2面 221:貫穿孔 221a:貫穿孔 221b:貫穿孔 221c:凹部 231:第1銷構件 231a:銷本體部 231b:蓋部 231c:材料 231d:高密度材料 231e:突起 232:第2銷構件 232a:安裝部 233a:磁鐵 233b:磁鐵 234:彈性構件 235:導件 240:連結部 241:凹部 242:卡合部 243:彈性構件
圖1係顯示實施形態之基板處理裝置的結構之一例的圖。 圖2係將實施形態之載置台的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖3A係將實施形態之第1銷構件的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖3B係將實施形態之第1銷構件的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖3C係將實施形態之第1銷構件的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖3D係將實施形態之第1銷構件的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖3E係將實施形態之第1銷構件的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖3F係將實施形態之第1銷構件的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖4係將實施形態之第1銷構件及第2銷構件的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖5係將實施形態之第1銷構件及第2銷構件的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖6係將實施形態之第1銷構件及第2銷構件的結構之一例簡略化顯示的圖。 圖7A係說明實施形態之第1銷構件的形狀之一例的圖。 圖7B係說明實施形態之第1銷構件的形狀之一例的圖。 圖7C係說明實施形態之第1銷構件的形狀之一例的圖。
110:載置台
112:絕緣體
172:第1升降銷
200:載置部
200a:基台
200b:支撐部
200c:密封構件
202:驅動部
202a:固持部
211:第1面
212:第2面
221:貫穿孔
221a:貫穿孔
221b:貫穿孔
221c:凹部
231:第1銷構件
231a:銷本體部
231b:蓋部
232:第2銷構件
232a:安裝部

Claims (10)

  1. 一種載置台，具有： 載置部，其設有載置支撐之對象物的第1面及該第1面之背面的第2面，並形成有貫穿至該第1面及該第2面之貫穿孔； 第1銷構件，其配置於該貫穿孔，並可於該貫穿孔之軸方向移動； 第2銷構件，其相對於該貫穿孔之該第1銷構件而配置於該第2面側，並可於該軸方向移動；及 驅動部，其將該第2銷構件於該軸方向驅動； 該第1銷構件形成該第1面側之前端的寬度加大之蓋部， 該貫穿孔於該第1面側之開口部具有當該第1銷構件收納於該貫穿孔時與該蓋部嵌合之凹部。
  2. 如請求項1之載置台，其中， 該第1銷構件為被拉近至該第2銷構件側之結構。
  3. 如請求項1或2之載置台，其中， 該第1銷構件於該第2銷構件側設有第1磁鐵， 該第2銷構件於該第1銷構件側設有與該第1磁鐵相吸之第2磁鐵。
  4. 如請求項1或2之載置台，其中， 該第1銷構件之該第2銷構件側的端部與該第2銷構件之該第1銷構件側的端部以彈性構件連接。
  5. 如請求項1至4中任一項之載置台，其中， 該第1銷構件係含有密度高之高密度材料而構成。
  6. 如請求項1至5中任一項之載置台，其中， 該第1銷構件於以該貫穿孔口徑以下之徑形成的銷本體部之該第1面側的前端以大於該貫穿孔口徑之徑形成有該蓋部。
  7. 如請求項1至6中任一項之載置台，其中， 該蓋部之徑從前端逐漸變小， 該凹部之徑從該第1面側逐漸變小，俾使得該凹部的面與該蓋部貼合。
  8. 如請求項1至7中任一項之載置台，其中， 該第1銷構件及該第2銷構件其中一者具有將另一者固持成能以同一直線狀移動的導件。
  9. 如請求項1至8中任一項之載置台，其中， 該驅動部於將該第1銷構件收納於該貫穿孔時，將該第2銷構件於該軸方向往該第2面側驅動，而使該第2銷構件與該第1銷構件之該第2面側的端部拉開間隔，於使該第1銷構件從該貫穿孔突出時，將該第2銷構件於該軸方向往該第1面側驅動，而使該第2銷構件接觸該第1銷構件之該第2面側的端部。
  10. 一種基板處理裝置，具有： 處理容器，其實施電漿處理；及 載置台，其係如請求項1至9中任一項之載置台，配置於該處理容器內，而載置處理對象之基板。
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